JPH0579196B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0579196B2 JPH0579196B2 JP2792386A JP2792386A JPH0579196B2 JP H0579196 B2 JPH0579196 B2 JP H0579196B2 JP 2792386 A JP2792386 A JP 2792386A JP 2792386 A JP2792386 A JP 2792386A JP H0579196 B2 JPH0579196 B2 JP H0579196B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- etching
- metal
- copper foil
- etching resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 38
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 15
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001516 alkali metal iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路用基板の製造法、詳しく
は貴金属メツキによる回路を形成する回路基板の
製造法に関するものである。
は貴金属メツキによる回路を形成する回路基板の
製造法に関するものである。
一般に混成集積回路用基板は半導体を搭載し、
金ワイヤーボンデングする必要があり、また導体
の防錆、ハンダ付性等を目的とした貴金属メツキ
がされることがある。近年、高密度実装の要求か
ら、金属ベース基板の使用が急速に増大してき
た。金属ベース基板はその構成上、従来から行わ
れていた機械的なメツキリード導体の除去方法で
は、絶縁層にクラツクを生じたり、絶縁層を破壊
して、導体とベース金属間の絶縁に不良現象の問
題を生ずるため、エツチング方法によつて除去さ
れている。
金ワイヤーボンデングする必要があり、また導体
の防錆、ハンダ付性等を目的とした貴金属メツキ
がされることがある。近年、高密度実装の要求か
ら、金属ベース基板の使用が急速に増大してき
た。金属ベース基板はその構成上、従来から行わ
れていた機械的なメツキリード導体の除去方法で
は、絶縁層にクラツクを生じたり、絶縁層を破壊
して、導体とベース金属間の絶縁に不良現象の問
題を生ずるため、エツチング方法によつて除去さ
れている。
一方、エツチングにより除去する方法としては
例えば、メツキリード導体上に耐メツキテープを
張る方法がある（特開昭59−31097号公報特開昭
58−225697号公報）。この方法はメツキ後にテー
プを除いてメツキリード導体部を銅エツチングで
除去しようとするものである。
例えば、メツキリード導体上に耐メツキテープを
張る方法がある（特開昭59−31097号公報特開昭
58−225697号公報）。この方法はメツキ後にテー
プを除いてメツキリード導体部を銅エツチングで
除去しようとするものである。
このような方法では回路導体間にリードライン
が有り、回路導体間は狭いものでは耐レツキテー
プをリードラインに貼り付けることが不可能であ
る。また写真法による耐メツキレジストを設ける
方法も考えられるが、微細な回路導体間のリード
ラインでは極めて微細な幅のマスキングになるた
め、メツキ時に剥れ又はメツキ液のしみ込み等に
より貴金属がメツキされてしまい、銅エツチング
では該貴金属メツキリードラインを切断除去する
ことが出来なくなる問題があつた。
が有り、回路導体間は狭いものでは耐レツキテー
プをリードラインに貼り付けることが不可能であ
る。また写真法による耐メツキレジストを設ける
方法も考えられるが、微細な回路導体間のリード
ラインでは極めて微細な幅のマスキングになるた
め、メツキ時に剥れ又はメツキ液のしみ込み等に
より貴金属がメツキされてしまい、銅エツチング
では該貴金属メツキリードラインを切断除去する
ことが出来なくなる問題があつた。
本発明はかかる銅エツチングした際にリードラ
イン除去不足による絶縁不良を完全に防止し、微
細な回路形成を円滑に行うために、メツキリード
ライン部分も貴金属メツキ、次いで回路基板に感
光性液状エツチングレジストを設けて写真法にて
メツキリードライン部分を露出せしめ、貴金属を
エツチング後、ニツケル及び銅をエツチングし、
メツキリードライン部分に除去する回路基板の製
造法を提供するものである。
イン除去不足による絶縁不良を完全に防止し、微
細な回路形成を円滑に行うために、メツキリード
ライン部分も貴金属メツキ、次いで回路基板に感
光性液状エツチングレジストを設けて写真法にて
メツキリードライン部分を露出せしめ、貴金属を
エツチング後、ニツケル及び銅をエツチングし、
メツキリードライン部分に除去する回路基板の製
造法を提供するものである。
すなわち本発明は、ベース金属板上に絶縁層を
介して銅箔を積層して成る金属ベース基板の貴金
属メツキした回路基板の製造法において、ベース
金属面に除去可能な保護層を形成し、又他方の銅
箔表面にエツチングレジストを設ける第１工程、 銅箔をエツチングし、次いで前記エツチングレ
ジストを除去する第２工程、 前記銅箔表面にニツケルメツキ次いで貴金属メ
ツキする電解メツキの第３工程、 写真法でメツキ用リード及びメツキ用電極を除
く部分にエツチングレジストを設ける第４工程、 前記メツキ用リード及びメツキ用電解部分の貴
金属をエツチングし、さらにニツケル及び銅をエ
ツチングする第５工程、及び 前記エツチングレジストを除去する第６工程で
構成することを特徴する貴金属メツキ回路基板の
製造法である。
介して銅箔を積層して成る金属ベース基板の貴金
属メツキした回路基板の製造法において、ベース
金属面に除去可能な保護層を形成し、又他方の銅
箔表面にエツチングレジストを設ける第１工程、 銅箔をエツチングし、次いで前記エツチングレ
ジストを除去する第２工程、 前記銅箔表面にニツケルメツキ次いで貴金属メ
ツキする電解メツキの第３工程、 写真法でメツキ用リード及びメツキ用電極を除
く部分にエツチングレジストを設ける第４工程、 前記メツキ用リード及びメツキ用電解部分の貴
金属をエツチングし、さらにニツケル及び銅をエ
ツチングする第５工程、及び 前記エツチングレジストを除去する第６工程で
構成することを特徴する貴金属メツキ回路基板の
製造法である。
以下本発明を図面により説明する。
第１図は本発明の混成集積回路基板で、ベース
金属１に絶縁層２を介して銅箔３を積層し、さら
に銅箔３にニツケル４及び貴金属５を順次積層し
た完成断面図である。
金属１に絶縁層２を介して銅箔３を積層し、さら
に銅箔３にニツケル４及び貴金属５を順次積層し
た完成断面図である。
本発明の回路基板の製造工程は、まず第１工程
をしてベース金属１の一方の面全体に絶縁層２を
介して銅箔３が積層されている基板を用いて、前
記銅箔３に回路として必要な部分、メツキ用電極
及びメツキ用リード部分に感光性液状エツチング
レジスト６を被覆し、ベース金属１の他方の金属
面に保護フイルム７を貼り合せる（第２図Ａ，
Ｂ）。次に露出された銅箔３をエツチングして回
路を形成し、また同時に電解メツキに必要なメツ
キ用電極８及びメツキ用リード９を形成させ、そ
して感光性液状エツチンググレジスト６を除去す
る（第３図Ａ，Ｂ）。第３工程として示している
第４図Ａ，Ｂは、回路部分とメツキ用電極及びメ
ツキ用リードに電解メツキでニツケル４と貴金属
５とを順次メツキして積層したものであり、第５
図Ａ，Ｂは最上層として貴金属５がなすメツキ用
電極とメツキ用リードを除去するため、回路部と
なる部分に感光性液状エツチングレジスト６を被
覆した状態を示す（第４工程）。
をしてベース金属１の一方の面全体に絶縁層２を
介して銅箔３が積層されている基板を用いて、前
記銅箔３に回路として必要な部分、メツキ用電極
及びメツキ用リード部分に感光性液状エツチング
レジスト６を被覆し、ベース金属１の他方の金属
面に保護フイルム７を貼り合せる（第２図Ａ，
Ｂ）。次に露出された銅箔３をエツチングして回
路を形成し、また同時に電解メツキに必要なメツ
キ用電極８及びメツキ用リード９を形成させ、そ
して感光性液状エツチンググレジスト６を除去す
る（第３図Ａ，Ｂ）。第３工程として示している
第４図Ａ，Ｂは、回路部分とメツキ用電極及びメ
ツキ用リードに電解メツキでニツケル４と貴金属
５とを順次メツキして積層したものであり、第５
図Ａ，Ｂは最上層として貴金属５がなすメツキ用
電極とメツキ用リードを除去するため、回路部と
なる部分に感光性液状エツチングレジスト６を被
覆した状態を示す（第４工程）。
第５工程はまず露出された貴金属５のみをエツ
チングするエツチング剤で除去し（第６図Ａ，
Ｂ）さらにニツケル４及び銅箔３とを同時にエツ
チングするエツチング剤で除去する（第７図Ａ，
Ｂ）。本発明はさらに、最終的に必要な部分とし
て感光性液状エツチングレジスト６で被覆された
該エツチングレジスト６を除去し（第８図Ａ，
Ｂ）、ベース金属の保護フイルム７を取り除いて、
必要に応じてベース金属１の外周を切断する（第
９図Ａ，Ｂ）することにより、第１図に示す回路
基板を製造することができる。
チングするエツチング剤で除去し（第６図Ａ，
Ｂ）さらにニツケル４及び銅箔３とを同時にエツ
チングするエツチング剤で除去する（第７図Ａ，
Ｂ）。本発明はさらに、最終的に必要な部分とし
て感光性液状エツチングレジスト６で被覆された
該エツチングレジスト６を除去し（第８図Ａ，
Ｂ）、ベース金属の保護フイルム７を取り除いて、
必要に応じてベース金属１の外周を切断する（第
９図Ａ，Ｂ）することにより、第１図に示す回路
基板を製造することができる。
本発明のベース金属１として用いられる材質
は、熱伝導性の良いアルミニウム、銅、アルミニ
ウム合金、銅合金及びアルマイト等の金属板であ
り、絶縁層２としては、例えば良熱伝導性の無機
粉体、例えばアルミナ粉、ボロンナイトライド
粉、ベリリア粉、マグネシア粉および石英粉等を
配合したエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂およびフ
エノール樹脂等の熱硬化性樹脂は熱伝導性が良好
であり、このベース金属１を絶縁化する樹脂とし
て好ましい。
は、熱伝導性の良いアルミニウム、銅、アルミニ
ウム合金、銅合金及びアルマイト等の金属板であ
り、絶縁層２としては、例えば良熱伝導性の無機
粉体、例えばアルミナ粉、ボロンナイトライド
粉、ベリリア粉、マグネシア粉および石英粉等を
配合したエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂およびフ
エノール樹脂等の熱硬化性樹脂は熱伝導性が良好
であり、このベース金属１を絶縁化する樹脂とし
て好ましい。
本発明によればエツチングレジストは解像性の
みがメツキリード（メツキ用電極及びメツキ用リ
ード）部分の切断幅を支配することになるため、
例えば感光性液状エツチングレジスト７等を用い
ることにより、超微細なメツキリードも切断でき
ることになる。また貴金属メツキとしては、金ワ
イヤーボンデング性のよい純金または純銀メツキ
が好ましく、従来から使用されているものでよ
い。次に最上層にメツキされた金または銀をエツ
チングするためには王水が考えらえるが取扱上問
題があるので本発明では、沃素とアルカリ金属沃
化物、例えば沃化ソーダ、沃化リチウム、沃化カ
リウム等が好ましく高速度で金、銀をエツチング
する。次いで下層のニツケル及び銅は塩化溶液で
良好にエツチングされる。
みがメツキリード（メツキ用電極及びメツキ用リ
ード）部分の切断幅を支配することになるため、
例えば感光性液状エツチングレジスト７等を用い
ることにより、超微細なメツキリードも切断でき
ることになる。また貴金属メツキとしては、金ワ
イヤーボンデング性のよい純金または純銀メツキ
が好ましく、従来から使用されているものでよ
い。次に最上層にメツキされた金または銀をエツ
チングするためには王水が考えらえるが取扱上問
題があるので本発明では、沃素とアルカリ金属沃
化物、例えば沃化ソーダ、沃化リチウム、沃化カ
リウム等が好ましく高速度で金、銀をエツチング
する。次いで下層のニツケル及び銅は塩化溶液で
良好にエツチングされる。
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれ
に限定されるものではない。
に限定されるものではない。
実施例
アルミニウムベース銅張り絶縁基板（電気化学
工業(株)製、商品名デンカHITTプレート）のベー
スアルミニウム面に保護フイルムをラミネートし
銅箔面に感光性液状エツチングレジストをコーテ
ングした。次いで乾燥後、写真法にて画像を形成
せしめ、銅エツチングで回路を形成、次いでエツ
チングレジストを除去し、アルミベース端面に保
護テープを張り、電解ニツケル厚さ5μｍと電解
純金厚さ0.5μｍとをメツキした。次に感光性液状
エツチングレジストをコーテングし、乾燥後、写
真法でメツキリード（メツキ用電極及びメツキ用
リード）部を露出させ、ヨード50ｇとヨー化カリ
ウム250ｇ及び700ｇの組成液で処理し、純金をエ
ツチングした。次いで水洗後塩化鉄（40゜ボーメ）
液でニツケル及び銅をエツチングした。次いで感
光性液状エツチングレジストを除去して、導体間
150μｍにメツキリードを有するパターンからメ
ツキリードを除去した微細回路を形成した。
工業(株)製、商品名デンカHITTプレート）のベー
スアルミニウム面に保護フイルムをラミネートし
銅箔面に感光性液状エツチングレジストをコーテ
ングした。次いで乾燥後、写真法にて画像を形成
せしめ、銅エツチングで回路を形成、次いでエツ
チングレジストを除去し、アルミベース端面に保
護テープを張り、電解ニツケル厚さ5μｍと電解
純金厚さ0.5μｍとをメツキした。次に感光性液状
エツチングレジストをコーテングし、乾燥後、写
真法でメツキリード（メツキ用電極及びメツキ用
リード）部を露出させ、ヨード50ｇとヨー化カリ
ウム250ｇ及び700ｇの組成液で処理し、純金をエ
ツチングした。次いで水洗後塩化鉄（40゜ボーメ）
液でニツケル及び銅をエツチングした。次いで感
光性液状エツチングレジストを除去して、導体間
150μｍにメツキリードを有するパターンからメ
ツキリードを除去した微細回路を形成した。
本発明により金ワイヤーボンデング性のすぐれ
た微細回路金属ベース基板が製造でき、メツキリ
ード残留によるパターンシユート不良も発生しな
く、高密度実装用としての微細回路基板製造に極
めて有用である。
た微細回路金属ベース基板が製造でき、メツキリ
ード残留によるパターンシユート不良も発生しな
く、高密度実装用としての微細回路基板製造に極
めて有用である。
第１図は本発明による貴金属メツキ微細回路金
属ベース基板の断面図である。第２図Ａ〜第９図
Ａは本発明工程を示す断面図であり、第２図Ｂ〜
第９図Ｂは平面図である。 １……ベース金属板、２……絶縁層、３……銅
箔、４……ニツケル、５……貴金属、６……エツ
チングレジスト、７…保護フイルム、８……メツ
キ用電極、９……メツキ用リード。
属ベース基板の断面図である。第２図Ａ〜第９図
Ａは本発明工程を示す断面図であり、第２図Ｂ〜
第９図Ｂは平面図である。 １……ベース金属板、２……絶縁層、３……銅
箔、４……ニツケル、５……貴金属、６……エツ
チングレジスト、７…保護フイルム、８……メツ
キ用電極、９……メツキ用リード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ベース金属板上に絶縁層を介して銅箔を積層
して成る金属ベース基板の貴金属メツキした回路
基板の製造法において、ベース金属面に除去可能
な保護層を形成し、又他方の銅箔表面にエツチン
グレジストを設ける第１工程、 銅箔をエツチングし、次いで前記エツチングレ
ジストを除去する第２工程、 前記銅箔表面にニツケルメツキ次いで貴金属メ
ツキする電解メツキの第３工程、 写真法でメツキ用リード及びメツキ用電極を除
く部分にエツチングレジストを設ける第４工程、 前記メツキ用リード及びメツキ用電極部分の貴
金属をエツチングし、さらにニツケル及び銅をエ
ツチングする第５工程、及び 前記エツチングレジストを除去する第６工程で
構成することを特徴とする貴金属メツキ回路基板
の製造法。 ２ 貴金属が金または銀であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の回路基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2792386A JPS62186588A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 貴金属メツキ回路基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2792386A JPS62186588A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 貴金属メツキ回路基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62186588A JPS62186588A (ja) | 1987-08-14 |
| JPH0579196B2 true JPH0579196B2 (ja) | 1993-11-01 |
Family
ID=12234404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2792386A Granted JPS62186588A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 貴金属メツキ回路基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62186588A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01260886A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-18 | Minolta Camera Co Ltd | プリント基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-13 JP JP2792386A patent/JPS62186588A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62186588A (ja) | 1987-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI307142B (en) | Semiconductor package substrate having different thicknesses between wire bonding pad and ball pad and method for fabricating the same | |
| EP0362161A2 (en) | Method of manufacturing a substrate for microwave integrated circuits | |
| US6472609B2 (en) | Printed-wiring substrate and method for fabricating the printed-wiring substrate | |
| US7169313B2 (en) | Plating method for circuitized substrates | |
| JP2026020180A (ja) | 回路基板およびその製造方法 | |
| JP4172893B2 (ja) | 金属ベース回路基板の製造方法 | |
| JPH0579196B2 (ja) | ||
| JP2713037B2 (ja) | プリント配線板及びその製造方法 | |
| JP3199193B2 (ja) | 半導体搭載用回路基板およびその製造方法 | |
| JPS61284991A (ja) | アルミニウム／銅複合箔張基板の回路形成法 | |
| JPS59124794A (ja) | 電子回路基板の製造方法 | |
| JPS59188997A (ja) | ワイヤボンデイング用プリント配線基板の製造方法 | |
| JPS622591A (ja) | 金属ベ−ス混成集積回路基板の製法 | |
| JPH0521951A (ja) | 銅張積層板用銅箔 | |
| JPH08274123A (ja) | 混成集積回路基板用導体の製造方法 | |
| JPS61212097A (ja) | 内層パタ−ン部が露出するプリント基板の製造法 | |
| JPH1051110A (ja) | プリント配線板およびそれを用いた半導体装置 | |
| JPS63283097A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JP2004228108A (ja) | 積層箔 | |
| JPS58225697A (ja) | 金属ベ−スプリント配線板の製造方法 | |
| JP2002329754A (ja) | テープキャリアの製造方法 | |
| JPH05235200A (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JPH0231871B2 (ja) | ||
| JP2004074501A (ja) | 積層箔およびそれを用いた配線板の製造方法 | |
| JPH08124958A (ja) | 混成集積回路基板用導体 |