JPH0579958U - ゲート保護ダイオード内蔵パワーｍｏｓｆｅｔ - Google Patents

ゲート保護ダイオード内蔵パワーｍｏｓｆｅｔ

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JPH0579958U
JPH0579958U JP1857992U JP1857992U JPH0579958U JP H0579958 U JPH0579958 U JP H0579958U JP 1857992 U JP1857992 U JP 1857992U JP 1857992 U JP1857992 U JP 1857992U JP H0579958 U JPH0579958 U JP H0579958U
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JP
Japan
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zener diode
bidirectional zener
aluminum
gate
built
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義光 村瀬
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関西日本電気株式会社
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＰｏＭＯＳＦＥＴに内蔵している双方向性ツ
ェナーダイオードを高性能化する。 【構成】 双方向性ツェナダイオード９ｂをソースアル
ミ７の上に形成する。 【効果】 作り込みスペースを大きくとることができ、
ＰＮジャンクッションの面積が大きくなるため，動作抵
抗の低減がはかれ、双方向性ツェナーダイオード９ｂを
高性能化することができる。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】 この考案は、ゲート保護ダイオード内蔵パワーＭＯＳＦＥＴに関し、特に外部 からのサージによるゲート酸化膜破壊対策としてのゲート保護用双方向性ダイオ ードの作り込み構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種のパワーＭＯＳＦＥＴ（以下、ＰｏＭＯＳＦＥＴという）の断面 を含む斜視図を図２に示す。
【０００３】 ここで、１は基本セルであり、ソース層２、ベース層３、ポリシリコンゲート ４によって構成されている。５はＳｉサブストレートであり、６はその上に成長 させたエピタキシャル層であり、ここにソース層２とベース層３が形成される。 ７はソースアルミであり、多数のセル部全体を覆っている。８はゲートアルミで あり、ボンディングパッド１１を形成する。このゲートアルミ８とソースアルミ ７の間に、双方向性のツェナーダイオード９ａが形成される。これは、ポリシリ コンでできている。双方向性ツェナーダイオード９ａ、ポリシリコンゲート４の 上下には酸化膜１０があり、エピタキシャル層６やソースアルミとの絶縁をして いる。
【０００４】 このように、従来のゲート保護用双方向性ダイオード内蔵型のＰｏＭＯＳＦＥ Ｔは、そのダイオードをゲートアルミ８とソースアルミ７との間に形成している 。
【０００５】 なお、図示しないがゲートアルミ８はポリシリコンゲート４に電気的に接続し ており、双方向性ツェナーダイオード９ａと、ポリシリコンゲート４は同一層と して形成し所定の不純物を導入し、エッチングしてそれぞれに分離形成する。
【０００６】
【考案が解決しようとする課題】 ところで、前記の従来の双方向性ツェナーダイオード９ａは、ゲートアルミ８ とソースアルミ７との間に形成していたため、作り込みのスペースが小さくＰ型 領域部とＮ型領域部の接合面積が狭いので動作抵抗が大きいという欠点があった 。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この考案では、双方向性ツェナーダイオードを、ソース電極の上に形成してい る。
【０００８】
【作用】
前記のように、双方向性ツェナーダイオードをソース電極の上に形成すること により、作り込みスペースを広くとることができ、Ｐ型領域部とＮ型領域部の接 合面積を広くすることができるため，動作抵抗の低減がはかれ、双方向性ツェナ ーダイオードを高性能かすることが出来る。
【０００９】
【実施例】
以下、この考案について図面を参照して説明する。
【００１０】 図１はこの考案の一実施例のＰｏＭＯＳＦＥＴの断面を含む斜視図である。図 ２と同一部分には、同一参照符号を付して，その説明を省略する。本実施例にお いて双方向性ツェナーダイオード９ａは、層間絶縁膜としての酸化膜１０ｂを介 してソースアルミ７の上に配置する。
【００１１】 双方向性ツェナーダイオード９ｂの一端はゲートアルミ８に接続し、他端は上 層アルミ１２を介して、双方向性ツェナーダイオード９ｂを設けていない部分で ソースアルミ７に接続している。
【００１２】 双方向性ツェナーダイオード９ｂの面積が大きい場合は、図１に示すように層 間絶縁膜としての酸化膜１０ｃを介して、双方向性ツェナーダイオード９ｂ上に も上層アルミ１２を設け、酸化膜１０ｂ、双方向性ツェナーダイオード９ｂおよ び酸化膜１０ｃを貫くするーホール（図示せず）を散在させ、ソースアルミ７と 接続することもできる。
【００１３】 本実施例によれば、双方向性ツェナーダイオード９ｂをソースアルミ上に作り 込むことにより、作り込みスペースを広くとることができ、Ｐ型領域部とＮ型領 域部の接合面積が広くなるため、動作抵抗の低減がはかれる。
【００１４】
【考案の効果】
以上説明したように、この考案は、静電耐量を向上させるためにＭＯＳＦＥＴ に作り込んだ双方向性ツェナーダイオードをソースアルミの上に形成したことに より、ダイオードの動作抵抗の低減がはかれ、高性能化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この考案の一実施例のパワーＭＯＳＦＥＴの
断面を含む斜視図。
【図２】 従来のパワーＭＯＳＦＥＴの断面を含む斜視
図。
【符号の説明】 １ 基本セル ２ ソース層 ３ ベース層 ４ ポリシリコンゲート ５ Ｓｉサブストレート ６ エピタキシャル層 ７ ソースアルミ ８ ゲートアルミ ９ｂ 双方向性ツェナーダイオード １０，１０ｂ，１０ｃ 酸化膜 １１ ゲートボンディングパッド １２ 上層アルミ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】ゲート保護用双方向性ダイオードをゲート
    −ソース間に内蔵したパワーＭＯＳＦＥＴにおいて、ゲ
    ート保護用双方向性ダイオードをソース電極上に形成し
    たことを特徴とするゲート保護ダイオード内蔵パワーＭ
    ＯＳＦＥＴ。
JP1992018579U 1992-03-31 1992-03-31 ゲート保護ダイオード内蔵パワーｍｏｓｆｅｔ Expired - Lifetime JP2576983Y2 (ja)

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