JPH0581122A - メモリのパーシヤル・ライト制御方式 - Google Patents

メモリのパーシヤル・ライト制御方式

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JPH0581122A
JPH0581122A JP24162791A JP24162791A JPH0581122A JP H0581122 A JPH0581122 A JP H0581122A JP 24162791 A JP24162791 A JP 24162791A JP 24162791 A JP24162791 A JP 24162791A JP H0581122 A JPH0581122 A JP H0581122A
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JP
Japan
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data
write
address
memory
write data
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JP24162791A
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English (en)
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Masahiro Nakada
昌弘 中田
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PFU Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、パーシャル・ライトが行われると
き、高速記憶を可能とするメモリのパーシャル・ライト
制御方式を提供することを目的としている。 【構成】 ライト・データ作成部11を備え、メモリ2
から読み出されたデータの一部に変更を加え、その変更
後のデータを当該メモリ2の同一アドレスに書き込ませ
る制御を行うメモリのパーシャル・ライト制御方式にお
いて、ライト・データ作成部11で作成されたデータを
格納するライト・データ・バッファ12と、当該ライト
・データ・バッファ12に格納されたデータと上記メモ
リ2から読み出されたデータとを選択するセレクタ13
と、上記ライト・データのアドレスを格納するライト・
アドレス・バッファ14と、ライト・データのアドレス
を比較するアドレス比較部15と、上記セレクタ13を
制御するタイミング制御部16とを備え構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、メモリのパーシャル・
ライト制御方式、特にパーシャル・ライトを行うためメ
モリから読み出されたデータに対しその一部が変更され
たデータをその同一アドレスに再度書き込む方式のメモ
リのパーシャル・ライト制御方式において、前に書き込
まれたパーシャル・ライトのデータをメモリから読み出
すことなく上記の一部変更されたデータをその同一アド
レスに書き込むようにしたメモリのパーシャル・ライト
制御方式に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のメモリのパーシャル・ライト制御
方式は、図7、図9に示されている構成で次の様にして
パーシャル・ライトが行われていた。
【0003】図7において、例えばメモリ2のアドレス
「ADRS1」に格納されているデータに対しパーシャ
ル・ライトが行われる場合、図示されていないCPUか
らメモリ2をアクセスするアドレス「ADRS1」が出
され、続いて出力されたRAS,CASによってメモリ
2のアドレス「ADRS1」から、例えば4バイト構成
のデータ「ABCD」が図8のタイムチャートの如く読
み出される。このメモリ2から読み出されたデータ「A
BCD」は、リード・バッファ19を介してリード・デ
ータ・バッファ17に格納され、次いでライト・データ
作成部11に入力される。
【0004】一方、当該ライト・データ作成部11に
は、当該データ「ABCD」の内、そのデータの一部、
例えばデータ「AB」をデータ「EF」で置き換えるた
めのライト・データ「EFGH」と、当該ライト・デー
タ「EFGH」内のデータ「EF」で上記データ「A
B」を置換させる有効ビットのデータ「VV−−」との
1回目のデータが図9図示の如くCPUからパーシャル
・ライト装置1に送られてきており、この2つのライト
・データ「EFGH」と有効ビットのデータ「VV−
−」とが入力されている。
【0005】従ってリード・データ・バッファ17に格
納されたデータ「ABCD」が当該ライト・データ作成
部11に入力されたとき、有効ビットのデータ「VV−
−」によってデータ「A」は「E」に、データ「B」は
「F」にバイト対応データ毎にそれぞれ置換され、当該
ライト・データ作成部11からパーシャル・ライト・デ
ータ「EFCD」が作成される。当該ライト・データ作
成部11で作成されたパーシャル・ライトデータ「EF
CD」に、チェック・ビット発生回路21から生成され
たチェック・ビットが加えられ、ライト・バッファ20
を介してメモリ2の同一アドレス「ADRS1」にライ
ト・イネーブル及びRAS,CASの出力によって書き
込まれる。
【0006】そしてCPUが再度、当該データ「EFC
D」に一部変更、例えばデータ「FC」を「JK」で書
き換えるパーシャル・ライトを行う場合、図8のタイム
チャートに示されている如く、メモリ2のアドレス「A
DRS2(=ADRS1)」をアクセスし、前に書き込
まれたパーシャル・ライト・データ「EFCD」を読み
出し、上記説明の如くパーシャル・ライト装置1内のラ
イト・データ作成部11でリード・データ・バッファ1
7に格納されるデータ「EFCD」とCPUから即に送
られて来ている2回目のライト・データ「IJKL」及
びその置き換えデータを示す有効ビットのデータ「−V
V−」とから、当該ライト・データ作成部11でパーシ
ャル・ライト・データ「EJKD」を作成し、チェック
・ビット発生回路21から生成されたチェック・ビット
が付加された上で、再度メモリ2の同一アドレス「AD
RS2(=ADRS1)」に書き込まれていた。
【0007】なお16はタイミング制御部である。図9
は突き放し制御回路を備えた従来のパーシャル・ライト
制御方式の構成を示している。
【0008】図9の場合、パーシャル・ライト装置1は
突き放し制御回路18を備えているので、CPUはメモ
リ2の動作状態の如何にかかわらず、メモリ2をアクセ
スするライト・データのアドレスとライト・データ及び
置き換えを示すデータとを突き放し制御回路18に送っ
ておくことができるようになっている。
【0009】この突き放し制御が行われる図9の場合に
おいても、パーシャル・ライトする場合、ライト・デー
タ作成部11で作成されたパーシャル・ライト・データ
「EFCD」をメモリ2のアドレス「ADRS1」に一
旦格納し、再度当該データ「EFCD」を読み出し、ラ
イト・データ作成部11で「EJKD」のパーシャル・
ライト・データを作成した上でメモリ2の同一アドレス
「ADRS2(=ADRS1)」に再度書き込んでい
た。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】図7ないし図10に示
された様な構成によるメモリのパーシャル・ライト制御
方式では、パーシャル・ライトを行う際リードとライト
の2つのサイクルで構成されているため、メモリへのパ
ーシャル・ライト処理が遅い欠点があった。
【0011】本発明は、上記の欠点を解決することを目
的としており、ライト・データ作成部で作成されたパー
シャル・ライト・データ及びそのアドレスをパーシャル
・ライト装置内に保存しておき、次に行うライト・デー
タのアドレスが上記保存されているアドレスと同一であ
ったとき、メモリから再度データを読み出すことなく保
存されているパーシャル・ライト・データを基に処理を
行うようにして高速記憶を可能としたメモリのパーシャ
ル・ライト制御方式を提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理構成
図である。1はパーシャル・ライト装置であり、本発明
のパーシャル・ライト制御方式を実行するもの、2はメ
モリであり、パーシャル・ライトの対象となるデータを
格納するもの、11はライト・データ作成部であり、n
ビット単位でデータの変更を行うもの、12はライト・
データ・バッファであり、ライト・データ作成部11で
作成されデータを格納するもの、13はセレクタであ
り、ライト・データ・バッファ12に格納されたデータ
又はメモリ2から読み出されたデータのいずれか一方を
選択するもの、14はライト・アドレス・バッファであ
り、CPUからのライト・データのアドレスを格納する
もの、15はアドレス比較部であり、ライト・アドレス
・バッファ14に格納されている前のライト・データの
アドレスとCPUからのライト・データ作成部11に入
力されるライト・データのアドレスとの同一を比較する
もの、16はタイミング制御部であり、パーシャル・ラ
イト装置1内の各回路のタイミング制御を行うと共に、
アドレス比較器15から入力されるアドレスの一致信号
を受けたとき、セレクタ13に対しライト・データ・バ
ッファ12に格納されているデータを選択し出力させる
もの、17はリード・データ・バッファであり、セレク
タ13で選択されたライト・データ・バッファ12に格
納されているデータ又はメモリ2から読み出されたデー
タを格納するものである。
【0013】
【作用】メモリ2から読み出されたデータは、セレクタ
13を介してリード・データ・バッファ17に格納され
る。そして図示されていないCPUからパーシャル・ラ
イトを行うべきライト・データ、当該ライト・データの
nビット単位で置換すべき有効ビットのデータ及びライ
ト・データのアドレスがパーシャル・ライト装置1に入
力される。ライト・データ作成部11でリード・データ
・バッファ17からのデータ、上記パーシャル・ライト
装置1に入力されてきたCPUからのライト・データ及
び有効ビットのデータを基にnビット単位でリード・デ
ータ・バッファ17から入力されたデータの一部が変更
され、パーシャル・ライト・データとなってライト・デ
ータ・バッファ12に格納されると共に、読み出された
上記メモリ2の同一アドレスに書き込まれる。この時ラ
イト・アドレス・バッファ14に当該ライト・データの
アドレスが格納される。
【0014】次に当該メモリ2の同一アドレスのデータ
に対しパーシャル・ライトが行われる際、CPUから同
一のアドレスがライト・データのアドレスとしてパーシ
ャル・ライト装置1に入力されて来るので、アドレス比
較部15からアドレスの一致信号がタイミング制御部1
6へ出され、セレクタ13を介してライト・データ・バ
ッファ12に格納されているデータ、すなわち前にパー
シャル・ライトされたデータがリード・データ・バッフ
ァ17に格納される。つまりメモリ2から上記パーシャ
ル・ライトされたデータを読み出すことなく当該パーシ
ャル・ライトされたデータをリード・データ・バッファ
17に格納することができる。
【0015】リード・データ・バッファ17に新たに格
納されたデータ、CPUからのライト・データ及び有効
ビットのデータを基にライト・データ作成部11でリー
ド・データ・バッファ17に格納されている新たなデー
タの一部が更に変更され、新たなパーシャル・ライト・
データとなってライト・データ・バッファ12に格納さ
れると共に、当該新たなパーシャル・ライト・データが
メモリ2の同一アドレスに再度書き込まれる。
【0016】メモリ2から再度データを読み出さず、ラ
イト・データ・バッファ12に保存されたデータに対し
てデータ処理を行うので、パーシャル・ライトの高速記
憶が可能となる。
【0017】なお、メモリ2にライト・データ作成部1
1で作成されたパーシャル・ライト・データを書き込む
タイミング以前に次のライト・データのアドレスがパー
シャル・ライト装置1に入力されており、かつ当該次の
ライト・データのアドレスがライト・アドレス・バッフ
ァ14に格納されている前のアドレスと同一であるとき
には、ライト・データ作成部11で作成された当該パー
シャル・ライト・データはメモリ2に書き込むことな
く、ライト・データ・バッファ12に格納される当該パ
ーシャル・ライト・データを基にして次のパーシャル・
ライト・データの作成がライト・データ作成部11で行
われる。この場合はメモリ2のリード・サイクルのみな
らずライト・サイクルの時間も短縮化することが可能と
なる。
【0018】
【実施例】図2は本発明の一実施例構成を示している。
図中、符号1,2,11ないし17は図1のものに対応
し、19ないし21は図7のものにそれぞれ対応してい
る。
【0019】図示されているデータは、1ワードがnビ
ットで構成された4ワードについてのパーシャル・ライ
ト処理が記載されており、メモリ2のアドレスADRS
1からデータ「ABCD」が読み出され、CPUからは
1回目(#1サイクル)、2回目(#2サイクル)につ
いて、ライト・データが「EFGH」,「IJKL」、
有効ビットのデータ、すなわち置換すべきワード(デー
タ)を「V」で表した「VV−−」,「−VV−」、ラ
イト・アドレス「ADRS1」,「ADRS2」がパー
シャル・ライト装置1に入力される例が示されている。
【0020】図3のタイムチャートを用いて図2の動作
を説明する。メモリ2のアドレスADRS1に格納され
ているデータ「ABCD」についてパーシャル・ライト
する場合、図示されていないCPUはメモリ2に対しア
ドレス「ADRS1」を出力し、次いでRAS,CAS
を出力してメモリ2のアドレス「ADRS1」からデー
タ「ABCD」を読み出す。このメモリ2から読み出さ
れた当該データ「ABCD」はリード・バッファ19及
び次に説明するセレクタ13を介してリード・データ・
バッファ17に格納される。
【0021】一方、CPUからパーシャル・ライト装置
1へライト・データ「EFGH」、当該ライト・データ
「EFGH」内のデータ「EF」を置換すべきであると
する有効ビットのデータ「VV−−」及び格納すべきア
ドレス「ADRS1」が送られて来ており、当該アドレ
ス「ADRS1」はライト・アドレス・バッファ14に
格納されると共にアドレス比較部15に入力される。
【0022】#1サイクルにおいては、ライト・アドレ
ス・バッファ14は初期化されているのでアドレス比較
部15での上記アドレス「ADRS1」との比較におい
てアドレスの一致信号が当該アドレス比較部15から出
力されず、従ってセレクタ13はメモリ2から読み出さ
れたデータを選択する。
【0023】また、上記ライト・データ「EFGH」と
有効ビットのデータ「VV−−」とがライト・データ作
成部11に入力されており、CPUからCASが出され
たとき、メモリ2から読み出されたデータ「ABCD」
はリード・データ・バッファ17に格納され、次いでラ
イト・データ作成部11に入力される。これによってリ
ード・データ・バッファ17から入力されたデータ「A
BCD」の内、データ「AB」が「EF」でそれぞれ置
換され、パーシャル・ライト・データ「EFCD」がラ
イト・データ作成部11で作成される。この様にして作
成されたパーシャル・ライト・データ「EFCD」はラ
イト・データ・バッファ12に格納されると共に、チェ
ック・ビット発生回路21から生成されたチェック・ビ
ットが付加され、タイミング制御部16から出力される
ライト・イネーブルでライト・バッファ20を介してメ
モリ2のアドレス「ADRS1」に書き込まれる。この
様にして#1サイクルが終了する。
【0024】#2サイクル目のライト・データ「IJK
L」、当該ライト・データ「IJKL」内のデータ「J
K」で置換すべきであるとする有効ビットのデータ「−
VV−」及び格納すべきアドレス「ADRS2」がCP
Uからパーシャル・ライト装置1に送られてきたとき、
上記アドレス「ADRS2」はライト・アドレス・バッ
ファ14に格納されると共にアドレス比較部15に入力
し、ライト・アドレス・バッファ14に格納されていた
前のアドレス「ADRS1」と比較される。ライト・ア
ドレス・バッファ14に格納されていた前のアドレス
「ADRS1」と今回アドレス比較部15に入力された
アドレス「ADRS2」とが同一のとき、当該アドレス
比較部15はアドレスの一致信号をタイミング制御部1
6へ出力する。これにより当該タイミング制御部16は
セレクタ13に対しライト・データ・バッファ12に格
納されているデータ「EFCD」を通過させる。
【0025】従ってライト・データ・バッファ12に格
納されていたデータ「EFCD」はリード・データ・バ
ッファ17に格納され、次いでライト・データ作成部1
1に入力される。これによってリード・データ・バッフ
ァ17から入力されたデータ「EFCD」の内、データ
「FC」が「JK」でそれぞれ置換され、パーシャル・
ライト・データ「EJKD」がライト・データ作成部1
1で作成される。この様にして作成されたパーシャル・
ライト・データ「EJKD」はライト・データ・バッフ
ァ12に格納されると共に、チェック・ビット発生回路
21から生成されたチェック・ビットが付加され、タイ
ミング制御部16から出力されるライト・イネーブルで
ライト・バッファ20を介してメモリ2のアドレス「A
DRS2」、すなわち「ADRS1」に再度書き込まれ
る。
【0026】#2サイクルに示される如く、メモリ2の
同一アドレスに連続してパーシャル・ライトが行われる
場合、メモリ2から再度データを読み出すことなくライ
ト・データ・バッファ12に格納されているデータをラ
イト・データ作成部11に入力するように構成したの
で、リード・サイクルが不用となり、図2に示されてい
る如く3クロック少なくてパーシャル・ライト処理が可
能となる。
【0027】図2の構成は、CPUがメモリ2の動作を
監視しながら、すなわちメモリ2のライト・サイクルが
終了後、パーシャル・ライト装置1へ次のライト・デー
タ及びそのアドレス等を送るようにされたものである。
【0028】図3は本発明の他の実施例構成を示してお
り、メモリ2の動作の如何にかかわらずCPUからパー
シャル・ライト装置1へライト・データ及びそのアドレ
ス等が送られてくる構成のものである。
【0029】図4において、パーシャル・ライト装置1
内の突き放し制御回路18が図2に示されたパーシャル
・ライト装置1に新たに追加されたものである。突き放
し制御回路18は、図示されていないCPUからメモリ
2の動作の如何にかかわらず、処理の終わったデータを
受け付け、ライト・データ作成部11、ライト・アドレ
ス・バッファ14及びアドレス比較部15へ各データを
送出するものである。
【0030】CPUからパーシャル・ライト装置1へ送
られて来るデータは、図2の場合と同じものとして説明
する。図5に示されたタイムチャートは、1回目のライ
ト・サイクルの開始が実行されるタイミング以前に2回
目のデータが突き放し制御回路18に受け付けられてい
るときのものである。
【0031】図4に示される構成においては、突き放し
制御回路18を備えているため、2回目のライト・デー
タはそのアドレスから1回目のパーシャル・ライト・デ
ータをメモリ2に書き込むことなく再度パーシャル・ラ
イトされるべきものであることが、アドレス比較部15
から判断され、図4と図5とで説明した構成のものより
更に高速記憶が可能となる。
【0032】すなわち、図2で説明した様にアドレス
「ADRS1」でメモリ2が読み出されたとき、ライト
・アドレス・バッファ14及びアドレス比較部15には
アドレス「ADRS1」が格納されており、リード・デ
ータ・バッファ17にはメモリ2から読み出されたデー
タ「ABCD」が格納されており、そしてライト・デー
タ・バッファ12にはライト・データ作成部11でライ
ト・データ「EFGH」とその有効ビットのデータ「V
V−−」及びリード・データ・バッファ17からのデー
タ「ABCD」とから作成されたパーシャル・ライト・
データ「EFCD」が格納されている。
【0033】この様な状態の下で、上記ライト・データ
作成部11で作成されたパーシャル・ライト・データ
「EFCD」をメモリ2へ書き込みを始めるライト・サ
イクルの開始前に、突き放し制御回路18からライト・
アドレス・バッファ14及びアドレス比較部15へ2回
目のライト・データ「IJKL」のアドレス「ADRS
2(=ADRS1)」が入力され、当該アドレス比較部
15からアドレスの一致信号がタイミング制御部16へ
出力される。当該アドレスの一致信号を受けたタイミン
グ制御部16はライト・イネーブルを出力することなく
セレクタ13へライト・データ・バッファ12に格納さ
れているデータ「EFCD」を選択する信号を出力す
る。これによりリード・データ・バッファ17には当該
データ「EFCD」が格納され、次いでライト・データ
作成部11に入力される。
【0034】一方、当該ライト・データ作成部11には
突き放し制御回路18から2回目のライト・データ「I
JKL」と有効ビットのデータ「−VV−」とが入力さ
れているので、リード・データ・バッファ17から入力
されたデータ「EFCD」の内、データ「FC」が「J
K」でそれぞれ置換され、パーシャル・ライト・データ
「EJKD」がライト・データ作成部11で作成され
る。この様にして作成されたパーシャル・ライト・デー
タ「EJKD」はライト・データ・バッファ12に格納
されると共に、チェック・ビット発生回路21から生成
されたチェック・ビットが付加され、タイミング制御部
16から出力されるライト・イネーブルでライト・バッ
ファ20を介してメモリ2のアドレス「ADRS2(=
ADRS1)」に書き込まれる。
【0035】図6に示されたタイムチャートは、1回目
のライト・サイクルの実行が開始され始めた後に2回目
のデータを突き放し制御回路18が受け付けたときのも
のである。
【0036】この場合の動作は図2及び図3で説明した
ものと基本的に同様の動作を行うので、その動作の説明
を省略する。以上の説明は直前のライト・データと次の
ライト・データとのパーシャル・ライトについて説明し
たが、ライト・アドレス・バッファ14及びライト・デ
ータ・バッファ12を複数個、或いはローカル・キャッ
シュをパーシャル・ライト装置1内に設けておけば、直
前のライト・データ以外の前のデータとのパーシャル・
ライトが可能となる。
【0037】また、メモリ2はレンズの場合にも適用さ
れ、メモリ2にはDRAM,SRAMの他当該レジスタ
も含まれている。なお、アドレス比較部15でアドレス
の一致信号が出力されない場合、及び上記説明のパーシ
ャル・ライトのタイミングが合わない場合には、通常の
リード・モディファイ・ライトが行われることは云うま
でもない。
【0038】そしてライト・データ・バッファ12及び
ライト・アドレス・バッファ14に入力されるデータは
常時バッファする方式以外にも、パーシャル・ライトし
たデータやデータを読み出した後にパーシャル・ライト
する場合のリードデータに対してバッファする方式を適
当に選択できる。
【0039】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば、パ
ーシャル・ライトが行われるときリード・サイクル或い
はリード・サイクルとライト・サイクルとを省略できる
ので、高速記憶が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理構成図である。
【図2】本発明の一実施例構成図である。
【図3】図2の一実施例タイムチャートである。
【図4】本発明の他の実施例構成図である。
【図5】図4の一実施例タイムチャートである。
【図6】図4の他の実施例タイムチャートである。
【図7】従来の構成図である。
【図8】図9のタイムチャートである。
【図9】従来の他の構成図である。
【図10】図9のタイムチャートである。
【符号の説明】 1 パーシャル・ライト装置 2 メモリ 11 ライト・データ作成部 12 ライト・データ・バッファ 13 セレクタ 14 ライト・アドレス・バッファ 15 アドレス比較部 16 タイミング制御部 17 リード・データ・バッファ 18 突き放し制御回路 19 リード・バッファ 20 ライト・バッファ 21 チェック・ビット発生回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 nビット単位でデータの変更を行うライ
    ト・データ作成部(11)を備え、メモリ(2)から読
    み出されたデータと当該データに変更を加えるべきCP
    Uからのライト・データとを受けて上記メモリ(2)か
    ら読み出されたデータの一部に変更を加え、その変更後
    のデータを上記メモリ(2)の同一アドレスに書き込ま
    せる制御を行うメモリのパーシャル・ライト制御方式に
    おいて、 上記ライト・データ作成部(11)で作成されたデータ
    を格納するライト・データ・バッファ(12)と、 当該ライト・データ・バッファ(12)に格納されたデ
    ータと上記メモリ(2)から読み出されたデータとを選
    択し、その選択したデータを上記ライト・データ作成部
    (11)へ出力するセレクタ(13)と、 上記CPUからのライト・データのアドレスを格納する
    ライト・アドレス・バッファ(14)と、 当該ライト・アドレス・バッファ(14)に格納されて
    いる前のライト・データのアドレスとCPUからの上記
    ライト・データ作成部(11)に入力されるライト・デ
    ータのアドレスとを比較するアドレス比較部(15)
    と、 当該アドレス比較部(15)で同一アドレスと判断され
    たとき、上記セレクタ(13)へライト・データ・バッ
    ファ(12)に格納されているデータを選択させる信号
    を出力するタイミング制御部(16)とを設け、 メモリ(2)のパーシャル・ライト制御を行うようにし
    たことを特徴とするメモリのパーシャル・ライト制御方
    式。
JP24162791A 1991-09-20 1991-09-20 メモリのパーシヤル・ライト制御方式 Pending JPH0581122A (ja)

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