JPH0581551B2 - - Google Patents
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- JPH0581551B2 JPH0581551B2 JP1107078A JP10707889A JPH0581551B2 JP H0581551 B2 JPH0581551 B2 JP H0581551B2 JP 1107078 A JP1107078 A JP 1107078A JP 10707889 A JP10707889 A JP 10707889A JP H0581551 B2 JPH0581551 B2 JP H0581551B2
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- composition
- insulation resistivity
- dielectric constant
- pbtio
- high temperatures
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は磁器コンデンサに用いられる高誘電率
磁器組成物に関する。 従来の技術 従来より、高誘電率系の磁器コンデンサを製造
するための一般的な強誘電体材料としては、一般
式ABO3（Ａ及びＢはそれぞれ金属イオン）で現
わされるペロブスカイト酸化物があり、この代表
例として、チタン酸バリウムBaTiO3、チタン酸
ストロンチウムSrTiO3を主成分とするものが知
られている。また、最近は、これらの材料より低
温焼成ができる鉛系複合ペロブスカイト酸化物が
主として使われつつある。鉛系複合ペロブスカイ
ト酸化物では、チタン酸鉛PbTiO3のTi4+サイト
をMg2+、Nb5+、Ni2+、Fe3+、W6+等のイオンに
よつて適当量を置換固溶させ、誘電率、誘電損
失、絶縁抵抗率を制御しコンデンサ材料として実
用に供されている。具体的にはPb（Mg1/3Nb2/
３）O3−PbTiO3系（特開昭61−275160号）、Pb
（Mg1/3Nb2/3）O3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3−Pb
（Fe1/2Nb1/2）O3系（特開昭59−105209号）、Pb
（Fe2/3Ｗ1/3）O3−Pb（Fe1/2Nb1/2）O3系（特
開昭54−110500号）が公知である。 発明が解決しようとする課題 従来の強誘電材料を用いコンデンサに適用した
ときには、以下の問題があつた。すなわち、
BaTiO3を主組成とする材料については、一般に
焼成温度が1300―1400℃と高く焼成時に多量の熱
エネルギーを要し、焼成炉壁材や発熱体の熱的消
耗が激しいこと、また、積層セラミツクコンデン
サは素子の構成上、誘電体層と内部に形成した電
極とを同時に焼成する必要があり、電極材料には
高温でも熱的、化学的に安定な白金やパラジウム
を用いなければならず、製品が高価になるという
問題がある。 一方、焼成温度が1100℃以下である鉛系複合ペ
ロブスカイト酸化物を用いたものは、120℃程度
の高温特性において、絶縁抵抗率が低いという問
題点がある。例えばPb（Mg1/3Nb2/3）O3系では
室温下で約１×1013Ωcmが、120℃の環境下では
約１×1011Ωcmと２桁低下する。また、Pb（Fe2/3
Ｗ1/3）O3−Pb（Fe1/2Nb1/2）O3系では２×
1012Ωcm（室温）から１×109Ωcmと３桁以下も低
下するので、コンデンサの苛酷な条件下での長期
使用に対する信頼性に問題がある。さらに、
BaTiO3を主成分とするような材料では、絶縁抵
抗率の低下は１カ月程度ではPb系複合ペロブス
カイト酸化物ほど大きくなく信頼性の上では好ま
しい。 本発明では、1100℃以下の低温で焼結でき、か
つ、高温下での絶縁抵抗率の低下が小なる磁器組
成物を提供するものである。 課題を解決するための手段 本発明の高誘電率磁気組成物は、マグネシウム
ニオブ酸鉛をPb（Mg1/3Nbx）O3-〓で表わしたと
き、Ｘの範囲を1/3≦ｘ≦3/5にする。このときδ
はｘの値に対して上記組成の電気的中性条件を満
たすように定める。この組成を主成分にして、チ
タン酸鉛PbTiO3を０〜5mol％添加固溶してもよ
い。 本発明についてさらに詳細に説明する。先ず
1100℃以下の低温で焼成するため、従来材料のう
ち特に低温焼成可能なPb（Mg1/3Nb2/3）O3の鉛
系ペロブスカイト酸化物を用いることにする。た
だこの組成では高温で絶縁抵抗率が低下してしま
うため、Nbのモル量を上記組成のとおりの2/3モ
ルから減少させると絶縁抵抗率が極端に低下しな
いことを見出した。このNb量を化学量論比から
減らした組成において、その絶縁抵抗率は室温で
約１×1013Ωcm、120℃でも約１×1012Ωcmで、明
らかに改善の効果が見られた。さらにこの組成に
対して数モル％の割合でPbTiO3を添加、固溶さ
せても絶縁抵抗率が高温下で極端に低下しないと
いうことが判つた。 PbTiO3を添加、固溶はPb（Mg1/3Nb2/3）O3
のキユリー点（相変態温度）を移動させ、そのた
めある温度（例えば室温）での誘電率をPbTiO3
の添加、固溶量によつて制御できることが知られ
ているが、この系では、やはり高温時の絶縁抵抗
率の低下はPb（Mg1/3Nb2/3）O3と同程度また
は、それよりもさらに大きい。 本発明のようにNbを化学量論比より減少させ
た組成に適当量のPbTiO3を投入した場合、誘電
率の制御できPbTiO3の添加、固溶効果を全く損
なうことなく、さらに高温時の絶縁抵抗率の低下
量を少なくさせるという利点がある。さらに、本
発明による組成物を誘電体層とする積層セラミツ
クコンデンサでは、高温長時間使用という苛酷な
条件下でも絶縁抵抗率の劣化の程度は少ないとい
う効果が認められた。 作 用 本発明の組成物では、複合ペロブスカイト酸化
物を一般にABO3と表わしたときにＢサイトイオ
ンを化学量論比よりも減少させる。これにより、
この組成物を120℃というような高温状態でも絶
縁抵抗率の室温からの低下度合を少なくさせるこ
とができる。 次に組成の限定理由について述べる。Pb（Mg
１／３Nbx）O3-〓の条件でｘが3/5以上になると化
学量論比に近づき、高温下の絶縁抵抗率が２桁以
上減少し、本発明の効果が得られない。また、ｘ
が1/3以下の場合には、組成物の結晶形がペロブ
スカイト構造になりにくくなり、高温下での絶縁
抵抗率が低下するばかりでなく、室温下での基本
的な特性まで劣化してしまう。PbTiO3を主成分
に対して5mol％以上添加した場合にも、高温下
での絶縁抵抗率が劣化し、本発明の目的に適さな
い。 本発明の組成において、1100℃以下の低温で焼
結でき、高温下での絶縁抵抗率の低下を少なくす
るという課題が解決できる。 実施例 本発明の具体的な実施例を以下に述べる。 実施例 １ 出発材料として、一般化鉛PbO（純度99.99％以
上）、酸化マグネシウムMgO（純度99.9％以上）、
五酸化ニオブNbO5（純度99.9％以上）を用い、こ
れらの組成物粉末の合成は、最終生成物中にペロ
ブスカイト相が多くなるように以下のようなコラ
ンバイト法を用いる。 表１に示す組成比になるように、まずMgOと
Nb2O5を所定量坪量し、50ｇ／バツヂ15φ合成樹
脂ボールで湿式混合（溶媒：イオン交換水、16時
間混合）し、120℃で脱溶媒、乾燥させた後、蓋
付のMgOルツボに移し、シリコニツト電気炉で
900―1000℃で約４時間保持で熱処理を行う。こ
の焼結反応物（ニオブ酸マグネシウム：第１仮焼
品）及びPbOを所定量（30ｇ／バツチ）坪量し、
15φZrO2ボールを使い湿式混合（溶媒：純水、16
時間混合）し、これらの泥しようを120℃で脱溶
媒、乾燥した後、蓋付のMgOルツボに移し、シ
リコニツト電気炉で750―850℃で約４時間仮焼す
る（ニオブ酸マグネシウム鉛：第２仮焼品）。こ
の焼結反応物を15φZrO2ボールで再び湿式ボール
ミル（溶媒：純水、24〜36時間）を用い、粒径を
１〜3μｍまで粉砕し、120℃で脱溶媒、乾燥し、
所望の組成物粉末を製作する。 この粉末に適当量の焼結助剤としてPbO（０−
10重量％）と３重量％ポリビニルアルコール水溶
液（P.V.A）を加え、らいかい機で30分混合、32
メツシユふるいを全通させる。この顆粒状粉末を
約1.7ton／cm2の形成圧力で直径12mm厚さ1.1mmの
デイスク状成形体を作成する。この成形体を単結
晶ZrO2を主成分とする敷粉の中に埋めて全体を
MgOルツボでおおい、大気中又は酸素中で920〜
1050℃、３時間保持で本焼成する。（後から加え
たPbOは単に焼結助剤として働くのみで、その量
によつて得られた焼結体の電気的特性に影響を与
えることはない。） この焼結体の両面にAu−Pdを蒸着し、電極と
して電気的特性を調べた。誘電率、誘電損失は周
波数1KHz、室温（23±２℃）で、絶縁抵抗率は
試料を恒温槽の中に入れ、直流50Vを印加し２分
後に流れる電流値と試料寸法とから算出した。
磁器組成物に関する。 従来の技術 従来より、高誘電率系の磁器コンデンサを製造
するための一般的な強誘電体材料としては、一般
式ABO3（Ａ及びＢはそれぞれ金属イオン）で現
わされるペロブスカイト酸化物があり、この代表
例として、チタン酸バリウムBaTiO3、チタン酸
ストロンチウムSrTiO3を主成分とするものが知
られている。また、最近は、これらの材料より低
温焼成ができる鉛系複合ペロブスカイト酸化物が
主として使われつつある。鉛系複合ペロブスカイ
ト酸化物では、チタン酸鉛PbTiO3のTi4+サイト
をMg2+、Nb5+、Ni2+、Fe3+、W6+等のイオンに
よつて適当量を置換固溶させ、誘電率、誘電損
失、絶縁抵抗率を制御しコンデンサ材料として実
用に供されている。具体的にはPb（Mg1/3Nb2/
３）O3−PbTiO3系（特開昭61−275160号）、Pb
（Mg1/3Nb2/3）O3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3−Pb
（Fe1/2Nb1/2）O3系（特開昭59−105209号）、Pb
（Fe2/3Ｗ1/3）O3−Pb（Fe1/2Nb1/2）O3系（特
開昭54−110500号）が公知である。 発明が解決しようとする課題 従来の強誘電材料を用いコンデンサに適用した
ときには、以下の問題があつた。すなわち、
BaTiO3を主組成とする材料については、一般に
焼成温度が1300―1400℃と高く焼成時に多量の熱
エネルギーを要し、焼成炉壁材や発熱体の熱的消
耗が激しいこと、また、積層セラミツクコンデン
サは素子の構成上、誘電体層と内部に形成した電
極とを同時に焼成する必要があり、電極材料には
高温でも熱的、化学的に安定な白金やパラジウム
を用いなければならず、製品が高価になるという
問題がある。 一方、焼成温度が1100℃以下である鉛系複合ペ
ロブスカイト酸化物を用いたものは、120℃程度
の高温特性において、絶縁抵抗率が低いという問
題点がある。例えばPb（Mg1/3Nb2/3）O3系では
室温下で約１×1013Ωcmが、120℃の環境下では
約１×1011Ωcmと２桁低下する。また、Pb（Fe2/3
Ｗ1/3）O3−Pb（Fe1/2Nb1/2）O3系では２×
1012Ωcm（室温）から１×109Ωcmと３桁以下も低
下するので、コンデンサの苛酷な条件下での長期
使用に対する信頼性に問題がある。さらに、
BaTiO3を主成分とするような材料では、絶縁抵
抗率の低下は１カ月程度ではPb系複合ペロブス
カイト酸化物ほど大きくなく信頼性の上では好ま
しい。 本発明では、1100℃以下の低温で焼結でき、か
つ、高温下での絶縁抵抗率の低下が小なる磁器組
成物を提供するものである。 課題を解決するための手段 本発明の高誘電率磁気組成物は、マグネシウム
ニオブ酸鉛をPb（Mg1/3Nbx）O3-〓で表わしたと
き、Ｘの範囲を1/3≦ｘ≦3/5にする。このときδ
はｘの値に対して上記組成の電気的中性条件を満
たすように定める。この組成を主成分にして、チ
タン酸鉛PbTiO3を０〜5mol％添加固溶してもよ
い。 本発明についてさらに詳細に説明する。先ず
1100℃以下の低温で焼成するため、従来材料のう
ち特に低温焼成可能なPb（Mg1/3Nb2/3）O3の鉛
系ペロブスカイト酸化物を用いることにする。た
だこの組成では高温で絶縁抵抗率が低下してしま
うため、Nbのモル量を上記組成のとおりの2/3モ
ルから減少させると絶縁抵抗率が極端に低下しな
いことを見出した。このNb量を化学量論比から
減らした組成において、その絶縁抵抗率は室温で
約１×1013Ωcm、120℃でも約１×1012Ωcmで、明
らかに改善の効果が見られた。さらにこの組成に
対して数モル％の割合でPbTiO3を添加、固溶さ
せても絶縁抵抗率が高温下で極端に低下しないと
いうことが判つた。 PbTiO3を添加、固溶はPb（Mg1/3Nb2/3）O3
のキユリー点（相変態温度）を移動させ、そのた
めある温度（例えば室温）での誘電率をPbTiO3
の添加、固溶量によつて制御できることが知られ
ているが、この系では、やはり高温時の絶縁抵抗
率の低下はPb（Mg1/3Nb2/3）O3と同程度また
は、それよりもさらに大きい。 本発明のようにNbを化学量論比より減少させ
た組成に適当量のPbTiO3を投入した場合、誘電
率の制御できPbTiO3の添加、固溶効果を全く損
なうことなく、さらに高温時の絶縁抵抗率の低下
量を少なくさせるという利点がある。さらに、本
発明による組成物を誘電体層とする積層セラミツ
クコンデンサでは、高温長時間使用という苛酷な
条件下でも絶縁抵抗率の劣化の程度は少ないとい
う効果が認められた。 作 用 本発明の組成物では、複合ペロブスカイト酸化
物を一般にABO3と表わしたときにＢサイトイオ
ンを化学量論比よりも減少させる。これにより、
この組成物を120℃というような高温状態でも絶
縁抵抗率の室温からの低下度合を少なくさせるこ
とができる。 次に組成の限定理由について述べる。Pb（Mg
１／３Nbx）O3-〓の条件でｘが3/5以上になると化
学量論比に近づき、高温下の絶縁抵抗率が２桁以
上減少し、本発明の効果が得られない。また、ｘ
が1/3以下の場合には、組成物の結晶形がペロブ
スカイト構造になりにくくなり、高温下での絶縁
抵抗率が低下するばかりでなく、室温下での基本
的な特性まで劣化してしまう。PbTiO3を主成分
に対して5mol％以上添加した場合にも、高温下
での絶縁抵抗率が劣化し、本発明の目的に適さな
い。 本発明の組成において、1100℃以下の低温で焼
結でき、高温下での絶縁抵抗率の低下を少なくす
るという課題が解決できる。 実施例 本発明の具体的な実施例を以下に述べる。 実施例 １ 出発材料として、一般化鉛PbO（純度99.99％以
上）、酸化マグネシウムMgO（純度99.9％以上）、
五酸化ニオブNbO5（純度99.9％以上）を用い、こ
れらの組成物粉末の合成は、最終生成物中にペロ
ブスカイト相が多くなるように以下のようなコラ
ンバイト法を用いる。 表１に示す組成比になるように、まずMgOと
Nb2O5を所定量坪量し、50ｇ／バツヂ15φ合成樹
脂ボールで湿式混合（溶媒：イオン交換水、16時
間混合）し、120℃で脱溶媒、乾燥させた後、蓋
付のMgOルツボに移し、シリコニツト電気炉で
900―1000℃で約４時間保持で熱処理を行う。こ
の焼結反応物（ニオブ酸マグネシウム：第１仮焼
品）及びPbOを所定量（30ｇ／バツチ）坪量し、
15φZrO2ボールを使い湿式混合（溶媒：純水、16
時間混合）し、これらの泥しようを120℃で脱溶
媒、乾燥した後、蓋付のMgOルツボに移し、シ
リコニツト電気炉で750―850℃で約４時間仮焼す
る（ニオブ酸マグネシウム鉛：第２仮焼品）。こ
の焼結反応物を15φZrO2ボールで再び湿式ボール
ミル（溶媒：純水、24〜36時間）を用い、粒径を
１〜3μｍまで粉砕し、120℃で脱溶媒、乾燥し、
所望の組成物粉末を製作する。 この粉末に適当量の焼結助剤としてPbO（０−
10重量％）と３重量％ポリビニルアルコール水溶
液（P.V.A）を加え、らいかい機で30分混合、32
メツシユふるいを全通させる。この顆粒状粉末を
約1.7ton／cm2の形成圧力で直径12mm厚さ1.1mmの
デイスク状成形体を作成する。この成形体を単結
晶ZrO2を主成分とする敷粉の中に埋めて全体を
MgOルツボでおおい、大気中又は酸素中で920〜
1050℃、３時間保持で本焼成する。（後から加え
たPbOは単に焼結助剤として働くのみで、その量
によつて得られた焼結体の電気的特性に影響を与
えることはない。） この焼結体の両面にAu−Pdを蒸着し、電極と
して電気的特性を調べた。誘電率、誘電損失は周
波数1KHz、室温（23±２℃）で、絶縁抵抗率は
試料を恒温槽の中に入れ、直流50Vを印加し２分
後に流れる電流値と試料寸法とから算出した。
【表】
表１において、○印を付した試料は本発明の範
囲外であり、比較のために掲載した。資料２に示
すようにｘが2/3モル（化学量論比）のときは、
誘電率、誘電損失及び室温での絶縁抵抗率に関し
ては、誘電体磁器として特性上問題はみられない
が、高温（85℃、125℃）での絶縁抵抗率は２桁
低下して問題である。これに対し、本発明の実施
例（試料３〜６）のものは、高温における絶縁抵
抗率は比較例（試料１〜２）に比べて優れている
ことがわかる。これを第１図に表示する。また室
温における電気的諸特性も殆ど問題ない。これは
Nb量（ｘ値）を相対的に減らしたための効果で
ある。ｘ値を本発明の実施例よりさらに減少した
比較例（試料７〜８）では、結晶相的にペロブス
カイト単相にならず、そのため誘電体磁器として
の特性そのものが悪く問題である。 実施例 ２ 実施例１の中で最も特性の優れたPb（Mg1/3
Nb1/2）O3-〓を主成分としてPbTiO3の添加効果
を調べた。試料合成の出発原料として実施例１と
同純度のPbO、MgO、Nb2O5さらにPbTiO3（純
度99.9％以上）を用いた。 粉末合成工程は実施例１に示したコランバイト
法を用い、異なる点は、第１仮焼粉であるニオブ
酸マグネシウムに所定量のPbO及びPbTiO3を添
加することのみで、後のペレツト作成及び評価法
も実施例１と同方法を用い、その結果を表２に示
す。 試料９−11のものは、Pb（Mg1/3Nb1/2）O3-〓
にPbTiO3を5mol％まで添加しても、125℃にお
ける絶縁抵抗率は比較的高く、誘電体磁器として
優れている。さらに誘電率も若干向上し、コンデ
ンサの小型化に寄与する。 PbTiO3の添加量が5mol％を越える試料12の場
合には、室温での絶縁抵抗率が試料９−11に比べ
て約1/2、125℃での絶縁抵抗率も小さい。さら
に、誘電損失も５％を越え、誘電体磁器として一
般的に好ましくない。
囲外であり、比較のために掲載した。資料２に示
すようにｘが2/3モル（化学量論比）のときは、
誘電率、誘電損失及び室温での絶縁抵抗率に関し
ては、誘電体磁器として特性上問題はみられない
が、高温（85℃、125℃）での絶縁抵抗率は２桁
低下して問題である。これに対し、本発明の実施
例（試料３〜６）のものは、高温における絶縁抵
抗率は比較例（試料１〜２）に比べて優れている
ことがわかる。これを第１図に表示する。また室
温における電気的諸特性も殆ど問題ない。これは
Nb量（ｘ値）を相対的に減らしたための効果で
ある。ｘ値を本発明の実施例よりさらに減少した
比較例（試料７〜８）では、結晶相的にペロブス
カイト単相にならず、そのため誘電体磁器として
の特性そのものが悪く問題である。 実施例 ２ 実施例１の中で最も特性の優れたPb（Mg1/3
Nb1/2）O3-〓を主成分としてPbTiO3の添加効果
を調べた。試料合成の出発原料として実施例１と
同純度のPbO、MgO、Nb2O5さらにPbTiO3（純
度99.9％以上）を用いた。 粉末合成工程は実施例１に示したコランバイト
法を用い、異なる点は、第１仮焼粉であるニオブ
酸マグネシウムに所定量のPbO及びPbTiO3を添
加することのみで、後のペレツト作成及び評価法
も実施例１と同方法を用い、その結果を表２に示
す。 試料９−11のものは、Pb（Mg1/3Nb1/2）O3-〓
にPbTiO3を5mol％まで添加しても、125℃にお
ける絶縁抵抗率は比較的高く、誘電体磁器として
優れている。さらに誘電率も若干向上し、コンデ
ンサの小型化に寄与する。 PbTiO3の添加量が5mol％を越える試料12の場
合には、室温での絶縁抵抗率が試料９−11に比べ
て約1/2、125℃での絶縁抵抗率も小さい。さら
に、誘電損失も５％を越え、誘電体磁器として一
般的に好ましくない。
【表】
主成分をPb（Mg1/3Nb2/3）O3とした試料13−
14の場合には、PbTiO3を添加しても誘電率は向
上するが高温における絶縁抵抗率改善に効果が認
められない。 実施例 ３ 実施例１において合成したPb（Mg1/3Nb1/2）
O3-〓にアクリル系有機結合剤を加えZrO2ボール
にてボールミル混合（18時間）し、このスラリー
を脱胞後、ドクターブレード法によつて厚さ30μ
ｍのテープ状シートを作る。このシートを適当な
大きさに切断し、これの上にAg−Pdペーストを
印刷し、これを積層し70℃で熱圧着する。これを
所定寸法に切断し未焼成の積層コンデンサを作
る。この後300℃、10時間保持の熱処理条件で脱
脂し、940℃、４時間で本焼成する。この焼成品
の両端面にAgペーストと塗布し600℃で焼付け、
端子電極を形成し、積層セラミツクコンデンサを
製作する。 このコンデンサを125℃の恒温槽に収納し、直
流200Vを印加して、抵抗値を測定した。第２図
にその結果を示す。なお、比較例品としては、
Pb（（Mg1/3Nb2/3）O3を用いた積層セラミツク
コンデンサを用いた。200時間経過後に比較例の
ものは初期値1011Ωcmから２×109Ωcmまで抵抗が
劣化しているのに対し、本発明実施例品では殆ど
その低下が見られず、苛酷条件下での使用に対し
ても信頼性が高いことがわかる。 なお、実施例において出発原料として、夫々酸
化物を用いた場合を示したが、他の例えば炭酸化
物を用いてもよく、また、PbTiO3の代りにPbO
＋TiO2の形で坪量してもよい。 発明の効果 本発明の高誘電率磁器組成物は、1100℃以下の
低温で焼結でき、かつ、高温（125℃）下におけ
る絶縁抵抗率の低下を室温のときに比べて１桁以
下におさえることができるようになつたので、こ
れを用いた積層セラミツクコンデンサに適用した
場合、製品の信頼性が向上に寄与する。
14の場合には、PbTiO3を添加しても誘電率は向
上するが高温における絶縁抵抗率改善に効果が認
められない。 実施例 ３ 実施例１において合成したPb（Mg1/3Nb1/2）
O3-〓にアクリル系有機結合剤を加えZrO2ボール
にてボールミル混合（18時間）し、このスラリー
を脱胞後、ドクターブレード法によつて厚さ30μ
ｍのテープ状シートを作る。このシートを適当な
大きさに切断し、これの上にAg−Pdペーストを
印刷し、これを積層し70℃で熱圧着する。これを
所定寸法に切断し未焼成の積層コンデンサを作
る。この後300℃、10時間保持の熱処理条件で脱
脂し、940℃、４時間で本焼成する。この焼成品
の両端面にAgペーストと塗布し600℃で焼付け、
端子電極を形成し、積層セラミツクコンデンサを
製作する。 このコンデンサを125℃の恒温槽に収納し、直
流200Vを印加して、抵抗値を測定した。第２図
にその結果を示す。なお、比較例品としては、
Pb（（Mg1/3Nb2/3）O3を用いた積層セラミツク
コンデンサを用いた。200時間経過後に比較例の
ものは初期値1011Ωcmから２×109Ωcmまで抵抗が
劣化しているのに対し、本発明実施例品では殆ど
その低下が見られず、苛酷条件下での使用に対し
ても信頼性が高いことがわかる。 なお、実施例において出発原料として、夫々酸
化物を用いた場合を示したが、他の例えば炭酸化
物を用いてもよく、また、PbTiO3の代りにPbO
＋TiO2の形で坪量してもよい。 発明の効果 本発明の高誘電率磁器組成物は、1100℃以下の
低温で焼結でき、かつ、高温（125℃）下におけ
る絶縁抵抗率の低下を室温のときに比べて１桁以
下におさえることができるようになつたので、こ
れを用いた積層セラミツクコンデンサに適用した
場合、製品の信頼性が向上に寄与する。
第１図は絶縁抵抗率の温度依存性を示す曲線
図、第２図は寿命試験によるコンデンサの抵抗変
化を示す曲線図である。
図、第２図は寿命試験によるコンデンサの抵抗変
化を示す曲線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マグネシウムニオブ酸鉛Pb（Mg1/3Nbx）
O3-〓を主成分とする磁器組成物において、Nb量
ｘが1/3≦ｘ≦3/5の範囲であつて、δはｘの値に
対して上記組成の電気的中性条件を満たすように
決めることを特徴とする高誘電率磁器組成物。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の高誘電率磁器組
成物において、この組成物にさらに０〜5mol％
のチタン酸鉛を添加することを特徴とする高誘電
率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107078A JPH02283655A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1107078A JPH02283655A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02283655A JPH02283655A (ja) | 1990-11-21 |
| JPH0581551B2 true JPH0581551B2 (ja) | 1993-11-15 |
Family
ID=14449922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1107078A Granted JPH02283655A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02283655A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55121958A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-19 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric ceramic composition |
-
1989
- 1989-04-26 JP JP1107078A patent/JPH02283655A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02283655A (ja) | 1990-11-21 |
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