JPH0581622A - 磁気ヘツドおよび磁気記憶装置 - Google Patents
磁気ヘツドおよび磁気記憶装置Info
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- JPH0581622A JPH0581622A JP24109691A JP24109691A JPH0581622A JP H0581622 A JPH0581622 A JP H0581622A JP 24109691 A JP24109691 A JP 24109691A JP 24109691 A JP24109691 A JP 24109691A JP H0581622 A JPH0581622 A JP H0581622A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】耐摺動性に優れ、高密度記録に適した磁気ヘッ
ドおよび信頼性の高い大容量磁気記憶装置を提供する。 【構成】ペルチェ効果等を利用した冷却機構を設けた磁
気ヘッドおよび該磁気ヘッドを有する磁気記憶装置。 【効果】本発明の磁気ヘッドは耐摺動性に優れるため、
高密度記録に適し、信頼性の高い大容量磁気記憶装置を
提供することができる。
ドおよび信頼性の高い大容量磁気記憶装置を提供する。 【構成】ペルチェ効果等を利用した冷却機構を設けた磁
気ヘッドおよび該磁気ヘッドを有する磁気記憶装置。 【効果】本発明の磁気ヘッドは耐摺動性に優れるため、
高密度記録に適し、信頼性の高い大容量磁気記憶装置を
提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフレキシブル型磁気ディ
スク装置、ドラム型磁気記憶装置、テ−プ型磁気記憶装
置、カ−ド型磁気記憶装置、リジッド型磁気ディスク装
置などに用いる磁気ヘッドおよび磁気記憶装置に関す
る。
スク装置、ドラム型磁気記憶装置、テ−プ型磁気記憶装
置、カ−ド型磁気記憶装置、リジッド型磁気ディスク装
置などに用いる磁気ヘッドおよび磁気記憶装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の高密度化に対応するために
は、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間隙を小さくするこ
とが必要である。しかしこの事は磁気記録媒体と磁気ヘ
ッドとの接触頻度を増す。また、装置の起動／停止時に
不可避な磁気記録媒体と磁気ヘッドとの連続摺動におい
てその摺動距離をも増大させる。磁気記録媒体と磁気ヘ
ッドとの摺動により発生する摩擦熱による接触面での温
度上昇は、記録されていた磁気情報を劣化させたり、磁
気記録媒体や磁気ヘッドを変質させ、より深刻な場合に
はヘッドクラッシュ等をひきおこし、磁気情報が完全に
失われたりする問題がある。磁気ファイルとして使用さ
れる磁気記憶装置は特に高記録密度、高信頼性が要求さ
れるため、上記問題点の克服が極めて重要である。従
来、上記問題点を解決するため、磁気ヘッドの記録媒体
対向面にＣ保護被覆層を形成する手法（特開昭５３−１
３２３２２号公報）、磁性膜上にＣ系保護被覆層を形成
する手法（特開昭６１−５４０１７号公報、特開昭６１
−５４０１９号公報）、Ｃ系保護被覆層上にさらに有機
系液体潤滑剤を形成する手法（特開昭６１−９６５１２
号公報）等が提案されている。
は、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間隙を小さくするこ
とが必要である。しかしこの事は磁気記録媒体と磁気ヘ
ッドとの接触頻度を増す。また、装置の起動／停止時に
不可避な磁気記録媒体と磁気ヘッドとの連続摺動におい
てその摺動距離をも増大させる。磁気記録媒体と磁気ヘ
ッドとの摺動により発生する摩擦熱による接触面での温
度上昇は、記録されていた磁気情報を劣化させたり、磁
気記録媒体や磁気ヘッドを変質させ、より深刻な場合に
はヘッドクラッシュ等をひきおこし、磁気情報が完全に
失われたりする問題がある。磁気ファイルとして使用さ
れる磁気記憶装置は特に高記録密度、高信頼性が要求さ
れるため、上記問題点の克服が極めて重要である。従
来、上記問題点を解決するため、磁気ヘッドの記録媒体
対向面にＣ保護被覆層を形成する手法（特開昭５３−１
３２３２２号公報）、磁性膜上にＣ系保護被覆層を形成
する手法（特開昭６１−５４０１７号公報、特開昭６１
−５４０１９号公報）、Ｃ系保護被覆層上にさらに有機
系液体潤滑剤を形成する手法（特開昭６１−９６５１２
号公報）等が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らの検討によると、上記保護被覆層を有する従来技術
は、磁気記録媒体と磁気ヘッドが高速で接触する場合
に、温度上昇による磁気記録媒体及び磁気ヘッドの変質
を十分に防げないこと、また、潤滑性が経時的に劣化す
るため摩擦による温度上昇が次第に大きくなること、等
により耐摺動性を十分に確保できない問題があった。
者らの検討によると、上記保護被覆層を有する従来技術
は、磁気記録媒体と磁気ヘッドが高速で接触する場合
に、温度上昇による磁気記録媒体及び磁気ヘッドの変質
を十分に防げないこと、また、潤滑性が経時的に劣化す
るため摩擦による温度上昇が次第に大きくなること、等
により耐摺動性を十分に確保できない問題があった。
【０００４】本発明は、この温度上昇の問題を解決し、
耐摺動性に優れ、高密度記録に適した磁気ヘッド、およ
び信頼性の高い大容量磁気記憶装置を提供することを目
的とする。
耐摺動性に優れ、高密度記録に適した磁気ヘッド、およ
び信頼性の高い大容量磁気記憶装置を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、磁気ヘッド
にペルチェ効果等を利用した冷却機構を設けることによ
り達成できる。また、このような磁気ヘッドと磁気記録
媒体とを組み合わせることにより、信頼性の高い磁気記
憶装置を作製できる。
にペルチェ効果等を利用した冷却機構を設けることによ
り達成できる。また、このような磁気ヘッドと磁気記録
媒体とを組み合わせることにより、信頼性の高い磁気記
憶装置を作製できる。
【０００６】ここで、上記磁気ヘッドにおいて複数個の
ペルチェ素子を熱的に並列に、または熱的に直列に接続
すれば磁気ヘッドの放熱能を向上できるのでさらに好ま
しい。また、複数個のペルチェ素子を熱的に並列に接続
し、さらにそれを熱的に直列に接続すれば磁気ヘッドの
放熱能を著しく向上できるので特に好ましい。本効果は
従来の誘導型磁気ヘッドにおいても認められるが、磁束
検知時に大電流が必要であり温度が上昇し易い磁気抵抗
効果素子を有する記録再生分離型ヘッドにおいて特に有
効である。
ペルチェ素子を熱的に並列に、または熱的に直列に接続
すれば磁気ヘッドの放熱能を向上できるのでさらに好ま
しい。また、複数個のペルチェ素子を熱的に並列に接続
し、さらにそれを熱的に直列に接続すれば磁気ヘッドの
放熱能を著しく向上できるので特に好ましい。本効果は
従来の誘導型磁気ヘッドにおいても認められるが、磁束
検知時に大電流が必要であり温度が上昇し易い磁気抵抗
効果素子を有する記録再生分離型ヘッドにおいて特に有
効である。
【０００７】さらに、上記ペルチェ素子を熱電対として
も動作させることにより、磁気ヘッドの磁気記録媒体対
向面の温度差を測定し、対向面の温度が外部温度に比べ
て高くなったときに冷却を開始することもできる。ま
た、ペルチェ素子に逆向きの電流を流し、磁気ヘッドの
磁気記録媒体対向面の温度を上げることにより、磁気記
憶装置停止中に生じる磁気ヘッドと磁気記録媒体の粘着
を解除する手段にも利用できる。
も動作させることにより、磁気ヘッドの磁気記録媒体対
向面の温度差を測定し、対向面の温度が外部温度に比べ
て高くなったときに冷却を開始することもできる。ま
た、ペルチェ素子に逆向きの電流を流し、磁気ヘッドの
磁気記録媒体対向面の温度を上げることにより、磁気記
憶装置停止中に生じる磁気ヘッドと磁気記録媒体の粘着
を解除する手段にも利用できる。
【０００８】
【作用】磁気記録媒体や磁気ヘッドにＣ保護被覆層を設
けた場合や、保護被覆層上にさらに有機系液体潤滑剤を
形成した場合には、磁気記録媒体と磁気ヘッドの摺動時
の摩擦力を低減することができるため、原理的には耐摺
動性向上に有効である。ところが、磁気記録媒体と磁気
ヘッドとが高速で衝突したとき、あるいは磁気記録媒体
と磁気ヘッドとの間隙が小さく両者の接触頻度が増大し
た場合には、十分な耐摺動性を示さないことがあること
が明らかになった。これは、摩擦による温度上昇の抑止
効果が十分ではなく、磁気記録媒体や磁気ヘッドを変質
または損傷させるためである。
けた場合や、保護被覆層上にさらに有機系液体潤滑剤を
形成した場合には、磁気記録媒体と磁気ヘッドの摺動時
の摩擦力を低減することができるため、原理的には耐摺
動性向上に有効である。ところが、磁気記録媒体と磁気
ヘッドとが高速で衝突したとき、あるいは磁気記録媒体
と磁気ヘッドとの間隙が小さく両者の接触頻度が増大し
た場合には、十分な耐摺動性を示さないことがあること
が明らかになった。これは、摩擦による温度上昇の抑止
効果が十分ではなく、磁気記録媒体や磁気ヘッドを変質
または損傷させるためである。
【０００９】これに対し本発明者らの検討によれば、ペ
ルチェ効果等を利用した冷却機構を設けた磁気ヘッドを
用いると、磁気記録媒体と磁気ヘッドの接触面の温度上
昇を抑制でき、損傷を防ぐことができるため、耐摺動性
を向上することができることが明らかになった。
ルチェ効果等を利用した冷却機構を設けた磁気ヘッドを
用いると、磁気記録媒体と磁気ヘッドの接触面の温度上
昇を抑制でき、損傷を防ぐことができるため、耐摺動性
を向上することができることが明らかになった。
【００１０】さらに、上記ペルチェ素子を熱電対として
動作させることにより、ペルチェ素子両端の温度差を測
定し、磁気ヘッドの磁気記録媒体対向面の温度が他端に
比べて高くなったときに冷却を開始することもできる。
これにより磁気ヘッドの過冷却による結露を防止できた
り、消費電力を大幅に低減できるため好ましい。また、
ペルチェ素子に逆向きの電流を流し、磁気ヘッドの磁気
記録媒体対向面の温度を上げることにより、磁気記憶装
置停止中に生じる磁気ヘッドと磁気記録媒体の粘着を解
除する手段にも利用できるため好ましい。
動作させることにより、ペルチェ素子両端の温度差を測
定し、磁気ヘッドの磁気記録媒体対向面の温度が他端に
比べて高くなったときに冷却を開始することもできる。
これにより磁気ヘッドの過冷却による結露を防止できた
り、消費電力を大幅に低減できるため好ましい。また、
ペルチェ素子に逆向きの電流を流し、磁気ヘッドの磁気
記録媒体対向面の温度を上げることにより、磁気記憶装
置停止中に生じる磁気ヘッドと磁気記録媒体の粘着を解
除する手段にも利用できるため好ましい。
【００１１】
実施例１ 図１は本発明の実施例１の磁気ヘッドの模式図である。
【００１２】図中、１０１はジルコニアを主成分とする
セラミックス基体、１０２，１０３，１０４はＣｕから
成る高熱伝導率導電性薄帯もしくは薄膜、１０５はｎ型
Ｂｉ2Ｔｅ3薄帯もしくは薄膜、１０６はｐ型Ｂｉ2Ｔｅ3
薄帯もしくは薄膜、１０７は直流電源、１０８は導線、
１０９は記録再生素子部であり、直流電源によりｎ型Ｂ
ｉ2Ｔｅ3部からｐ型Ｂｉ2Ｔｅ3部に電流が流れ、磁気ヘ
ッドの磁気記録媒体対向面を冷却するように構成した。
セラミックス基体、１０２，１０３，１０４はＣｕから
成る高熱伝導率導電性薄帯もしくは薄膜、１０５はｎ型
Ｂｉ2Ｔｅ3薄帯もしくは薄膜、１０６はｐ型Ｂｉ2Ｔｅ3
薄帯もしくは薄膜、１０７は直流電源、１０８は導線、
１０９は記録再生素子部であり、直流電源によりｎ型Ｂ
ｉ2Ｔｅ3部からｐ型Ｂｉ2Ｔｅ3部に電流が流れ、磁気ヘ
ッドの磁気記録媒体対向面を冷却するように構成した。
【００１３】実施例２ 図２は本発明の実施例２の磁気ヘッドの模式図である。
【００１４】図中、２０１はアルミナチタンカ−バイド
を主成分とするセラミックス基体、２０２，２０３，２
０４，２０５，２０６はＣｕから成る高熱伝導率導電性
薄帯もしくは薄膜、２０７，２０８はｎ型Ｂｉ2Ｔｅ3薄
帯もしくは薄膜、２０９，２１０はｐ型Ｂｉ2Ｔｅ3薄帯
もしくは薄膜、２１１は直流電源、２１２は導線、２１
３は記録再生素子部であり、直流電源によりｎ型Ｂｉ2
Ｔｅ3部からｐ型Ｂｉ2Ｔｅ3部に電流が流れ、磁気ヘッ
ドの磁気記録媒体対向面を冷却するように構成した。
を主成分とするセラミックス基体、２０２，２０３，２
０４，２０５，２０６はＣｕから成る高熱伝導率導電性
薄帯もしくは薄膜、２０７，２０８はｎ型Ｂｉ2Ｔｅ3薄
帯もしくは薄膜、２０９，２１０はｐ型Ｂｉ2Ｔｅ3薄帯
もしくは薄膜、２１１は直流電源、２１２は導線、２１
３は記録再生素子部であり、直流電源によりｎ型Ｂｉ2
Ｔｅ3部からｐ型Ｂｉ2Ｔｅ3部に電流が流れ、磁気ヘッ
ドの磁気記録媒体対向面を冷却するように構成した。
【００１５】実施例３ 図３は本発明の実施例３の磁気ヘッドの模式図である。
【００１６】図中、３０１はアルミナチタンカ−バイド
を主成分とするセラミックス基体、３０２，３０３，３
０４，３０５，３０６，３０７，３０８，３０９，３１
０，３１１はＡｕから成る高熱伝導率導電性薄帯もしく
は薄膜、３１２，３１３，３１４，３１５はｎ型Ｂｉ2
Ｔｅ3薄帯もしくは薄膜、３１６，３１７，３１８，３
１９はｐ型Ｂｉ2Ｔｅ3薄帯もしくは薄膜、３２０はＳｉ
Ｏ2高熱伝導率電気絶縁体、３２１は直流電源、３２２
は導線、３２３は記録再生素子部であり、直流電源によ
りｎ型Ｂｉ2Ｔｅ3部からｐ型Ｂｉ2Ｔｅ3部に電流が流
れ、磁気ヘッドの磁気記録媒体対向面を冷却するように
構成した。
を主成分とするセラミックス基体、３０２，３０３，３
０４，３０５，３０６，３０７，３０８，３０９，３１
０，３１１はＡｕから成る高熱伝導率導電性薄帯もしく
は薄膜、３１２，３１３，３１４，３１５はｎ型Ｂｉ2
Ｔｅ3薄帯もしくは薄膜、３１６，３１７，３１８，３
１９はｐ型Ｂｉ2Ｔｅ3薄帯もしくは薄膜、３２０はＳｉ
Ｏ2高熱伝導率電気絶縁体、３２１は直流電源、３２２
は導線、３２３は記録再生素子部であり、直流電源によ
りｎ型Ｂｉ2Ｔｅ3部からｐ型Ｂｉ2Ｔｅ3部に電流が流
れ、磁気ヘッドの磁気記録媒体対向面を冷却するように
構成した。
【００１７】上記実施例１〜３の冷却機構を有する誘導
型および磁気抵抗効果素子から成る記録再生分離型磁気
ヘッドと、比較例として従来の誘導型および磁気抵抗効
果素子から成る記録再生分離型磁気ヘッドを用意し、Ｃ
保護被覆層，吸着性の有機系潤滑剤層を有するＣｏ系薄
膜磁気ディスクに対するそれぞれの耐摺動性を、ＣＳＳ
により評価した。比較例１は基体材料としてジルコニア
を主成分とするセラミックスを用いたものであり、比較
例２は基体材料としてアルミナチタンカ−バイドを主成
分とするセラミックスを用いたものである。結果を表１
に示す。
型および磁気抵抗効果素子から成る記録再生分離型磁気
ヘッドと、比較例として従来の誘導型および磁気抵抗効
果素子から成る記録再生分離型磁気ヘッドを用意し、Ｃ
保護被覆層，吸着性の有機系潤滑剤層を有するＣｏ系薄
膜磁気ディスクに対するそれぞれの耐摺動性を、ＣＳＳ
により評価した。比較例１は基体材料としてジルコニア
を主成分とするセラミックスを用いたものであり、比較
例２は基体材料としてアルミナチタンカ−バイドを主成
分とするセラミックスを用いたものである。結果を表１
に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１に示すように、実施例１〜３の磁気ヘ
ッドの耐ＣＳＳ特性は比較例１、２のそれに比べて格段
に優れた特性を示した。
ッドの耐ＣＳＳ特性は比較例１、２のそれに比べて格段
に優れた特性を示した。
【００２０】ここで、１０２，１０３，１０４，２０
２，２０３，２０４，２０５，２０６，３０２，３０
３，３０４，３０５，３０６，３０７，３０８，３０
９，３１０，３１１の高熱伝導率導電体はＣｕ，Ａｕの
他にＡｇ，Ａｌ，Ａｌ−Ｍｇ合金等、またはそれらの組
合せでも良く、１０５，１０６，２０７，２０８，２０
９，２１０，３１２，３１３，３１４，３１５，３１
６，３１７，３１８，３１９の半導体はＢｉ2Ｔｅ3の他
にＰｂＴｅ，あるいはそれ以外でもペルチェ効果を生ず
る材料なら良く、３２０の高熱伝導率電気絶縁体はＳｉ
Ｏ2の他にＡｌ2Ｏ3，ダイヤモンド等、またはそれらの
組合せでも良く、１０７，２１１，３２１の直流電源
は、実質的に直流電圧成分を有する電源手段であれば本
発明の効果を損なうことなく実現できるので良い。ま
た、電気的絶縁のため、１０３，１０４，２０４，２０
５，２０６，３０９，３１０，３１１の高熱伝導率導電
体上にさらに高熱伝導率電気絶縁体を設けても良い。ま
た、本ペルチェ素子の一部または全部を１０１，２０
１，３０１のセラミックス中に埋め込む形で構成しても
良い。
２，２０３，２０４，２０５，２０６，３０２，３０
３，３０４，３０５，３０６，３０７，３０８，３０
９，３１０，３１１の高熱伝導率導電体はＣｕ，Ａｕの
他にＡｇ，Ａｌ，Ａｌ−Ｍｇ合金等、またはそれらの組
合せでも良く、１０５，１０６，２０７，２０８，２０
９，２１０，３１２，３１３，３１４，３１５，３１
６，３１７，３１８，３１９の半導体はＢｉ2Ｔｅ3の他
にＰｂＴｅ，あるいはそれ以外でもペルチェ効果を生ず
る材料なら良く、３２０の高熱伝導率電気絶縁体はＳｉ
Ｏ2の他にＡｌ2Ｏ3，ダイヤモンド等、またはそれらの
組合せでも良く、１０７，２１１，３２１の直流電源
は、実質的に直流電圧成分を有する電源手段であれば本
発明の効果を損なうことなく実現できるので良い。ま
た、電気的絶縁のため、１０３，１０４，２０４，２０
５，２０６，３０９，３１０，３１１の高熱伝導率導電
体上にさらに高熱伝導率電気絶縁体を設けても良い。ま
た、本ペルチェ素子の一部または全部を１０１，２０
１，３０１のセラミックス中に埋め込む形で構成しても
良い。
【００２１】実施例４ 上記実施例１〜３の誘導型および磁気抵抗効果素子を有
する記録再生分離型磁気ヘッドと、Ｃ保護被覆層，吸着
性の有機系潤滑剤層を有するＣｏ系薄膜磁気ディスクと
を組み合わせて磁気ディスク装置を作製した。図４に作
製した磁気ディスク装置の構成図を示す。図４におい
て、４０１，４０２，４０３，４０４は磁気ディスク、
４０５，４０６，４０７，４０８，４０９，４１０，４
１１は本発明より成る磁気ヘッド、４１２は可動式ヘッ
ドア−ム、４１３はボイスコイルモ−タ、４１４は制御
回路、４１５は位置決め検出回路、４１６はヘッド選択
スイッチ、４１７は記録再生回路、４１８はコントロ−
ラである。エラ−が生じるまでの平均装置寿命を求めた
が、いずれも従来の磁気ヘッドを用いた装置に比べ２〜
１０倍以上の寿命となり、高い信頼性が得られた。ま
た、本効果は薄膜型記録媒体だけではなく、塗布型記録
媒体に対しても認められた。
する記録再生分離型磁気ヘッドと、Ｃ保護被覆層，吸着
性の有機系潤滑剤層を有するＣｏ系薄膜磁気ディスクと
を組み合わせて磁気ディスク装置を作製した。図４に作
製した磁気ディスク装置の構成図を示す。図４におい
て、４０１，４０２，４０３，４０４は磁気ディスク、
４０５，４０６，４０７，４０８，４０９，４１０，４
１１は本発明より成る磁気ヘッド、４１２は可動式ヘッ
ドア−ム、４１３はボイスコイルモ−タ、４１４は制御
回路、４１５は位置決め検出回路、４１６はヘッド選択
スイッチ、４１７は記録再生回路、４１８はコントロ−
ラである。エラ−が生じるまでの平均装置寿命を求めた
が、いずれも従来の磁気ヘッドを用いた装置に比べ２〜
１０倍以上の寿命となり、高い信頼性が得られた。ま
た、本効果は薄膜型記録媒体だけではなく、塗布型記録
媒体に対しても認められた。
【００２２】実施例５ 図５は本発明の実施例５の回路の構成図である。図５に
おいて５０１はペルチェ素子、５０２は回路切り換えス
イッチ、５０３はコンパレータ、５０４は参照電極、５
０５は直流電源、５０６は導線である。参照電極５０４
には、装置起動前のペルチェ素子５０１の開放端電位相
当の負電位を設定した。本構成では、コンパレータ５０
３の正極に入力したペルチェ素子５０１の開放端電圧が
参照電極５０４の電位に比べて高くなると、コンパレー
タ５０３の出力がオンになり、その信号で回路切り換え
スイッチ５０２を切り換えてペルチェ素子５０１に電流
を流して冷却を開始する。この機構により、この機構を
設けないときに比べて消費電力を１０分の１以下に低減
できた。
おいて５０１はペルチェ素子、５０２は回路切り換えス
イッチ、５０３はコンパレータ、５０４は参照電極、５
０５は直流電源、５０６は導線である。参照電極５０４
には、装置起動前のペルチェ素子５０１の開放端電位相
当の負電位を設定した。本構成では、コンパレータ５０
３の正極に入力したペルチェ素子５０１の開放端電圧が
参照電極５０４の電位に比べて高くなると、コンパレー
タ５０３の出力がオンになり、その信号で回路切り換え
スイッチ５０２を切り換えてペルチェ素子５０１に電流
を流して冷却を開始する。この機構により、この機構を
設けないときに比べて消費電力を１０分の１以下に低減
できた。
【００２３】本実施例では、参照電極５０４に装置起動
前のペルチェ素子５０１の開放端電位相当の電位を設定
したが、装置の使用環境に応じて、本発明の目的を損な
わない範囲で自由に設定して差し支えない。
前のペルチェ素子５０１の開放端電位相当の電位を設定
したが、装置の使用環境に応じて、本発明の目的を損な
わない範囲で自由に設定して差し支えない。
【００２４】実施例６図６は本発明の実施例６の回路の
構成図である。図６において６０１はペルチェ素子、６
０２は回路切り換えスイッチ、６０３、６０４は直流電
源、６０５は導線である。本構成では、磁気記憶装置の
起動に先立ち、ディスクを停止させた状態で、回路切り
換えスイッチ６０２によりペルチェ素子６０１が作動す
る。そして、ペルチェ素子６０１は磁気ヘッドの磁気記
録媒体対向面の温度を上げるように動作する。この機構
により、この機構を設けないときに比べて、磁気ヘッド
と磁気記録媒体の初期粘着力を３分の１以下に低減でき
た。
構成図である。図６において６０１はペルチェ素子、６
０２は回路切り換えスイッチ、６０３、６０４は直流電
源、６０５は導線である。本構成では、磁気記憶装置の
起動に先立ち、ディスクを停止させた状態で、回路切り
換えスイッチ６０２によりペルチェ素子６０１が作動す
る。そして、ペルチェ素子６０１は磁気ヘッドの磁気記
録媒体対向面の温度を上げるように動作する。この機構
により、この機構を設けないときに比べて、磁気ヘッド
と磁気記録媒体の初期粘着力を３分の１以下に低減でき
た。
【００２５】
【発明の効果】本発明の磁気ヘッドは耐摺動性に優れる
ため、高密度記録に適し、実用に十分な耐摺動性を持つ
磁気記憶装置が得られる。
ため、高密度記録に適し、実用に十分な耐摺動性を持つ
磁気記憶装置が得られる。
【図１】本発明の実施例１における磁気ヘッドの模式図
である。
である。
【図２】本発明の実施例２における磁気ヘッドの模式図
である。
である。
【図３】本発明の実施例３における磁気ヘッドの模式図
である。
である。
【図４】本発明の実施例４における磁気ディスク装置の
構成図である。
構成図である。
【図５】本発明の実施例５における回路の構成図であ
る。
る。
【図６】本発明の実施例６における回路の構成図であ
る。
る。
１０１，２０１，３０１…セラミックス、１０２，１０
３，１０４，２０２，２０３，２０４，２０５，２０
６，３０２，３０３，３０４，３０５，３０６，３０
７，３０８，３０９，３１０，３１１…高熱伝導率導電
体、１０５，２０７，２０８，３１２，３１３，３１
４，３１５…ｎ型半導体、１０６，２０９，２１０，３
１６，３１７，３１８，３１９…ｐ型半導体、３２０…
高熱伝導率電気絶縁体、１０７，２１１，３２１，５０
５，６０３，６０４…直流電源、１０８，２１２，３２
２，５０６，６０５…導線、１０９，２１３，３２３…
記録再生素子、４０１，４０２，４０３，４０４…磁気
ディスク、４０５，４０６，４０７，４０８，４０９，
４１０，４１１…磁気ヘッド、４１２…可動式ヘッドア
−ム、４１３…ボイスコイルモ−タ、４１４…制御回
路、４１５…位置決め検出回路、４１６…ヘッド選択ス
イッチ、４１７…記録再生回路、４１８…コントロ−
ラ、５０１，６０１…ペルチェ素子、５０２，６０２…
回路切り換えスイッチ、５０３…コンパレータ、５０４
…参照電極。
３，１０４，２０２，２０３，２０４，２０５，２０
６，３０２，３０３，３０４，３０５，３０６，３０
７，３０８，３０９，３１０，３１１…高熱伝導率導電
体、１０５，２０７，２０８，３１２，３１３，３１
４，３１５…ｎ型半導体、１０６，２０９，２１０，３
１６，３１７，３１８，３１９…ｐ型半導体、３２０…
高熱伝導率電気絶縁体、１０７，２１１，３２１，５０
５，６０３，６０４…直流電源、１０８，２１２，３２
２，５０６，６０５…導線、１０９，２１３，３２３…
記録再生素子、４０１，４０２，４０３，４０４…磁気
ディスク、４０５，４０６，４０７，４０８，４０９，
４１０，４１１…磁気ヘッド、４１２…可動式ヘッドア
−ム、４１３…ボイスコイルモ−タ、４１４…制御回
路、４１５…位置決め検出回路、４１６…ヘッド選択ス
イッチ、４１７…記録再生回路、４１８…コントロ−
ラ、５０１，６０１…ペルチェ素子、５０２，６０２…
回路切り換えスイッチ、５０３…コンパレータ、５０４
…参照電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 晃 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 大野 徒之 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 山本 朋生 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 加藤 幸男 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】磁気記録媒体に情報を書き込み読み出す磁
気ヘッドにおいて、該磁気ヘッドに冷却機構を設けたこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】上記冷却機構は少なくともペルチェ効果を
利用したものである請求項１に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】上記冷却機構は、ペルチェ効果を得るため
の、ペルチェ素子の熱的並列接続体を有している請求項
２に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】上記冷却機構は、ペルチェ効果を得るため
の、ペルチェ素子の熱的直列接続体を有している請求項
２に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気
ヘッドを少なくとも一つ有することを特徴とする磁気記
憶装置。 - 【請求項６】ペルチェ素子を熱電対としても動作させる
請求項５に記載の磁気記憶装置。 - 【請求項７】ペルチェ素子を加熱素子としても動作させ
る請求項５又は６に記載の磁気記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24109691A JPH0581622A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 磁気ヘツドおよび磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24109691A JPH0581622A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 磁気ヘツドおよび磁気記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0581622A true JPH0581622A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17069231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24109691A Pending JPH0581622A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 磁気ヘツドおよび磁気記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0581622A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597544B2 (en) * | 2000-12-11 | 2003-07-22 | International Business Machines Corporation | Thermoelectric microcoolers for cooling write coils and GMR sensors in magnetic heads for disk drives |
| US7869154B2 (en) | 2008-03-17 | 2011-01-11 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic tape driving apparatus |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP24109691A patent/JPH0581622A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597544B2 (en) * | 2000-12-11 | 2003-07-22 | International Business Machines Corporation | Thermoelectric microcoolers for cooling write coils and GMR sensors in magnetic heads for disk drives |
| US7869154B2 (en) | 2008-03-17 | 2011-01-11 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic tape driving apparatus |
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