JPH0583025B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0583025B2 JPH0583025B2 JP60249050A JP24905085A JPH0583025B2 JP H0583025 B2 JPH0583025 B2 JP H0583025B2 JP 60249050 A JP60249050 A JP 60249050A JP 24905085 A JP24905085 A JP 24905085A JP H0583025 B2 JPH0583025 B2 JP H0583025B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- light
- substrate
- reading device
- optical waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
- Y02T10/60—Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
- Y02T10/70—Energy storage systems for electromobility, e.g. batteries
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、フアクシミリや複写機などの原稿の
読み取りに使用されている完全密着型イメージセ
ンサ読み取り装置に関するものである。
読み取りに使用されている完全密着型イメージセ
ンサ読み取り装置に関するものである。
（従来の技術）
近年フアクシミリや複写機などに代表される
OA機器の進歩は目覚ましく、各種OA機器の画
像入力装置の小型軽量化や高性能化を計るため
に、密着型イメージセンサ読み取り装置が開発さ
れて広範囲に利用されている。従来のフアクシミ
リなどの読み取りに使用されている密着型イメー
ジセンサ読み取り装置の構成を、第３図および第
４図を参照して説明する。
OA機器の進歩は目覚ましく、各種OA機器の画
像入力装置の小型軽量化や高性能化を計るため
に、密着型イメージセンサ読み取り装置が開発さ
れて広範囲に利用されている。従来のフアクシミ
リなどの読み取りに使用されている密着型イメー
ジセンサ読み取り装置の構成を、第３図および第
４図を参照して説明する。
第３図は、従来のフアクシミリなどの原稿読み
取りに使用されている密着型イメージセンサ読み
取り装置の構成の断面図を示し、原稿１を蛍光灯
などの光源２で均一に照射３し、原稿１からの反
射光をセルフオニツクレンズ（光集束性フアイバ
レンズ）４を通して、基板５に配列したイメージ
センサ６に結像させて電気信号に変換する。（例
えば、由上登、他：画像電子学会予稿、83−04、
1983参照） 第４図は、従来の完全密着型イメージセンサ読
み取り装置の構成の断面図を示し、イメージセン
サ６を配列した透明の基板５を通して原稿１に照
射３し、原稿１からの反射光をイメージセンサ６
に入射して、原稿１の情報に対応した電気信号に
変換する。〔Yamamoto et al：JJAP
Vol.17Supplement，17−１（1978）135や、田尻
哲男他：昭和55年度電子通信学会総合全国大会予
稿975あるいは、山本英明他：昭和59年電気四学
会連合大会予稿、３−110参照〕 （発明が解決しようとする問題点） 前記のように、従来の完全密着型イメージセン
サ読み取り装置の構造では、照明光をイメージセ
ンサの背面から斜照射させなければならないの
で、８ドツト／mm以上の解像度を有するイメージ
センサの場合は、照明効率やMTFの低下を生じ、
また、イメージセンサに電荷結合素子（以下
CCDと省略する）イメージセンサやバイポーラ
ICイメージセンサなどの結晶タイプを用いると、
照明効率やMTFが極端に低下するという問題点
があつた。
取りに使用されている密着型イメージセンサ読み
取り装置の構成の断面図を示し、原稿１を蛍光灯
などの光源２で均一に照射３し、原稿１からの反
射光をセルフオニツクレンズ（光集束性フアイバ
レンズ）４を通して、基板５に配列したイメージ
センサ６に結像させて電気信号に変換する。（例
えば、由上登、他：画像電子学会予稿、83−04、
1983参照） 第４図は、従来の完全密着型イメージセンサ読
み取り装置の構成の断面図を示し、イメージセン
サ６を配列した透明の基板５を通して原稿１に照
射３し、原稿１からの反射光をイメージセンサ６
に入射して、原稿１の情報に対応した電気信号に
変換する。〔Yamamoto et al：JJAP
Vol.17Supplement，17−１（1978）135や、田尻
哲男他：昭和55年度電子通信学会総合全国大会予
稿975あるいは、山本英明他：昭和59年電気四学
会連合大会予稿、３−110参照〕 （発明が解決しようとする問題点） 前記のように、従来の完全密着型イメージセン
サ読み取り装置の構造では、照明光をイメージセ
ンサの背面から斜照射させなければならないの
で、８ドツト／mm以上の解像度を有するイメージ
センサの場合は、照明効率やMTFの低下を生じ、
また、イメージセンサに電荷結合素子（以下
CCDと省略する）イメージセンサやバイポーラ
ICイメージセンサなどの結晶タイプを用いると、
照明効率やMTFが極端に低下するという問題点
があつた。
また、イメージセンサは原稿と接触対向してい
るので、原稿との摩擦により、イメージセンサに
ダメージを与えられ、機械的強度が不安定になる
という問題点があつた。
るので、原稿との摩擦により、イメージセンサに
ダメージを与えられ、機械的強度が不安定になる
という問題点があつた。
（問題点を解決するための手段）
前記問題点を解決するため、本発明は、基板に
配列されたイメージセンサ上に１個以上の照明入
射用開口部と、１個以上の原稿照射用開口部を有
するとともに、光遮断膜で覆われた透光性薄膜
（以下光遮断膜と透光性薄膜を総称して光導波路
と呼ぶ）を備えた保護用透光性基板でイメージセ
ンサを気密封止した完全密着型イメージセンサ読
み取り装置を提供するものである。
配列されたイメージセンサ上に１個以上の照明入
射用開口部と、１個以上の原稿照射用開口部を有
するとともに、光遮断膜で覆われた透光性薄膜
（以下光遮断膜と透光性薄膜を総称して光導波路
と呼ぶ）を備えた保護用透光性基板でイメージセ
ンサを気密封止した完全密着型イメージセンサ読
み取り装置を提供するものである。
なお、本発明には、CCDイメージセンサやバ
イポーラICイメージセンサなどの結晶タイプの
イメージセンサを使用することができる。
イポーラICイメージセンサなどの結晶タイプの
イメージセンサを使用することができる。
（作 用）
前記構成により、保護用透光性基板から原稿に
光を照射するため、高解像度の読み取りをするこ
とができ、イメージセンサは、機械的安定度にす
ぐれるとともに、電気的特性の劣化が無い。
光を照射するため、高解像度の読み取りをするこ
とができ、イメージセンサは、機械的安定度にす
ぐれるとともに、電気的特性の劣化が無い。
（実施例）
本発明の実施例を、第１図および第２図を参照
して説明する。
して説明する。
第１図は、本発明の完全密着型イメージセンサ
読み取り装置の第１の実施例の構成断面図を示
し、基板５の上にイメージセンサ６が配列固定さ
れている。基板５の材料としては、ガラス基板、
石英基板、サフアイヤ基板などの透光性基板が用
いられているが、アルミナ基板、アルミニウム基
板、ステンレス基板などを用いてもよい。また、
イメージセンサ６の種としては、ａ−Si，Poli−
Si，CdS−CdSeなどの薄膜タイプ、あるいは
CCD、バイポーラICなどの結晶タイプがある。
次に、光遮断膜７ａ，７ｂおよび透光性薄膜７ｃ
からなる光導波路７を付けた保護用透光性基板８
を、光導波路７の面がイメージセンサ６に向くよ
うにして、基板５と接着させて気密封止を行な
う。
読み取り装置の第１の実施例の構成断面図を示
し、基板５の上にイメージセンサ６が配列固定さ
れている。基板５の材料としては、ガラス基板、
石英基板、サフアイヤ基板などの透光性基板が用
いられているが、アルミナ基板、アルミニウム基
板、ステンレス基板などを用いてもよい。また、
イメージセンサ６の種としては、ａ−Si，Poli−
Si，CdS−CdSeなどの薄膜タイプ、あるいは
CCD、バイポーラICなどの結晶タイプがある。
次に、光遮断膜７ａ，７ｂおよび透光性薄膜７ｃ
からなる光導波路７を付けた保護用透光性基板８
を、光導波路７の面がイメージセンサ６に向くよ
うにして、基板５と接着させて気密封止を行な
う。
保護用透光性基板８に光導波路７を読み取り付
けるためには、ガラス基板、石英基板またはサフ
アイヤ基板からなる保護用透光性基板８の上に、
EB法、DCスパツタリング法、抵抗加熱法または
メツキ法などの薄膜形成技術を用いて、Al，
Mo，Cr，Ag，AuまたはTiなどの光遮断膜７ａ
を0.1〜20μm成形する。その後、フオトリソグラ
フ技術を用いて任意のパターニングを行なう。次
に、光遮断膜７ａ上にRFスパツタリング法、EB
法、CVD法を用いて、ガラス、SiO2，Al2O3，
TiO2，ZnS，MgF2などの透光性薄膜７ｃを0.1〜
20μm形成する。透光性薄膜７ｃの上および側面
に光遮断膜７ｂを、光遮断膜７ａと同様の薄膜形
成方法で、Al，Mo，Cr，Ag，AuまたはTiなど
を0.1〜20μm形成し、フオトリソグラフ技術を用
いて任意のパターニングを行なう。前記方法によ
り完全密着型イメージセンサができる。前記構成
において、螢光灯、LED、ハロゲンランプなど
を用いた光源２から光導波路７に光を照射３する
と、光導波路内に入つた光は、反射を繰り返しな
がら、光導波路７の口を通つて原稿１の面に照射
され、原稿１の情報に応じた光が反射され、前記
反射がイメージセンサ６に入射されて電気信号に
変換される。
けるためには、ガラス基板、石英基板またはサフ
アイヤ基板からなる保護用透光性基板８の上に、
EB法、DCスパツタリング法、抵抗加熱法または
メツキ法などの薄膜形成技術を用いて、Al，
Mo，Cr，Ag，AuまたはTiなどの光遮断膜７ａ
を0.1〜20μm成形する。その後、フオトリソグラ
フ技術を用いて任意のパターニングを行なう。次
に、光遮断膜７ａ上にRFスパツタリング法、EB
法、CVD法を用いて、ガラス、SiO2，Al2O3，
TiO2，ZnS，MgF2などの透光性薄膜７ｃを0.1〜
20μm形成する。透光性薄膜７ｃの上および側面
に光遮断膜７ｂを、光遮断膜７ａと同様の薄膜形
成方法で、Al，Mo，Cr，Ag，AuまたはTiなど
を0.1〜20μm形成し、フオトリソグラフ技術を用
いて任意のパターニングを行なう。前記方法によ
り完全密着型イメージセンサができる。前記構成
において、螢光灯、LED、ハロゲンランプなど
を用いた光源２から光導波路７に光を照射３する
と、光導波路内に入つた光は、反射を繰り返しな
がら、光導波路７の口を通つて原稿１の面に照射
され、原稿１の情報に応じた光が反射され、前記
反射がイメージセンサ６に入射されて電気信号に
変換される。
第２図は、本発明の第２の実施例の構成断面図
を示し、ポリイミド基板のようなフレキシブルの
基板９の上に光導波路７と同じ方法で光導波路１
０を形成し、光導波路７と光学的に接続すると、
外部から光を導入することができる。前記構成に
よれば、光源としては外部光を利用することがで
きるので、読み取り装置としての専用光源が不要
となる。
を示し、ポリイミド基板のようなフレキシブルの
基板９の上に光導波路７と同じ方法で光導波路１
０を形成し、光導波路７と光学的に接続すると、
外部から光を導入することができる。前記構成に
よれば、光源としては外部光を利用することがで
きるので、読み取り装置としての専用光源が不要
となる。
また、前記第１および第２の実施例において、
光を均一に原稿１面に照射するために、透光性薄
膜７ｃの表面をアルミナ粉などの研磨材で研磨し
たり、あるいはフツ酸系のエツチング液でエツチ
ングして、50〜5000Åの凹凸をつけて、光の散乱
を多くする方法も効果的である。
光を均一に原稿１面に照射するために、透光性薄
膜７ｃの表面をアルミナ粉などの研磨材で研磨し
たり、あるいはフツ酸系のエツチング液でエツチ
ングして、50〜5000Åの凹凸をつけて、光の散乱
を多くする方法も効果的である。
（発明の効果）
前記のように、本発明によれば、保護用透光性
基板に光導波路を一体化してイメージセンサを気
密封止するため、機械的安定性が良くなり、イメ
ージセンサの電気的劣化が無く、高解像度の読み
取りが可能となるという効果がある。また、結晶
タイプのイメージセンサの使用も可能となり、高
性能の完全密着型イメージセンサ読み取り装置が
得られるとともに、光源が任意の場所に置けるの
で小型になるという効果がある。
基板に光導波路を一体化してイメージセンサを気
密封止するため、機械的安定性が良くなり、イメ
ージセンサの電気的劣化が無く、高解像度の読み
取りが可能となるという効果がある。また、結晶
タイプのイメージセンサの使用も可能となり、高
性能の完全密着型イメージセンサ読み取り装置が
得られるとともに、光源が任意の場所に置けるの
で小型になるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の構成断面図、
第２図は本発明の第２の実施例の構成断面図、第
３図は従来の密着型イメージセンサ読み取り装置
の構成の断面図、第４図は従来の完全密着型イメ
ージセンサ読み取り装置の構成断面図を示す。 １……原稿、２……光源、３……照射、４……
セルフオニツクレンズ、５……基板、６……イメ
ージセンサ、７，１０……光導波路、７ａ，７
ｂ，１０ａ，１０ｂ……光遮断膜、７ｃ，１０ｃ
……透光性薄膜、８……保護用透光性基板、９…
…フレキシブルの基板。
第２図は本発明の第２の実施例の構成断面図、第
３図は従来の密着型イメージセンサ読み取り装置
の構成の断面図、第４図は従来の完全密着型イメ
ージセンサ読み取り装置の構成断面図を示す。 １……原稿、２……光源、３……照射、４……
セルフオニツクレンズ、５……基板、６……イメ
ージセンサ、７，１０……光導波路、７ａ，７
ｂ，１０ａ，１０ｂ……光遮断膜、７ｃ，１０ｃ
……透光性薄膜、８……保護用透光性基板、９…
…フレキシブルの基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に配列されたイメージセンサと、前記
イメージセンサを保護封止する保護用透光性基板
とかなる完全密着型イメージセンサ読み取り装置
において、前記保護用透光性基板上に１個以上の
照明入射用開口部と１個以上の原稿照射用開口部
を有するとともに、光遮断膜で覆われた透光性薄
膜からなる光導波路を備え、前記光導波路の面を
前記イメージセンサ側に向けて配置し、イメージ
センサを気密封止したことを特徴とする完全密着
型イメージセンサ読み取り装置。 ２ 透光性薄膜の表面を50〜5000Å凹凸にするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の完全
密着型イメージセンサ読み取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249050A JPS62110358A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 完全密着型イメ−ジセンサ読み取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249050A JPS62110358A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 完全密着型イメ−ジセンサ読み取り装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62110358A JPS62110358A (ja) | 1987-05-21 |
| JPH0583025B2 true JPH0583025B2 (ja) | 1993-11-24 |
Family
ID=17187266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60249050A Granted JPS62110358A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 完全密着型イメ−ジセンサ読み取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62110358A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07279142A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-24 | Yokichi Shinohara | 土のうの製法とその装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7333052B2 (ja) * | 2019-06-21 | 2023-08-24 | 学校法人立命館 | 光センサ |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP60249050A patent/JPS62110358A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07279142A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-24 | Yokichi Shinohara | 土のうの製法とその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62110358A (ja) | 1987-05-21 |
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