JPH0448781A - 光源一体型イメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents
光源一体型イメージセンサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0448781A JPH0448781A JP2155049A JP15504990A JPH0448781A JP H0448781 A JPH0448781 A JP H0448781A JP 2155049 A JP2155049 A JP 2155049A JP 15504990 A JP15504990 A JP 15504990A JP H0448781 A JPH0448781 A JP H0448781A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- transparent substrate
- receiving element
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
Landscapes
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（従来の技術）
従来、ファクシミリやスキャナ等に使用される密着型の
画像読取装置は、蛍光灯光源と、原稿幅員を有するイメ
ージセンサと、原稿からの反射光をイメージセンサに結
像させる等倍光学系とから成り、原稿からの濃度に応じ
た反射光による光信号を電気信号として直線状に配置さ
れたイメージセンサの受光素子に蓄積し、この電気信号
を時系列的に出力して原稿の１ライン（主走査方向）に
相当する画像信号を得るものである。この画像読取装置
によれば、縮小光学系を用いる方式に比較して装置の小
型化を図ることができるが、等倍光学系としてロッドレ
ンズアレイ等を使用するので装置の小型化に限度がある
という欠点があった。
画像読取装置は、蛍光灯光源と、原稿幅員を有するイメ
ージセンサと、原稿からの反射光をイメージセンサに結
像させる等倍光学系とから成り、原稿からの濃度に応じ
た反射光による光信号を電気信号として直線状に配置さ
れたイメージセンサの受光素子に蓄積し、この電気信号
を時系列的に出力して原稿の１ライン（主走査方向）に
相当する画像信号を得るものである。この画像読取装置
によれば、縮小光学系を用いる方式に比較して装置の小
型化を図ることができるが、等倍光学系としてロッドレ
ンズアレイ等を使用するので装置の小型化に限度がある
という欠点があった。
そこで、光源としてＥＬ発光素子を用い、ＥＬ発光素子
と密着型イメージセンサとを一体化した超小型の光源一
体型イメージセンサが提案されている。
と密着型イメージセンサとを一体化した超小型の光源一
体型イメージセンサが提案されている。
この光源一体型イメージセンサは、例えば第４図に示す
ように、絶縁基板１上にライン状に多数配設された受光
素子１０と、ガラス等から成る透明基板２上に形成され
たＥＬ発光素子２０とを、透光性の接着剤層３０を挟ん
で相対向するように配置して構成される。
ように、絶縁基板１上にライン状に多数配設された受光
素子１０と、ガラス等から成る透明基板２上に形成され
たＥＬ発光素子２０とを、透光性の接着剤層３０を挟ん
で相対向するように配置して構成される。
ＥＬ発光素子２０から発光した光は、透明基板２の反発
光素子側に配置した原稿（図示せず）面を照射し、その
反射光が受光素子１０に入射するようになっている。
光素子側に配置した原稿（図示せず）面を照射し、その
反射光が受光素子１０に入射するようになっている。
（発明が解決しようとする課題）
上述のような構造の光源一体型イメージセンサによると
、ガラスの透明基板２の屈折率ｎ２ （１゜５程度）、
一般的な接着剤層３０の屈折率ｎ３（１，４程度）、空
気の屈折率ｎ、は、ｎ２≧ｎ＞ｎ、中１．０を満足して
いる。透明基板２と原稿面との間には空気が存在すると
考えられる（透明基板２に原稿か完全に密着していない
）ので、ＥＬ発光素子２０ら発光した光のうち、次式で
示される角度０３以上のものは、透明基板２の原稿側の
面で全反射してしまう。
、ガラスの透明基板２の屈折率ｎ２ （１゜５程度）、
一般的な接着剤層３０の屈折率ｎ３（１，４程度）、空
気の屈折率ｎ、は、ｎ２≧ｎ＞ｎ、中１．０を満足して
いる。透明基板２と原稿面との間には空気が存在すると
考えられる（透明基板２に原稿か完全に密着していない
）ので、ＥＬ発光素子２０ら発光した光のうち、次式で
示される角度０３以上のものは、透明基板２の原稿側の
面で全反射してしまう。
θ、−ｓ ｉｎ −’ （ｎ＋ ／ｎ、）また、全反
射した光のうち、次式で示される角度θ、以下のものは
、界面で全反射せずＥＬ発光素子２０に形成された光入
射窓２６を通過して受光素子１０へ入射してしまう。
射した光のうち、次式で示される角度θ、以下のものは
、界面で全反射せずＥＬ発光素子２０に形成された光入
射窓２６を通過して受光素子１０へ入射してしまう。
θ２−ｓ ｓ ｎ −’ （ｎ３ ／ ｎ２ ）上述
した全反射光は原稿の有無に関係なく発生するので、Ｅ
Ｌ発光素子２０を点灯するだけて受光素子１０にＥＬ発
光光の一部が常に入射してしまい（フレア）、受光素子
１０の暗出力がグランドレベルより大きくなり、受光素
子１０のダイナミックレンジを狭め、多階調読み取りに
際して不都合であるという問題点があった。
した全反射光は原稿の有無に関係なく発生するので、Ｅ
Ｌ発光素子２０を点灯するだけて受光素子１０にＥＬ発
光光の一部が常に入射してしまい（フレア）、受光素子
１０の暗出力がグランドレベルより大きくなり、受光素
子１０のダイナミックレンジを狭め、多階調読み取りに
際して不都合であるという問題点があった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、光源一体型
イメージセンサにおいて、ＥＬ発光素子を点灯するたけ
で受光素子に出力が発生するフレアを防止する構造及び
その製造方法を提供することを目的とする。
イメージセンサにおいて、ＥＬ発光素子を点灯するたけ
で受光素子に出力が発生するフレアを防止する構造及び
その製造方法を提供することを目的とする。
（課踊を解決するための手段）
上記従来例の問題点を解決するため請求項１記載の発明
は、絶縁基板上に形成された多数の受光素子と、透明基
板上に形成された発光素子とを透光層を挾んで相対向す
るように配置し、前記発光素子からの光を前記透明基板
の反発光素子側に配置した原稿面に照射させ、その反射
光か前記受光素子に入射するようにした光線一体型イメ
ージセンサにおいて、前記受光素子上の透光層の一部若
しくは全部を除去して、発光素子側に臨む気体層を介在
させたことを特徴としている。
は、絶縁基板上に形成された多数の受光素子と、透明基
板上に形成された発光素子とを透光層を挾んで相対向す
るように配置し、前記発光素子からの光を前記透明基板
の反発光素子側に配置した原稿面に照射させ、その反射
光か前記受光素子に入射するようにした光線一体型イメ
ージセンサにおいて、前記受光素子上の透光層の一部若
しくは全部を除去して、発光素子側に臨む気体層を介在
させたことを特徴としている。
また、請求項２記載の光源一体型イメージセンサの製造
方法は、次の工程を具備することを特徴としている。
方法は、次の工程を具備することを特徴としている。
受光素子形成工程として、絶縁基板上に受光素子を形成
する。
する。
発光素子形成工程として、透明基板上に透明電極、誘電
体層１発光層、誘電体層、金属電極を順次積層し、前記
金属電極に光入射窓を設けてＥＬ発光素子を形成する。
体層１発光層、誘電体層、金属電極を順次積層し、前記
金属電極に光入射窓を設けてＥＬ発光素子を形成する。
接着工程として、受光素子が形成された絶縁基板上に接
着剤に塗布し、光入射窓の誘電体層側に気体層を保持し
たまま、前記受光素子とＥＬ発光素子との光入射窓とか
対向するように接着する。
着剤に塗布し、光入射窓の誘電体層側に気体層を保持し
たまま、前記受光素子とＥＬ発光素子との光入射窓とか
対向するように接着する。
（作用）
本発明によれば、ＥＬ発光素子受光素子側に気体層を介
在させ、透明基板の両側面での界面状態を同じように設
定したので、ＥＬ発光素子から発光して原稿側の透明基
板界面で全反射した全ての光が、ＥＬ発光素子と気体層
との界面で再び全反射し、受光素子側に入射することが
ない。
在させ、透明基板の両側面での界面状態を同じように設
定したので、ＥＬ発光素子から発光して原稿側の透明基
板界面で全反射した全ての光が、ＥＬ発光素子と気体層
との界面で再び全反射し、受光素子側に入射することが
ない。
（実施例）
本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。
。
第１図は実施例に係る光源一体型イメージセンサの主走
査方向に沿った面での断面説明図である。
査方向に沿った面での断面説明図である。
この光源一体型イメージセンサは、絶縁基板１上にライ
ン状に多数の受光素子１０を形成したイメージセンサと
、透明基板２上に形成されたＥＬ発光素子２０とで、透
光性部材から成る接着剤層３０を挟んで構成されている
。
ン状に多数の受光素子１０を形成したイメージセンサと
、透明基板２上に形成されたＥＬ発光素子２０とで、透
光性部材から成る接着剤層３０を挟んで構成されている
。
イメージセンサは、絶縁基板１上にドツト分離形状の多
数の個別電極１１．該個別電極１１を覆う帯状の光導電
層１２．帯状の共通電極１３を順次積層し、光導電層１
２を個別電極１１と共通電極１３とで挾んだ部分が各受
光素子１０を構成している。
数の個別電極１１．該個別電極１１を覆う帯状の光導電
層１２．帯状の共通電極１３を順次積層し、光導電層１
２を個別電極１１と共通電極１３とで挾んだ部分が各受
光素子１０を構成している。
ＥＬ発光素子２０は、１００μｍの基板厚を有する透明
基板２上に透明電極２１．絶縁層２２゜発光層２３．絶
縁層２４．金属電極２５を順次積層して構成されている
。金属電極２５には、発光層２３から発光した光が原稿
面１００で反射し、反射光が前記受光素子１０に入射す
るように、各受光素子１０上に対応する位置に方形状の
光入射窓２６が開口形成されている。
基板２上に透明電極２１．絶縁層２２゜発光層２３．絶
縁層２４．金属電極２５を順次積層して構成されている
。金属電極２５には、発光層２３から発光した光が原稿
面１００で反射し、反射光が前記受光素子１０に入射す
るように、各受光素子１０上に対応する位置に方形状の
光入射窓２６が開口形成されている。
また、前記金属電極２５の膜厚は通常の膜厚（０，５〜
１μｍ）より厚め（３μｍ程度）にし、前記光入射窓２
６内において、接着剤層３０と絶縁層２４との間に低屈
折率材料を充填した薄い（３μｍ程度）気体層４０を介
在させるようにしている。気体層４０には、空気（屈折
率１．０００）、アルゴン（屈折率１．０００３）、窒
素（屈折率１．０００３）、ヘリウム（屈折率１゜００
０４）、ネオン（屈折率１．００００７）等、屈折率が
略１６００の気体が充填されている。
１μｍ）より厚め（３μｍ程度）にし、前記光入射窓２
６内において、接着剤層３０と絶縁層２４との間に低屈
折率材料を充填した薄い（３μｍ程度）気体層４０を介
在させるようにしている。気体層４０には、空気（屈折
率１．０００）、アルゴン（屈折率１．０００３）、窒
素（屈折率１．０００３）、ヘリウム（屈折率１゜００
０４）、ネオン（屈折率１．００００７）等、屈折率が
略１６００の気体が充填されている。
接着剤層３０は球状スペーサ３１を混合して含んでおり
、ＥＬ発光素子２０と受光素子１０との距離を一定距離
（本実施例では９０μｍ程度とした）に確保している。
、ＥＬ発光素子２０と受光素子１０との距離を一定距離
（本実施例では９０μｍ程度とした）に確保している。
次に上述の光源一体型イメージセンサの製造方法につい
て説明する。
て説明する。
絶縁基板１上に第１図の左右方向に複数個配設する個別
電極（クロムパターン）１１．アモルファスシリコン（
ａ−５ｉ）１２．帯状の透明電極（ＩＴＯ）１３を順次
積層してアレイ状に配置される受光素子１０を形成する
。
電極（クロムパターン）１１．アモルファスシリコン（
ａ−５ｉ）１２．帯状の透明電極（ＩＴＯ）１３を順次
積層してアレイ状に配置される受光素子１０を形成する
。
透明基板２上にＩＴＯ，Ｉｎ、Ｏ，，５ｎＯ７等から成
る透明電極２１． Ｙ、Ｏｌ、 Ｓｉ、 Ｎ、 。
る透明電極２１． Ｙ、Ｏｌ、 Ｓｉ、 Ｎ、 。
ＢａＴｉＯｓ等から成る絶縁層２２．ＺｎＳ：Ｍｎ等か
ら成る発光層２３．同上の絶縁層２４．アルミニウム等
の金属から成る不透明な金属電極２５を順次積層してＥ
Ｌ発光素子２０を形成し、前記金属電極２５をフォトリ
ソ法によりエツチングして前記受光素子１０に対応する
光入射窓２６を形成する。この際、金属電極２５は通常
の膜厚より厚く （３μｍ程度）着膜する。
ら成る発光層２３．同上の絶縁層２４．アルミニウム等
の金属から成る不透明な金属電極２５を順次積層してＥ
Ｌ発光素子２０を形成し、前記金属電極２５をフォトリ
ソ法によりエツチングして前記受光素子１０に対応する
光入射窓２６を形成する。この際、金属電極２５は通常
の膜厚より厚く （３μｍ程度）着膜する。
球状スペーサ３１（例えば、積木ファインケミカル（株
）製 ミクロパール ＳＰ）を混合分散させた接着剤（
トーレシリコーン製 Ｊ ＣＲ６１２３、住良化学製
５Ｘ２０１６ 等）を絶縁基板１上の全面に塗布して
接着剤層３０を形成し、各受光素子１０に前記光入射窓
２６が対向するよう透明基板２を配置させ、透明基板２
０上に均一な圧力を与えて両者の接着を行なう。このと
き、金属電極２５の膜厚を厚くしたので、光入射窓２６
の溝の深さを深くでき、光入射窓２６の誘電体２４側ま
で前記接着剤が入り込まず、この部分に気体層４０が形
成される。前記球状スペーサ３１は、真球形硬質プラス
チック微粒子から成り、耐熱性、絶縁性を有している。
）製 ミクロパール ＳＰ）を混合分散させた接着剤（
トーレシリコーン製 Ｊ ＣＲ６１２３、住良化学製
５Ｘ２０１６ 等）を絶縁基板１上の全面に塗布して
接着剤層３０を形成し、各受光素子１０に前記光入射窓
２６が対向するよう透明基板２を配置させ、透明基板２
０上に均一な圧力を与えて両者の接着を行なう。このと
き、金属電極２５の膜厚を厚くしたので、光入射窓２６
の溝の深さを深くでき、光入射窓２６の誘電体２４側ま
で前記接着剤が入り込まず、この部分に気体層４０が形
成される。前記球状スペーサ３１は、真球形硬質プラス
チック微粒子から成り、耐熱性、絶縁性を有している。
前記気体層４０に保持される気体は、接着工程をどのよ
うな環境下で行なうかで決まる。すなわち、気体層４０
を空気層とするには、乾燥空気環境下で接着工程を行な
えばよい。また、空気以外の気体層とするためには、絶
縁基板１及び透明基板２をグローブボックスに入れ、−
旦真空にした後、所望の気体（アルゴン、窒素、ヘリウ
ム等）をグローブボックス中に充填し、その中で接着工
程を行なえばよい。
うな環境下で行なうかで決まる。すなわち、気体層４０
を空気層とするには、乾燥空気環境下で接着工程を行な
えばよい。また、空気以外の気体層とするためには、絶
縁基板１及び透明基板２をグローブボックスに入れ、−
旦真空にした後、所望の気体（アルゴン、窒素、ヘリウ
ム等）をグローブボックス中に充填し、その中で接着工
程を行なえばよい。
そして、最後に１５０℃、１時間で接着剤を硬化させる
。
。
上述した光源一体型イメージセンサによれば、ＥＬ発光
素子２０の受光素子側１０に気体層４０を介在させ、透
明基板２の両側面での界面状態を同じように設定したの
で、発光層２３から原稿１００側に発光した光のうち透
明基板２の原稿側面（透明基板２の上面）で全反射する
反射光は、その全てが透明基板２と気体層４０との界面
（透明基板２の下面）で再び全反射し、各受光素子１０
に入射しないようになっている。
素子２０の受光素子側１０に気体層４０を介在させ、透
明基板２の両側面での界面状態を同じように設定したの
で、発光層２３から原稿１００側に発光した光のうち透
明基板２の原稿側面（透明基板２の上面）で全反射する
反射光は、その全てが透明基板２と気体層４０との界面
（透明基板２の下面）で再び全反射し、各受光素子１０
に入射しないようになっている。
また、気体層４０の厚さを３μｍ程度の薄層としたので
、原稿１００で反射し気体層４０中を通過する光２００
（原稿の画像情報を含んだもの）が気体層４０と接着剤
層３０との界面で屈折し、この屈折光が主走査方向に離
れた位置まで届かないようにしている。その結果、１つ
の受光素子１０に注目した場合、この受光素子の直上の
光入射窓４６から遠く離れた光入射窓を通過した光、す
なわち注目受光素子に本来入射すべきでない不要な光が
当該注目受光素子に入射するのを防ぎ、受光素子の分解
能（ＭＴＦ）の低下を防止することができる。
、原稿１００で反射し気体層４０中を通過する光２００
（原稿の画像情報を含んだもの）が気体層４０と接着剤
層３０との界面で屈折し、この屈折光が主走査方向に離
れた位置まで届かないようにしている。その結果、１つ
の受光素子１０に注目した場合、この受光素子の直上の
光入射窓４６から遠く離れた光入射窓を通過した光、す
なわち注目受光素子に本来入射すべきでない不要な光が
当該注目受光素子に入射するのを防ぎ、受光素子の分解
能（ＭＴＦ）の低下を防止することができる。
また本実施例によれば、原稿１００からの反射光のうち
、前記した角度θ１ より大きな入射角の光が受光素子
１０に到達できなくなり（透明基板２の下面で全反射す
る）、受光素子の分解能（ＭＴＦ）を向上させることが
できる。
、前記した角度θ１ より大きな入射角の光が受光素子
１０に到達できなくなり（透明基板２の下面で全反射す
る）、受光素子の分解能（ＭＴＦ）を向上させることが
できる。
第２図は本発明の他の実施例を示すもので、第１図と同
様の構成をとる部分については同−符号兎を付している
。
様の構成をとる部分については同−符号兎を付している
。
本実施例では、ＥＬ発光素子２０の金属電極２５の膜厚
を通常の膜厚（０，５〜１μｍ）とし、受光素子１０上
に帯状の気体層４０を形成している。
を通常の膜厚（０，５〜１μｍ）とし、受光素子１０上
に帯状の気体層４０を形成している。
この光源一体型イメージセンサは、通常の工程で透明基
板２上にＥＬ発光素子２０を形成し、２つの帯状開口部
５１．５１が形成されたエマルジョン厚のスクリーンマ
スク５０（第３図（ａ））を絶縁基板１上に配置して前
記実施例同様のスペーサを混合した接着剤３０′を塗布
し、スキージ６０を使用して印刷し、受光素子アレイに
対応する長方形の溝部３２を形成する（第３図（ｂ））
。
板２上にＥＬ発光素子２０を形成し、２つの帯状開口部
５１．５１が形成されたエマルジョン厚のスクリーンマ
スク５０（第３図（ａ））を絶縁基板１上に配置して前
記実施例同様のスペーサを混合した接着剤３０′を塗布
し、スキージ６０を使用して印刷し、受光素子アレイに
対応する長方形の溝部３２を形成する（第３図（ｂ））
。
第３図（ａ）（ｂ）においては、受光素子１０の光導電
層１２及び共通電極１３を省略している。
層１２及び共通電極１３を省略している。
スキージ６０の硬度は、スクリーンマスクの厚さで接着
剤層３０の膜厚を設定てきるようにするため、高いほう
が好ましい。また、前記スクリーンマスク５０の厚さは
、球状スペーサの直径より５〜３０μｍ厚いものを使用
する。
剤層３０の膜厚を設定てきるようにするため、高いほう
が好ましい。また、前記スクリーンマスク５０の厚さは
、球状スペーサの直径より５〜３０μｍ厚いものを使用
する。
そして、受光素子１０が形成された絶縁基板１と透明基
板２とを、受光素子アレイ上に前記溝部３２（接着剤が
印刷されていない場所）が位置し、ＥＬ発光素子２０の
光入射窓２６と受光素子１゜とかり１応するように透明
基板２上から均一に加圧して両者を接合接合する。この
接合工程を行なう環境下によって気体層４０に充填され
る気体の種類が決まるのは前記実施例と同様である。
板２とを、受光素子アレイ上に前記溝部３２（接着剤が
印刷されていない場所）が位置し、ＥＬ発光素子２０の
光入射窓２６と受光素子１゜とかり１応するように透明
基板２上から均一に加圧して両者を接合接合する。この
接合工程を行なう環境下によって気体層４０に充填され
る気体の種類が決まるのは前記実施例と同様である。
また、前記スクリーンマスク５０の代わりにメタルマス
クを使用してもよい。
クを使用してもよい。
（発明の効果）
本発明によれば、ＥＬ発光素子の受光素子側に気体層を
介在させ、透明基板の両側面での界面状態を同じように
設定し、ＥＬ発光素子から発光して原稿側の透明基板で
全反射した光が、ＥＬ発光素子と気体層との界面で再び
全反射し、受光素子側に入射することがないので、ＥＬ
発光素子を点灯するだけで受光素子に出力が発生するフ
レアを防止し、暗出力を減少させてダイナミックレンジ
を広くとることかできる。また、暗出力をグランドレベ
ルに近づけることにより、暗出力補正回路の負担を軽減
することかできる。
介在させ、透明基板の両側面での界面状態を同じように
設定し、ＥＬ発光素子から発光して原稿側の透明基板で
全反射した光が、ＥＬ発光素子と気体層との界面で再び
全反射し、受光素子側に入射することがないので、ＥＬ
発光素子を点灯するだけで受光素子に出力が発生するフ
レアを防止し、暗出力を減少させてダイナミックレンジ
を広くとることかできる。また、暗出力をグランドレベ
ルに近づけることにより、暗出力補正回路の負担を軽減
することかできる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面説明図、第２図は
他の実施例を示す断面説明図、第３図（ａ）（ｂ）は光
源一体型イメージセンサの製造工程の一部を示す斜視説
明図、第４図は従来の光源一体型イメージセンサの断面
説明図である。 １・・・・・・絶縁基板 １０・・・・・・受光素子 １１・・・・・・個別電極 １２・・・・・・光導電層 １３・・・・・共通電極 ２・・・・・・透明基板 ２０・・・・・ＥＬ発光素子 ２１・・・・・・透明電極 ２２・・・・・・絶縁層 ２３・・・・・・発光層 ２４・・・・・・絶縁層 ２５・・・・・・金属電極 ２６・・・・・・光入射窓 ３０・・・・・・接着剤層 ４０・・・・・・気体層 出 願 人 富士ゼロックス株式会社代理人 弁理
士 阪 本 清 孝代理人 弁理士 船 津
暢 宏第２図 □ｆ本食方向 □主走査方向 第３図（０） 第３因（ｂ）
他の実施例を示す断面説明図、第３図（ａ）（ｂ）は光
源一体型イメージセンサの製造工程の一部を示す斜視説
明図、第４図は従来の光源一体型イメージセンサの断面
説明図である。 １・・・・・・絶縁基板 １０・・・・・・受光素子 １１・・・・・・個別電極 １２・・・・・・光導電層 １３・・・・・共通電極 ２・・・・・・透明基板 ２０・・・・・ＥＬ発光素子 ２１・・・・・・透明電極 ２２・・・・・・絶縁層 ２３・・・・・・発光層 ２４・・・・・・絶縁層 ２５・・・・・・金属電極 ２６・・・・・・光入射窓 ３０・・・・・・接着剤層 ４０・・・・・・気体層 出 願 人 富士ゼロックス株式会社代理人 弁理
士 阪 本 清 孝代理人 弁理士 船 津
暢 宏第２図 □ｆ本食方向 □主走査方向 第３図（０） 第３因（ｂ）
Claims (2)
- （１）絶縁基板上に形成された多数の受光素子と、透明
基板上に形成された発光素子とを透光層を挟んで相対向
するように配置し、前記発光素子からの光を前記透明基
板の反発光素子側に配置した原稿面に照射させ、その反
射光が前記受光素子に入射するようにした光源一体型イ
メージセンサにおいて、 前記受光素子上の透光層の一部若しくは全部を除去して
、発光素子側に臨む気体層を介在させたことを特徴とす
る光源一体型イメージセンサ。 - （２）絶縁基板上に受光素子を形成する受光素子形成工
程と、 透明基板上に透明電極、誘電体層、発光層、誘電体層、
金属電極を順次積層し、前記金属電極に光入射窓を設け
てＥＬ発光素子を形成する発光素子形成工程と、 受光素子が形成された絶縁基板上に接着剤に塗布し、光
入射窓の誘電体層側に気体層を保持したまま、前記受光
素子とＥＬ発光素子との光入射窓とが対向するように接
着する接着工程と、 を具備する光源一体型イメージセンサの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155049A JPH0448781A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 光源一体型イメージセンサ及びその製造方法 |
| US07/593,971 US5101099A (en) | 1990-06-15 | 1990-10-09 | Image reading device with different reflectivity coefficients in a transparent layer and a substrate |
| EP90119594A EP0461302B1 (en) | 1990-06-15 | 1990-10-12 | Image sensor or reading device containing a light source and a method for manufacturing the same |
| DE69030574T DE69030574T2 (de) | 1990-06-15 | 1990-10-12 | Lichtquelle enthaltender Bildsensor oder Bildlesegerät und Herstellungsverfahren |
| EP96110663A EP0740349A3 (en) | 1990-06-15 | 1990-10-12 | Light-source contained image sensor or reading device and a method for manufacturing the same |
| KR1019900016312A KR960001343B1 (ko) | 1990-06-15 | 1990-10-15 | 광원 일체형 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155049A JPH0448781A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 光源一体型イメージセンサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448781A true JPH0448781A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15597557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2155049A Pending JPH0448781A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 光源一体型イメージセンサ及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448781A (ja) |
| KR (1) | KR960001343B1 (ja) |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2155049A patent/JPH0448781A/ja active Pending
- 1990-10-15 KR KR1019900016312A patent/KR960001343B1/ko not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920001921A (ko) | 1992-01-30 |
| KR960001343B1 (ko) | 1996-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60191548A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPS62144459A (ja) | 完全密着型センサ− | |
| KR20000076247A (ko) | 컴퓨터 시스템의 사용자 입력 장치 | |
| EP1118883A3 (en) | Sheet of optical microlenses, and planar light source and image display apparatus using the same sheet | |
| EP0461302B1 (en) | Image sensor or reading device containing a light source and a method for manufacturing the same | |
| JPS54116890A (en) | Photoelectric converter | |
| JPH0262847B2 (ja) | ||
| US5164580A (en) | Electroluminescent light-source-incorporated image sensor | |
| JPH0448781A (ja) | 光源一体型イメージセンサ及びその製造方法 | |
| JPS5846181B2 (ja) | 密着形イメ−ジセンサ | |
| JPS59148372A (ja) | 感光装置 | |
| JP2563962Y2 (ja) | 日射センサ | |
| JPS6394671A (ja) | 光走査型イメ−ジスキヤナ | |
| JPH0658272B2 (ja) | 触圧覚センサ | |
| JPS6327871B2 (ja) | ||
| JPS6317554A (ja) | 光導電装置 | |
| JPH0583025B2 (ja) | ||
| JP2697180B2 (ja) | 画像読取装置 | |
| JPH0548062A (ja) | イメージセンサ基板の基板端部の切断方法 | |
| JP2847962B2 (ja) | 発光素子装置及び発光素子装置の製造方法及び画像読取装置 | |
| CN119403378A (zh) | 一种显示基板和显示装置 | |
| JPH05236200A (ja) | 光源一体型イメ−ジセンサ | |
| JP2005150592A (ja) | Ｃｃｄ撮像素子 | |
| JPH0795792B2 (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPS5984476A (ja) | 光学機器用基板の製造方法 |