JPH0584228B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0584228B2 JPH0584228B2 JP24522585A JP24522585A JPH0584228B2 JP H0584228 B2 JPH0584228 B2 JP H0584228B2 JP 24522585 A JP24522585 A JP 24522585A JP 24522585 A JP24522585 A JP 24522585A JP H0584228 B2 JPH0584228 B2 JP H0584228B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- heating resistor
- electrode
- glass
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板の端面方向に発熱抵抗体を形成
するようにしたサーマルヘツドおよびその製造方
法に関するものである。
するようにしたサーマルヘツドおよびその製造方
法に関するものである。
従来、基板の端部に発熱抵抗体を形成したサー
マルヘツドとしては、本願出願人が特願昭59−
213116号としてすでに出願している装置がある。
第４図はこのサーマルヘツドの概要を示す構成図
である。図に示すサーマルヘツドは、基板１の一
方の面に、第１の電極層２、電気絶縁層および熱
抵抗層となるガラス層３、第２の電極層４、およ
び保護ガラス層５を逐次積層形成するとともに、
前記各層を含む基板１の端面を直線状に切断し
て、各電極層２，４の露出した端面に発熱抵抗体
層６を形成するようにしたものである。また、発
熱抵抗体層６は選択電極を構成する第１の電極層
２の形状に合わせて、複数に分離されている。
マルヘツドとしては、本願出願人が特願昭59−
213116号としてすでに出願している装置がある。
第４図はこのサーマルヘツドの概要を示す構成図
である。図に示すサーマルヘツドは、基板１の一
方の面に、第１の電極層２、電気絶縁層および熱
抵抗層となるガラス層３、第２の電極層４、およ
び保護ガラス層５を逐次積層形成するとともに、
前記各層を含む基板１の端面を直線状に切断し
て、各電極層２，４の露出した端面に発熱抵抗体
層６を形成するようにしたものである。また、発
熱抵抗体層６は選択電極を構成する第１の電極層
２の形状に合わせて、複数に分離されている。
このように形成されたサーマルヘツドにおいて
は、発熱抵抗体層６（発熱部）が記録紙等に確実
に接触するので、熱効率の良いサーマルヘツドを
得ることができる。また、基板１の端部は平面部
に比べて平坦に加工することが容易であるので、
複数の発熱部を記録紙等に均等に接触させること
ができ、高い印字品質を得ることができる。さら
に、発熱抵抗体層６における発熱部の長さは電極
層間に形成するガラス層３の厚さにより決定され
るので、この厚さを調節することにより発熱部の
長さを自由に制御して、基板１の強度などに影響
を与えることなく、高分解能のサーマルヘツドを
実現することができる。
は、発熱抵抗体層６（発熱部）が記録紙等に確実
に接触するので、熱効率の良いサーマルヘツドを
得ることができる。また、基板１の端部は平面部
に比べて平坦に加工することが容易であるので、
複数の発熱部を記録紙等に均等に接触させること
ができ、高い印字品質を得ることができる。さら
に、発熱抵抗体層６における発熱部の長さは電極
層間に形成するガラス層３の厚さにより決定され
るので、この厚さを調節することにより発熱部の
長さを自由に制御して、基板１の強度などに影響
を与えることなく、高分解能のサーマルヘツドを
実現することができる。
しかしながら、このようなサーマルヘツドにお
いては、第１および第２の電極層２，４の間に形
成するガラス層３として、1200℃以上の温度で焼
成される高融点のガラスが使用されている。この
ため、このガラス層３の前に形成される第１の電
極層２には、融点の低い金属材料を使用すること
ができず、一般的な金（Au）、銀（Ag）、銅
（Cu）、アルミニウム（Al）などは使用できなく
なつてしまう。
いては、第１および第２の電極層２，４の間に形
成するガラス層３として、1200℃以上の温度で焼
成される高融点のガラスが使用されている。この
ため、このガラス層３の前に形成される第１の電
極層２には、融点の低い金属材料を使用すること
ができず、一般的な金（Au）、銀（Ag）、銅
（Cu）、アルミニウム（Al）などは使用できなく
なつてしまう。
本発明は、上記のような従来装置の欠点をなく
し、発熱部をガラス層の上に形成して、発熱特性
を良くすることができるとともに、電極材料に高
融点の材料を必要としないサーマルヘツドおよび
その製造方法を実現することを目的としたもので
ある。
し、発熱部をガラス層の上に形成して、発熱特性
を良くすることができるとともに、電極材料に高
融点の材料を必要としないサーマルヘツドおよび
その製造方法を実現することを目的としたもので
ある。
本発明のサーマルヘツドおよびその製造方法
は、片面にガラス層が焼成されたグレイズド基板
の両面に第１および第２の電極層を設け、前記各
層を含む基板端面の切断または研磨によりこの第
１および第２の電極層が露出した端面に発熱抵抗
体層および導体層を積層形成するとともに、この
発熱抵抗体層のうちで前記ガラス層の上に位置す
る発熱抵抗体層部分が複数の発熱部として露出す
るように前記発熱抵抗体層および導体層をエツチ
ングするようにしたものである。
は、片面にガラス層が焼成されたグレイズド基板
の両面に第１および第２の電極層を設け、前記各
層を含む基板端面の切断または研磨によりこの第
１および第２の電極層が露出した端面に発熱抵抗
体層および導体層を積層形成するとともに、この
発熱抵抗体層のうちで前記ガラス層の上に位置す
る発熱抵抗体層部分が複数の発熱部として露出す
るように前記発熱抵抗体層および導体層をエツチ
ングするようにしたものである。
このように、グレイズド基板の端面に発熱抵抗
体層および導体層を積層形成し、これをエツチン
グして発熱部を形成するようにすると、発熱部を
ガラス層の上だけに形成することができ、サーマ
ルヘツドの発熱特性を良くすることができる。ま
た、第１または第２の電極層は、すでに焼成され
たガラス層の上に形成されるので、その形成後に
高温にさらされることがなく、比較的融点の低
い、一般の金属材料を使用することができる。
体層および導体層を積層形成し、これをエツチン
グして発熱部を形成するようにすると、発熱部を
ガラス層の上だけに形成することができ、サーマ
ルヘツドの発熱特性を良くすることができる。ま
た、第１または第２の電極層は、すでに焼成され
たガラス層の上に形成されるので、その形成後に
高温にさらされることがなく、比較的融点の低
い、一般の金属材料を使用することができる。
以下、本発明のサーマルヘツドおよびその製造
方法を図面を使用して説明する。図において、前
記第４図と同様のもとは同一符号を付して示す。
方法を図面を使用して説明する。図において、前
記第４図と同様のもとは同一符号を付して示す。
第１図は本発明のサーマルヘツドの一実施例を
示す構成図である。図において、１０は例えばア
ルミナなどよりなり、その片面にガラス層１１が
焼成されたグレイズド基板、７は導体層である。
示す構成図である。図において、１０は例えばア
ルミナなどよりなり、その片面にガラス層１１が
焼成されたグレイズド基板、７は導体層である。
まず、グレイズド基板１０において、ガラス層
１１側の面には、例えば選択電極となる第１の電
極層２が形成され、他方の面には、例えば共通電
極となる第２の電極層４が形成される。この第１
および第２の電極層２，４は、金、銀パラジウ
ム、白金、銅などの厚膜導電ペーストを印刷、焼
成するとともに、任意のパターンにエツチングし
たものである。なお、エツチングにより微細パタ
ーンの加工を行なうのは、10本／mm以上の電極密
度を得る場合であり、比較的低密度の場合には、
印刷により所望の電極パターンを直接形成するこ
とも可能である。また、第１および第２の電極層
２，４の膜厚は、一般的に３〜5μｍ程度である。
１１側の面には、例えば選択電極となる第１の電
極層２が形成され、他方の面には、例えば共通電
極となる第２の電極層４が形成される。この第１
および第２の電極層２，４は、金、銀パラジウ
ム、白金、銅などの厚膜導電ペーストを印刷、焼
成するとともに、任意のパターンにエツチングし
たものである。なお、エツチングにより微細パタ
ーンの加工を行なうのは、10本／mm以上の電極密
度を得る場合であり、比較的低密度の場合には、
印刷により所望の電極パターンを直接形成するこ
とも可能である。また、第１および第２の電極層
２，４の膜厚は、一般的に３〜5μｍ程度である。
第１および第２の電極層２，４の上には、これ
らの電極層２，４を保護するために、リード取出
し部を除いて保護ガラス層５が印刷、焼成され
る。この保護ガラス層５には、例えば厚膜結晶化
ガラスが使用され、その融点は比較的低いもので
ある。保護ガラス層５は次に示す基板端部の切断
の際に第１および第２の電極層２，４のはがれ等
を防止するためのものである。また、この保護ガ
ラス層５には、耐摩耗生や熱伝導性などを考慮し
て、例えば酸化アルミニウム（Al2O3）の粉末を
添加することも有効である。
らの電極層２，４を保護するために、リード取出
し部を除いて保護ガラス層５が印刷、焼成され
る。この保護ガラス層５には、例えば厚膜結晶化
ガラスが使用され、その融点は比較的低いもので
ある。保護ガラス層５は次に示す基板端部の切断
の際に第１および第２の電極層２，４のはがれ等
を防止するためのものである。また、この保護ガ
ラス層５には、耐摩耗生や熱伝導性などを考慮し
て、例えば酸化アルミニウム（Al2O3）の粉末を
添加することも有効である。
次に、上記のようにして第１および第２の電極
層２，４が被着されたグレイズド基板１０は、端
部が切断され、発熱抵抗体層６を被着すべき端面
が形成される。第２図はその端面の状態を示すも
のである。図に示されるように、端面には第１お
よび第２電極層２，４が露出するようになる。な
お、切断後の端面の表面粗度が所定の基準より低
い場合には、研磨加工や研削加工を行ない、表面
を平らに仕上げする。
層２，４が被着されたグレイズド基板１０は、端
部が切断され、発熱抵抗体層６を被着すべき端面
が形成される。第２図はその端面の状態を示すも
のである。図に示されるように、端面には第１お
よび第２電極層２，４が露出するようになる。な
お、切断後の端面の表面粗度が所定の基準より低
い場合には、研磨加工や研削加工を行ない、表面
を平らに仕上げする。
このように形成された端面には、窒化タンタル
（Ta2N）、ニクロム（Ni−Cr）などの抵抗材料が
スパツタまたは蒸着により被着され、発熱抵抗体
層６が形成される。この場合の発熱抵抗体層６の
膜厚は、その抵抗値との関連で決定されるもので
あるが、概略0.1μｍ程度である。さらに、発熱抵
抗体層６の上には、アルミニウム（Al）、銅
（Cu）、銀（Ag）などよりなる導体層７がスパツ
タまたは蒸着される。したがつて、発熱抵抗体層
６はグレイズド基板１０の端面に露出した第１お
よび第２の電極層２，４と導通しており、導体層
７はこの発熱抵抗体層６を短絡するかたちで、発
熱抵抗体層６の上に密着している。
（Ta2N）、ニクロム（Ni−Cr）などの抵抗材料が
スパツタまたは蒸着により被着され、発熱抵抗体
層６が形成される。この場合の発熱抵抗体層６の
膜厚は、その抵抗値との関連で決定されるもので
あるが、概略0.1μｍ程度である。さらに、発熱抵
抗体層６の上には、アルミニウム（Al）、銅
（Cu）、銀（Ag）などよりなる導体層７がスパツ
タまたは蒸着される。したがつて、発熱抵抗体層
６はグレイズド基板１０の端面に露出した第１お
よび第２の電極層２，４と導通しており、導体層
７はこの発熱抵抗体層６を短絡するかたちで、発
熱抵抗体層６の上に密着している。
さて、上記のように、グレイズド基板１０の端
面に発熱抵抗体層６および導体層７が形成される
と、今度は、導体層７、発熱抵抗体層６の順でエ
ツチングされ、発熱抵抗体層６のうちでガラス層
１１の上に位置する部分のみが露出するととも
に、第１の電極層２の形成に対応するように複数
の発熱部に分離される。
面に発熱抵抗体層６および導体層７が形成される
と、今度は、導体層７、発熱抵抗体層６の順でエ
ツチングされ、発熱抵抗体層６のうちでガラス層
１１の上に位置する部分のみが露出するととも
に、第１の電極層２の形成に対応するように複数
の発熱部に分離される。
第３図はこのようにして形成された発熱部の状
態を示す断面図である。図中、８は保護および耐
摩耗層であり、酸化ケイ素（SiO2）、五酸化タン
タル（Ta2O5）、窒化ホウ素（BN）、炭化ケイ素
（SiC）などの絶縁層がスパツタまたは蒸着され
たものである。また、熱伝導性を考慮すれば、酸
化ケイ素などで絶縁した後、分散メツキにより耐
摩耗金属層を被着してもよい。この場合、金属膜
には主にニツケルが使用され、分散剤として酸化
アルミニウム、窒化ホウ素、ダイヤモンドなどを
添加することにより、熱伝導性ならびに耐摩耗性
を向上させることができる。
態を示す断面図である。図中、８は保護および耐
摩耗層であり、酸化ケイ素（SiO2）、五酸化タン
タル（Ta2O5）、窒化ホウ素（BN）、炭化ケイ素
（SiC）などの絶縁層がスパツタまたは蒸着され
たものである。また、熱伝導性を考慮すれば、酸
化ケイ素などで絶縁した後、分散メツキにより耐
摩耗金属層を被着してもよい。この場合、金属膜
には主にニツケルが使用され、分散剤として酸化
アルミニウム、窒化ホウ素、ダイヤモンドなどを
添加することにより、熱伝導性ならびに耐摩耗性
を向上させることができる。
上記のような工程により本発明のサーマルヘツ
ドが形成されるが、このようなサーマルヘツドに
おいては、発熱抵抗体層６の熱部がガラス層１１
の上に位置するので、過度な保温性が得られ、良
好な発熱特性を得ることができる。また、第１の
電極層２は、すでに焼成されたガラス層１１の上
に形成されるので、その形成後に高温にさらされ
ることがなく、電極材料として比較的融点の低
い、一般の金属材料を使用することができる。
ドが形成されるが、このようなサーマルヘツドに
おいては、発熱抵抗体層６の熱部がガラス層１１
の上に位置するので、過度な保温性が得られ、良
好な発熱特性を得ることができる。また、第１の
電極層２は、すでに焼成されたガラス層１１の上
に形成されるので、その形成後に高温にさらされ
ることがなく、電極材料として比較的融点の低
い、一般の金属材料を使用することができる。
なお、上記の説明においては、グレイズド基板
１０の表面に直接第２の電極層４を被着する場合
を例示したが、グレイズド基板１０における表面
の平滑度によつては、グレイズド基板１０と第２
の電極層４との間にガラス層を設け、第２の電極
層４の下地を平滑化するようにしてもよい。ま
た、発熱抵抗体層６および導体層７のエツチング
手段としては、フオトリソグラフなどが考えられ
る。さらに、保護ガラス層５上にアルミ板または
セラミツク板を取り付け、機械的強度を保つと同
時に、グレイズド基板１０のそりを修正すること
なども可能である。
１０の表面に直接第２の電極層４を被着する場合
を例示したが、グレイズド基板１０における表面
の平滑度によつては、グレイズド基板１０と第２
の電極層４との間にガラス層を設け、第２の電極
層４の下地を平滑化するようにしてもよい。ま
た、発熱抵抗体層６および導体層７のエツチング
手段としては、フオトリソグラフなどが考えられ
る。さらに、保護ガラス層５上にアルミ板または
セラミツク板を取り付け、機械的強度を保つと同
時に、グレイズド基板１０のそりを修正すること
なども可能である。
以上説明したように、本発明のサーマルヘツド
およびその製造方法では、片面にガラス層が焼成
されたグレイズド基板の両面に第１および第２の
電極層を設け、前記各層を含む基板端面の切断ま
たは研磨によりこの第１および第２の電極層が露
出した端面に発熱抵抗体層および導体層を積層形
成するとともに、この発熱抵抗体層のうちで前記
ガラス層の上に位置する発熱抵抗体層部分が複数
の発熱部として露出するように前記発熱抵抗体層
および導体層をエツチングするようにしているの
で、発熱部をガラス層の上だけに形成することが
でき、発熱特性の良いサーマルヘツドを得ること
ができる。また、第１または第２の電極層は、す
でに焼成されたガラス層の上に形成されるので、
その形成後に高温にさらされることがなく、電極
材料として、比較的融点の低い金属材料を使用す
ることができる。
およびその製造方法では、片面にガラス層が焼成
されたグレイズド基板の両面に第１および第２の
電極層を設け、前記各層を含む基板端面の切断ま
たは研磨によりこの第１および第２の電極層が露
出した端面に発熱抵抗体層および導体層を積層形
成するとともに、この発熱抵抗体層のうちで前記
ガラス層の上に位置する発熱抵抗体層部分が複数
の発熱部として露出するように前記発熱抵抗体層
および導体層をエツチングするようにしているの
で、発熱部をガラス層の上だけに形成することが
でき、発熱特性の良いサーマルヘツドを得ること
ができる。また、第１または第２の電極層は、す
でに焼成されたガラス層の上に形成されるので、
その形成後に高温にさらされることがなく、電極
材料として、比較的融点の低い金属材料を使用す
ることができる。
第１図〜第３図は本発明のサーマルヘツドおよ
びその製造方法の一実施例を示す構成図、第４図
は従来のサーマルヘツドの一例を示す構成図であ
る。 １……基板、２，４……電極層、３……ガラス
層、５……保護ガラス層、６……発熱抵抗体層、
７……導体層、８……保護層、１０……グレイズ
ド基板、１１……ガラス層。
びその製造方法の一実施例を示す構成図、第４図
は従来のサーマルヘツドの一例を示す構成図であ
る。 １……基板、２，４……電極層、３……ガラス
層、５……保護ガラス層、６……発熱抵抗体層、
７……導体層、８……保護層、１０……グレイズ
ド基板、１１……ガラス層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 片面にガラス層が焼成されたグレイズド基板
と、このグレイズド基板の両面に設けられた第１
および第２の電極層と、前記各層を含む基板端部
の切断または研磨により第１および第２の電極層
が露出した端面に形成されるとともに第１または
第２の電極層の形状に応じて複数に分離された発
熱抵抗体層と、この発熱抵抗体層の上に形成され
発熱抵抗体層のうち前記ガラス層の上以外に位置
する発熱抵抗体層部分を短絡する導体層とを具備
してなるサーマルヘツド。 ２ 片面にガラス層が焼成されたグレイズド基板
の両面に第１および第２の電極層を形成する工程
と、この第１および第２の電極層の上に厚膜結晶
化ガラスなどの比較的融点の低い保護ガラス層を
形成する工程と、前記各層を含む基板をその端部
において直線状に切断する工程と、この切断工程
により前記第１および第２の電極層が露出した端
面に発熱抵抗体層を形成する工程と、この発熱抵
抗体層の上に導体層を形成する工程と、前記発熱
抵抗体層のうち前記ガラス層の上に位置する発熱
抵抗体層部分が複数の発熱部として露出するよう
に前記発熱抵抗体層および導体層をエツチングす
る工程と、これら発熱抵抗体層および導体層の上
に保護層をを形成する工程と含むサーマルヘツド
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24522585A JPS62104773A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | サ−マルヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24522585A JPS62104773A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | サ−マルヘツドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62104773A JPS62104773A (ja) | 1987-05-15 |
| JPH0584228B2 true JPH0584228B2 (ja) | 1993-12-01 |
Family
ID=17130506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24522585A Granted JPS62104773A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | サ−マルヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62104773A (ja) |
-
1985
- 1985-10-31 JP JP24522585A patent/JPS62104773A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62104773A (ja) | 1987-05-15 |
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