JPH0380434B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0380434B2 JPH0380434B2 JP5192885A JP5192885A JPH0380434B2 JP H0380434 B2 JPH0380434 B2 JP H0380434B2 JP 5192885 A JP5192885 A JP 5192885A JP 5192885 A JP5192885 A JP 5192885A JP H0380434 B2 JPH0380434 B2 JP H0380434B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heating resistor
- layer
- face
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/345—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads characterised by the arrangement of resistors or conductors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板の端面方向に発熱抵抗体を形成
するようにしたサーマルヘツドおよびその製造方
法に関するものである。
するようにしたサーマルヘツドおよびその製造方
法に関するものである。
従来、基板の端部に発熱抵抗体を形成したサー
マルヘツドとしては、例えば、特公昭40−6040号
公報および特公昭48−38265号公報などに示され
る如きサーマルヘツドが知られている。第１５図
はこのようなサーマルヘツドの概要を示す構成図
である。図に示すサーマルヘツドは、基板１の端
部は発熱抵抗体２を形成するとともに、基板１の
両面にそれぞれ発熱抵抗体２と一部が重なるよう
に電極層３，４を積層形成したものである。この
ように形成されたサーマルヘツドにおいては、発
熱抵抗体２の発熱部分が記録紙等に確実に接触す
るので、熱効率の良いサーマルヘツドを得ること
ができる。また、基板１の端部は平面部に比べて
平坦に加工することが容易であるので、複数の発
熱抵抗体２を記録紙等に均等に接触させることが
でき、高い印字品質を得ることができる。
マルヘツドとしては、例えば、特公昭40−6040号
公報および特公昭48−38265号公報などに示され
る如きサーマルヘツドが知られている。第１５図
はこのようなサーマルヘツドの概要を示す構成図
である。図に示すサーマルヘツドは、基板１の端
部は発熱抵抗体２を形成するとともに、基板１の
両面にそれぞれ発熱抵抗体２と一部が重なるよう
に電極層３，４を積層形成したものである。この
ように形成されたサーマルヘツドにおいては、発
熱抵抗体２の発熱部分が記録紙等に確実に接触す
るので、熱効率の良いサーマルヘツドを得ること
ができる。また、基板１の端部は平面部に比べて
平坦に加工することが容易であるので、複数の発
熱抵抗体２を記録紙等に均等に接触させることが
でき、高い印字品質を得ることができる。
しかしながら、このようなサーマルヘツドにお
いては、電極層３，４を基板１の両面に形成して
いるために、次のような欠点を有している。
いては、電極層３，４を基板１の両面に形成して
いるために、次のような欠点を有している。
(イ) 基板１に対して片面ずつ電極層を形成しなけ
ればならないので、電極層３，４の位置合せな
どが容易ではない。
ればならないので、電極層３，４の位置合せな
どが容易ではない。
(ロ) 基板１にセラミツク基板等のスルーホール処
理の難しい基板を使用した場合には、リード配
線などの配線処理は別の基板で行なければなら
ず、駆動用ICその他の素子を内蔵させること
が難かしい。
理の難しい基板を使用した場合には、リード配
線などの配線処理は別の基板で行なければなら
ず、駆動用ICその他の素子を内蔵させること
が難かしい。
(ハ) 印字ドツトの大きさ（発熱抵抗体２の長さ）
は基板１の厚さによつて決まるので、記録の高
分解能化のためには基板１を薄くしなければな
らないが、その場合には、基板１の機械的強度
が得られなくなり、製作が難かしくなつてしま
う。
は基板１の厚さによつて決まるので、記録の高
分解能化のためには基板１を薄くしなければな
らないが、その場合には、基板１の機械的強度
が得られなくなり、製作が難かしくなつてしま
う。
(ニ) 発熱抵抗体２が基板１の端部を包むように形
成されるために、基板１のエツジ部で発熱抵抗
体２が折れ曲り、断線する可能性がある。
成されるために、基板１のエツジ部で発熱抵抗
体２が折れ曲り、断線する可能性がある。
本発明は、上記のような従来装置の欠点をなく
し、製作が容易であるとともに、高分解能化に適
したサーマルヘツドおよびその製造方法を実現す
ることを目的としたものである。
し、製作が容易であるとともに、高分解能化に適
したサーマルヘツドおよびその製造方法を実現す
ることを目的としたものである。
本発明のサーマルヘツドおよびその製造方法
は、複数の電極層を電気絶縁層および熱抵抗層と
なるガラス層を介して対向するように基板の一方
の面に逐次積層形成するとともに、各電極層が露
出するように端面を斜めに研摩し、この斜めに研
摩された端面に発熱抵抗体を形成するようにした
ものである。
は、複数の電極層を電気絶縁層および熱抵抗層と
なるガラス層を介して対向するように基板の一方
の面に逐次積層形成するとともに、各電極層が露
出するように端面を斜めに研摩し、この斜めに研
摩された端面に発熱抵抗体を形成するようにした
ものである。
このように、複数の電極層を基板の一方の面に
積層形成するように構成すると、一連の製造工程
により全ての電極層を形成することができ、製作
が容易であるとともに、駆動用ICその他の素子
を搭載する場合に必要なクロスオーバ等のリード
配線処理も同時に、かつ同一基板内で行なうこと
ができる。３層、４層の配線をすれば、ドライバ
素子の配線処理も同一基板内で処理することもで
きる。また、発熱抵抗体の長さは電極層間に形成
するガラス層の厚さにより決定されるので、この
厚さを調節することにより発熱抵抗体の長さを自
由に制御することができ、基板の強度などに影響
を与えることなく、高分解能のサーマルヘツドを
実現することができる。また、電極層が露出する
ように端面を斜めに研摩しているので、全端面を
直角に研摩する場合に比べてエツジ部分のチツピ
ング（欠け）が発生しにくく、研摩面積が小さく
なることから作業時間が短縮できる。また、この
ような斜め研摩を行なうことにより、研摩速度の
異なる境界部に段差を生じることもなく、平坦面
が形成できる。また、斜め研摩を行なうことによ
り発熱抵抗体の長さをガラス層の厚さよりも長く
でき、比較的薄いガラス層で一定の長さの発熱抵
抗体を形成することができる。また、斜め研摩を
行なうことにより発熱抵抗体と接触する電極面積
が大きくなり、信頼性を高めることができる。さ
らに、電極層が露出するように斜めに研摩された
端面に発熱抵抗体を形成するようにしているの
で、発熱抵抗体はその一つの面だけに形成されれ
ば良く、折れ曲りがないために、信頼性の高い発
熱抵抗体を得ることができる。
積層形成するように構成すると、一連の製造工程
により全ての電極層を形成することができ、製作
が容易であるとともに、駆動用ICその他の素子
を搭載する場合に必要なクロスオーバ等のリード
配線処理も同時に、かつ同一基板内で行なうこと
ができる。３層、４層の配線をすれば、ドライバ
素子の配線処理も同一基板内で処理することもで
きる。また、発熱抵抗体の長さは電極層間に形成
するガラス層の厚さにより決定されるので、この
厚さを調節することにより発熱抵抗体の長さを自
由に制御することができ、基板の強度などに影響
を与えることなく、高分解能のサーマルヘツドを
実現することができる。また、電極層が露出する
ように端面を斜めに研摩しているので、全端面を
直角に研摩する場合に比べてエツジ部分のチツピ
ング（欠け）が発生しにくく、研摩面積が小さく
なることから作業時間が短縮できる。また、この
ような斜め研摩を行なうことにより、研摩速度の
異なる境界部に段差を生じることもなく、平坦面
が形成できる。また、斜め研摩を行なうことによ
り発熱抵抗体の長さをガラス層の厚さよりも長く
でき、比較的薄いガラス層で一定の長さの発熱抵
抗体を形成することができる。また、斜め研摩を
行なうことにより発熱抵抗体と接触する電極面積
が大きくなり、信頼性を高めることができる。さ
らに、電極層が露出するように斜めに研摩された
端面に発熱抵抗体を形成するようにしているの
で、発熱抵抗体はその一つの面だけに形成されれ
ば良く、折れ曲りがないために、信頼性の高い発
熱抵抗体を得ることができる。
以下、本発明のサーマルヘツドおよびその製造
方法の一実施例を製造工程の順を追つて説明す
る。図において、前記第１５図と同様のものは同
一符号を付して示す。
方法の一実施例を製造工程の順を追つて説明す
る。図において、前記第１５図と同様のものは同
一符号を付して示す。
第１図および第２図は基板１に第１の電極層を
形成する工程である。基板１は例えばセラミツク
基板であり、その表面に金（Au）、銀パラジウ
ム、白金、銅などの導電体を印刷、焼成し、第１
図の如き導電体層３０を形成する。図に示す導電
体層３０は、一列に並べられる発熱抵抗体のそれ
ぞれに対応して接続される選択電極を一体に形成
したものであり、後に第２図の如きパターンにエ
ツチングされ、第１の電極層３（以下、選択電極
層３という）を形成する。ここで、エツチングに
より微細パターンの加工を行なうのは、10本／mm
以上の電極密度を得る場合であり、比較的低密度
の場合には、印刷により直接第２図のような電極
パターンを形成することも可能である。５は後に
説明する共通電極からリターンを取るための電極
パターンである。なお、これらの導電体層の膜厚
は、一般的に２〜5μmである。
形成する工程である。基板１は例えばセラミツク
基板であり、その表面に金（Au）、銀パラジウ
ム、白金、銅などの導電体を印刷、焼成し、第１
図の如き導電体層３０を形成する。図に示す導電
体層３０は、一列に並べられる発熱抵抗体のそれ
ぞれに対応して接続される選択電極を一体に形成
したものであり、後に第２図の如きパターンにエ
ツチングされ、第１の電極層３（以下、選択電極
層３という）を形成する。ここで、エツチングに
より微細パターンの加工を行なうのは、10本／mm
以上の電極密度を得る場合であり、比較的低密度
の場合には、印刷により直接第２図のような電極
パターンを形成することも可能である。５は後に
説明する共通電極からリターンを取るための電極
パターンである。なお、これらの導電体層の膜厚
は、一般的に２〜5μmである。
第３図は選択電極層３の上に電気絶縁層および
熱抵抗層となるガラス層６を形成する工程であ
る。図に示すように、高融点ガラス等を選択電極
層３の上に印刷、焼成する。焼成後の膜厚は必要
に応じて50〜150μmに選ばれる。なお、一般に厚
膜ガラス層における焼成後の膜厚は20〜30μmで
あるが、同様の工程を繰り返すことにより、必要
な膜厚が得られるとともに、膜厚の制御が行なわ
れる。
熱抵抗層となるガラス層６を形成する工程であ
る。図に示すように、高融点ガラス等を選択電極
層３の上に印刷、焼成する。焼成後の膜厚は必要
に応じて50〜150μmに選ばれる。なお、一般に厚
膜ガラス層における焼成後の膜厚は20〜30μmで
あるが、同様の工程を繰り返すことにより、必要
な膜厚が得られるとともに、膜厚の制御が行なわ
れる。
第４図はガラス層６の上に第２の電極層４を形
成する工程である。この場合、電極層４（以下、
共通電極層４という）はガラス層６の上を通過し
た後、前記した電極パターン５に接続される。
成する工程である。この場合、電極層４（以下、
共通電極層４という）はガラス層６の上を通過し
た後、前記した電極パターン５に接続される。
第５図は選択電極層３および共通電極層４を保
護するために、リード取出し部を除いて基板１の
表面にガラス層７を印刷、焼成する工程である。
保護ガラス層７の材料は、前記したガラス層６と
同様の高融点ガラスである。この保護ガラス層７
は次に示す基板端部の切断の際に電極層３，４の
はがれ等を防止するためのものである。また、こ
のガラス層には、耐摩耗性や熱伝導性などを考慮
して、例えば酸化アルミニウム（Al2O0）の粉末
を添加することも有効である。
護するために、リード取出し部を除いて基板１の
表面にガラス層７を印刷、焼成する工程である。
保護ガラス層７の材料は、前記したガラス層６と
同様の高融点ガラスである。この保護ガラス層７
は次に示す基板端部の切断の際に電極層３，４の
はがれ等を防止するためのものである。また、こ
のガラス層には、耐摩耗性や熱伝導性などを考慮
して、例えば酸化アルミニウム（Al2O0）の粉末
を添加することも有効である。
第６図は基板１の端部を切断する工程である。
前記第１図〜第５図のようにして順次積層配線さ
れた基板１は、図中の直線ａの位置で切断され
る。第７図にその端面の状態を示す。図に示され
るように、端面には選択電極層３（撰択電極３１
〜３８）および共通電極層４が露出するようにな
り、しかも、これらの電極はガラス層６を介して
対向している。
前記第１図〜第５図のようにして順次積層配線さ
れた基板１は、図中の直線ａの位置で切断され
る。第７図にその端面の状態を示す。図に示され
るように、端面には選択電極層３（撰択電極３１
〜３８）および共通電極層４が露出するようにな
り、しかも、これらの電極はガラス層６を介して
対向している。
第８図は切断された基板１の端面の一部を斜め
に研摩して発熱抵抗体２を被着すべき端面を形成
する工程である。このような斜め研摩は、例えば
第９図に示すように、回転可能な研摩用定盤１１
の上に基板１の研摩対象部分が突出するように所
定の角度で取り付けられた基板ホルダ１２を配置
し、この基板ホルダ１２を自転および公転させる
ことにより行なう。第１０は基板ホルダ１２の具
体例を示す構成図であり、第１１図は第１０図の
要部拡大図である。基板ホルダ１２には、基板１
の端面が研摩用定盤１１に対して所定の角度θ傾
斜するようにして基板１を挿入するための溝１３
が設けられ、溝１３の底面側端部は基板１の研摩
対象部分が突出するように所定の幅Ｌ（例えば0.1
〜0.3mm）のスリツト溝１４として開口されてい
る。１５は基板１を固定するためのねじ穴であ
る。このような装置を用いた場合には、基板１の
研摩対象部分が研摩されて基板ホルダ１２の底面
と同一面になり研摩面積が一挙に広がつた時点で
基板１の研摩は事実上完了することになる。これ
により、第６図のように基板１の端部を切断した
状態で例えば第１２図に示すように基板１の端面
のエツジ部分にダイシングソーのブレードの研摩
粗度によるチツピング（欠け）Ｃが生じたとして
も、これらチツピングＣを取り除くことができ
る。
に研摩して発熱抵抗体２を被着すべき端面を形成
する工程である。このような斜め研摩は、例えば
第９図に示すように、回転可能な研摩用定盤１１
の上に基板１の研摩対象部分が突出するように所
定の角度で取り付けられた基板ホルダ１２を配置
し、この基板ホルダ１２を自転および公転させる
ことにより行なう。第１０は基板ホルダ１２の具
体例を示す構成図であり、第１１図は第１０図の
要部拡大図である。基板ホルダ１２には、基板１
の端面が研摩用定盤１１に対して所定の角度θ傾
斜するようにして基板１を挿入するための溝１３
が設けられ、溝１３の底面側端部は基板１の研摩
対象部分が突出するように所定の幅Ｌ（例えば0.1
〜0.3mm）のスリツト溝１４として開口されてい
る。１５は基板１を固定するためのねじ穴であ
る。このような装置を用いた場合には、基板１の
研摩対象部分が研摩されて基板ホルダ１２の底面
と同一面になり研摩面積が一挙に広がつた時点で
基板１の研摩は事実上完了することになる。これ
により、第６図のように基板１の端部を切断した
状態で例えば第１２図に示すように基板１の端面
のエツジ部分にダイシングソーのブレードの研摩
粗度によるチツピング（欠け）Ｃが生じたとして
も、これらチツピングＣを取り除くことができ
る。
第８図に示すように斜めに研摩された端面に
は、窒化タンタル（Ta2Ｎ）、ニクロム（Ni−
Cr）などの抵抗材料がスパツタまたは蒸着によ
り被着され、第１３図に示すように発熱抵抗体２
が形成される。この場合の発熱抵抗体２の膜厚
は、その抵抗値との関連で決定されるものである
が、概略0.1μmである。このような工程により、
発熱抵抗体２は選択電極３１〜３８および共通電
極層４が露出するように斜めに研摩された端面に
一様に形成され、これらの電極と導通している
が、次に発熱抵抗体２を各選択電極３１〜３８毎
に分離する必要がある。このような発熱抵抗体２
の分離は例えばレーザカツトを利用して行なうこ
とができる。第１３図において、８はレーザカツ
トの軌跡である。レーザーカツトの幅（軌跡８の
線幅）はレーザビームのスポツト径で決まるもの
であつて、最小幅は30μm程度まで可能であり、
高密度の発熱抵抗体形成が容易である。
は、窒化タンタル（Ta2Ｎ）、ニクロム（Ni−
Cr）などの抵抗材料がスパツタまたは蒸着によ
り被着され、第１３図に示すように発熱抵抗体２
が形成される。この場合の発熱抵抗体２の膜厚
は、その抵抗値との関連で決定されるものである
が、概略0.1μmである。このような工程により、
発熱抵抗体２は選択電極３１〜３８および共通電
極層４が露出するように斜めに研摩された端面に
一様に形成され、これらの電極と導通している
が、次に発熱抵抗体２を各選択電極３１〜３８毎
に分離する必要がある。このような発熱抵抗体２
の分離は例えばレーザカツトを利用して行なうこ
とができる。第１３図において、８はレーザカツ
トの軌跡である。レーザーカツトの幅（軌跡８の
線幅）はレーザビームのスポツト径で決まるもの
であつて、最小幅は30μm程度まで可能であり、
高密度の発熱抵抗体形成が容易である。
また、第８図および第１３図に示されるよう
に、発熱抵抗体２の長さ′は選択電極３１〜３
８と共通電極層４との間に介在するガラス層６の
厚さと角度θにより決まることなり（′＝
／cosθ）、ガラス層６の膜厚および角度θを
調節することにより、発熱抵抗体２の長さを任意
に制御することができる。
に、発熱抵抗体２の長さ′は選択電極３１〜３
８と共通電極層４との間に介在するガラス層６の
厚さと角度θにより決まることなり（′＝
／cosθ）、ガラス層６の膜厚および角度θを
調節することにより、発熱抵抗体２の長さを任意
に制御することができる。
このようにして発熱抵抗体２が分離されると、
発熱抵抗体２の保護および耐摩耗層として酸化ケ
イ素（SiO2）、五酸化タンタル（Ta2O5）、窒化ホ
ウ素（BN）、炭化ケイ素（Sic）などの絶縁層が
スパツタまたは蒸着により被着される。また、熱
伝導性を考慮すれば、酸化ケイ素などで絶縁した
後、分散メツキにより耐摩耗金属層を被着しても
よい。この場合、金属膜には主にニツケルが使用
され、分散剤として酸化アルミニウム、窒化ホウ
素、ダイヤモンドなどを添加することにより、熱
伝導性ならびに耐摩耗性を向上させることができ
る。
発熱抵抗体２の保護および耐摩耗層として酸化ケ
イ素（SiO2）、五酸化タンタル（Ta2O5）、窒化ホ
ウ素（BN）、炭化ケイ素（Sic）などの絶縁層が
スパツタまたは蒸着により被着される。また、熱
伝導性を考慮すれば、酸化ケイ素などで絶縁した
後、分散メツキにより耐摩耗金属層を被着しても
よい。この場合、金属膜には主にニツケルが使用
され、分散剤として酸化アルミニウム、窒化ホウ
素、ダイヤモンドなどを添加することにより、熱
伝導性ならびに耐摩耗性を向上させることができ
る。
上記のような工程により本発明のサーマルヘツ
ドが形成されるが、このようなサーマルヘツドに
おいては、複数の電極層３，４をガラス層６など
を介して対向するように基板１の一方の面に積層
形成するようにしているので、製作および配線処
理が容易であるとともに、選択電極層３と共通電
極層４との間に介在するガラス層６の膜厚を調節
することにより、発熱抵抗体２の長さを任意に制
御することができ、基板１の厚さ等に左右されず
に、高い分解能を得ることができる。また、電極
層３，４が露出するように斜めに研摩された端面
に発熱抵抗体２を形成するので、発熱抵抗体２は
その端面のみに被着されればよく、折れ曲りがな
いために、信頼性の高い発熱抵抗体２を形成する
ことができる。また、基板１の端面に発熱抵抗体
２をスパツタまたは蒸着する工程は、基板１を立
てて端面をスパツタターゲツトに対向させた状態
で行なわれるので、基板１をスパツタ装置内など
に数多く装填することができ、量産化が可能とな
る。また、電極層が露出するように端面を斜めに
研摩しているので、全端面を直角に研摩する場合
に比べてエツジ部分のチツピングが発生しにく
く、研摩面積が小さくなることから作業時間が短
縮できる。また、このような斜め研摩を行なうこ
とにより、研摩速度の異なる境界部に段差を生じ
ることもなく、平坦面が形成できる。また、斜め
研摩を行なうことにより発熱抵抗体の長さをガラ
ス層の厚さよりも長くでき、比較的薄いガラス層
で一定の長さの発熱抵抗体を形成することができ
る。また、斜め研摩を行なうことにより発熱抵抗
体を接触する電極面積が大きくなり、信頼性を高
めることができる。
ドが形成されるが、このようなサーマルヘツドに
おいては、複数の電極層３，４をガラス層６など
を介して対向するように基板１の一方の面に積層
形成するようにしているので、製作および配線処
理が容易であるとともに、選択電極層３と共通電
極層４との間に介在するガラス層６の膜厚を調節
することにより、発熱抵抗体２の長さを任意に制
御することができ、基板１の厚さ等に左右されず
に、高い分解能を得ることができる。また、電極
層３，４が露出するように斜めに研摩された端面
に発熱抵抗体２を形成するので、発熱抵抗体２は
その端面のみに被着されればよく、折れ曲りがな
いために、信頼性の高い発熱抵抗体２を形成する
ことができる。また、基板１の端面に発熱抵抗体
２をスパツタまたは蒸着する工程は、基板１を立
てて端面をスパツタターゲツトに対向させた状態
で行なわれるので、基板１をスパツタ装置内など
に数多く装填することができ、量産化が可能とな
る。また、電極層が露出するように端面を斜めに
研摩しているので、全端面を直角に研摩する場合
に比べてエツジ部分のチツピングが発生しにく
く、研摩面積が小さくなることから作業時間が短
縮できる。また、このような斜め研摩を行なうこ
とにより、研摩速度の異なる境界部に段差を生じ
ることもなく、平坦面が形成できる。また、斜め
研摩を行なうことにより発熱抵抗体の長さをガラ
ス層の厚さよりも長くでき、比較的薄いガラス層
で一定の長さの発熱抵抗体を形成することができ
る。また、斜め研摩を行なうことにより発熱抵抗
体を接触する電極面積が大きくなり、信頼性を高
めることができる。
また、このようにして構成されるサーマルヘツ
ドを用いて記録を行なう場合の押圧力に着目する
と、従来のサーマルヘツドに比べて接触面積が小
さくなることから、単位面積当たりに同一の押圧
力を加えるためには従来のサーマルヘツドに比べ
て小さな押圧力でよく、印字品質の向上が図れ、
押圧機構構造の簡略化も図れる。
ドを用いて記録を行なう場合の押圧力に着目する
と、従来のサーマルヘツドに比べて接触面積が小
さくなることから、単位面積当たりに同一の押圧
力を加えるためには従来のサーマルヘツドに比べ
て小さな押圧力でよく、印字品質の向上が図れ、
押圧機構構造の簡略化も図れる。
なお、上記の説明においては、基板１の表面に
直接第１の電極層３を被着する場合を例示した
が、基板１の表面の平滑度によつては、基板１と
電極層３の間にガラス層を設け、電極層３の下地
を平滑化するようにしてもよい。また、発熱抵抗
体２の分離手段として、レーザカツトを例示した
が、発熱抵抗体２を分離する手段には、この他に
もフオトリソグラフによるエツチングやブレード
による機械的な切断、サンドブラスト法などがあ
り、必要に応じて使い分けることができるもので
ある。また、発熱抵抗体２は、RuO2などの厚膜
抵抗体を使用することもできる。また、電極保護
ガラス層上にアルミ板またはセラミツク板を取り
付け、機械的強度を保つと同時に、基板のそりを
修正することなども可能である。
直接第１の電極層３を被着する場合を例示した
が、基板１の表面の平滑度によつては、基板１と
電極層３の間にガラス層を設け、電極層３の下地
を平滑化するようにしてもよい。また、発熱抵抗
体２の分離手段として、レーザカツトを例示した
が、発熱抵抗体２を分離する手段には、この他に
もフオトリソグラフによるエツチングやブレード
による機械的な切断、サンドブラスト法などがあ
り、必要に応じて使い分けることができるもので
ある。また、発熱抵抗体２は、RuO2などの厚膜
抵抗体を使用することもできる。また、電極保護
ガラス層上にアルミ板またはセラミツク板を取り
付け、機械的強度を保つと同時に、基板のそりを
修正することなども可能である。
なお、上記実施例では、発熱抵抗体２を一列に
形成する例を示したが、多数の発熱抵抗体２を二
列に形成することもできる。この場合には、例え
ば第１４図に示すように基板１の表面に選択電極
層３1、ガラス層６1、共通電極層４、ガラス層６
２、選択電極層３2、保護ガラス層７の順で各層を
積層し、その後複数の電極層が露出するように研
摩して、斜めに研摩されたされた端面に発熱抵抗
体を形成した後被着された発熱抵抗体を選択電極
に沿つて分離すればよい。
形成する例を示したが、多数の発熱抵抗体２を二
列に形成することもできる。この場合には、例え
ば第１４図に示すように基板１の表面に選択電極
層３1、ガラス層６1、共通電極層４、ガラス層６
２、選択電極層３2、保護ガラス層７の順で各層を
積層し、その後複数の電極層が露出するように研
摩して、斜めに研摩されたされた端面に発熱抵抗
体を形成した後被着された発熱抵抗体を選択電極
に沿つて分離すればよい。
また、斜め研摩にあたつては、研摩用定盤の代
わりに例えばラツピングテープを用いてもよく、
実施例に限定されるものではない。
わりに例えばラツピングテープを用いてもよく、
実施例に限定されるものではない。
以上説明したように、本発明のサーマルヘツド
およびその製造方法では、複数の電極層を電気絶
縁層および熱抵抗層となるガラス層を介して対向
するように基板の一方の面に積層形成するととも
に、複数の電極層が露出するように斜めに研摩さ
れた端面に発熱抵抗体を形成するようにしている
ので、全端面を直角に研摩する場合に比べてエツ
ジ部分のチツピングが発生しにくく、研摩面積が
小さくなることから作業時間が短縮できる。ま
た、研摩速度の異なる境界部に段差を生じること
もなく、平坦面が形成できる。また、発熱抵抗体
の長さをガラス層の厚さよりも長くでき、比較的
薄いガラス層で一定の長さの発熱抵抗体を形成す
ることができる。また、発熱抵抗体と接触する電
極面積が大きくなり、信頼性を高めることができ
る。また、発熱抵抗体の長さの制御が容易であ
り、製作が容易であるとともに、高分解能化に適
したサーマルヘツドおよびその製造方法を実現す
ることができる。
およびその製造方法では、複数の電極層を電気絶
縁層および熱抵抗層となるガラス層を介して対向
するように基板の一方の面に積層形成するととも
に、複数の電極層が露出するように斜めに研摩さ
れた端面に発熱抵抗体を形成するようにしている
ので、全端面を直角に研摩する場合に比べてエツ
ジ部分のチツピングが発生しにくく、研摩面積が
小さくなることから作業時間が短縮できる。ま
た、研摩速度の異なる境界部に段差を生じること
もなく、平坦面が形成できる。また、発熱抵抗体
の長さをガラス層の厚さよりも長くでき、比較的
薄いガラス層で一定の長さの発熱抵抗体を形成す
ることができる。また、発熱抵抗体と接触する電
極面積が大きくなり、信頼性を高めることができ
る。また、発熱抵抗体の長さの制御が容易であ
り、製作が容易であるとともに、高分解能化に適
したサーマルヘツドおよびその製造方法を実現す
ることができる。
第１図〜第８図、第１３図および第１４図は本
発明のサーマルヘツドおよびその製造方法の実施
例を示す構成図、第９図〜第１１図は本発明で斜
め研摩のために用いる装置の説明図、第１２図お
よび第１５図はそれぞれ従来のサーマルヘツドの
一例を示す構成図である。 １……基板、２……発熱抵抗体、３……選択電
極層、３１〜３８……選択電極、４……共通電極
層、５……電極パターン、６……ガラス層、７…
…保護ガラス層、８……レーザカツト、１１……
研摩用定盤、１２……基板ホルダ、１３……溝、
１４……スリツト溝、１５……ねじ穴。
発明のサーマルヘツドおよびその製造方法の実施
例を示す構成図、第９図〜第１１図は本発明で斜
め研摩のために用いる装置の説明図、第１２図お
よび第１５図はそれぞれ従来のサーマルヘツドの
一例を示す構成図である。 １……基板、２……発熱抵抗体、３……選択電
極層、３１〜３８……選択電極、４……共通電極
層、５……電極パターン、６……ガラス層、７…
…保護ガラス層、８……レーザカツト、１１……
研摩用定盤、１２……基板ホルダ、１３……溝、
１４……スリツト溝、１５……ねじ穴。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板と、電気絶縁層および熱抵抗層となるガ
ラス層を介して対向するように前記基板の一方の
面に積層形成された複数の電極層と、前記複数の
電極層が露出するように斜めに研摩された端面に
形成された発熱抵抗体とを具備してなるサーマル
ヘツド。 ２ 複数の電極層をそれぞれガラス層を介して対
向するように基板の一方の面に積層形成する工程
と、複数の電極層が露出するように端面を斜めに
研摩する工程と、斜めに研摩された端面に発熱抵
抗体を形成する工程とを含むサーマルヘツドの製
造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051928A JPS61211055A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | サ−マルヘッドおよびその製造方法 |
| US06/781,252 US4651168A (en) | 1984-10-11 | 1985-09-27 | Thermal print head |
| KR1019850007378A KR910007903B1 (ko) | 1984-10-11 | 1985-10-07 | 더어멀 헤드 및 그의 제조방법 |
| DE19853536370 DE3536370A1 (de) | 1984-10-11 | 1985-10-11 | Thermodruckkopf und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051928A JPS61211055A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | サ−マルヘッドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61211055A JPS61211055A (ja) | 1986-09-19 |
| JPH0380434B2 true JPH0380434B2 (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=12900535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60051928A Granted JPS61211055A (ja) | 1984-10-11 | 1985-03-15 | サ−マルヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61211055A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6356637U (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-15 | ||
| US5666149A (en) * | 1991-01-22 | 1997-09-09 | Ngk Insulators, Ltd. | End-contact type thermal recording head having heat-generating portion on thin-walled end portion of ceramic substrate |
| US5422661A (en) * | 1991-01-22 | 1995-06-06 | Ngk Insulators, Ltd. | End-contact type thermal recording head having heat-generating portion on thin-walled end portion of ceramic substrate |
| US5909234A (en) * | 1991-01-22 | 1999-06-01 | Ngk Insulators, Ltd. | End-contact type thermal recording head having heat-generating portion on thin-walled end portion of ceramic substrate |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP60051928A patent/JPS61211055A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61211055A (ja) | 1986-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4651168A (en) | Thermal print head | |
| EP0202877A2 (en) | Integrated circuit device and manufacturing method thereof | |
| EP0198646A2 (en) | Integrated circuit device | |
| JPS61211055A (ja) | サ−マルヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0582303B2 (ja) | ||
| JPS6154954A (ja) | サ−マルヘツド及びその製造方法 | |
| JPH10125508A (ja) | チップサーミスタ及びその製造方法 | |
| JPS61110569A (ja) | サ−マルヘツドおよびその製造方法 | |
| JPS5851830B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH0584221B2 (ja) | ||
| JPH0592596A (ja) | サーマルヘツドの製造方法 | |
| JPS62104774A (ja) | サ−マルヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH0584222B2 (ja) | ||
| JP3645741B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JPS62104773A (ja) | サ−マルヘツドおよびその製造方法 | |
| JP2686318B2 (ja) | 通電方式記録ヘッドの製造方法 | |
| JP2001102722A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP2575554B2 (ja) | 端面型サーマルヘッド | |
| JP4309700B2 (ja) | サーマルヘッド基板、サーマルヘッド及びその製造方法 | |
| JPS60193667A (ja) | サ−マルヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH0584225B2 (ja) | ||
| JPH0586756B2 (ja) | ||
| JPS6027559A (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| JP2004090254A (ja) | 端面型サーマルヘッド及びその製造方法 | |
| JPH01258961A (ja) | 集積回路装置の製造方法及び集積回路装置用基板 |