JPH0585497B2 - - Google Patents
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- JPH0585497B2 JPH0585497B2 JP60187716A JP18771685A JPH0585497B2 JP H0585497 B2 JPH0585497 B2 JP H0585497B2 JP 60187716 A JP60187716 A JP 60187716A JP 18771685 A JP18771685 A JP 18771685A JP H0585497 B2 JPH0585497 B2 JP H0585497B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
- C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
- C04B35/111—Fine ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、多層配線基板等の材料として使用
される絶縁性磁器組成物に関する。 〔従来の技術〕 従来、多層回路基板の材料には、主として絶縁
性に優れたアルミナ系磁器組成物が使用されてい
た。この磁器組成物は約96%のAl2O3粉末と、
SiO2,MgO,CaO等の粉末からなる磁器原料を
還元雰囲気において、1500〜1600℃の温度で焼成
することにより得られる。また、基板内部の導体
の印刷にはMoやWを主体とした導電ペーストが
使用されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来のアルミナ磁器組成物は、熱膨張係数
が7.5×10-6/℃(線膨張係数)以上と大きいた
め、熱衝撃に弱く、これから作られた多層回路基
板に数十度以上の温度差の熱衝撃を与えると、ク
ラツクが発生するという欠点があつた。このた
め、多層配線基板に電子部品を半田付けする際に
は、同基板を予め半田の溶融温度に近い温度ま
で、ゆつくり時間をかけて加熱していく、いわゆ
る予熱工程を必要とした。 この発明は、従来のアルミナ系絶縁性磁器組成
物における上記の問題を解決すべくなされたもの
で、従来の磁器組成物に比べて熱膨張係数が小さ
く、電気部品の半田付け等に伴う熱衝撃によつ
て、多層配線基板にクラツク等の損傷が生じにく
い絶縁性磁器組成物を提供することを目的とす
る。 〔問題を解決するための手段〕 この発明の絶縁性磁器組成物は、Al2O3が25〜
60重量%と、SiO2が10〜40重量%と、B2O3が3
〜30重量%と、MgOが1〜15重量%と、Cr2O3が
0.2〜10重量%と、Li2Oが0.1〜3重量%と、
CaO,SrO,BaOのグループから選ばれた1種以
上が1〜20重量%とからなるものである。 〔実施例〕 以下、この発明の実施例ついて説明する。 まず下表に掲げる各試料の製作方法と条件につ
いて、試料1を例にとつて説明すると、Al2O3粉
末を180g、SiO2粉末を30g、B2O3粉末を35.7
g、MgO粉末を15g、Cr2O3粉末を9.0g、Li2
CO3粉末を0.75g及びCaCO3粉末を53.55gずつ秤
量した。なお、上記Li,Caの炭酸塩粉末は、何
れも空気中で安定なものを使用した。 上記粉末を磁器製ボールミルに入れ、約15時間
ボールミリングすることにより、これらを湿式混
合した。続いて、これを空気中において800℃の
温度で仮焼成し、再び磁器製ボールミルに入れ、
約15時間ボールミリングし、粉砕した。 次に、上記混合粉末200gに、ポリビニルブチ
ラール樹脂14g、ジブチルフタレート14g、アセ
トン60g、オレイン酸を1gを加えて攪拌し、ス
ラリーを作つた。次で、このスラリーをドクター
ブレード法によつて延伸し、厚さ0.25mmの長尺な
未焼結磁器シートを作り、これを10cm角に切断し
た。 そして切断された未焼結磁器シートから次の3
種類のテストピースを作つた。第一のテストピー
スは、上記シートを直径16mmの円板形に打ち抜い
たものである。第二のテストピースは、上記シー
トを17枚重ねて圧着したものを、長さ36mm、幅4
mmの寸法に切断したもので、その厚さは約4mmで
ある。第三のテストピースは、上記シートにNi
を主成分とする導電ペーストを用いて配線パター
ンを印刷し、これを6枚重ねて圧着し、長さ30
mm、幅15mmに切断したもので、厚さは約1.5mmで
ある。 これらテストピースを、空気中で毎時100℃の
割合で昇温し、600℃のところで炉内の雰囲気を
N2が97容量%、H2が3容量%の混合ガスで置換
した。続いてこのまゝ温度を950℃まで上げ、こ
れを3時間維持した後、この雰囲気のまゝ常温ま
で冷却して焼成した。 続いて、焼成後のテストピースについて、それ
ぞれ次の方法で試験を行つた。 第一の円板形のテストピースについては、その
両主面にIn−Ga合金を塗布して、直径10mmの電
極を設け、比誘電率ε、クオリテイフアクタQ及
び抵抗率ρ(Ωcm)を測定した。比誘電率εは、
25℃の温度下において1MHzの周波数で測定した
静電容量により算出し、Qは、上記静電容量と同
様の条件で測定した。また抵抗率ρは、500Vの
直流電圧を印加し、印加開始から60秒後の絶縁抵
抗値から算出した。 17枚の磁器シートを積層して作られた第二のテ
ストピースについては、温度20〜500℃における
線膨張係数α(/℃)を測定した。 Niの配線パターンが印刷された第三のテスト
ピースについては、予熱せずに常温から250℃の
溶融半田に3秒間浸漬した後、引き上げ、常温ま
で自然冷却させて、クラツク等の発生の有無を調
べた。また、このテストピースを使用し、内部の
配線パターンが肉眼で透けて見えるか否かで遮光
性を調べた。そして、透けて見えないものを遮光
性良好とし、透けて見えるものを遮光性不良とし
た。 以下、試料2〜56についても、下表の各欄に示
すような組成を有する磁器組成物から、3種類の
テストピースを作り、それぞれ試料1と同様の方
法と条件で試験を行つた。但し、焼成温度は各試
料毎に異なり、それぞれ各欄に示す温度で行つ
た。また、試料2〜56については、試料1aと同
様に非酸化雰囲気中で焼成したが、試料1b,5b,
10b,15b,20b,25b,30b,35b,40b,45b,
50b,55bについては、同じ温度プロフアイルに
より、空気中で焼成した。なお、後者の場合、配
線パターンの印刷にNiを主成分とする導電ペー
ストにかえて、Pdを主成分とする導電ペースト
を使用した。 下表から明らかな通り、これら試料は、焼成温
度FTが850〜1000℃、線膨張係数αが3.0〜6.0×
10-6/℃であつた。また、何れも溶融半田への浸
漬試験においてクラツク等の発生は認められず、
遮光性も良好であつた。なお、下表に具体的な数
値の掲載を省略したが、これら試料の非誘電率ε
は5〜8、Qは1000〜2000、抵抗率ρは1×1014
〜3×1015Ωcmであつた。 また、上記実施例との比較のため、次の表の試
料No.57〜70のように、本発明の組成要件を満たさ
ない磁器組成物から、3種類のテストピースを作
つた。そして、それらのそれぞれについて、試料
No.1〜56と同様の方法と条件で試験を行い、その
結果を焼成温度FTと共に表の試料No.57〜70の欄
に示した。
される絶縁性磁器組成物に関する。 〔従来の技術〕 従来、多層回路基板の材料には、主として絶縁
性に優れたアルミナ系磁器組成物が使用されてい
た。この磁器組成物は約96%のAl2O3粉末と、
SiO2,MgO,CaO等の粉末からなる磁器原料を
還元雰囲気において、1500〜1600℃の温度で焼成
することにより得られる。また、基板内部の導体
の印刷にはMoやWを主体とした導電ペーストが
使用されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来のアルミナ磁器組成物は、熱膨張係数
が7.5×10-6/℃(線膨張係数)以上と大きいた
め、熱衝撃に弱く、これから作られた多層回路基
板に数十度以上の温度差の熱衝撃を与えると、ク
ラツクが発生するという欠点があつた。このた
め、多層配線基板に電子部品を半田付けする際に
は、同基板を予め半田の溶融温度に近い温度ま
で、ゆつくり時間をかけて加熱していく、いわゆ
る予熱工程を必要とした。 この発明は、従来のアルミナ系絶縁性磁器組成
物における上記の問題を解決すべくなされたもの
で、従来の磁器組成物に比べて熱膨張係数が小さ
く、電気部品の半田付け等に伴う熱衝撃によつ
て、多層配線基板にクラツク等の損傷が生じにく
い絶縁性磁器組成物を提供することを目的とす
る。 〔問題を解決するための手段〕 この発明の絶縁性磁器組成物は、Al2O3が25〜
60重量%と、SiO2が10〜40重量%と、B2O3が3
〜30重量%と、MgOが1〜15重量%と、Cr2O3が
0.2〜10重量%と、Li2Oが0.1〜3重量%と、
CaO,SrO,BaOのグループから選ばれた1種以
上が1〜20重量%とからなるものである。 〔実施例〕 以下、この発明の実施例ついて説明する。 まず下表に掲げる各試料の製作方法と条件につ
いて、試料1を例にとつて説明すると、Al2O3粉
末を180g、SiO2粉末を30g、B2O3粉末を35.7
g、MgO粉末を15g、Cr2O3粉末を9.0g、Li2
CO3粉末を0.75g及びCaCO3粉末を53.55gずつ秤
量した。なお、上記Li,Caの炭酸塩粉末は、何
れも空気中で安定なものを使用した。 上記粉末を磁器製ボールミルに入れ、約15時間
ボールミリングすることにより、これらを湿式混
合した。続いて、これを空気中において800℃の
温度で仮焼成し、再び磁器製ボールミルに入れ、
約15時間ボールミリングし、粉砕した。 次に、上記混合粉末200gに、ポリビニルブチ
ラール樹脂14g、ジブチルフタレート14g、アセ
トン60g、オレイン酸を1gを加えて攪拌し、ス
ラリーを作つた。次で、このスラリーをドクター
ブレード法によつて延伸し、厚さ0.25mmの長尺な
未焼結磁器シートを作り、これを10cm角に切断し
た。 そして切断された未焼結磁器シートから次の3
種類のテストピースを作つた。第一のテストピー
スは、上記シートを直径16mmの円板形に打ち抜い
たものである。第二のテストピースは、上記シー
トを17枚重ねて圧着したものを、長さ36mm、幅4
mmの寸法に切断したもので、その厚さは約4mmで
ある。第三のテストピースは、上記シートにNi
を主成分とする導電ペーストを用いて配線パター
ンを印刷し、これを6枚重ねて圧着し、長さ30
mm、幅15mmに切断したもので、厚さは約1.5mmで
ある。 これらテストピースを、空気中で毎時100℃の
割合で昇温し、600℃のところで炉内の雰囲気を
N2が97容量%、H2が3容量%の混合ガスで置換
した。続いてこのまゝ温度を950℃まで上げ、こ
れを3時間維持した後、この雰囲気のまゝ常温ま
で冷却して焼成した。 続いて、焼成後のテストピースについて、それ
ぞれ次の方法で試験を行つた。 第一の円板形のテストピースについては、その
両主面にIn−Ga合金を塗布して、直径10mmの電
極を設け、比誘電率ε、クオリテイフアクタQ及
び抵抗率ρ(Ωcm)を測定した。比誘電率εは、
25℃の温度下において1MHzの周波数で測定した
静電容量により算出し、Qは、上記静電容量と同
様の条件で測定した。また抵抗率ρは、500Vの
直流電圧を印加し、印加開始から60秒後の絶縁抵
抗値から算出した。 17枚の磁器シートを積層して作られた第二のテ
ストピースについては、温度20〜500℃における
線膨張係数α(/℃)を測定した。 Niの配線パターンが印刷された第三のテスト
ピースについては、予熱せずに常温から250℃の
溶融半田に3秒間浸漬した後、引き上げ、常温ま
で自然冷却させて、クラツク等の発生の有無を調
べた。また、このテストピースを使用し、内部の
配線パターンが肉眼で透けて見えるか否かで遮光
性を調べた。そして、透けて見えないものを遮光
性良好とし、透けて見えるものを遮光性不良とし
た。 以下、試料2〜56についても、下表の各欄に示
すような組成を有する磁器組成物から、3種類の
テストピースを作り、それぞれ試料1と同様の方
法と条件で試験を行つた。但し、焼成温度は各試
料毎に異なり、それぞれ各欄に示す温度で行つ
た。また、試料2〜56については、試料1aと同
様に非酸化雰囲気中で焼成したが、試料1b,5b,
10b,15b,20b,25b,30b,35b,40b,45b,
50b,55bについては、同じ温度プロフアイルに
より、空気中で焼成した。なお、後者の場合、配
線パターンの印刷にNiを主成分とする導電ペー
ストにかえて、Pdを主成分とする導電ペースト
を使用した。 下表から明らかな通り、これら試料は、焼成温
度FTが850〜1000℃、線膨張係数αが3.0〜6.0×
10-6/℃であつた。また、何れも溶融半田への浸
漬試験においてクラツク等の発生は認められず、
遮光性も良好であつた。なお、下表に具体的な数
値の掲載を省略したが、これら試料の非誘電率ε
は5〜8、Qは1000〜2000、抵抗率ρは1×1014
〜3×1015Ωcmであつた。 また、上記実施例との比較のため、次の表の試
料No.57〜70のように、本発明の組成要件を満たさ
ない磁器組成物から、3種類のテストピースを作
つた。そして、それらのそれぞれについて、試料
No.1〜56と同様の方法と条件で試験を行い、その
結果を焼成温度FTと共に表の試料No.57〜70の欄
に示した。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
以上説明した通り、この発明の絶縁磁器組成物
では、3.0〜6.0×10-6/℃と小さい線膨張係数α
が得られる。従つてこの磁器組成物から作られた
多層回路基板は、電子部品の半田付け工程で通常
受ける230℃程度の温度差による熱衝撃によつて、
クラツクが発生しない。これにより、多層配線基
板に電子部品を半田付けする際に、従来必要とさ
れていた予熱工程を省くことができる。
では、3.0〜6.0×10-6/℃と小さい線膨張係数α
が得られる。従つてこの磁器組成物から作られた
多層回路基板は、電子部品の半田付け工程で通常
受ける230℃程度の温度差による熱衝撃によつて、
クラツクが発生しない。これにより、多層配線基
板に電子部品を半田付けする際に、従来必要とさ
れていた予熱工程を省くことができる。
Claims (1)
- 1 Al2O3が25〜60重量%と、SiO2が10〜40重量
%と、B2O3が3〜30重量%と、MgOが1〜15重
量%と、Cr2O3が0.2〜10重量%と、Li2Oが0.1〜
3重量%と、CaO,SrO,BaOのグループから選
ばれた1種以上が1〜20重量%とからなる絶縁性
磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60187716A JPS6246953A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 絶縁性磁器組成物 |
| US07/071,642 US4783431A (en) | 1985-08-26 | 1987-07-09 | Insulative ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60187716A JPS6246953A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 絶縁性磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246953A JPS6246953A (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0585497B2 true JPH0585497B2 (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=16210923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60187716A Granted JPS6246953A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 絶縁性磁器組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPS6246953A (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4783431A (en) | 1988-11-08 |
| JPS6246953A (ja) | 1987-02-28 |
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