JPH05856A - 薄膜形成材料の焼成方法 - Google Patents
薄膜形成材料の焼成方法Info
- Publication number
- JPH05856A JPH05856A JP3171634A JP17163491A JPH05856A JP H05856 A JPH05856 A JP H05856A JP 3171634 A JP3171634 A JP 3171634A JP 17163491 A JP17163491 A JP 17163491A JP H05856 A JPH05856 A JP H05856A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- forming material
- temperature
- firing
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ソーダライムガラス等の低軟化点の基板上に
薄膜形成材料を塗布し乾燥後、焼成して金属または金属
酸化物の薄膜を形成させる際の焼成温度をできる限り低
い温度で行うことのできる方法を提供することにある。 【構成】 薄膜形成材料を焼成する際の焼成温度が５０
０〜６００℃の時にはガス中の酸素濃度を７５ｖｏｌ％
以上の雰囲気とし、焼成温度が６００℃を超え７００℃
以下の時にはガス中の酸素濃度を５０ｖｏｌ％以上の雰
囲気で焼成することで目的を達成させることができる。
薄膜形成材料を塗布し乾燥後、焼成して金属または金属
酸化物の薄膜を形成させる際の焼成温度をできる限り低
い温度で行うことのできる方法を提供することにある。 【構成】 薄膜形成材料を焼成する際の焼成温度が５０
０〜６００℃の時にはガス中の酸素濃度を７５ｖｏｌ％
以上の雰囲気とし、焼成温度が６００℃を超え７００℃
以下の時にはガス中の酸素濃度を５０ｖｏｌ％以上の雰
囲気で焼成することで目的を達成させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低軟化点の基板への金
属または金属酸化物の薄膜を形成するために利用されて
いる薄膜形成材料の焼成方法に関するものである。
属または金属酸化物の薄膜を形成するために利用されて
いる薄膜形成材料の焼成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】従来法では、薄膜形成材料
をスクリーン印刷機にて印刷し、１２０℃、５分間程度
乾燥後、大気中にて７００〜８５０℃に昇温させ薄膜形
成材料の成分である有機物を分解・酸化させ、基板上に
金属または金属酸化物の薄膜を形成させていた。しか
し、ソーダライムガラス等の低軟化点基板では、７００
〜８５０℃の焼成温度では基板が軟化してしまい薄膜形
成材料による回路形成は不可能であった。薄膜形成材料
を使用して金属または金属酸化物の薄膜を形成するに
は、薄膜形成材料中に含まれている大量の有機物を大気
中で焼成して熱分解および酸化させることが必要とな
る。この際、大部分の有機物は分解してカーボンとな
り、さらに酸化して二酸化炭素となり外気へ排出され
る。この反応を素早く起こさないと、一部のカーボンが
堆積した金属薄膜中に残存してしまい、こうして形成さ
れた金属薄膜の表面は変色したり、表面粗度が悪い膜と
なってしまうので、通常７００〜８５０℃という高温に
て有機物を完全に二酸化炭素にしてガス化し、膜内にカ
ーボンが残存させないようにしているが、ソーダライム
ガラス等の低軟化点基板への薄膜の形成には基板の軟化
が生じてしまい薄膜形成材料が使用できなかった。
をスクリーン印刷機にて印刷し、１２０℃、５分間程度
乾燥後、大気中にて７００〜８５０℃に昇温させ薄膜形
成材料の成分である有機物を分解・酸化させ、基板上に
金属または金属酸化物の薄膜を形成させていた。しか
し、ソーダライムガラス等の低軟化点基板では、７００
〜８５０℃の焼成温度では基板が軟化してしまい薄膜形
成材料による回路形成は不可能であった。薄膜形成材料
を使用して金属または金属酸化物の薄膜を形成するに
は、薄膜形成材料中に含まれている大量の有機物を大気
中で焼成して熱分解および酸化させることが必要とな
る。この際、大部分の有機物は分解してカーボンとな
り、さらに酸化して二酸化炭素となり外気へ排出され
る。この反応を素早く起こさないと、一部のカーボンが
堆積した金属薄膜中に残存してしまい、こうして形成さ
れた金属薄膜の表面は変色したり、表面粗度が悪い膜と
なってしまうので、通常７００〜８５０℃という高温に
て有機物を完全に二酸化炭素にしてガス化し、膜内にカ
ーボンが残存させないようにしているが、ソーダライム
ガラス等の低軟化点基板への薄膜の形成には基板の軟化
が生じてしまい薄膜形成材料が使用できなかった。
【０００３】
【発明の目的】本発明は、上記従来不可能であった低軟
化点のソーダライムガラス等の低軟化点基板にたいし
て、薄膜形成材料を使用して有機分解物やカーボンの残
存しない金属または金属酸化物の薄膜を形成するための
焼成方法を提供することを目的とするものである。
化点のソーダライムガラス等の低軟化点基板にたいし
て、薄膜形成材料を使用して有機分解物やカーボンの残
存しない金属または金属酸化物の薄膜を形成するための
焼成方法を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜形成材料
を焼成する際、焼成温度が５００〜６００℃の時にはガ
ス中の酸素濃度を７５ｖｏｌ％以上の雰囲気とし、焼成
温度を６００℃を超え７００℃以下の時にはガス中の酸
素濃度を５０ｖｏｌ％以上の雰囲気で焼成することを特
徴とする薄膜形成材料の焼成方法である。
を焼成する際、焼成温度が５００〜６００℃の時にはガ
ス中の酸素濃度を７５ｖｏｌ％以上の雰囲気とし、焼成
温度を６００℃を超え７００℃以下の時にはガス中の酸
素濃度を５０ｖｏｌ％以上の雰囲気で焼成することを特
徴とする薄膜形成材料の焼成方法である。
【０００５】薄膜形成材料を焼成する際、大気中では７
００〜８５０℃の焼成温度が必要とする薄膜形成材料で
も、酸素濃度を高めた雰囲気中で焼成することで焼成温
度を１００〜３５０℃低下させることを見いだした。上
記焼成温度が５００〜６００℃の時にはガス中の酸素濃
度を７５ｖｏｌ％以上の雰囲気とするのは、１００％酸
素雰囲気でも５００℃未満の温度では薄膜形成材料中の
大量の有機物が完全に分解する速度が不足し、７５ｖｏ
ｌ％以上の酸素を含む雰囲気では６００℃以上に温度を
上げても焼成速度に変わりがないからである。また、焼
成温度が６００〜７００℃の時にはガス中の酸素濃度を
５０ｖｏｌ％以上の雰囲気で焼成するのは、酸素濃度が
５０ｖｏｌ％〜７５ｖｏｌ％では焼成温度が６００℃未
満では有機物の分解速度が不十分であり、７００℃以上
の焼成温度としても有機物の分解速度に変わりがないか
らである。以下、本発明の詳細を実施例により説明す
る。
００〜８５０℃の焼成温度が必要とする薄膜形成材料で
も、酸素濃度を高めた雰囲気中で焼成することで焼成温
度を１００〜３５０℃低下させることを見いだした。上
記焼成温度が５００〜６００℃の時にはガス中の酸素濃
度を７５ｖｏｌ％以上の雰囲気とするのは、１００％酸
素雰囲気でも５００℃未満の温度では薄膜形成材料中の
大量の有機物が完全に分解する速度が不足し、７５ｖｏ
ｌ％以上の酸素を含む雰囲気では６００℃以上に温度を
上げても焼成速度に変わりがないからである。また、焼
成温度が６００〜７００℃の時にはガス中の酸素濃度を
５０ｖｏｌ％以上の雰囲気で焼成するのは、酸素濃度が
５０ｖｏｌ％〜７５ｖｏｌ％では焼成温度が６００℃未
満では有機物の分解速度が不十分であり、７００℃以上
の焼成温度としても有機物の分解速度に変わりがないか
らである。以下、本発明の詳細を実施例により説明す
る。
【０００６】
【実施例１】金メタロオーガニック（田中貴金属工業
製：ＡＰ−２２２ＣＡ）を＃３２５メッシュのスクリー
ンにて、ガラスグレーズ基板（２００×３００×厚さ
１．１ｍｍ）に全面にベタ印刷し、１２０℃で５分間ク
リーンオーブンにて温風乾燥した。その後、５００、６
００、７００℃の焼成温度にて、管状炉中で窒素と酸素
の混合ガスを混合ガス中の酸素の比率を２５〜１００ｖ
ｏｌ％まで変化させて焼成した。この時の焼成条件は、
毎分４０℃にて昇温し、各温度まで達した後、１０分間
その温度を保持した。また、管状炉に流す窒素と酸素の
混合ガスの流量は毎分２リットルとした。こうして、形
成した金薄膜の表面を実体顕微鏡で観察し、同じく基板
をガラスグレーズ基板とし、大気中で昇温速度４０℃／
分、８３０℃にて１０分間保持して形成した金薄膜の表
面と比較した結果は表１に示す。
製：ＡＰ−２２２ＣＡ）を＃３２５メッシュのスクリー
ンにて、ガラスグレーズ基板（２００×３００×厚さ
１．１ｍｍ）に全面にベタ印刷し、１２０℃で５分間ク
リーンオーブンにて温風乾燥した。その後、５００、６
００、７００℃の焼成温度にて、管状炉中で窒素と酸素
の混合ガスを混合ガス中の酸素の比率を２５〜１００ｖ
ｏｌ％まで変化させて焼成した。この時の焼成条件は、
毎分４０℃にて昇温し、各温度まで達した後、１０分間
その温度を保持した。また、管状炉に流す窒素と酸素の
混合ガスの流量は毎分２リットルとした。こうして、形
成した金薄膜の表面を実体顕微鏡で観察し、同じく基板
をガラスグレーズ基板とし、大気中で昇温速度４０℃／
分、８３０℃にて１０分間保持して形成した金薄膜の表
面と比較した結果は表１に示す。
【０００７】
【表１】
【０００８】
【従来例】また、比較のため、金メタロオーガニック
（田中貴金属工業製：ＡＰ２２２ＣＡ）を前記実施例と
同じガラスグレーズ基板にスクリーン印刷し、大気中に
て昇温速度４０℃／分、７００℃にて１０分間保持して
焼成した。その結果は８３０℃にて焼成した際の金薄膜
に比べ赤褐色の強いものであった。
（田中貴金属工業製：ＡＰ２２２ＣＡ）を前記実施例と
同じガラスグレーズ基板にスクリーン印刷し、大気中に
て昇温速度４０℃／分、７００℃にて１０分間保持して
焼成した。その結果は８３０℃にて焼成した際の金薄膜
に比べ赤褐色の強いものであった。
【０００９】
【実施例２】基板を低軟化点基板であるソーダライムガ
ラス基板とし、実施例１と同様に金メタロオーガニック
をスクリーン印刷し、酸素濃度を７５ｖｏｌ％とした雰
囲気中で、昇温速度４０℃／分、５００℃にて１０分間
保持して焼成した。その結果形成した金薄膜は実施例１
のガラスグレーズ基板を用いた際と同様に黄金色光沢を
していた。
ラス基板とし、実施例１と同様に金メタロオーガニック
をスクリーン印刷し、酸素濃度を７５ｖｏｌ％とした雰
囲気中で、昇温速度４０℃／分、５００℃にて１０分間
保持して焼成した。その結果形成した金薄膜は実施例１
のガラスグレーズ基板を用いた際と同様に黄金色光沢を
していた。
【００１０】
【実施例３】金メタロオーガニックを白金メタロオーガ
ニック（田中貴金属工業製：ＥＳ−１６）に変えた以外
実施例２と同様にソーダライムガラス基板にスクリーン
印刷後、酸素濃度を７５ｖｏｌ％とし、昇温速度３０℃
／分、５００℃にて１０分間保持して焼成した。その結
果形成した白金薄膜は銀色光沢を持った膜面となった。
ニック（田中貴金属工業製：ＥＳ−１６）に変えた以外
実施例２と同様にソーダライムガラス基板にスクリーン
印刷後、酸素濃度を７５ｖｏｌ％とし、昇温速度３０℃
／分、５００℃にて１０分間保持して焼成した。その結
果形成した白金薄膜は銀色光沢を持った膜面となった。
【００１１】
【発明の効果】以上の説明からも明らかのように、ソー
ダライムガラス等の低軟化点基板に対して、薄膜形成材
料を用いて薄膜を形成させるには、従来の大気中での焼
成では高い温度が必要となり該基板を軟化させてしまい
薄膜を形成させることができなかったが、本発明の方法
によれば、低い温度で焼成できしかも形成した薄膜が、
高い温度で形成したものと同等のものを得ることができ
るという従来の課題を解決することのできる方法であ
る。
ダライムガラス等の低軟化点基板に対して、薄膜形成材
料を用いて薄膜を形成させるには、従来の大気中での焼
成では高い温度が必要となり該基板を軟化させてしまい
薄膜を形成させることができなかったが、本発明の方法
によれば、低い温度で焼成できしかも形成した薄膜が、
高い温度で形成したものと同等のものを得ることができ
るという従来の課題を解決することのできる方法であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/15 Ｈ０５Ｋ 3/12 Ｂ 6736−4Ｅ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 薄膜形成材料を焼成する際、焼成温度が
５００〜６００℃の時にはガス中の酸素濃度を７５ｖｏ
ｌ％以上の雰囲気で焼成し、焼成温度が６００℃を超え
７００℃以下の時にはガス中の酸素濃度を５０ｖｏｌ％
以上の雰囲気で焼成することを特徴とする薄膜形成材料
の焼成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3171634A JPH05856A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 薄膜形成材料の焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3171634A JPH05856A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 薄膜形成材料の焼成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05856A true JPH05856A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15926832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3171634A Pending JPH05856A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 薄膜形成材料の焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05856A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12479516B2 (en) | 2022-03-04 | 2025-11-25 | Kubota Corporation | Multipurpose vehicle |
-
1991
- 1991-06-17 JP JP3171634A patent/JPH05856A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12479516B2 (en) | 2022-03-04 | 2025-11-25 | Kubota Corporation | Multipurpose vehicle |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940006843B1 (ko) | 바아 코드 라벨 | |
| JPS6314841B2 (ja) | ||
| US4322316A (en) | Thick film conductor employing copper oxide | |
| EP0222075B1 (en) | Process for manufacturing thick-film electrical components | |
| EP0047071B1 (en) | Thick film conductor employing nickel oxide | |
| US4397915A (en) | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| JPS589059B2 (ja) | ラスタ−フイルム被覆法 | |
| CN1035396A (zh) | 用红外线炉制造铜厚膜导体的方法 | |
| JPH05856A (ja) | 薄膜形成材料の焼成方法 | |
| US3769382A (en) | Method of preparing ruthenium- or iridium-containing components for resistors | |
| US3681261A (en) | Resistors,compositions,pastes,and method of making and using same | |
| US4985071A (en) | Process for producing a base metal thin film and an electronic device using the same | |
| JPS60243280A (ja) | 透明電極形成方法 | |
| KR900006631B1 (ko) | 조절된 분위기 중에서의 소성 공정 | |
| JPS5815576A (ja) | 空気中で▲か▼焼し得る電気回路形成用インク | |
| US4317749A (en) | Thick film conductor employing cobalt oxide | |
| JPS60243279A (ja) | 透明電極形成方法 | |
| JPS603724B2 (ja) | 透明導電性パタ−ンの形成方法 | |
| JPS63170813A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| FR2683814A1 (fr) | Procede de cuisson haute temperature d'un materiau resistif a base d'oxyde de ruthenium ou de ses composes. | |
| JPS605077B2 (ja) | メタライズ用組成物 | |
| JPS6314481B2 (ja) | ||
| JPH0480373A (ja) | 基材の表面処理方法 | |
| JPS59149963A (ja) | 透明導電膜の製造法 | |
| JPS59164685A (ja) | 非酸化物系セラミツク配線板用基板の製造方法 |