JPS60243280A - 透明電極形成方法 - Google Patents
透明電極形成方法Info
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- JPS60243280A JPS60243280A JP9625184A JP9625184A JPS60243280A JP S60243280 A JPS60243280 A JP S60243280A JP 9625184 A JP9625184 A JP 9625184A JP 9625184 A JP9625184 A JP 9625184A JP S60243280 A JPS60243280 A JP S60243280A
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- C23C18/1279—Process of deposition of the inorganic material performed under reactive atmosphere, e.g. oxidising or reducing atmospheres
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、ガラス等の基板に有機金属化合物を含む透明
電極形成液を塗布して焼成する透明電極形成方法に関す
る。
電極形成液を塗布して焼成する透明電極形成方法に関す
る。
「徒来技術およびその問題点」
ガラス、セラミックス等の基板上に形成した酸化インジ
ウム、酸化スズ、酸化カドミウムなどからなる酸化物被
膜は透明で良好な導電性を示すことが知られており、液
晶表示素子、半導体素子などの電極として使用されたり
、窓ガラスなどの結露防止用電極として使用されている
。
ウム、酸化スズ、酸化カドミウムなどからなる酸化物被
膜は透明で良好な導電性を示すことが知られており、液
晶表示素子、半導体素子などの電極として使用されたり
、窓ガラスなどの結露防止用電極として使用されている
。
このような透明電極の形成方法として、金属酸化物を直
接基板にコーティングして被膜を形成する真空蒸着法や
、有機金属化合物を含む透明電極形成液を基板に塗布し
これを焼成して被膜を形成するスクリーン印刷法、ディ
ッピング法などが知られている。真空蒸着法では、比較
的低抵抗の透明電極を得やすいが、特殊な設備を要し、
バッチ式なので量産に適さない欠点がある。一方、スク
リーン印刷法やディッピング法は、比較的大がかりな設
備を要せず、量産に適しているが、低抵抗の透明電極を
得にくい欠点がある。
接基板にコーティングして被膜を形成する真空蒸着法や
、有機金属化合物を含む透明電極形成液を基板に塗布し
これを焼成して被膜を形成するスクリーン印刷法、ディ
ッピング法などが知られている。真空蒸着法では、比較
的低抵抗の透明電極を得やすいが、特殊な設備を要し、
バッチ式なので量産に適さない欠点がある。一方、スク
リーン印刷法やディッピング法は、比較的大がかりな設
備を要せず、量産に適しているが、低抵抗の透明電極を
得にくい欠点がある。
「発明の目的」
本発明の目的は、透明電極形成液を基板に塗布して焼成
する透明電極形成方法において、低抵抗の透明電極が得
られるようにすることにある「発明の構成」 本発明の透明電極形成方法は、有機金属化合物と有機バ
インダーと溶媒とを含む透明電極形成液を基板に塗布し
焼成する際に、焼成の前半を酸素が豊富な雰囲気下で行
ない、焼成の後半を酸素の乏しい雰囲気下で行なう方法
である。
する透明電極形成方法において、低抵抗の透明電極が得
られるようにすることにある「発明の構成」 本発明の透明電極形成方法は、有機金属化合物と有機バ
インダーと溶媒とを含む透明電極形成液を基板に塗布し
焼成する際に、焼成の前半を酸素が豊富な雰囲気下で行
ない、焼成の後半を酸素の乏しい雰囲気下で行なう方法
である。
このように、焼成の前半と後半とで酸素の含有量を変化
させることにより、有機金属の酸化をコントロールして
低抵抗の透明電極を形成することが可能となる。
させることにより、有機金属の酸化をコントロールして
低抵抗の透明電極を形成することが可能となる。
本発明において使用する透明電極形成液としては、イン
ジウムとスズとを含む非加水分解性の有機金属化合物と
、有機バインダーと、溶媒とからなる組成のものが好ま
しい。
ジウムとスズとを含む非加水分解性の有機金属化合物と
、有機バインダーと、溶媒とからなる組成のものが好ま
しい。
インジウムとスズとを含む非加水分解性の有機金属化合
物としては、例えばトリスアセチルアセトナートインジ
ウムＩｎ−（ａｃａｃ）、１、ビスアセチルアセトナー
トジブチルスズ５ｎＢｕ２ （ａｃａｃ）２などが挙げ
られる。この場合、スズ成分は有機金属化合物中、７．
５〜１５重量％が適当である。そして、有機金属化合物
の含有量は全組成物中３〜８重量％が好ましい。
物としては、例えばトリスアセチルアセトナートインジ
ウムＩｎ−（ａｃａｃ）、１、ビスアセチルアセトナー
トジブチルスズ５ｎＢｕ２ （ａｃａｃ）２などが挙げ
られる。この場合、スズ成分は有機金属化合物中、７．
５〜１５重量％が適当である。そして、有機金属化合物
の含有量は全組成物中３〜８重量％が好ましい。
有機バインダーとしては、例えばニトロセルロース、エ
チルセルロース、ベンジルセルロースなどのセルロース
化合物が使用できる。有機バインダーの含有量は、スク
リーン印刷用のペーストの場合、全組成物中５〜２５重
量％、ディッピング用の液の場合、全組成物中１〜４重
量％が適当である。
チルセルロース、ベンジルセルロースなどのセルロース
化合物が使用できる。有機バインダーの含有量は、スク
リーン印刷用のペーストの場合、全組成物中５〜２５重
量％、ディッピング用の液の場合、全組成物中１〜４重
量％が適当である。
溶媒としては、スクリーン印刷用のペーストの場合は例
えばベンジルアルコール、ジプロピレングリコール、ベ
ンジルアセテートなどの高沸点溶媒が主として用いられ
、ディッピング用の液の場合は例えばメチルエチルケト
ンなどの低沸点溶媒が主として用いられる。なお、沸点
を調整するため、スクリーン印刷用のペーストの場合に
微量の低沸点溶媒を添加し、あるいはディッピング用の
液の場合に微量の高沸点溶媒を添加してもよい。
えばベンジルアルコール、ジプロピレングリコール、ベ
ンジルアセテートなどの高沸点溶媒が主として用いられ
、ディッピング用の液の場合は例えばメチルエチルケト
ンなどの低沸点溶媒が主として用いられる。なお、沸点
を調整するため、スクリーン印刷用のペーストの場合に
微量の低沸点溶媒を添加し、あるいはディッピング用の
液の場合に微量の高沸点溶媒を添加してもよい。
これらの溶媒は有機金属化合物、有機バインダーを除い
た残りの主たる成分をなすようにする。
た残りの主たる成分をなすようにする。
そして、上記のような透明電極形成液をスクリーン印刷
やディッピングにより基板に塗布する。その際、有機金
属化合物として上記のような非加水分解性のものを使用
した場合には、湿度条件を特に限定する必要がなく、ま
た、透明電極形成液の保存寿命も向上する。
やディッピングにより基板に塗布する。その際、有機金
属化合物として上記のような非加水分解性のものを使用
した場合には、湿度条件を特に限定する必要がなく、ま
た、透明電極形成液の保存寿命も向上する。
本発明の好ましい態様においては、透明電極形成液を塗
布した後、紫外線を照射する。紫外線としては、好まし
くは１８４．９ｎ鵬から２５３．７ｎ腸に波長のピーク
を持つものが使用され、これを例えば３．５分／４ｍｗ
／ｃｒｎ’の割合で基板に照射して、発生するオゾン（
０３）により有機鎖分解と強制酸化を行ない、有機成分
を燃えやすくする。これによって、膜質が均一化する。
布した後、紫外線を照射する。紫外線としては、好まし
くは１８４．９ｎ鵬から２５３．７ｎ腸に波長のピーク
を持つものが使用され、これを例えば３．５分／４ｍｗ
／ｃｒｎ’の割合で基板に照射して、発生するオゾン（
０３）により有機鎖分解と強制酸化を行ない、有機成分
を燃えやすくする。これによって、膜質が均一化する。
なお、この紫外線照射は本発明において必ずしも必要な
ものではなく、上記のように透明電極形成液を基板に塗
布した後、そのまま焼成を行なってもよい。
ものではなく、上記のように透明電極形成液を基板に塗
布した後、そのまま焼成を行なってもよい。
本発明において、焼成は種々の加熱手段を用いて行なう
ことができ、加熱温度は４００〜８００℃が適当である
。本発明のより好ましい態様においては、焼成は近赤外
線を基板に照射して行なう、ここで近赤外線とは可視光
線に近い赤外線のことで、波長０．８延から２．５路程
度のものをさす、近赤外線照射により基板は放射あるい
は輻射による直接加熱がなされ、ヒーティングレイト（
基板表面の温度が１００℃から５００℃に連するまでの
時間）が短縮される。これにより、溶媒や有機バインダ
ー成分の揮発と、有機金属化合物の熱分解とがほぼ同時
に進行し、膜質および膜厚がさらに均一化される。ヒー
ティングレイトは０．５〜３分の間に調整することが好
ましい、ヒーティングレイトが０．５分未満ではガラス
等の基板を用いた場合、基板が割れる虞れがあり、３分
を超えると透明電極の膜厚を均一にする効果が乏しくな
る。
ことができ、加熱温度は４００〜８００℃が適当である
。本発明のより好ましい態様においては、焼成は近赤外
線を基板に照射して行なう、ここで近赤外線とは可視光
線に近い赤外線のことで、波長０．８延から２．５路程
度のものをさす、近赤外線照射により基板は放射あるい
は輻射による直接加熱がなされ、ヒーティングレイト（
基板表面の温度が１００℃から５００℃に連するまでの
時間）が短縮される。これにより、溶媒や有機バインダ
ー成分の揮発と、有機金属化合物の熱分解とがほぼ同時
に進行し、膜質および膜厚がさらに均一化される。ヒー
ティングレイトは０．５〜３分の間に調整することが好
ましい、ヒーティングレイトが０．５分未満ではガラス
等の基板を用いた場合、基板が割れる虞れがあり、３分
を超えると透明電極の膜厚を均一にする効果が乏しくな
る。
そして、本発明においては、焼成工程の前半を酸素の豊
富な雰囲気下で行ない、焼成工程の後半を酸素の乏しい
雰囲気下で行なうようにする。酸素の豊富な雰囲気下の
焼成は、例えば空気中で行なうことができる。酸素の乏
しい雰囲気下の焼成は、例えばＮ２： ｏ２＝９：１の
気体中で行なうことができる。この場合、Ｎ２： ０２
＝８：ｌ とするには空気中にＮ２が８０％含まれてい
ることから、空気：窒素＝ １：Ｉの割合とすればよい
。このように、焼成工程の前半と後半とで酸素の含有量
を変化させることにより、有機金属の酸化をコントロー
ルして低抵抗の透明電極を形成することが可能となる。
富な雰囲気下で行ない、焼成工程の後半を酸素の乏しい
雰囲気下で行なうようにする。酸素の豊富な雰囲気下の
焼成は、例えば空気中で行なうことができる。酸素の乏
しい雰囲気下の焼成は、例えばＮ２： ｏ２＝９：１の
気体中で行なうことができる。この場合、Ｎ２： ０２
＝８：ｌ とするには空気中にＮ２が８０％含まれてい
ることから、空気：窒素＝ １：Ｉの割合とすればよい
。このように、焼成工程の前半と後半とで酸素の含有量
を変化させることにより、有機金属の酸化をコントロー
ルして低抵抗の透明電極を形成することが可能となる。
なお、焼成の後半においては、温度を徐々に低下させる
ことが好ましい。
ことが好ましい。
「発明の実施例」
トリスアセチルアセトナートインジウム８７．５重量％
、ビスアセチルアセトナートジブチルスズ１２．５重量
％からなる有機金属化合物５．５重量％、ニトロセルロ
ース２．５重量％、ベンジルアルコール２．０重量％、
メチルエチルケトン９０．０重量％からなる透明電極形
成液を作成した。
、ビスアセチルアセトナートジブチルスズ１２．５重量
％からなる有機金属化合物５．５重量％、ニトロセルロ
ース２．５重量％、ベンジルアルコール２．０重量％、
メチルエチルケトン９０．０重量％からなる透明電極形
成液を作成した。
この液にガラス基板を浸漬して引き上げ、液をガラス基
板に塗布した。
板に塗布した。
次に、紫外線を３．５分／４ｍｗ／ｃｔｎ”の割合で基
板に照射した。
板に照射した。
さらに、近赤外線を照射して焼成を行なった。
その場合、ヒーティングレイトは２分とし、温度り昇後
、前半の２０分間は５００℃とし、後半の１５分間は温
度を徐々に低下させた。このようすを第１図に示す。図
中、Ａはヒーティングレイトの時間、Ｂは前半の焼成の
時間、Ｃは後半の焼成の時間である。そして、前半Ｂの
焼成は空気中で行ない、後半Ｃの焼成はＮ２： ０２＝
ｌｌ：１の気体中で行なちだ。
、前半の２０分間は５００℃とし、後半の１５分間は温
度を徐々に低下させた。このようすを第１図に示す。図
中、Ａはヒーティングレイトの時間、Ｂは前半の焼成の
時間、Ｃは後半の焼成の時間である。そして、前半Ｂの
焼成は空気中で行ない、後半Ｃの焼成はＮ２： ０２＝
ｌｌ：１の気体中で行なちだ。
こうして得られた透明電極は均一な膜質および膜厚を有
し、透明度が良好であった。なお、膜厚は３００人、シ
ート抵抗はＩＫΩ／口であった。
し、透明度が良好であった。なお、膜厚は３００人、シ
ート抵抗はＩＫΩ／口であった。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、透明電極形成液
を基板に塗布し焼成する際に、焼成の前半を酸素が豊富
な雰囲気下で行ない、焼成の後半を酸素の乏しい雰囲気
下で行なうようにしたので、有機金属の酸化をコントロ
ールして低抵抗の透明電極を形成することができる。
を基板に塗布し焼成する際に、焼成の前半を酸素が豊富
な雰囲気下で行ない、焼成の後半を酸素の乏しい雰囲気
下で行なうようにしたので、有機金属の酸化をコントロ
ールして低抵抗の透明電極を形成することができる。
第１図は本発明の実施例における焼成温度および時間を
示す図表である。 第１図 ａ＃ 聞
示す図表である。 第１図 ａ＃ 聞
Claims (1)
- （１）有機金属化合物と有機バインダーと溶媒とを含む
透明電極形成液を基板に塗布して焼成する透明電極形成
方法において、焼成の前半を酸素が豊富な雰囲気下で行
ない、焼成の後半を酸素の乏しい雰囲気下で行なうこと
を特徴とする透明電極形成方法。 （２、特許請求の範囲第１項において、焼成の前半を空
気中で行ない、焼成の後半を窒素：酸素＝８：１の雰囲
気下で行なう透明電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9625184A JPS60243280A (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 透明電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9625184A JPS60243280A (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 透明電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60243280A true JPS60243280A (ja) | 1985-12-03 |
| JPH0220707B2 JPH0220707B2 (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=14159990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9625184A Granted JPS60243280A (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 透明電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60243280A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62297470A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | Nippon Soda Co Ltd | 金属酸化物薄膜形成用ペ−スト |
| WO2002050340A1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Advanced Photonics Technologies Ag | Electrode treatment |
| US6821575B2 (en) * | 2000-12-21 | 2004-11-23 | Advanced Photonics Technologies Ag | Electrode treatment |
| WO2005069402A1 (en) | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Deposition of conducting polymers |
| US7147805B2 (en) | 2002-06-28 | 2006-12-12 | Nichia Corporation | Composition for forming a transparent conducting film, solution for forming a transparent conducting film and method of forming a transparent conducting film |
| CN100336136C (zh) * | 2003-12-12 | 2007-09-05 | 日本曹达株式会社 | 透明导电膜形成液和包含该形成液的透明导电膜附着基体的制造方法 |
| JP2011060749A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 透明電極用有機電極の形成方法 |
-
1984
- 1984-05-14 JP JP9625184A patent/JPS60243280A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN1306522C (zh) * | 2002-06-28 | 2007-03-21 | 日亚化学工业株式会社 | 透明导电膜形成用组合物、透明导电膜形成用溶液以及透明导电膜的形成方法 |
| CN100336136C (zh) * | 2003-12-12 | 2007-09-05 | 日本曹达株式会社 | 透明导电膜形成液和包含该形成液的透明导电膜附着基体的制造方法 |
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| JP2011060749A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 透明電極用有機電極の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0220707B2 (ja) | 1990-05-10 |
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