JPH0585884A - 単結晶引上装置のインナーシールド - Google Patents
単結晶引上装置のインナーシールドInfo
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- JPH0585884A JPH0585884A JP3278247A JP27824791A JPH0585884A JP H0585884 A JPH0585884 A JP H0585884A JP 3278247 A JP3278247 A JP 3278247A JP 27824791 A JP27824791 A JP 27824791A JP H0585884 A JPH0585884 A JP H0585884A
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Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チャンバー内の雰囲気の汚染を防止すると共
に、廃ガスの流れをスムースとし、かつパーティクルの
発生を防止する。 【構成】 高純度のガラス状カーボンからなる円筒状の
シールド本体の表面に、高純度のガラス状カーボンの被
膜を形成することにより、インナーシールドの全てを高
純度のガラス状カーボンのみから形成し、かつその表面
を緻密で平滑とする。
に、廃ガスの流れをスムースとし、かつパーティクルの
発生を防止する。 【構成】 高純度のガラス状カーボンからなる円筒状の
シールド本体の表面に、高純度のガラス状カーボンの被
膜を形成することにより、インナーシールドの全てを高
純度のガラス状カーボンのみから形成し、かつその表面
を緻密で平滑とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー（Ｃ
Ｚ）法による単結晶引上装置においてヒーター等を同心
状に囲繞する円筒状のインナーシールド（保温筒）に関
する。
Ｚ）法による単結晶引上装置においてヒーター等を同心
状に囲繞する円筒状のインナーシールド（保温筒）に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の単結晶引上装置のインナ
ーシールドは、ヒーターとの間に形成される廃ガスの流
路の所要空断面積を確保するため、内外周に機械加工を
施して所要寸法とした円筒状の黒鉛材から形成されてい
る。
ーシールドは、ヒーターとの間に形成される廃ガスの流
路の所要空断面積を確保するため、内外周に機械加工を
施して所要寸法とした円筒状の黒鉛材から形成されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の単結晶引上装置のインナーシールドにおいては、黒
鉛材が多孔質で吸蔵ガスを有しているため、その放出に
よりチャンバー内の雰囲気を汚染するおそれがあると共
に、廃ガスの流れがスムースに行われず、かつパーティ
クルが発生する問題がある。
来の単結晶引上装置のインナーシールドにおいては、黒
鉛材が多孔質で吸蔵ガスを有しているため、その放出に
よりチャンバー内の雰囲気を汚染するおそれがあると共
に、廃ガスの流れがスムースに行われず、かつパーティ
クルが発生する問題がある。
【０００４】そこで、本発明は、吸蔵ガスの発生がなく
チャンバー内の雰囲気が汚染されることがないと共に、
廃ガスの流れがスムースとなり、かつパーティクルが発
生することのない単結晶引上装置のインナーシールドの
提供を目的とする。
チャンバー内の雰囲気が汚染されることがないと共に、
廃ガスの流れがスムースとなり、かつパーティクルが発
生することのない単結晶引上装置のインナーシールドの
提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の単結晶引上装置のインナーシールドは、高
純度のガラス状カーボンからなる円筒状のシールド本体
の表面に、高純度のガラス状カーボンの被膜を形成した
ものである。
め、本発明の単結晶引上装置のインナーシールドは、高
純度のガラス状カーボンからなる円筒状のシールド本体
の表面に、高純度のガラス状カーボンの被膜を形成した
ものである。
【０００６】
【作用】上記手段においては、インナーシールドの全て
が高純度のガラス状カーボンのみからなり、その表面が
緻密で平滑となる。ガラス状カーボンの不純物含有率
は、５ｐｐｍ以下が好ましく、５ｐｐｍを超えるとチャ
ンバー内の雰囲気を汚染するおそれがある。
が高純度のガラス状カーボンのみからなり、その表面が
緻密で平滑となる。ガラス状カーボンの不純物含有率
は、５ｐｐｍ以下が好ましく、５ｐｐｍを超えるとチャ
ンバー内の雰囲気を汚染するおそれがある。
【０００７】ガラス状カーボンの被膜は、５００〜１０
００μｍの厚さが好ましい。５００μｍ未満であると凹
部が完全に被われずパーティクルの発生源となり、１０
００μｍを超えるとシールド本体にクラックを発生す
る。
００μｍの厚さが好ましい。５００μｍ未満であると凹
部が完全に被われずパーティクルの発生源となり、１０
００μｍを超えるとシールド本体にクラックを発生す
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。先ず、液状の熱硬化性樹脂、例えばフラン樹脂、フ
ェノール樹脂等に有機スルホン酸を少量ずつ添加して常
温で重合させる操作を繰り返して行い、重合液を、内径
５００ｍｍ、外径６００ｍｍ、高さ８００ｍｍの円筒状
の型穴を有する成形型に注入して乾燥器内に納置して乾
燥後、脱型して樹脂円筒を得た。
る。先ず、液状の熱硬化性樹脂、例えばフラン樹脂、フ
ェノール樹脂等に有機スルホン酸を少量ずつ添加して常
温で重合させる操作を繰り返して行い、重合液を、内径
５００ｍｍ、外径６００ｍｍ、高さ８００ｍｍの円筒状
の型穴を有する成形型に注入して乾燥器内に納置して乾
燥後、脱型して樹脂円筒を得た。
【０００９】この樹脂円筒を焼成収縮後に所要寸法とな
るように、内周面、外周面及び端面に旋削加工等の機械
加工を施して焼成炭化後にシールド本体となるシールド
素体とした。この機械加工によってシールド素体中の独
立閉気孔が開口され、表面に球面状の凹部が形成され
た。
るように、内周面、外周面及び端面に旋削加工等の機械
加工を施して焼成炭化後にシールド本体となるシールド
素体とした。この機械加工によってシールド素体中の独
立閉気孔が開口され、表面に球面状の凹部が形成され
た。
【００１０】次に、上記シールド素体の表面を平滑にす
るため、内外周面及び端面に前述した重合液を充填し、
その乾燥後に更に重合液を全表面に塗布して乾燥炉中に
おいて１０℃／ｈの昇温速度で８０〜１００℃まで昇温
し、この温度で１０ｈ保持し乾燥させて樹脂膜を形成さ
せて樹脂円筒を得た。
るため、内外周面及び端面に前述した重合液を充填し、
その乾燥後に更に重合液を全表面に塗布して乾燥炉中に
おいて１０℃／ｈの昇温速度で８０〜１００℃まで昇温
し、この温度で１０ｈ保持し乾燥させて樹脂膜を形成さ
せて樹脂円筒を得た。
【００１１】その後、上記樹脂円筒を非酸化性雰囲気中
において、２〜３℃／ｈの昇温速度で１０００℃まで昇
温して焼成炭化し、三次元網目状のガラス構造とした
後、ハロゲンガス雰囲気中において２０００℃の温度で
純化処理を施してガラス状カーボンのインナーシールド
を得た。
において、２〜３℃／ｈの昇温速度で１０００℃まで昇
温して焼成炭化し、三次元網目状のガラス構造とした
後、ハロゲンガス雰囲気中において２０００℃の温度で
純化処理を施してガラス状カーボンのインナーシールド
を得た。
【００１２】ここで、シールド本体の気孔率（表面の凹
部も含む）は、５〜１０％であることが好ましい。気孔
率が５％未満であると、シールド本体にクラックを生
じ、１０％を超えると、ガスの放出量が多くなる。又、
被膜は、気孔率が０．３％以下で、かつ独立閉気孔の最
大径が１μｍ以下であることが好ましい。気孔率が１％
を超えると、廃ガスの流れがスムースとならなくなり、
又、独立閉気孔の最大径が１μｍを超えると、パーティ
クルの発生が多くなる。
部も含む）は、５〜１０％であることが好ましい。気孔
率が５％未満であると、シールド本体にクラックを生
じ、１０％を超えると、ガスの放出量が多くなる。又、
被膜は、気孔率が０．３％以下で、かつ独立閉気孔の最
大径が１μｍ以下であることが好ましい。気孔率が１％
を超えると、廃ガスの流れがスムースとならなくなり、
又、独立閉気孔の最大径が１μｍを超えると、パーティ
クルの発生が多くなる。
【００１３】なお、シールド素体の全表面に対する重合
液の塗布は、１回に限定されることはなく、２回以上の
塗布と乾燥を繰り返してもよく、このようにすることに
より、ガラス状カーボンの被膜の厚さを厚くすることが
可能となる。ガラス状カーボンの被膜は、シールド素体
との熱膨張差がないので厚くなってもよいが、５００〜
１０００μｍであることが好ましい。５０μｍ未満であ
ると凹部が完全に被われずパーティクルの発生源とな
り、１０００μｍを超えるとシールド本体にクラックを
発生することとなる。
液の塗布は、１回に限定されることはなく、２回以上の
塗布と乾燥を繰り返してもよく、このようにすることに
より、ガラス状カーボンの被膜の厚さを厚くすることが
可能となる。ガラス状カーボンの被膜は、シールド素体
との熱膨張差がないので厚くなってもよいが、５００〜
１０００μｍであることが好ましい。５０μｍ未満であ
ると凹部が完全に被われずパーティクルの発生源とな
り、１０００μｍを超えるとシールド本体にクラックを
発生することとなる。
【００１４】又は、シールド素体の凹部への充填は、そ
の独立閉気孔が小さい場合は行わなくよもよいが、シー
ルド素体が液状の熱硬化性樹脂に同種の樹脂粉末の添加
等によって独立閉気孔径が大きくなった場合には充填す
ることが好ましい。
の独立閉気孔が小さい場合は行わなくよもよいが、シー
ルド素体が液状の熱硬化性樹脂に同種の樹脂粉末の添加
等によって独立閉気孔径が大きくなった場合には充填す
ることが好ましい。
【００１５】ここで、上述したインナーシールドを備え
た単結晶引上装置を用いてシリコン単結晶を引き上げた
ところ、従来の黒鉛材からなる同一寸法のインナーシー
ルドを備えた単結晶引上装置を用いた場合に比べ、吸蔵
ガスの放出がなくなってシリコンインゴット単結晶が汚
染されることがなく、その歩留りが１５％向上すると共
に、ヒーターとの間に形成される廃ガス流路の廃ガスの
流れがスムースになり、かつパーティクルの発生が大幅
に減少した。
た単結晶引上装置を用いてシリコン単結晶を引き上げた
ところ、従来の黒鉛材からなる同一寸法のインナーシー
ルドを備えた単結晶引上装置を用いた場合に比べ、吸蔵
ガスの放出がなくなってシリコンインゴット単結晶が汚
染されることがなく、その歩留りが１５％向上すると共
に、ヒーターとの間に形成される廃ガス流路の廃ガスの
流れがスムースになり、かつパーティクルの発生が大幅
に減少した。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の単結晶引上
装置のインナーシールドによれば、インナーシールドの
全てが高純度のガラス状カーボンのみからなり、その表
面が緻密で平滑となるので、チャンバー内の雰囲気が従
来のように吸蔵ガスの放出によって汚染されることがな
い共に、廃ガスの流れがスムースになり、かつパーティ
クルが発生することないという効果を有する。
装置のインナーシールドによれば、インナーシールドの
全てが高純度のガラス状カーボンのみからなり、その表
面が緻密で平滑となるので、チャンバー内の雰囲気が従
来のように吸蔵ガスの放出によって汚染されることがな
い共に、廃ガスの流れがスムースになり、かつパーティ
クルが発生することないという効果を有する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 外谷 栄一 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミツクス株式会社小国製造所内
Claims (1)
- 【請求項１】 高純度のガラス状カーボンからなる円筒
状のシールド本体の表面に、高純度のガラス状カーボン
の被膜を形成したことを特徴とする単結晶引上装置のイ
ンナーシールド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3278247A JPH0774114B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 単結晶引上装置のインナーシールド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3278247A JPH0774114B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 単結晶引上装置のインナーシールド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0585884A true JPH0585884A (ja) | 1993-04-06 |
| JPH0774114B2 JPH0774114B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=17594675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3278247A Expired - Fee Related JPH0774114B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 単結晶引上装置のインナーシールド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774114B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001122662A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-08 | Hitachi Chem Co Ltd | ガラス状炭素の製造方法及び該製造方法で得られたガラス状炭素 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62297293A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-24 | Ibiden Co Ltd | 単結晶引上装置用発泡断熱材 |
| JPS6418986A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-23 | Toyo Tanso Co | Single crystal-lifting unit |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3278247A patent/JPH0774114B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62297293A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-24 | Ibiden Co Ltd | 単結晶引上装置用発泡断熱材 |
| JPS6418986A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-23 | Toyo Tanso Co | Single crystal-lifting unit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001122662A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-08 | Hitachi Chem Co Ltd | ガラス状炭素の製造方法及び該製造方法で得られたガラス状炭素 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0774114B2 (ja) | 1995-08-09 |
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