JPH0585895A - Ｂｉ系酸化物超電導薄膜及びその製造方法 - Google Patents
Ｂｉ系酸化物超電導薄膜及びその製造方法Info
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- JPH0585895A JPH0585895A JP3249365A JP24936591A JPH0585895A JP H0585895 A JPH0585895 A JP H0585895A JP 3249365 A JP3249365 A JP 3249365A JP 24936591 A JP24936591 A JP 24936591A JP H0585895 A JPH0585895 A JP H0585895A
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- based oxide
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】Ｔｃ，Ｊｃが高く、成膜速度が早く、しかも結
晶性や平滑性にすぐれたＢｉ系超電導薄膜及びその製造
方法を提供することにある。 【構成】５×１０-5Ｔｏｒｒの真空度まで排気し、酸素
を０．５Ｔｏｒｒから０．２Ｔｏｒｒ迄導入し、その後
基板加熱用ヒータ４により基板を６４０℃に加熱する。
ＡｒＦマキシマレーザー１を分割回転ターゲット６のＢ
ｉ2 Ｏ3 ，８の部分に５秒照射した後、分割回転ターゲ
ット６を回転し、Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx ，９に１２秒
照射し、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx いわゆるＢｉ系
の高Ｔｃ相を人工格子的に一層成長させ、これを１０回
くり返す。すなわち、高結晶性相層状成長体である中間
層を基板３上に形成する。中間層の形成後、さらに分割
回転ターゲット６を回転し、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3
Ｏx ，１０にレーザー１を１０分間照射し、高速成膜層
を形成する。
晶性や平滑性にすぐれたＢｉ系超電導薄膜及びその製造
方法を提供することにある。 【構成】５×１０-5Ｔｏｒｒの真空度まで排気し、酸素
を０．５Ｔｏｒｒから０．２Ｔｏｒｒ迄導入し、その後
基板加熱用ヒータ４により基板を６４０℃に加熱する。
ＡｒＦマキシマレーザー１を分割回転ターゲット６のＢ
ｉ2 Ｏ3 ，８の部分に５秒照射した後、分割回転ターゲ
ット６を回転し、Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx ，９に１２秒
照射し、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx いわゆるＢｉ系
の高Ｔｃ相を人工格子的に一層成長させ、これを１０回
くり返す。すなわち、高結晶性相層状成長体である中間
層を基板３上に形成する。中間層の形成後、さらに分割
回転ターゲット６を回転し、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3
Ｏx ，１０にレーザー１を１０分間照射し、高速成膜層
を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＢｉ系酸化物超電導薄膜
及びその製造方法に関するものである。
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｂｉ系酸化物超電導薄膜の製造方
法として、大別すると以下のようなものがある。
法として、大別すると以下のようなものがある。
【０００３】(1) 成膜方式として、真空蒸着，スパッ
タリング，レーザーアブレーション法などを用い、２つ
以上の蒸発源あるいはターゲットを使用し、それらを、
例えばＢｉ2 Ｏ3 とＳｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ、又はＢｉ，
Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕの４つの蒸発源を交互に積層し、人工
格子的に製造する方法がある。
タリング，レーザーアブレーション法などを用い、２つ
以上の蒸発源あるいはターゲットを使用し、それらを、
例えばＢｉ2 Ｏ3 とＳｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ、又はＢｉ，
Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕの４つの蒸発源を交互に積層し、人工
格子的に製造する方法がある。
【０００４】(2) 一方、化学蒸着法（ＣＶＤ）や１つ
のターゲットを用いたレーザーアブレーション法などの
成膜法も試みられている。
のターゲットを用いたレーザーアブレーション法などの
成膜法も試みられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前者の方法の利点は、
基板としてＭｇＯ（１００）、ＳｒＴｉＯ3 （１０
０）、ＺｒＯ2 （１００）などの単結晶を用いた場合、
得られたＢｉ系酸化物超電導薄膜は、単結晶化あるい
は、Ｃ軸配向しやすく、またその結晶性は非常に良好で
ある。また、基板が多結晶の場合、例えば、安定化ジル
コニア（ＹＳＺ）などを用いた場合でも、Ｃ軸配向しや
すい。また、これらの人工格子的な成膜法によれば、膜
表面が平滑であるという特徴をもつ。
基板としてＭｇＯ（１００）、ＳｒＴｉＯ3 （１０
０）、ＺｒＯ2 （１００）などの単結晶を用いた場合、
得られたＢｉ系酸化物超電導薄膜は、単結晶化あるい
は、Ｃ軸配向しやすく、またその結晶性は非常に良好で
ある。また、基板が多結晶の場合、例えば、安定化ジル
コニア（ＹＳＺ）などを用いた場合でも、Ｃ軸配向しや
すい。また、これらの人工格子的な成膜法によれば、膜
表面が平滑であるという特徴をもつ。
【０００６】しかしながら、本方法では、層状に原子層
レベルでの膜成長を行わせるため、すなわち原子層レベ
ルでの成膜制御が必要なため成膜速度を大きくできな
い。したがって成膜に時間がかかり、生産性が悪い。ま
た、この方式の場合、現状では臨界温度（Ｔｃ）もバル
ク材に比較して低く、また臨界電流密度（Ｊｃ）も非常
に低かった。
レベルでの膜成長を行わせるため、すなわち原子層レベ
ルでの成膜制御が必要なため成膜速度を大きくできな
い。したがって成膜に時間がかかり、生産性が悪い。ま
た、この方式の場合、現状では臨界温度（Ｔｃ）もバル
ク材に比較して低く、また臨界電流密度（Ｊｃ）も非常
に低かった。
【０００７】又、後者の方法では、条件を適当に選択し
た場合、Ｔｃ，Ｊｃが高いものが得られ、しかも、成膜
速度が非常に早く、生産性に優れている。
た場合、Ｔｃ，Ｊｃが高いものが得られ、しかも、成膜
速度が非常に早く、生産性に優れている。
【０００８】しかしながら、得られた膜の結晶性は、単
結晶基板を用いた場合はＣ軸配向はするがその結晶性は
あまり良好でない。また、前項に述べたような多結晶基
板の場合Ｃ軸配向しにくいといった問題点がある。
結晶基板を用いた場合はＣ軸配向はするがその結晶性は
あまり良好でない。また、前項に述べたような多結晶基
板の場合Ｃ軸配向しにくいといった問題点がある。
【０００９】即ち以上のように、前記(1) にのべたよう
な人工格子的手法によれば、膜の結晶性、平滑性は良好
であるが成膜速度が遅く、Ｔｃ，Ｊｃも低く、またＣＶ
Ｄ法や通常の単一ターゲットによるレーザーアブレーシ
ョン等の高速成膜手法では、成膜速度が大きく、Ｔｃ，
Ｊｃも高いが、その結晶性が悪いというような問題点が
あった。
な人工格子的手法によれば、膜の結晶性、平滑性は良好
であるが成膜速度が遅く、Ｔｃ，Ｊｃも低く、またＣＶ
Ｄ法や通常の単一ターゲットによるレーザーアブレーシ
ョン等の高速成膜手法では、成膜速度が大きく、Ｔｃ，
Ｊｃも高いが、その結晶性が悪いというような問題点が
あった。
【００１０】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消し、Ｔｃ，Ｊｃが高く、成膜速度が早く、しかも
結晶性や平滑性にすぐれたＢｉ系超電導薄膜及びその製
造方法を提供することにある。
を解消し、Ｔｃ，Ｊｃが高く、成膜速度が早く、しかも
結晶性や平滑性にすぐれたＢｉ系超電導薄膜及びその製
造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の上記目的
は、基板の上に、１〜１００層のＢｉ系酸化物超電導体
を形成する組成の単結晶層を人工格子的に中間層として
有し、更にその上にＢｉ系酸化物超電導体の薄膜を有す
ることを特徴とするＢｉ系酸化物超電導薄膜、及び基板
上に当初Ｂｉ系酸化物超電導体の組成の単結晶を２つ以
上の蒸発源を使用して次々に重ねて繰返し蒸着させ、最
終的にその上にＢｉ系酸化物超電導体薄膜を蒸着せしめ
ることを特徴とするＢｉ系酸化物超電導薄膜の製造方法
によって達成される。
は、基板の上に、１〜１００層のＢｉ系酸化物超電導体
を形成する組成の単結晶層を人工格子的に中間層として
有し、更にその上にＢｉ系酸化物超電導体の薄膜を有す
ることを特徴とするＢｉ系酸化物超電導薄膜、及び基板
上に当初Ｂｉ系酸化物超電導体の組成の単結晶を２つ以
上の蒸発源を使用して次々に重ねて繰返し蒸着させ、最
終的にその上にＢｉ系酸化物超電導体薄膜を蒸着せしめ
ることを特徴とするＢｉ系酸化物超電導薄膜の製造方法
によって達成される。
【００１２】本発明のＢｉ系酸化物超電導薄膜として
は、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx だけでなく、もちろ
んＢｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ1 Ｃｕ2 Ｏx などの他のＢｉ2 Ｓｒ
2 Ｃａn-1 Ｃｕn Ｏx 相の形成を目的とすることも出来
る。また、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系でもよ
い。
は、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx だけでなく、もちろ
んＢｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ1 Ｃｕ2 Ｏx などの他のＢｉ2 Ｓｒ
2 Ｃａn-1 Ｃｕn Ｏx 相の形成を目的とすることも出来
る。また、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系でもよ
い。
【００１３】本発明のＢｉ系酸化物超電導体の組成の単
結晶層，即ち、高結晶性層状成長体である中間層の成膜
方式としては、ＡｒＦエキシマレーザーによるレーザー
アブレーション法だけでなく、他のＫｒＦ、ＸｅＣｌ等
のエキシマレーザーやＹＡＧレーザーを用いてもよい。
結晶層，即ち、高結晶性層状成長体である中間層の成膜
方式としては、ＡｒＦエキシマレーザーによるレーザー
アブレーション法だけでなく、他のＫｒＦ、ＸｅＣｌ等
のエキシマレーザーやＹＡＧレーザーを用いてもよい。
【００１４】又、高結晶性層状成長体である中間層の成
膜方式として多元レーザーアブレーション法が最も一般
的に使用し易いが、他の多元真空蒸着法や多元スパッタ
法、多元イオンビームスパッタ法などを用いてもよい。
膜方式として多元レーザーアブレーション法が最も一般
的に使用し易いが、他の多元真空蒸着法や多元スパッタ
法、多元イオンビームスパッタ法などを用いてもよい。
【００１５】本発明においてＢｉ系酸化物超電導体の薄
膜即ち高速成膜法の成膜方式として、単一ターゲットの
ＡｒＦエキシマレーザーアブレーション法だけでなく、
他のＫｒＦ、ＸｅＣｌ等の他のエキシマレーザーアブレ
ーション法や化学的蒸着法（ＣＶＤ）やイオンビームス
パッタ法を用いることも出来る。
膜即ち高速成膜法の成膜方式として、単一ターゲットの
ＡｒＦエキシマレーザーアブレーション法だけでなく、
他のＫｒＦ、ＸｅＣｌ等の他のエキシマレーザーアブレ
ーション法や化学的蒸着法（ＣＶＤ）やイオンビームス
パッタ法を用いることも出来る。
【００１６】更に本発明の上記中間層と高速成膜層を合
わせた膜厚は０．０１〜１０００μｍの範囲において適
用出来る。
わせた膜厚は０．０１〜１０００μｍの範囲において適
用出来る。
【００１７】
【作用】本発明は初めに基板上に人工格子的手法により
高結晶性層状成長体を中間層として成膜し、その上にＴ
ｃ，Ｊｃにすぐれた高速成膜層を形成させることによ
り、Ｔｃ，Ｊｃが高く成長速度が早く、しかも結晶性や
平滑性にすぐれたＢｉ系酸化物超電導薄膜を製造するこ
とが出来る。
高結晶性層状成長体を中間層として成膜し、その上にＴ
ｃ，Ｊｃにすぐれた高速成膜層を形成させることによ
り、Ｔｃ，Ｊｃが高く成長速度が早く、しかも結晶性や
平滑性にすぐれたＢｉ系酸化物超電導薄膜を製造するこ
とが出来る。
【００１８】
（実施例−１）図１に示すレーザーアブレーション装置
において、１０×１０×０．５ｍｍの多結晶ＹＳＺ（安
定化ジルコニア）基板３をとりつけた。５×１０-5Ｔｏ
ｒｒの真空度まで排気し、酸素を０．５Ｔｏｒｒから
０．２Ｔｏｒｒ迄導入し、その後基板加熱用ヒータ４に
より基板を６４０℃に加熱した。ＡｒＦマキシマレーザ
ー１を分割回転ターゲット６のＢｉ2 Ｏ3 ，８の部分に
５秒照射した後分割回転ターゲット６を回転し、Ｓｒ2
Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx ，９に１２秒照射し、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏx いわゆるＢｉ系の高Ｔｃ相（高臨界温度
相、１１０Ｋ相）を人工格子的に一層成長させ、これを
１０回くり返した。すなわち、高結晶性層状成長体であ
る中間層１１を基板３上に形成した。このときのレーザ
ーのパルスエネルギーは０．３Ｊ／ｃｍ2 、パルスのく
り返し周波数は２０Ｈｚである。
において、１０×１０×０．５ｍｍの多結晶ＹＳＺ（安
定化ジルコニア）基板３をとりつけた。５×１０-5Ｔｏ
ｒｒの真空度まで排気し、酸素を０．５Ｔｏｒｒから
０．２Ｔｏｒｒ迄導入し、その後基板加熱用ヒータ４に
より基板を６４０℃に加熱した。ＡｒＦマキシマレーザ
ー１を分割回転ターゲット６のＢｉ2 Ｏ3 ，８の部分に
５秒照射した後分割回転ターゲット６を回転し、Ｓｒ2
Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx ，９に１２秒照射し、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏx いわゆるＢｉ系の高Ｔｃ相（高臨界温度
相、１１０Ｋ相）を人工格子的に一層成長させ、これを
１０回くり返した。すなわち、高結晶性層状成長体であ
る中間層１１を基板３上に形成した。このときのレーザ
ーのパルスエネルギーは０．３Ｊ／ｃｍ2 、パルスのく
り返し周波数は２０Ｈｚである。
【００１９】中間層１１の形成後、さらに分割回転ター
ゲット６を回転し、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx ，１
０にレーザー１を１０分間照射し、高速成膜層１２を形
成した。このときのレーザーのパルスエネルギーは２Ｊ
／ｃｍ2 、パルスのくり返し周波数は１００Ｈｚであ
る。
ゲット６を回転し、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx ，１
０にレーザー１を１０分間照射し、高速成膜層１２を形
成した。このときのレーザーのパルスエネルギーは２Ｊ
／ｃｍ2 、パルスのくり返し周波数は１００Ｈｚであ
る。
【００２０】本方法で得られた膜の膜厚は約３μｍであ
り、また、膜表面は非常に平滑であった。またＸ線回折
を行った結果、その結晶構造は高Ｔｃ相のＣ軸配向膜で
あり、その半値幅は０．３°と非常に結晶性が良好であ
った。また、他の不純物相は全く認められなかった。ま
た、膜の超電導特性を直流四端子法で測定したときのＴ
ｃゼロ（抵抗がゼロになる温度）は１０３Ｋ，また７７
Ｋ，２０ＴでのＪｃは３×１０5 Ａ／ｃｍ2 であった。
り、また、膜表面は非常に平滑であった。またＸ線回折
を行った結果、その結晶構造は高Ｔｃ相のＣ軸配向膜で
あり、その半値幅は０．３°と非常に結晶性が良好であ
った。また、他の不純物相は全く認められなかった。ま
た、膜の超電導特性を直流四端子法で測定したときのＴ
ｃゼロ（抵抗がゼロになる温度）は１０３Ｋ，また７７
Ｋ，２０ＴでのＪｃは３×１０5 Ａ／ｃｍ2 であった。
【００２１】また、基板を変化させて、全く同様の成膜
を行なった場合の結果を表１に示す。膜厚はすべて約３
μｍである。
を行なった場合の結果を表１に示す。膜厚はすべて約３
μｍである。
【００２２】
【表１】
【００２３】（実施例−２）図１に示すレーザーアブレ
ーション装置に図４に示す回転分割ターゲット６をとり
つけ、また２０×２０×１ｍｍのＳｉ単結晶（１００）
基板３をとりつけた。５×１０-5Ｔｏｒｒの真空度まで
排気し、酸素導入口５から酸素を０．２Ｔｏｒｒ導入
し、その後基板加熱用ヒータ４により基板を６４０℃に
加熱した。ＡｒＦエキシマレーザー１を分割ターゲット
６のＡｌ2 Ｏ3 ，１３に４０秒照射しバリヤ層１４を形
成させた後、分割回転ターゲット６のＢｉ2 Ｏ3 ，８に
５秒、次にＳｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx ，９に１２秒照射
し、さらにＢｉ2 Ｏ3 ，８に５秒照射、Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃ
ｎ3 Ｏx ，９に１２秒照射する操作を５回くり返し、す
なわち、高結晶性層状成長体である中間層１１を形成し
た。このときのレーザーのパルスエネルギーは０．３Ｊ
／ｃｍ2 、パルスのくり返し周波数は２０Ｈｚである。
ーション装置に図４に示す回転分割ターゲット６をとり
つけ、また２０×２０×１ｍｍのＳｉ単結晶（１００）
基板３をとりつけた。５×１０-5Ｔｏｒｒの真空度まで
排気し、酸素導入口５から酸素を０．２Ｔｏｒｒ導入
し、その後基板加熱用ヒータ４により基板を６４０℃に
加熱した。ＡｒＦエキシマレーザー１を分割ターゲット
６のＡｌ2 Ｏ3 ，１３に４０秒照射しバリヤ層１４を形
成させた後、分割回転ターゲット６のＢｉ2 Ｏ3 ，８に
５秒、次にＳｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx ，９に１２秒照射
し、さらにＢｉ2 Ｏ3 ，８に５秒照射、Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃ
ｎ3 Ｏx ，９に１２秒照射する操作を５回くり返し、す
なわち、高結晶性層状成長体である中間層１１を形成し
た。このときのレーザーのパルスエネルギーは０．３Ｊ
／ｃｍ2 、パルスのくり返し周波数は２０Ｈｚである。
【００２４】中間層１１の形成後、さらに分割回転ター
ゲット６を回転し、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｎ3 Ｏx ，１
０にレーザー１を１０分間照射し、高速成膜層１２を形
成した。このときのレーザーのパルスエネルギーは２Ｊ
／ｃｍ2 、パルスのくり返し周波数は１０００Ｈｚであ
る。
ゲット６を回転し、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｎ3 Ｏx ，１
０にレーザー１を１０分間照射し、高速成膜層１２を形
成した。このときのレーザーのパルスエネルギーは２Ｊ
／ｃｍ2 、パルスのくり返し周波数は１０００Ｈｚであ
る。
【００２５】本方法で得られた膜の膜厚は約３μｍであ
り、また膜表面は非常に平滑であった。またＸ線回折を
行った結果、その結晶構造は高Ｔｃ相のＣ軸配向膜であ
り、その半値幅は０．３°と非常に結晶性が良好であっ
た。また、他の不純物層は全く認められなかった。ま
た、膜の超電導特性を直流四端子法で測定したときのＴ
ｃゼロは１０１Ｋ、また７７Ｋ，ＯＴでのＪｃは１×１
０5 Ａ／ｃｍ2 であった。
り、また膜表面は非常に平滑であった。またＸ線回折を
行った結果、その結晶構造は高Ｔｃ相のＣ軸配向膜であ
り、その半値幅は０．３°と非常に結晶性が良好であっ
た。また、他の不純物層は全く認められなかった。ま
た、膜の超電導特性を直流四端子法で測定したときのＴ
ｃゼロは１０１Ｋ、また７７Ｋ，ＯＴでのＪｃは１×１
０5 Ａ／ｃｍ2 であった。
【００２６】
【発明の効果】1) 本発明の製造方法により、Ｔｃ，Ｊ
ｃ等の超電導特性にすぐれ、また、結晶性が良好で、表
面が平滑な膜を高速で得られる。
ｃ等の超電導特性にすぐれ、また、結晶性が良好で、表
面が平滑な膜を高速で得られる。
【００２７】2) 生産性が向上し、コストが下がる。
【図１】本発明の製造方法を用いた一実施例のレーザー
アブレーション方法の概略図。
アブレーション方法の概略図。
【図２】本発明の製造方法に用いる一実施例の分割回転
ターゲットの平面図。
ターゲットの平面図。
【図３】図２によって得られた超電導薄膜の横断面図、
【図４】本発明の製造方法に用いる他の実施例の分割回
転ターゲットの平面図。
転ターゲットの平面図。
【図５】図４によって得られた超電導薄膜の横断面図。
１ レーザー ２ 真空槽 ３ 基板 ４ 基板加熱用ヒータ ５ 酸素導入口 ６ 分割回転ターゲット ７ 排気口 ８ Ｂｉ2 Ｏ3 ９ Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx １０ Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx １１ 中間層（高結晶性層状成長体） １２ 高速成膜層 １３ Ａｌ2 Ｏ3 １４ バリヤ層
Claims (2)
- 【請求項１】基板の上に、１〜１００層のＢｉ系酸化物
超電導体を形成する組成の単結晶層を人工格子的に中間
層として有し、更にその上にＢｉ系酸化物超電導体の薄
膜を有することを特徴とするＢｉ系酸化物超電導薄膜。 - 【請求項２】基板上に当初Ｂｉ系酸化物超電導体の組成
の単結晶を２つ以上の蒸発源を使用して次々に重ねて繰
返し蒸着させ、最終的にその上にＢｉ系酸化物超電導体
薄膜を蒸着せしめることを特徴とするＢｉ系酸化物超電
導薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249365A JPH0585895A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | Ｂｉ系酸化物超電導薄膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249365A JPH0585895A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | Ｂｉ系酸化物超電導薄膜及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0585895A true JPH0585895A (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=17191944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3249365A Pending JPH0585895A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | Ｂｉ系酸化物超電導薄膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0585895A (ja) |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3249365A patent/JPH0585895A/ja active Pending
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