JPH0586643B2 - - Google Patents
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- JPH0586643B2 JPH0586643B2 JP58231805A JP23180583A JPH0586643B2 JP H0586643 B2 JPH0586643 B2 JP H0586643B2 JP 58231805 A JP58231805 A JP 58231805A JP 23180583 A JP23180583 A JP 23180583A JP H0586643 B2 JPH0586643 B2 JP H0586643B2
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
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- H10P14/2907—Materials being Group IIIA-VA materials
- H10P14/2911—Arsenides
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
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-
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
- H10P14/3202—Materials thereof
- H10P14/3214—Materials thereof being Group IIIA-VA semiconductors
- H10P14/3221—Arsenides
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
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- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
- H10P14/3421—Arsenides
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- H—ELECTRICITY
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3438—Doping during depositing
- H10P14/3441—Conductivity type
- H10P14/3442—N-type
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は、反応管と、反応管内に延びて反応管
内を複数の反応室に分割する仕切壁と、その上に
複数の異なる半導体層が気相成長される基板と、
前記複数の成長室に相互に種類の異なる反応ガス
を供給するガス管と、前記反応管内の反応ガスを
吸気するガス吸気管とを有する複数の異なる半導
体層の気相成長装置の分野に属する。
内を複数の反応室に分割する仕切壁と、その上に
複数の異なる半導体層が気相成長される基板と、
前記複数の成長室に相互に種類の異なる反応ガス
を供給するガス管と、前記反応管内の反応ガスを
吸気するガス吸気管とを有する複数の異なる半導
体層の気相成長装置の分野に属する。
(b) 従来の技術
従来、この種の複数の異なる半導体層の気相成
長装置は、例えば特開昭52−96865号公報に記載
されている。
長装置は、例えば特開昭52−96865号公報に記載
されている。
この気相成長装置は、反応管内部が、仕切壁に
よつて複数の成長室に分割された領域と、基板移
動のために、ガス流の下流側であつて分割されな
い領域とで構成されている。また、基板を保持す
る基板ホルダは、ガス流の下流側から挿抜自在に
設けられた棒状部材の先端に設けられている。
よつて複数の成長室に分割された領域と、基板移
動のために、ガス流の下流側であつて分割されな
い領域とで構成されている。また、基板を保持す
る基板ホルダは、ガス流の下流側から挿抜自在に
設けられた棒状部材の先端に設けられている。
この気相成長装置は、上記棒状部材を操作して
一方の成長室に挿入されている基板ホルダを上記
分割されない領域にまで一度引き抜き、続いて他
方の成長室にこれを挿入することで、各成長室間
の基板移動を行うものである。
一方の成長室に挿入されている基板ホルダを上記
分割されない領域にまで一度引き抜き、続いて他
方の成長室にこれを挿入することで、各成長室間
の基板移動を行うものである。
(c) 発明が解決しようとする課題
上記従来の複数の異なる半導体層の気相成長装
置では、上記分割されない領域は、、異なる種類
の反応ガスが混在する領域であるため、基板を移
動する時は、一時的にせよ基板上には所望しない
半導体層が成長してしまう。
置では、上記分割されない領域は、、異なる種類
の反応ガスが混在する領域であるため、基板を移
動する時は、一時的にせよ基板上には所望しない
半導体層が成長してしまう。
この所望しない半導体層が、ヘテロ接合界面あ
るいは不純物ドーピングの変調界面に形成されて
しまうと、ヘテロ接合界面のあるいはドーピング
変調界面の急峻性が失われるため、半導体デバイ
スの特性が劣化してしまう。
るいは不純物ドーピングの変調界面に形成されて
しまうと、ヘテロ接合界面のあるいはドーピング
変調界面の急峻性が失われるため、半導体デバイ
スの特性が劣化してしまう。
また、上記した複数の異なる半導体層の気相成
長装置では、基板を基板ホルダにより、挿入、引
き抜き、別成長室へ挿入するという操作が不可欠
で、装置の取り扱い作業が面倒である。
長装置では、基板を基板ホルダにより、挿入、引
き抜き、別成長室へ挿入するという操作が不可欠
で、装置の取り扱い作業が面倒である。
これらの問題は、従来の複数の異なる半導体層
の気相成長装置においては、反応管内部を複数の
成長室に分割している仕切壁が、反応管の長手方
向に長く延出しており、一つの成長室から他の成
長室に前記基板ホルダを移動する際にこの長く延
出した仕切壁の端部を通過しなければならないこ
とに起因するものである。
の気相成長装置においては、反応管内部を複数の
成長室に分割している仕切壁が、反応管の長手方
向に長く延出しており、一つの成長室から他の成
長室に前記基板ホルダを移動する際にこの長く延
出した仕切壁の端部を通過しなければならないこ
とに起因するものである。
本発明が解決しようとする課題は、基板ホルダ
が一つの成長室から他の成長室へ移動する際、反
応管内部を複数の反応室に分割している仕切壁の
端部を通過せずに済むようにすることである。
が一つの成長室から他の成長室へ移動する際、反
応管内部を複数の反応室に分割している仕切壁の
端部を通過せずに済むようにすることである。
(d) 課題を解決するための手段
上記課題を解決するため、本発明は、反応管
と、反応管内に延びて反応管内を複数の反応室に
分割する仕切壁と、その上に複数の異なる半導体
層が気相成長される基板と、前記複数の成長室に
相互に種類の異なる反応ガスを供給するガス管
と、前記反応管内の反応ガスを吸気するガス吸気
管とを有する複数の異なる半導体層の気相成長装
置において、 イ 前記仕切壁に連続して設けられ、前記仕切壁
と同様に前記分割された反応管内に延びて前記
反応管内を複数の反応室に分割すると共に、前
記複数の成長室を連通する窓が設けられた、高
周波電力の印加によつて発熱する固定サセプタ
と、 ロ 基板を保持する凹部を備え且つ前記窓を介し
て前記複数の成長室間をスライド移動可能に設
けられた、高周波電力の印加によつて発熱する
可動サセプタと、 ハ 前記固定サセプタと一体に形成され、前記複
数の成長室に跨がつて張り出して前記可動サセ
プタを支承し、高周波電力の印加によつて発熱
する支承部と、 ニ 前記固定サセプタ、可動サセプタおよび支承
部を高周波加熱するための高周波コイルとを設
ける、という手段を講じた。
と、反応管内に延びて反応管内を複数の反応室に
分割する仕切壁と、その上に複数の異なる半導体
層が気相成長される基板と、前記複数の成長室に
相互に種類の異なる反応ガスを供給するガス管
と、前記反応管内の反応ガスを吸気するガス吸気
管とを有する複数の異なる半導体層の気相成長装
置において、 イ 前記仕切壁に連続して設けられ、前記仕切壁
と同様に前記分割された反応管内に延びて前記
反応管内を複数の反応室に分割すると共に、前
記複数の成長室を連通する窓が設けられた、高
周波電力の印加によつて発熱する固定サセプタ
と、 ロ 基板を保持する凹部を備え且つ前記窓を介し
て前記複数の成長室間をスライド移動可能に設
けられた、高周波電力の印加によつて発熱する
可動サセプタと、 ハ 前記固定サセプタと一体に形成され、前記複
数の成長室に跨がつて張り出して前記可動サセ
プタを支承し、高周波電力の印加によつて発熱
する支承部と、 ニ 前記固定サセプタ、可動サセプタおよび支承
部を高周波加熱するための高周波コイルとを設
ける、という手段を講じた。
(e) 作用
本発明では、上記手段を講じたため、基板を保
持した可動サセプタ（基板ホルダとしても機能す
る）は、仕切壁としても機能する固定サセプタに
設けられた複数の成長室間を連通する窓を介して
各成長室の成長位置へ直接送り込みできる様にス
ライド移動できる。したがつて、基板を基板ホル
ダ（可動サセプタ）によつて一つの成長室から他
の成長室へ移動する際に、反応管内部に複数の成
長室に分割している仕切壁（固定サセプタ）の端
部を通過しなくて済む。
持した可動サセプタ（基板ホルダとしても機能す
る）は、仕切壁としても機能する固定サセプタに
設けられた複数の成長室間を連通する窓を介して
各成長室の成長位置へ直接送り込みできる様にス
ライド移動できる。したがつて、基板を基板ホル
ダ（可動サセプタ）によつて一つの成長室から他
の成長室へ移動する際に、反応管内部に複数の成
長室に分割している仕切壁（固定サセプタ）の端
部を通過しなくて済む。
(f) 発明の実施例
以下、本発明に関する実施例を第１図〜第６図
を参照しながら詳細に説明する。
を参照しながら詳細に説明する。
第１実施例
本実施例は、縦型反応管からなる複数の異なる
半導体層の気相成長装置に本発明を適用したもの
である。
半導体層の気相成長装置に本発明を適用したもの
である。
本実施例を説明するための第１図における気相
成長装置の各部は次のとおりである。
成長装置の各部は次のとおりである。
１は石英製の反応管、２は反応管１と同軸配置
され、反応管内部を画定する石英製のライナ管３
はライナ管２の中央部に位置し、ライナ管２の内
部を分割する石英製の仕切壁である。
され、反応管内部を画定する石英製のライナ管３
はライナ管２の中央部に位置し、ライナ管２の内
部を分割する石英製の仕切壁である。
上記仕切壁３は、ライナ管２によつて画定され
た反応管１の内部を二室の成長室に分割する役割
をもつている。
た反応管１の内部を二室の成長室に分割する役割
をもつている。
また、４は仕切壁３と連続してその下方に設け
られ、仕切壁３と同様にライナ管２の内部を二室
の成長室に分割するカーボン製の固定サセプタ、
５は固定サセプタ４に開口された二室の成長室に
跨がる窓、６は複数の異なる半導体層の気相成長
対象の基板、７は基板６を収納する凹部を備えて
基板６の表面の高さがその表面を越えない様にな
されたカーボン製の可動サセプタ、８は可動サセ
プタ７に接続されてこれを回転する石英製の回転
軸、９は固定サセプタ４と一体的に形成され、分
割された二室の成長室に跨がつて可動サセプタ７
を支承する支承部である。
られ、仕切壁３と同様にライナ管２の内部を二室
の成長室に分割するカーボン製の固定サセプタ、
５は固定サセプタ４に開口された二室の成長室に
跨がる窓、６は複数の異なる半導体層の気相成長
対象の基板、７は基板６を収納する凹部を備えて
基板６の表面の高さがその表面を越えない様にな
されたカーボン製の可動サセプタ、８は可動サセ
プタ７に接続されてこれを回転する石英製の回転
軸、９は固定サセプタ４と一体的に形成され、分
割された二室の成長室に跨がつて可動サセプタ７
を支承する支承部である。
上記の固定サセプタ４や基板６が収納される可
動サセプタ７、支承部９などはカーボン製であ
り、図示しない高周波コイルからの高周波電力の
印加によつて発熱する。カーボン素材は加工が容
易なため、仕切壁構造などが精密に作成でき、分
割された二室の成長空間のガス洩れを非常に小さ
くし得る。また、可動サセプタ７と支承部９の間
のスライド潤滑性も良好であるので、基板６の二
室の成長室間での移動を繰り返すことも容易であ
る。
動サセプタ７、支承部９などはカーボン製であ
り、図示しない高周波コイルからの高周波電力の
印加によつて発熱する。カーボン素材は加工が容
易なため、仕切壁構造などが精密に作成でき、分
割された二室の成長空間のガス洩れを非常に小さ
くし得る。また、可動サセプタ７と支承部９の間
のスライド潤滑性も良好であるので、基板６の二
室の成長室間での移動を繰り返すことも容易であ
る。
また、１０と１１は仕切壁３にて分割された二
室それぞれに異なる原料ガスを流すガス管、１３
はステンレス製のマニホールド、１４はガス吸気
管、１５は回転軸８に接続されて可動サセプタ７
に収納された基板６の移動を制御する基板移動制
御部、１６はマニホールド１３は反応管１とを締
結する締結リングである。
室それぞれに異なる原料ガスを流すガス管、１３
はステンレス製のマニホールド、１４はガス吸気
管、１５は回転軸８に接続されて可動サセプタ７
に収納された基板６の移動を制御する基板移動制
御部、１６はマニホールド１３は反応管１とを締
結する締結リングである。
マニホールド１３は、二室に分割された成長室
内のガスをガス吸気管１４に送出しており、マニ
ホールド１３の上下の締結リング１６を緩めれ
ば、反応管１内のライナ管２を下方に引き出すと
共に、ライナ管２から固定サセプタ４や可動サセ
プタ７、支承部９などのサセプタ組み立て体を反
応管の管軸に沿つて引き出して基板６を取り出す
ことができる。
内のガスをガス吸気管１４に送出しており、マニ
ホールド１３の上下の締結リング１６を緩めれ
ば、反応管１内のライナ管２を下方に引き出すと
共に、ライナ管２から固定サセプタ４や可動サセ
プタ７、支承部９などのサセプタ組み立て体を反
応管の管軸に沿つて引き出して基板６を取り出す
ことができる。
第２図は第１図における固定サセプタ４、可動
サセプタ７、支承部９などのサセプタ組み立て体
の要部構成を示す側面図、第３図はその上面図で
ある。図中、第１図と同一部位には同一の参照番
号が付与されている。
サセプタ７、支承部９などのサセプタ組み立て体
の要部構成を示す側面図、第３図はその上面図で
ある。図中、第１図と同一部位には同一の参照番
号が付与されている。
１７が可動サセプタ７に設けられて基板６を収
納する凹部である。
納する凹部である。
可動サセプタ７は、基板移動制御部１５に制御
された回転軸８にて駆動され、固定サセプタ４に
設けられた窓５を経て左右の成長室の間をスライ
ド移動できる。
された回転軸８にて駆動され、固定サセプタ４に
設けられた窓５を経て左右の成長室の間をスライ
ド移動できる。
つぎに、本実施例の複数の異なる半導体層の気
相成長装置を用いて、GaAsよりなる基板上にノ
ンドーブGaAsよりなるFETバツフア層と、ｎ−
GaAsよりなるFET動作層を連続して成長する例
を説明する。
相成長装置を用いて、GaAsよりなる基板上にノ
ンドーブGaAsよりなるFETバツフア層と、ｎ−
GaAsよりなるFET動作層を連続して成長する例
を説明する。
まず、二室に分割された成長室の一方側には、
ガス管１０を介してFETバツフア層を形成する
ための原料ガスを導入する。
ガス管１０を介してFETバツフア層を形成する
ための原料ガスを導入する。
ガス管１０に導入される原料ガスは、ノンドー
プGaAsを成長するためのものであり、水素、ア
ルシン（AsH3）、トリメチルガリユウムTMG
〔GaCH3）3〕からなつている。
プGaAsを成長するためのものであり、水素、ア
ルシン（AsH3）、トリメチルガリユウムTMG
〔GaCH3）3〕からなつている。
また、二室に分割された成長室の他方側には、
ガス管１１を介してFET動作層を形成するため
の原料ガスを導入する。
ガス管１１を介してFET動作層を形成するため
の原料ガスを導入する。
ガス管１１に導入される原料ガスは、ｎ−
GaAsを成長するものであり、水素、アルシン、
トリメチルガリユウムTMG、硫化水素（H2Ｓ）
からなつている。
GaAsを成長するものであり、水素、アルシン、
トリメチルガリユウムTMG、硫化水素（H2Ｓ）
からなつている。
反応管１内で、ライナ管２によつて画定された
成長室１の内部を二室に分割する固定サセプタ
４、GaAsよりなる基板６を収容する可動サセプ
タ７および支承部９は、図示しない高周波コイル
によつて約700℃に加熱される。
成長室１の内部を二室に分割する固定サセプタ
４、GaAsよりなる基板６を収容する可動サセプ
タ７および支承部９は、図示しない高周波コイル
によつて約700℃に加熱される。
かかる状態で時間をコントロールし、前記一方
側の成長室で先ず、FETバツフア層となるノン
ドープGaAsを成長した後、基板移動制御部１５
にて回転軸８を回転し、可動サセプタ７を半回転
して基板６を他方側の成長室に移動し、FET動
作層となるｎ−GaAsを成長する。
側の成長室で先ず、FETバツフア層となるノン
ドープGaAsを成長した後、基板移動制御部１５
にて回転軸８を回転し、可動サセプタ７を半回転
して基板６を他方側の成長室に移動し、FET動
作層となるｎ−GaAsを成長する。
第２実施例
第４図は本発明の横型反応管に適用した第２実
施例を説明するための斜視図である。
施例を説明するための斜視図である。
同図中、第１図と同一機能部は同一参照番号が
付与してある。ただし、第１図における反応管１
は図示されていない。
付与してある。ただし、第１図における反応管１
は図示されていない。
本実施例では、第４図に示されるように、ライ
ナ管２の内部が、石英製の仕切壁３と、それに連
接するカーボン製の固定サセプタ４にて分割され
て二室の成長室が形成されている。
ナ管２の内部が、石英製の仕切壁３と、それに連
接するカーボン製の固定サセプタ４にて分割され
て二室の成長室が形成されている。
また固定サセプタ４には二室の成長室間を連通
する窓５と、固定サセプタ４に一体に形成された
支承部９とが設けられており、支承部９の面上に
は基板６を収納する可動サセプタ７が回転可能に
配置されている。
する窓５と、固定サセプタ４に一体に形成された
支承部９とが設けられており、支承部９の面上に
は基板６を収納する可動サセプタ７が回転可能に
配置されている。
第１図の縦型反応管の構造との主たる相違は、
可動サセプタ７の駆動部、即ち、回転軸８はカー
ボン製のギヤー１８を介して水平駆動軸１９によ
り駆動されることにある。
可動サセプタ７の駆動部、即ち、回転軸８はカー
ボン製のギヤー１８を介して水平駆動軸１９によ
り駆動されることにある。
本実施例においても、第１実施例と同様に可動
サセプタ７は固定サセプタ４に設けられた窓５を
経て２つの成長室の間をスライド移動できる。
サセプタ７は固定サセプタ４に設けられた窓５を
経て２つの成長室の間をスライド移動できる。
第３実施例
以上説明した第１、第２の実施例では基板の反
応室間の移動は何れも可動サセプタの回転による
スライド移動であつたが、これに代えて水平面内
のスライド移動を採用することもできる。
応室間の移動は何れも可動サセプタの回転による
スライド移動であつたが、これに代えて水平面内
のスライド移動を採用することもできる。
第５図は基板を水平面内でスライド移動する複
数の異なる半導体層の気相成長装置の要部断面図
であり、第６図は第５図の斜視図である。
数の異なる半導体層の気相成長装置の要部断面図
であり、第６図は第５図の斜視図である。
第５図と第６図において、二室の成長室を形成
する仕切壁３或いは固定サセプタ４、固定サセプ
タ４と一体に形成される支承部９などの基本的構
造は、第１図と同じである。
する仕切壁３或いは固定サセプタ４、固定サセプ
タ４と一体に形成される支承部９などの基本的構
造は、第１図と同じである。
図中、２０は固定サセプタ４の窓５内を左右方
向に摺動する可動サセプタであり、これには基板
６を収納する凹部が設けられている。２１は支承
部９上面に設けられたスライドガイドをなすレー
ル、２２は前記可動サセプタ２０の底面側の一側
面に設けられたラツクギヤー、２３はラツクギヤ
ー２２と噛み合うピニオンギヤーである。
向に摺動する可動サセプタであり、これには基板
６を収納する凹部が設けられている。２１は支承
部９上面に設けられたスライドガイドをなすレー
ル、２２は前記可動サセプタ２０の底面側の一側
面に設けられたラツクギヤー、２３はラツクギヤ
ー２２と噛み合うピニオンギヤーである。
ピニオンギヤー２３はライナ管２の中心の回転
軸８を経て、図示しない基板移動制御部（第１図
参照）で駆動される。そして、回転軸８の正負回
転方向を変えることにより、可動サセプタ７は固
定サセプタ４に設けられた窓５を経て２つの成長
室の間をスライド移動できる。
軸８を経て、図示しない基板移動制御部（第１図
参照）で駆動される。そして、回転軸８の正負回
転方向を変えることにより、可動サセプタ７は固
定サセプタ４に設けられた窓５を経て２つの成長
室の間をスライド移動できる。
(g) 発明の効果
本発明によれば、固定サセプタおよび固定サセ
プタと一体に形成されている支承部が、可動サセ
プタと共に高周波コイルからの電力印加によつて
発熱するため、可動サセプタの発熱量が変化して
も（可動サセプタは、その移動によつて高周波コ
イルとの相対的な位置関係が変動し、その発熱量
が変動する恐れがあるのであるが）、基板を加熱
するための総発熱量は殆ど変化せず、このため、
基板の加熱温度は常にほぼ一定に保持され、温度
変動に起因する所望しない半導体層の成長が防止
できるという効果を生じる。
プタと一体に形成されている支承部が、可動サセ
プタと共に高周波コイルからの電力印加によつて
発熱するため、可動サセプタの発熱量が変化して
も（可動サセプタは、その移動によつて高周波コ
イルとの相対的な位置関係が変動し、その発熱量
が変動する恐れがあるのであるが）、基板を加熱
するための総発熱量は殆ど変化せず、このため、
基板の加熱温度は常にほぼ一定に保持され、温度
変動に起因する所望しない半導体層の成長が防止
できるという効果を生じる。
第１図は、本発明を縦型反応管に適用した第１
実施例を説明するための簡略斜視図、第２図は第
１図の要部構成をしめす側面図、第３図は第２図
の上面図、第４図は本発明を横型反応管に適用し
た第２実施例を説明するための簡略斜視図、第５
図はスライド機構によつて可動サセプタの移動を
なす第３実施例を説明するための断面図、第６図
は第５図の斜視図である。 図中、１は反応管、２はライナ管、３は仕切
壁、４は固定サセプタ、５は窓、６は基板、７は
可動サセプタ、８は回転軸、９は支承部、１０と
１１はガス管、１３はマニホールド、１４はガス
吸気管、１５は基板移動制御部、１６は締結リン
グ、１７は凹部、１８はギヤー、１９は水平駆動
軸、２０はスライド式である可動サセプタ、２１
はレール、２２はラツクギヤー、２３はピニオン
ギヤーである。
実施例を説明するための簡略斜視図、第２図は第
１図の要部構成をしめす側面図、第３図は第２図
の上面図、第４図は本発明を横型反応管に適用し
た第２実施例を説明するための簡略斜視図、第５
図はスライド機構によつて可動サセプタの移動を
なす第３実施例を説明するための断面図、第６図
は第５図の斜視図である。 図中、１は反応管、２はライナ管、３は仕切
壁、４は固定サセプタ、５は窓、６は基板、７は
可動サセプタ、８は回転軸、９は支承部、１０と
１１はガス管、１３はマニホールド、１４はガス
吸気管、１５は基板移動制御部、１６は締結リン
グ、１７は凹部、１８はギヤー、１９は水平駆動
軸、２０はスライド式である可動サセプタ、２１
はレール、２２はラツクギヤー、２３はピニオン
ギヤーである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 反応管と、 反応ガスの上流側から延在し反応管内を複数の
成長室に分割する仕切壁と、 前記複数の成長室に相互に種類の異なる反応ガ
スを供給するガス管と、 前記反応管内の反応ガスを吸気するガス吸気管
と、 前記仕切壁に連続して設けられ、前記仕切壁と
同様に前記分割された反応管内に延びて前記反応
管内を複数の反応室に分割すると共に、前記複数
の成長室を連通する窓が設けられた、高周波電力
の印加によつて発熱する固定サセプタと、 その上に複数の異なる半導体層が気相成長され
る基板を保持する凹部を備え且つ前記窓を介して
前記複数の成長室間をスライド移動可能に設けら
れた、高周波電力の印加によつて発熱する可動サ
セプタと、 前記固定サセプタと一体に形成され、前記複数
の成長室に跨がつて張り出して前記可動サセプタ
を支承し、高周波電力の印加によつて発熱する支
承部と、 前記固定サセプタ、可動サセプタおよび支承部
を高周波加熱するための高周波コイルとを有する
ことを特徴とする複数の異なる半導体層の気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231805A JPS60123022A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231805A JPS60123022A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60123022A JPS60123022A (ja) | 1985-07-01 |
| JPH0586643B2 true JPH0586643B2 (ja) | 1993-12-13 |
Family
ID=16929292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58231805A Granted JPS60123022A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60123022A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5051875B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2012-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5350973A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vapor phase growth method and vapor phase growth apparatus |
| JPS53110366A (en) * | 1977-03-04 | 1978-09-27 | Gnii Pi Redkometa | Device for epitaxially growing semiconductor period structure from gaseous phase |
-
1983
- 1983-12-08 JP JP58231805A patent/JPS60123022A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60123022A (ja) | 1985-07-01 |
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