JPH0586874B2 - - Google Patents

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JPH0586874B2
JPH0586874B2 JP59120068A JP12006884A JPH0586874B2 JP H0586874 B2 JPH0586874 B2 JP H0586874B2 JP 59120068 A JP59120068 A JP 59120068A JP 12006884 A JP12006884 A JP 12006884A JP H0586874 B2 JPH0586874 B2 JP H0586874B2
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JP
Japan
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compound semiconductor
manufacturing
semiconductor photodetector
cap layer
layer
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JP59120068A
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JPS609180A (ja
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Kanriberu Aafuan
Shingu Shooba
Jerarudo Uan Uitaato Regurando
Richaado Zubaa Jon
Jon Zuidozuitsuku Jooji
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AT&T Corp
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American Telephone and Telegraph Co Inc
AT&T Corp
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    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
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    • Y10S438/902—Capping layer

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  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はリンを含む基板上に形成された化合物
半導体を用いた光検出器の作成方法である。それ
は、特にInPを含む基板上に成長させたInGaAs
又はInGaASP中に形成した光検出器に向けられ
ている。
発明の背景 光通信システムの開発は、光デバイスの分離を
かなり活性化した。各種のデバイスが光源（発光
ダイオード、レーザ）、伝送媒体（光フアイバ）
及び検出器を含む光通信システムで重要である。
これらデバイスの品質及び特性は、（システム中
の他のデバイスとともに）光通信システムの品質
及び効率に著しい影響を与える。
光通信システムの特に重要な部分は、光検出器
である。それは光通信システム中の受信機の感度
に著しい影響を与え、しばしば光通信システム中
の反復器間隔を決める。特に重要なことは、光検
出器で発生する雑音と、光検出器の帯域である。
ある種の波長範囲において、光検出器はリンを
含む化合物半導体で作られる。たとえば、約
1.3μm（すなわち1.25−1.35μm領域）で動作する
多くの光検出器デバイスの場合、InPを基板材料
として用いると便利であり、InGaAsのようなエ
ピタキシヤル成長させた材料が、能動材料として
用いられる。そのようなデバイスの場合、これら
の光検出器が光通信システム中で用いられると、
特に重要である。
光検出器中の特に重要な雑音源は、暗電流であ
る。光検出器中の暗電流を最小にすることが、特
に望ましい。雑音特性を改善することにより、光
通信システムを含む各種の光システムの特性が改
善される。
発明の要約 本発明はリンを含む基板上の化合物半導体から
成る光デバイスの作成法に係り、デバイスを約
300℃以上の温度に露出する前に、活性領域上に
保護層を形成する。低暗電流及び低雑音指数を有
するデバイスが得られるため、250℃といつたよ
り低い温度範囲が好ましい。もし、約250ないし
300℃以上に試料温度を上げることなく、有効な
不活性化が行われるならば、各種の保護層が有用
である。保護層として特に有用なのは、プラズマ
化学気相堆積で形成されたシリコン窒化物
（SiNx）である。一般に、温度を250ないし300℃
以上に上げる前に、最小の厚さ（約10−30、好ま
しくは約20ナノメータ）が必要である。特に有用
な方法は、250℃以下の温度で、限定された厚さ
の誘電体（一般に20ないし50ナノメータ、好まし
くは30ナノメータ）を堆積させ、残りの厚さ（一
般に約５ミクロン以下）を400℃以下で堆積させ
ることである。この方法は化合物半導体又はリン
を含む基板から成る光検出器を製作するのに、非
常に有用である。なぜならば、それによつて得ら
れるデバイスの暗電流は最小になるからである。
特に、1.0−1.6μmの範囲（一般に1.3μm付近の領
域）で感度をもつ光検出器は、しばしばInP基板
とInGaAs（典型的な組成は約In0.53Ga0.47As）又
はInGaAsP（典型的な組成は約In0.83Ga0

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ −Ｖ化合物半導体光検出器を製造する方法
    であつて、リン含有基板１１と該基板表面を少な
    くとも部分的に被う非リン含有化合物半導体活性
    層１３からなる構造体を形成し、該活性層の表面
    上に窒化シリコンキヤツプ層１５を堆積させ、そ
    して該構造体を該キヤツプ層の少なくとも一部と
    共に熱処理することからなる方法において、 該キヤツプ層は、(a)300℃の温度以下に該構造
    体を維持しながら、少なくとも10ナノメーターの
    厚さの堆積をしそして(b)更にに300℃〜400℃の温
    度で付加的な厚さの堆積をするという２つの工程
    で堆積されることを特徴とする−Ｖ化合物半導
    体光検出器の製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の方法におい
    て、該構造体は該キヤツプ層が20〜50ナノメータ
    の厚さになるまで250℃以下の温度に維持される
    ことを特徴とする−Ｖ化合物半導体光検出器の
    製造方法。 ３ 特許請求の範囲第２項に記載の方法におい
    て、該構造体は該キヤツプ層が少なくとも30ナノ
    メータの厚さになるまで250℃以下の温度に維持
    されそして付加的厚さが５ミクロンメータになる
    迄300〜400℃の範囲内に維持されていることを特
    徴とする−Ｖ化合物半導体光検出器の製造方
    法。 ４ 特許請求の範囲第１項に記載の方法におい
    て、該構造体は該リン含有基板と該活性層との間
    のエピタキシヤル成長により生成されたｎ形InP
    上のバツフア層を含むことを特徴とする−Ｖ化
    合物半導体光検出器の製造方法。 ５ 特許請求の範囲第１項に記載の方法におい
    て、該活性層は±10モルパーセント内でIn0.53
    Ga0.47Asの組成を有することを特徴とする−Ｖ
    化合物半導体光検出器の製造方法。 ６ 特許請求の範囲第１項に記載の方法であつ
    て、該キヤツプ層はSiNxからなり、そして該
    SiNxを堆積させた後に該活性層の一部が拡散に
    よつてｐ形でつくられる方法において、 ａ 該活性層の表面の一部を露出するため該
    SiNx層の一部を除去し、 ｂ 該露出表面を500〜600℃の間の温度で２時間
    以下の間亜鉛蒸気に接触させることで該活性層
    の露出表面中に亜鉛を拡散させることを含む
    −Ｖ化合物半導体光検出器の製造方法。 ７ 特許請求の範囲第６項に記載の方法におい
    て、該蒸気にひ素が含まれていることを特徴とす
    る−Ｖ化合物半導体光検出器の製造方法。 ８ 特許請求の範囲第７項に記載の方法におい
    て、該拡散は約６mgのひ素と約３mgの亜鉛を含む
    約６cm3の体積のアンプル中で行なわれることを特
    徴とする−Ｖ化合物半導体光検出器の製造方
    法。 ９ 特許請求の範囲第６項に記載された方法にお
    いて、該拡散の温度は約550℃であることを特徴
    とする−Ｖ化合物半導体光検出器の製造方法。
JP59120068A 1983-06-13 1984-06-13 半導体光検出器の製作方法 Granted JPS609180A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/503,795 US4455351A (en) 1983-06-13 1983-06-13 Preparation of photodiodes
US503795 1983-06-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS609180A JPS609180A (ja) 1985-01-18
JPH0586874B2 true JPH0586874B2 (ja) 1993-12-14

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ID=24003542

Family Applications (1)

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JP59120068A Granted JPS609180A (ja) 1983-06-13 1984-06-13 半導体光検出器の製作方法

Country Status (6)

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US (1) US4455351A (ja)
EP (1) EP0128724B2 (ja)
JP (1) JPS609180A (ja)
KR (1) KR920003304B1 (ja)
CA (1) CA1199097A (ja)
DE (1) DE3481568D1 (ja)

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CA1199097A (en) 1986-01-07
EP0128724B2 (en) 1994-01-12
EP0128724B1 (en) 1990-03-07
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