JPS609180A - 半導体光検出器の製作方法 - Google Patents

半導体光検出器の製作方法

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JPS609180A
JPS609180A JP59120068A JP12006884A JPS609180A JP S609180 A JPS609180 A JP S609180A JP 59120068 A JP59120068 A JP 59120068A JP 12006884 A JP12006884 A JP 12006884A JP S609180 A JPS609180 A JP S609180A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はリンを含む基板上に形成された化合物半導体を
用いた光検出器の作成方法である。それは、特にＩｎＰ
を含む基板上に成長させたＩｎＧａＡｓ　又はＩ　ｎＧ
ａＡｓＰ中に形成しプこ光検出器に向けられている。
発明の背景 光通信システムの開発は、光デバイスの分野をかなシ活
性化した。各種のデバイスが光源（発光タイオー１〜、
レーザ）、伝送媒体（光ファイバ）＆び検出器を含む光
通信システムで小波である。これらデバイスの品質及び
４ｆ　刊−ｉ−、Ｊｌ、（システム中の他のデバイスと
ともにン光通イ１４システムの品質及び効率に著しい影
響を１７える。
光通信システムの特に重要な部分は、光検出器である。
それは光通信システム中の受信機の感度に著しい影響を
与え、しけしば光通信システム中の反復器間隔を決める
。特に重要なことは、光検出器で発生ずる雑音と、光検
出器の帯域である。
ある種の波長範囲において、光検出器はリンを含む化合
物半導体で作られる。たとえば、約１：うμｍ　（すな
わち］、　２５−１．、３５μｍ領１或）で動作する多
くの光検出器デバイスの場合、ＴｎＰを基板材；Ｉ′：
ｌとして用いると便利であり、ＩｎＧａＡｓ　の」：う
なエピタキシャル成長させた材料が、能動材料として用
いられる。そのようなデバイスの場合、これらの光検出
器が光通信システム中で用いられると、特（て重要であ
る。
光検出器中の特に重要な雑音源は、暗電流である。光検
出器中の暗電流を最小にすることが、特に望寸しい。雑
音特性を改善することにより、光通信システムを含む各
種の光システムの何件が改善される。
発明の・〃約 本発明はリンを含む基板上の化合物半導体から成る光デ
バイスの作成法に係り、デバイスを約３００℃以上の温
度に露出する前に、活性領域上に保護層を形成する。低
暗電流及び低ｉ＜（音指数を有するデバイスが得られる
ため、２５０℃といつだより低い霊度範］ガＪが好まし
い。もし、約２５０ないし３００’Ｃ以」二Ｇ′こ試料
温度を上げることなく、有効な不活性化が行われるなら
ば、各種の保護層が有用である。保護層として特に有用
なのは、プラスマ化学気相堆積で形成されたシリコン窒
化物（Ｓ４．ＮＸ）である。一般に、温度を２５０ない
し３００℃以上に上げる前に、最小の厚さく約１〇二３
０、好丑しくは約２０ナノメータ）が必要である。特に
有用な方法は、２５０℃以下の温度で、限定された厚さ
の誘電体（一般に２０ないし５０ナノメータ、好ましく
は３０ナノメータ）を堆積させ１、残りの厚さく一般に
約５ミクロン以下）を４００℃以下で堆積させることで
ある。この方法は化合物半導体又（はリンを含む基板か
ら成る光検出器を製作するのに、非常に有用である。な
ぜならば、それによって得られるデバイスの暗電流は最
小になるからである。特に、■０−１６μｎ１の範囲（
一般に１３μｎｔ　’Ｍ近の領域）で感度をもつ光検出
器は、しばしばＩｎＰ基板とＩｎＧａＡｓ　（典型的な
組成は約ｉｎ　ＧａＯ，５３０，４７ Ａｓ）又はＩｎＧａＡｓＰ　（典型的な組成は約Ｉｎ０
．８３ ＧａＯ，’ｌ’７ＡｓＯ，３７ＰＯ，６３）活性領域で
作られる。
実施例の説明 本発明はリンを含む基板上に、■−■化合物半導体から
フォトダイオードを製作する上で、（誘電体でキャップ
する前に）表面を露出しだまま、高温に１露出する１こ
とを最小にすることによって、優れた特性、特に低雑音
及び低暗電流又は低漏れ電流が得られることを見出した
ことに基く。デバイスの信頼性及びデバイスの寿命とい
った他のデバイス特性を犠牲にすることなく、高温への
露出を最小にするためには、各種の方法が使える。
上で述べた発見により、例外的に望ましいｌ＋注をもつ
フォトダイオードを生じるある種の方法上の制約が導か
れる。これらの方法上の制約は、以下のとうりである。
第１に、フォトダイオードウェハは、誘電体のキャップ
層を形成する前に、約３００℃（好１しくけ２５０℃）
以上の温度に露出しないことである。第２に、フォトダ
イオードが比較的高温（一般に４５０ないし６５０℃で
、５００ないし６００℃が好ましい。）に露出される拡
散工程中、拡散の時間（すなわち、フォトダイオードが
これらの高温に露出される時間）は、最小にすべきで、
一般に３時間以下、好１しくは２ないし１時間以下であ
る。
また、必要により加えてよい制約は、更に工程を進める
前に、ＩｎＰ基板上に比較的高温でエピタキシャル成長
させた活性材料（一般ＩｎＧ’ａＡｓ　）の表面のある
程度を、除去することである。このことは通常エツチン
グ工程により行え、１０分の数ミクロン除去される。上
で述べたように、この工程は必要に応じて行えばよく、
損傷を受けだ材料を除去するとともに、エピタキシャル
層を所望の厚さに薄くするために行ってもよい。
典型的なプレーナＰＩＮフォトダイオードについて述べ
、そのようなフォトダイオードを製作する方法について
一般的に述べることによって、本発明の理解が容易にな
るであろう。
図面は、二重窒化物保護をした典型的な閉じ込め電極プ
レーナＰＩＮフォトダイオードの断面を示す。構造１０
はＩｎＰ基板１１を含み、ｎ形ＩｎＰの薄いバッファ層
１２（一般に２−６μｍ）を有する。このバッファ層は
エピタキシャル成長工程、一般には液相エピタキシャル
成長によシ、基板上に成長させる。活性層１３は一般に
液相エピタキシャル工程によシ成長さぜた１１形ＩｎＧ
ａＡｓで作られている。
組成ばＩｎＰバッファ層と格子整合がとれるように、調
整される（典型的な組成は±１０モルパーセントのＩ　
ｎ　ｏ、　ｓＰａ　ｏ、４７Ａ　８　）。ｐ形ＩｎＧａ
Ａｓ１４は典型的な場合、以下で述べるように、ＩｎＧ
ａ、Ａｓ中に亜−鉛を拡散させることにより作られる。
本発明の重要な特徴は、活性材料（Ｉ、ｎＧａＡｓ）又
はリンを含む化合物半導体を、誘電体又はキャップ材料
で被覆する前に、この構造を過度に長時間、過度に高い
温度に露出してはならないことである。はとんどの場合
、活性材料は第１のＳｉＮｘ層１５で被覆される。典型
的な工程は、２０ｃｃＺ分で反応容器中に流す２パーセ
ントＳｉＨ４と１３４　ｃｃ／分の流速で流す窒素の混
合物を使用し、典型的な場合２５０℃、５分間プラズマ
化学気相堆積を用いる。
表面の温度は、通常数十（たとえば２０）ナノメータの
Ｓ（、ＮＸの堆積後上昇しうる。典型的な場合、温度は
３００ないし４００℃に上昇する。しかし、被覆工程は
２５０℃で行い、続いてキャ゛２プを３５０℃でシンタ
ーすると便利である。この層の厚さは、典型的な場合数
十ナノメータないし約１ミクロンと広範囲に渡って変え
てよい。
被覆の後、構造Ｑよ高温に露出してもよいが、高温に露
出する時間は、キャップｖ／Ｊ質が除去される時は、制
限するのが好捷しい。一般に、そのような高温への露出
は、ＩｎＧａＡｓ中のｐ影領域１４内に拡散させる間必
要である。
典型的な場合、ＩｎＧａＡｓのｐ影領域１４は６００℃
以下の温度（一般に５００−６００℃、５５０±２０℃
が好丑しい）に２時間より短時間（典型的な場合約１時
間）、亜鉛蒸気に露出することにより、作られる。
方法の例は、以下のとうりである。一般に標準的なポジ
形フォトレジスト工程によシ、第１の窒化物層中に窓が
開けられる。窓の中の５４ＮＸを除去するため、酸素プ
？スマエッチング工程が用いられる。残りのフォトレジ
ストは、次に・標準的な工程により除去される。
典型的な場合、７６２ミクロン（３ミル）の直径をもつ
孔が’ｔ　ＳｉＮｘ中に残る。
ドーピング工程は、各種の方法で行える。
典型的な工程には、気相からの拡散が含寸れる。ひ素は
半導体表面からのひ素の損失を防止するだめ、通常気相
中に含まれる。一般に、ウェハはひ素及び亜鉛を含む石
英アンプル中に封じられる。約（ｉ　ｃｅのアンプル容
積の場合、約６ｍ７のひ素と３　ＴＱの亜鉛が用いられ
る。アンプルは５５０℃に２時ｒ出加熱される。正確な
時間は、ＩｎＧａＡｓ層の厚さと、必要な拡散の量に依
存する。ウェハは冷却され、各種の溶媒で浄化してもよ
い。漏れ電流の量を決るだめ、この時点でしばしばウェ
ハの試験が行える。
残シの工程は、通常のものである。誘電、体たとえばＳ
ｉ、Ｎｘの第２の７警１６を、図面中に示されているよ
うに形成する。上で述べたような通常の工程により、窓
（一般に２５．４ミクロン（約１ミル））が開けられ、
（典型的な場合、電子ビーム蒸着により）クロム及び金
が堆積される。典型的な厚さはクロムの場合約１００ナ
ノメータ、金の場合約１３００ナノメータである。構造
の残りの部分（金型％２０、反射防１１二被膜２１など
）が通常の手段により製作される。
本発明に従い製作されたリンを含む基板上な場合、より
高温で製作されたものより、本質的に低暗電流である。
本発明の方法を用いると、ＰＩＮフォトダイオードは通
常室温及びｌＯボルトの逆バイアスにおいて、５ないし
２０ナノメータの範囲の暗゛取流を有するように作られ
る。
【図面の簡単な説明】
図は本発明に従い作られるＩｎＰ基板を有する典型的な
フォトダイオードの構成図である。 〔主要部分の符号の説明〕 活性材料・・・１３　ＩｎＰ基板・・・１１保護層・・
１５．１６　５４ＮＸ層・・・１５バッファ層・・・１
２ 出　願　人　：　アメリカン　テレフォン　アンドテレ
グラフ　カムパニー アメリカ合衆国０８８５４ニユージ ヤーシイ・ミドルセックス・ビ スカッタウェイ・セフトン・サ ークル６０ ０発　明　者　ジョージ・ジョン・ズイドズイツク アメリカ合衆国０７８３２ニユージ ヤーシイ・ウォーレン・コロン ビア・アールデー・ナンバー１ ボックス３３０工一

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、活性材料によシ少くとも一部分を被覆された表面を
    冶するＩｎＰ基板を含む構造が、例えば該活性材料の表
    面の少くとも一部上に保護層を堆積させるような工程に
    おいて熱処理を受け、該活性材料はＩｎＧａＡｓ及びＩ
    ｎＧａＡｓＰから選択されたｎ型化合物半導体から本質
    的に成る、半導体光検出器の製作方法において、 ５ｃＮｘ層の厚さが１０ナノメータを越えるまで、該構
    造の温度を３００℃以下に保って、プラスマ化学気相堆
    積により、活性材料の表面の少くとも一部分上に、該Ｓ
    ｉＮｘの保護層を堆積させることを特徴とする半導体光
    検出器の製作方法。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された方法において、 該保護層が少くとも２０ナノメータの厚さになる寸で、
    該構造は約２５０℃以下に保たれることを特徴とする半
    導体光検出器の製作方法。 ３　特許請求の範囲第２項に記載された方法において、 該保護層が少くとも３０ナノメータになるまでは該構造
    は２５０℃以下に保たれ、更に厚さが５ミクロンになる
    壕では４００℃以下に保たれることを特徴とする半導体
    光検出器の製作方法。 ４　特許請求の範囲第１項に記載された方法において、 該構造はＩｎＰ基板及び該活性材料間に、エピタキシャ
    ル成長プロセスにより成長させたｎ形ＩｎＰ上のバッフ
    ァ層を含むことを特徴とする半導体光検出器の製作方法
    。 ５　特許請求の範囲第１項に記載された方法において、 該活性材料は±１０モルパーセント内でＩ　ｎ　ｏ、　
    ｓ　ａ　Ｇａｏ、　４７Ａ　８の組成を有することを特
    徴とする半導体光検出器の製作方法。 ６　特許請求の範囲第１項に記載された方法において、 該ＳるＮｘを堆積させた後、 ａ　該活性拐イ′：１の表面の一部を露出させるため、
    該、ＳｉＮｘ層の一部を除去する工程、ｂ　５００ない
    し６００℃の温度において、２時間よりはるかに短く、
    該露出された表面を気相に接することによシ、活性相別
    の露出された表面中に亜鉛を拡散させる工程 から成る拡散工程により、 該活性材料の一部をｐ形にすることを特徴とする半導体
    光検出器の製作方法。 ７　特許請求の範囲第６項（で記載された方法において
    、 気相中にひ素が含寸れることを特徴とする半導体光検出
    器の製作方法。 ８、特許請求の範囲第７項に記載された方法において、 約６　ｍｇのひ素と３ηの亜鉛を含む約６　ｃｙｒｒの
    体積のアンプル中で、該拡散は行われることを特徴とす
    る半導体光検出器の製作方法。 ９　％許請求の範囲第６項に記載され／こ方法において
    、 拡散温度は約５５０℃であることを特徴とする半導体光
    検出器の製作方法。 ］０　特許請求の範囲第１−９項のいずれの方法に従い
    作られた製品。
JP59120068A 1983-06-13 1984-06-13 半導体光検出器の製作方法 Granted JPS609180A (ja)

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CA (1) CA1199097A (ja)
DE (1) DE3481568D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6477942A (en) * 1987-09-18 1989-03-23 Fujitsu Ltd Formation of protective film

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5871589A (ja) * 1981-10-22 1983-04-28 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ素子
DE3428951A1 (de) * 1984-08-06 1986-02-13 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Mit einer deckschicht aus gold oder einem goldhaltigen material ueberzogener dekorativer gebrauchsgegenstand und verfahren zu seiner herstellung
FR2571542B1 (fr) * 1984-10-09 1987-01-23 Labo Electronique Physique Procede de realisation d'un dispositif semiconducteur incluant l'action de plasma
US4631219A (en) * 1985-01-31 1986-12-23 International Business Machines Corporation Growth of bird's beak free semi-rox
US4705760A (en) * 1986-01-16 1987-11-10 Rca Corporation Preparation of a surface for deposition of a passinating layer
US4794439A (en) * 1987-03-19 1988-12-27 General Electric Company Rear entry photodiode with three contacts
JPS6472557A (en) * 1987-09-11 1989-03-17 Seiko Instr & Electronics Image sensor
US5053837A (en) * 1987-09-16 1991-10-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Ingaas/inp type pin photodiodes
US4876209A (en) * 1988-01-06 1989-10-24 U.S.C. Method of making avalanche photodiode
DE4017870A1 (de) * 1990-06-02 1991-12-05 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zur herstellung und passivierung von halbleiterbauelementen
SE470116B (sv) * 1992-04-03 1993-11-08 Asea Brown Boveri Detektorkrets med en som detektor arbetande halvledardiod och en med dioden integrerad förstärkarkrets
JP3910817B2 (ja) * 2000-12-19 2007-04-25 ユーディナデバイス株式会社 半導体受光装置
KR100454230B1 (ko) * 2001-12-24 2004-10-26 광주과학기술원 유전체 특성이 개선된 ＩｎＧａＡｓ산화막의 형성방법
US6780750B2 (en) * 2002-01-08 2004-08-24 Samsung Electronics Co. Ltd. Photodiode for ultra high speed optical communication and fabrication method therefor
JP4956928B2 (ja) * 2004-09-28 2012-06-20 日亜化学工業株式会社 半導体装置
CN103762256B (zh) * 2014-01-15 2016-03-02 华南理工大学 生长在Si衬底上的InGaAs薄膜及其制备方法
CN106856211B (zh) * 2016-11-28 2018-10-19 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种Si(001)衬底上高In组分InGaAs探测器及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5275983A (en) * 1975-12-17 1977-06-25 Lfe Corp Device for applying dielectric layer employing glow discharge
JPS52115785A (en) * 1976-01-22 1977-09-28 Western Electric Co Process for coating substrate
JPS5436179A (en) * 1977-08-26 1979-03-16 Toshiba Corp Forming method of nitride film

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4226667A (en) * 1978-10-31 1980-10-07 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Oxide masking of gallium arsenide
NL8001232A (nl) * 1980-02-29 1981-10-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5275983A (en) * 1975-12-17 1977-06-25 Lfe Corp Device for applying dielectric layer employing glow discharge
JPS52115785A (en) * 1976-01-22 1977-09-28 Western Electric Co Process for coating substrate
JPS5436179A (en) * 1977-08-26 1979-03-16 Toshiba Corp Forming method of nitride film

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6477942A (en) * 1987-09-18 1989-03-23 Fujitsu Ltd Formation of protective film

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