JPH058703B2 - - Google Patents
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- JPH058703B2 JPH058703B2 JP60052543A JP5254385A JPH058703B2 JP H058703 B2 JPH058703 B2 JP H058703B2 JP 60052543 A JP60052543 A JP 60052543A JP 5254385 A JP5254385 A JP 5254385A JP H058703 B2 JPH058703 B2 JP H058703B2
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- phthalimide
- cyclohexylthio
- organic solvent
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Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は高純度Ｎ−（シクロヘキシルチオ）−フ
タルイミドの製法に関する。Ｎ−（シクロヘキシ
ルチオ）−フタルイミドは天然ゴムまたは合成ゴ
ムの早期加硫抑制剤として極めて有用な化合物で
ある。
タルイミドの製法に関する。Ｎ−（シクロヘキシ
ルチオ）−フタルイミドは天然ゴムまたは合成ゴ
ムの早期加硫抑制剤として極めて有用な化合物で
ある。
＜従来の技術＞
Ｎ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドはフ
タルイミドとシクロヘキシルスルフエニルクロラ
イドとを有機溶媒中で反応（イミド反応）させて
製造するのが一般的であり、この時生成する塩化
水素をトラツプするために有機アミンを反応系中
に共存させる方法（特公昭47−6499号公報、およ
び特公昭49−22940号公報）がしられている。
タルイミドとシクロヘキシルスルフエニルクロラ
イドとを有機溶媒中で反応（イミド反応）させて
製造するのが一般的であり、この時生成する塩化
水素をトラツプするために有機アミンを反応系中
に共存させる方法（特公昭47−6499号公報、およ
び特公昭49−22940号公報）がしられている。
一方、この反応の原料であるシクロヘキシルス
ルフエニルクロライドの製法としてはいくつかの
方法が報告されているが、シクロヘキシルチオー
ルまたはジシクロヘキシルジスルフイドを有機溶
媒中で塩素と反応させる方法が一般的である。
ルフエニルクロライドの製法としてはいくつかの
方法が報告されているが、シクロヘキシルチオー
ルまたはジシクロヘキシルジスルフイドを有機溶
媒中で塩素と反応させる方法が一般的である。
またシクロヘキシルスルフエニルクロライドは
非常に不安定であり、有機溶媒中で速やかに分解
する。（J.Org.Chem.34.51〜55（1969）に記載のJ.
E.Kerwoodらの研究）。
非常に不安定であり、有機溶媒中で速やかに分解
する。（J.Org.Chem.34.51〜55（1969）に記載のJ.
E.Kerwoodらの研究）。
従つて、上記公知例に従つてシクロヘキシルス
ルフエニルクロライドとフタルイミドからＮ−
（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドを製造する
場合、有機溶媒中でシクロヘキシルチオールまた
はジシクロヘキシルジスルフイドと塩素を反応さ
せて得た反応液を精製することなくそのままフタ
ルイミドと混合するのが工業的に有利な方法であ
る。
ルフエニルクロライドとフタルイミドからＮ−
（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドを製造する
場合、有機溶媒中でシクロヘキシルチオールまた
はジシクロヘキシルジスルフイドと塩素を反応さ
せて得た反応液を精製することなくそのままフタ
ルイミドと混合するのが工業的に有利な方法であ
る。
＜発明が解決しようとする問題点＞
本発明者らは有機溶媒中でジシクロヘキシルジ
スルフイドと塩素とを反応させて得た反応液とフ
タルイミドとを有機アミンの共存下で反応させＮ
−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドの合成を
試みたが、Ｎ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイ
ミドの品質が悪く製品規格にほど遠い製品しか得
られなかつた。
スルフイドと塩素とを反応させて得た反応液とフ
タルイミドとを有機アミンの共存下で反応させＮ
−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドの合成を
試みたが、Ｎ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイ
ミドの品質が悪く製品規格にほど遠い製品しか得
られなかつた。
従つて本発明の課題は、高純度のＮ−（シクロ
ヘキシルチオ）−フタルイミドを工業的に有利に
製造する方法を提供することにある。
ヘキシルチオ）−フタルイミドを工業的に有利に
製造する方法を提供することにある。
＜問題点を解決するための手段および作用＞
本発明の上記課題は有機アミンと有機溶媒の存
在下にフタルイミドとシクロヘキシルスルフエニ
ルクロライドとを反応させ、次いで生成反応液中
の有機アミンを鉱酸で中和させて鉱酸塩として水
層に移行せしめ、残る有機溶媒層にアルカリ水溶
液を混合させた後有機溶媒層と水層に分液し、次
いで該有機溶媒層からＮ−（シクロヘキシルチオ）
−フタルイミドを晶析させることを特徴とする高
純度Ｎ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドの
製法により達成された。
在下にフタルイミドとシクロヘキシルスルフエニ
ルクロライドとを反応させ、次いで生成反応液中
の有機アミンを鉱酸で中和させて鉱酸塩として水
層に移行せしめ、残る有機溶媒層にアルカリ水溶
液を混合させた後有機溶媒層と水層に分液し、次
いで該有機溶媒層からＮ−（シクロヘキシルチオ）
−フタルイミドを晶析させることを特徴とする高
純度Ｎ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドの
製法により達成された。
本発明に従えば、有機アミンの存在下有機溶媒
中でフタルイミドとシクロヘキシルスルフエニル
クロライドから得られるＮ−（シクロヘキシルチ
オ）−フタルイミドの反応液中の有機アミンを鉱
酸で中和し、鉱酸塩として水層へ回収し、一方有
機溶媒層にアルカリ水溶液を加えて混合し、未反
応のフタルイミドや不純物をアルカリ水溶液中に
移行せしめ、有機溶媒層から目的物Ｎ−（シクロ
ヘキシルチオ）−フタルイミドを晶析することに
より、高純度のＮ−（シクロヘキシルチオ）−フタ
ルイミドが取得されるのである。
中でフタルイミドとシクロヘキシルスルフエニル
クロライドから得られるＮ−（シクロヘキシルチ
オ）−フタルイミドの反応液中の有機アミンを鉱
酸で中和し、鉱酸塩として水層へ回収し、一方有
機溶媒層にアルカリ水溶液を加えて混合し、未反
応のフタルイミドや不純物をアルカリ水溶液中に
移行せしめ、有機溶媒層から目的物Ｎ−（シクロ
ヘキシルチオ）−フタルイミドを晶析することに
より、高純度のＮ−（シクロヘキシルチオ）−フタ
ルイミドが取得されるのである。
本発明においてアルカリ水溶液としてはアルカ
リ金属水酸化物の水溶液が好ましく用いられ、そ
の濃度は通常0.1重量％〜40重量％で好ましくは
１重量％〜５重量％である。
リ金属水酸化物の水溶液が好ましく用いられ、そ
の濃度は通常0.1重量％〜40重量％で好ましくは
１重量％〜５重量％である。
アルカリ水溶液の混合量は、アルカリ化合物の
量として、イミド化反応に使用したシクロヘキシ
ルスルフエニルクロライド１モルに対して通常
0.01モルから0.20で好ましくは0.05モルから0.15
モルである。
量として、イミド化反応に使用したシクロヘキシ
ルスルフエニルクロライド１モルに対して通常
0.01モルから0.20で好ましくは0.05モルから0.15
モルである。
本発明においてアルカリ水溶液の混合時の温度
は高温すぎるとアルカリ水溶液により目的物であ
るＮ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドが分
解してしまう恐れがあるので室温付近が好まし
い。
は高温すぎるとアルカリ水溶液により目的物であ
るＮ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドが分
解してしまう恐れがあるので室温付近が好まし
い。
本発明で使用する有機アミンは特に限定するも
のではないが、反応溶媒に溶ける３級アミンで好
ましくはトリエチルアミンである。有機アミンを
除去するために使用する鉱酸は反応溶媒と反応し
ないものであれば特に限定するものではないが好
ましくは塩酸および硫酸である。
のではないが、反応溶媒に溶ける３級アミンで好
ましくはトリエチルアミンである。有機アミンを
除去するために使用する鉱酸は反応溶媒と反応し
ないものであれば特に限定するものではないが好
ましくは塩酸および硫酸である。
本発明において使用される有機溶媒はＮ−（シ
クロヘキシルチオ）−フタルイミドをよく溶かし
塩素に対して安定なもので例えば四塩化炭素が好
ましく使用される。
クロヘキシルチオ）−フタルイミドをよく溶かし
塩素に対して安定なもので例えば四塩化炭素が好
ましく使用される。
以下、実施例によつて本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
＜実施例＞
実施例 １
かきまぜ機、温度計、滴下ロートを備えたガラ
ス製四つ口フラスコの中に純度98％のフタルイミ
ド30.0g（0.2モル）と純度99％以上の四塩化炭素
200gとそして純度99％以上のトリエチルアミン
26.3gを入れ室温下でかきまぜた。
ス製四つ口フラスコの中に純度98％のフタルイミ
ド30.0g（0.2モル）と純度99％以上の四塩化炭素
200gとそして純度99％以上のトリエチルアミン
26.3gを入れ室温下でかきまぜた。
この中へ四塩化炭素を溶媒としたシクロヘキシ
ルスルフエニルクロライドの溶液200g（0.2モルの
シクロヘキシルスルフエニルクロライドが溶解し
ている）を定量ポンプにより１時間で供給した。
ルスルフエニルクロライドの溶液200g（0.2モルの
シクロヘキシルスルフエニルクロライドが溶解し
ている）を定量ポンプにより１時間で供給した。
供給終了後も30分間、室温下でかきまぜを継続
した。３％の塩酸水溶液72.9gを滴下ロートより
徐々に添加し過剰分のトリエチルアミンを中和し
た。
した。３％の塩酸水溶液72.9gを滴下ロートより
徐々に添加し過剰分のトリエチルアミンを中和し
た。
内液を分液ロートに移液した上層と下層を分離
した。下層を四つ口フラスコに移液し、その中へ
２％苛性ソーダ水溶液50gを入れ室温下で１時間
かきまぜた。内液を分液ロートに移液し上層と下
層を分離した。下層を２等分し一方の液からロー
タリーエバポレータで四塩化炭素を留去させたあ
と室温5Torr.以下の真空乾燥器で一夜乾燥し固
形物25.0gを得た。固形物の融点は89〜90℃でＮ
−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドの純度は
液体クロマトグラフイで分析した結果95.8％であ
つた。
した。下層を四つ口フラスコに移液し、その中へ
２％苛性ソーダ水溶液50gを入れ室温下で１時間
かきまぜた。内液を分液ロートに移液し上層と下
層を分離した。下層を２等分し一方の液からロー
タリーエバポレータで四塩化炭素を留去させたあ
と室温5Torr.以下の真空乾燥器で一夜乾燥し固
形物25.0gを得た。固形物の融点は89〜90℃でＮ
−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドの純度は
液体クロマトグラフイで分析した結果95.8％であ
つた。
もう一方の液をロータリエバポレータで濃縮し
Ｎ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドの結晶
を析出させた。
Ｎ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドの結晶
を析出させた。
この結晶を過鐘で分離したあと、室温、
5Torr.以下の真空乾燥器で一夜乾燥し結晶14.6g
を得た。結晶の融点は93〜94℃でＮ−（シクロヘ
キシルチオ）−フタルイミドの液体クロマトグラ
フイによる純度は99.7％であつた。
5Torr.以下の真空乾燥器で一夜乾燥し結晶14.6g
を得た。結晶の融点は93〜94℃でＮ−（シクロヘ
キシルチオ）−フタルイミドの液体クロマトグラ
フイによる純度は99.7％であつた。
実施例 ２
実施例１の苛性ソーダ水溶液を苛性カリ水溶液
に代えた以外は実施例１と同じ方法で行なつた。
に代えた以外は実施例１と同じ方法で行なつた。
その結果、濃縮固形物24.9g、晶析結晶14.6gを
得た。融点は濃縮固形物で89〜90℃、晶析結晶で
93〜94℃であつた。
得た。融点は濃縮固形物で89〜90℃、晶析結晶で
93〜94℃であつた。
Ｎ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドの液
体クロマトグラフイによる純度は濃縮固形物で
95.6％、晶析結晶で99.6％であつた。
体クロマトグラフイによる純度は濃縮固形物で
95.6％、晶析結晶で99.6％であつた。
比較例
実施例１の苛性ソーダ水溶液処理を行なわなか
つた以外は実施例１と同じ方法で行なつた。
つた以外は実施例１と同じ方法で行なつた。
その結果、濃縮固形物26.0g、晶析結晶14.7gを
得た。融点は濃縮固形物で88〜89℃、晶析結晶で
91〜92℃であつた。
得た。融点は濃縮固形物で88〜89℃、晶析結晶で
91〜92℃であつた。
Ｎ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドの液
体クロマトグラフイによる純度は濃縮固形物で
92.3％、晶析結晶で97.2％であつた。
体クロマトグラフイによる純度は濃縮固形物で
92.3％、晶析結晶で97.2％であつた。
＜発明の効果＞
本発明によれば、アルカリ水溶液による処理お
よび晶析という極めて簡単な方法により99.5％以
上の高純度のＮ−（シクロヘキシルチオ）−フタル
イミドの取得が可能となつた。
よび晶析という極めて簡単な方法により99.5％以
上の高純度のＮ−（シクロヘキシルチオ）−フタル
イミドの取得が可能となつた。
Claims (1)
- １ 有機アミンと有機溶媒の存在下にフタルイミ
ドとシクロヘキシルスルフエニルクロライドとを
反応させ、次いで生成反応液中の有機アミンを鉱
酸で中和させて鉱酸塩として水層に移行せしめ、
残る有機溶媒層にアルカリ水溶液を混合させた後
有機溶媒層と水層に分液し、次いで該有機溶媒層
からＮ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドを
晶析させることを特徴とする高純度Ｎ−（シクロ
ヘキシルチオ）−フタルイミドの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60052543A JPS61212559A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 高純度ｎ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60052543A JPS61212559A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 高純度ｎ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61212559A JPS61212559A (ja) | 1986-09-20 |
| JPH058703B2 true JPH058703B2 (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=12917696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60052543A Granted JPS61212559A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 高純度ｎ−（シクロヘキシルチオ）−フタルイミドの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61212559A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100484384B1 (ko) * | 2002-07-24 | 2005-04-20 | 금호타이어 주식회사 | 공정성이 개선된 고무 조성물 |
-
1985
- 1985-03-18 JP JP60052543A patent/JPS61212559A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61212559A (ja) | 1986-09-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |