JPH058808B2 - - Google Patents
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- JPH058808B2 JPH058808B2 JP59216582A JP21658284A JPH058808B2 JP H058808 B2 JPH058808 B2 JP H058808B2 JP 59216582 A JP59216582 A JP 59216582A JP 21658284 A JP21658284 A JP 21658284A JP H058808 B2 JPH058808 B2 JP H058808B2
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- liquid crystal
- film
- nonlinear resistance
- crystal display
- display device
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、液晶と液晶駆動用電極間に、非線
型材料を挾んだ液晶表示装置に関する。
型材料を挾んだ液晶表示装置に関する。
（従来技術）
従来から、小型、軽量、低消費電力の表示装置
として液晶評装置が実用化されてきた。近年この
液晶表示装置の表示情報量増大化を計る目的で、
シリコン単結晶基板を用いたMOS型液晶表示装
置、ガラス基板上に半導体層を形成したTFT液
晶表示装置、金属−絶縁膜−金属からなる非線形
素子を用いたMIM型液晶表示装置などが知られ
ている。MOS型液晶表示装置は、基板をシリコ
ン単結晶を用いるため、大型化ができない。また
TFTを用いた薄膜トランジスタによる液晶表示
装置は、大型化の可能性はあるが、５層以上の薄
膜の形成、パターニングが必要であり、画素欠陥
率が高く、コスト高になる欠点がある。これに対
してMTM型の場合は、構造が比較的簡単であ
り、大型化の可能性を秘めた表示装置である。第
２図は従来から知られた金属−絶縁膜−金属によ
る非線型素子を液晶と直列に接続したＸ−Ｙマト
リクス駆動のときの表示パネルの回路図である。
２１は行電極群、２２は列電極群であり、通常
200ら1000本形成する。各Ｘ−Ｙ電極の交叉点に
は液晶２３と非線形抵抗素子２４が形成されてい
る。この種の液晶駆動方法は、マルチプレツクス
駆動方式とよばれる方法で行なわれる。この駆動
方法によれば、表示すべく画素に印加される電圧
をVS、表示しない非選択点に印加される電圧を
VNSとすると、駆動マージンは式(1)であらわせ
る。
として液晶評装置が実用化されてきた。近年この
液晶表示装置の表示情報量増大化を計る目的で、
シリコン単結晶基板を用いたMOS型液晶表示装
置、ガラス基板上に半導体層を形成したTFT液
晶表示装置、金属−絶縁膜−金属からなる非線形
素子を用いたMIM型液晶表示装置などが知られ
ている。MOS型液晶表示装置は、基板をシリコ
ン単結晶を用いるため、大型化ができない。また
TFTを用いた薄膜トランジスタによる液晶表示
装置は、大型化の可能性はあるが、５層以上の薄
膜の形成、パターニングが必要であり、画素欠陥
率が高く、コスト高になる欠点がある。これに対
してMTM型の場合は、構造が比較的簡単であ
り、大型化の可能性を秘めた表示装置である。第
２図は従来から知られた金属−絶縁膜−金属によ
る非線型素子を液晶と直列に接続したＸ−Ｙマト
リクス駆動のときの表示パネルの回路図である。
２１は行電極群、２２は列電極群であり、通常
200ら1000本形成する。各Ｘ−Ｙ電極の交叉点に
は液晶２３と非線形抵抗素子２４が形成されてい
る。この種の液晶駆動方法は、マルチプレツクス
駆動方式とよばれる方法で行なわれる。この駆動
方法によれば、表示すべく画素に印加される電圧
をVS、表示しない非選択点に印加される電圧を
VNSとすると、駆動マージンは式(1)であらわせ
る。
ｎ，分割数（×電極の数）
ａ：バイアス数（通常1/3〜1/4）
したがつて、表示画素数を多くとるために分割
数ｎを増加させるにしたがい駆動マージンは１に
近ずく。すなわち、液晶の表示点燈電圧VSと表
示消去VNSが接近するために、液晶はできるだけ
急峻に立ち上る必要がある。しかし現在の液晶は
分割数ｎが約100程度である。そこで、この液晶
の立ち上り特性を改善するために、液晶と直列に
非線形抵抗素子を接続する。第３図は従来使用の
液晶の印加電圧対透過率特性を示し、グラフ２５
がツイストネマテイツク型の通常の特性、これに
対し、金属−絶縁膜−金属の非線型素子を液晶と
直列に接続したときの特性がグラフ２６である。
液晶の立ち上りが急峻になり、ストレツシヨルド
電圧VTHが高電圧側にシフトする。そのために
動作マージンが大きくとれる。
数ｎを増加させるにしたがい駆動マージンは１に
近ずく。すなわち、液晶の表示点燈電圧VSと表
示消去VNSが接近するために、液晶はできるだけ
急峻に立ち上る必要がある。しかし現在の液晶は
分割数ｎが約100程度である。そこで、この液晶
の立ち上り特性を改善するために、液晶と直列に
非線形抵抗素子を接続する。第３図は従来使用の
液晶の印加電圧対透過率特性を示し、グラフ２５
がツイストネマテイツク型の通常の特性、これに
対し、金属−絶縁膜−金属の非線型素子を液晶と
直列に接続したときの特性がグラフ２６である。
液晶の立ち上りが急峻になり、ストレツシヨルド
電圧VTHが高電圧側にシフトする。そのために
動作マージンが大きくとれる。
第４図は液晶パネルに形成した従来から知られ
た非線形抵抗素子を示す縦断面図である。第４図
２７，２８は上下透明基板、２９は液晶、３０は
金属タンタル、３１は金属タンタルの陽極酸化に
よつて形成した五酸化タンタル（Ta2O5）による
絶縁膜、３２は画素表示用透明電極である。この
種の非線形抵抗素子は、薄い絶縁膜内を流れるボ
ール・フレンケル電流、あるいはフアウラーラ
ー・ノードハイムトンネル電流といわれている。
したがつて絶縁膜は50〜400Åときわめて薄くす
る必要がある。非線形抵抗素子と液晶は直列接続
であり、選択点を表示するためには非線形抵抗素
子を通して電荷が液晶層に注入され、次に消去す
るときは、液晶の抵抗を通して電荷が消去する。
駆動はマルチブレツクス駆動によつて行う。
た非線形抵抗素子を示す縦断面図である。第４図
２７，２８は上下透明基板、２９は液晶、３０は
金属タンタル、３１は金属タンタルの陽極酸化に
よつて形成した五酸化タンタル（Ta2O5）による
絶縁膜、３２は画素表示用透明電極である。この
種の非線形抵抗素子は、薄い絶縁膜内を流れるボ
ール・フレンケル電流、あるいはフアウラーラ
ー・ノードハイムトンネル電流といわれている。
したがつて絶縁膜は50〜400Åときわめて薄くす
る必要がある。非線形抵抗素子と液晶は直列接続
であり、選択点を表示するためには非線形抵抗素
子を通して電荷が液晶層に注入され、次に消去す
るときは、液晶の抵抗を通して電荷が消去する。
駆動はマルチブレツクス駆動によつて行う。
（発明が解決しようとする問題点）
この種の非線形抵抗素子を使用した液晶表示装
置の表示、消去動作がスムーズに行われるための
非線形抵抗素子の必要特性は、一画素の非線形抵
抗素子の容量をCMIM液晶の容量をCLCとすると、
少なくともCMIM＜CLCであること。一画素の非線
形抵抗素子のON抵抗をRON、液晶の抵抗をRLCと
するとおよそ、RONRLC／30である。
置の表示、消去動作がスムーズに行われるための
非線形抵抗素子の必要特性は、一画素の非線形抵
抗素子の容量をCMIM液晶の容量をCLCとすると、
少なくともCMIM＜CLCであること。一画素の非線
形抵抗素子のON抵抗をRON、液晶の抵抗をRLCと
するとおよそ、RONRLC／30である。
この結果、非線形抵抗素子の面積は約20μm2以
下にする必要があり、また非線形抵抗素子を流れ
る最大電流はおよそ1A／cm2である。液晶の動作
はマトリクス駆動であり、画素に印加される電界
は交番電圧である。通常絶縁膜は、前記1A／cm2
の電流をくり返し流した場合の寿命はおよそ106
〜107回程度であり、絶縁破戒を起す。したがつ
て、寿命の点で問題がある。また非線形抵抗素子
としてTa2O5を使用する場合、膜厚が400Å以下
と薄くしかも比誘電率が10以上と高いために、非
線形抵抗素子の面積を20μm2以下に設定する必要
があり、20cm□ 以上の大面積表示パネルを作成す
る上ではきわめて高精度のパターニングを行う必
要があり、製造歩留りの低下、コスト高になる。
本発明では上記欠点を解消させ、長寿命、低価格
の液晶装置を提供することを目的とする。
下にする必要があり、また非線形抵抗素子を流れ
る最大電流はおよそ1A／cm2である。液晶の動作
はマトリクス駆動であり、画素に印加される電界
は交番電圧である。通常絶縁膜は、前記1A／cm2
の電流をくり返し流した場合の寿命はおよそ106
〜107回程度であり、絶縁破戒を起す。したがつ
て、寿命の点で問題がある。また非線形抵抗素子
としてTa2O5を使用する場合、膜厚が400Å以下
と薄くしかも比誘電率が10以上と高いために、非
線形抵抗素子の面積を20μm2以下に設定する必要
があり、20cm□ 以上の大面積表示パネルを作成す
る上ではきわめて高精度のパターニングを行う必
要があり、製造歩留りの低下、コスト高になる。
本発明では上記欠点を解消させ、長寿命、低価格
の液晶装置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
上記欠点を解決するために、非化学量論比から
なるシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を非線
形抵抗膜として使用する。
なるシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を非線
形抵抗膜として使用する。
（作用）
本発明による液晶表示装置は、非線形抵抗膜と
して、化学量論比からはずれた半導電性絶縁膜を
非線形抵抗膜として使用することにより、比較的
大電流を流しても絶縁破戒を起さず長寿命であ
り、かつ非線形抵抗膜厚が500Å〜2000Åと厚く
とれるため、非線形抵抗膜の面積をきわめて大き
くとることができる。そのためパターン形成精度
が大幅に緩和され、大面積表示が容易となり、大
幅なコストダウンを可能にする。
して、化学量論比からはずれた半導電性絶縁膜を
非線形抵抗膜として使用することにより、比較的
大電流を流しても絶縁破戒を起さず長寿命であ
り、かつ非線形抵抗膜厚が500Å〜2000Åと厚く
とれるため、非線形抵抗膜の面積をきわめて大き
くとることができる。そのためパターン形成精度
が大幅に緩和され、大面積表示が容易となり、大
幅なコストダウンを可能にする。
（実施例）
第１図ａは本発明による液晶表示装置の一実施
例を示す縦断面図である。１，２は上下透明基板
でガラスを使用した。３は液晶層でTN液晶を使
用した。４は下側基板上の金属電極、５は上側基
板の透明導電膜で、それぞれ200本のＸ−Ｙ電極
群を形成し、第１図ａではその一画素を明示して
いる。液晶表示用金属電極４はNiCr電極である。
６は非線形抵抗膜であり、減圧CVDによつて作
成した非化学量論比のシリコン酸化膜であり、厚
さ1000Åである。AES分析によるシリコン酸化
膜の原子素成比は、Ｏ／Si〜1.7であつた。７は
画素電極であり透明導電膜である。非線形抵抗膜
６を介した液晶表示用電極４と画素電極７のオー
バラツプの面積は500μm2である。
例を示す縦断面図である。１，２は上下透明基板
でガラスを使用した。３は液晶層でTN液晶を使
用した。４は下側基板上の金属電極、５は上側基
板の透明導電膜で、それぞれ200本のＸ−Ｙ電極
群を形成し、第１図ａではその一画素を明示して
いる。液晶表示用金属電極４はNiCr電極である。
６は非線形抵抗膜であり、減圧CVDによつて作
成した非化学量論比のシリコン酸化膜であり、厚
さ1000Åである。AES分析によるシリコン酸化
膜の原子素成比は、Ｏ／Si〜1.7であつた。７は
画素電極であり透明導電膜である。非線形抵抗膜
６を介した液晶表示用電極４と画素電極７のオー
バラツプの面積は500μm2である。
第１図ｂは、本発明による実施例第１図ａ図で
使用した非線形抵抗膜のＩ−Ｖ特性を示す。駆動
電圧Vopに対して、Vop／２で、電流は約４ケタ
以上低下する。また、Vopの交番電界を108回印
加しても破戒せず、ほぼ初期のIV特性を示した。
このようにして作成した液晶表示装置をマルチプ
レツクス駆動を行つたところ、画素のコントラス
ト比15：１以上、クロストークが全くみられない
良好な液晶表示装置を得ることができた。なお第
１図ａにおいて、非線形抵抗膜を非化学量論比の
シリコン窒化膜とすることができる。減圧CVD
によつて、シランガスとアンモニアガスの流量比
を適切に選ぶことにより、第１図ｂと類似の特性
を得ることができる。
使用した非線形抵抗膜のＩ−Ｖ特性を示す。駆動
電圧Vopに対して、Vop／２で、電流は約４ケタ
以上低下する。また、Vopの交番電界を108回印
加しても破戒せず、ほぼ初期のIV特性を示した。
このようにして作成した液晶表示装置をマルチプ
レツクス駆動を行つたところ、画素のコントラス
ト比15：１以上、クロストークが全くみられない
良好な液晶表示装置を得ることができた。なお第
１図ａにおいて、非線形抵抗膜を非化学量論比の
シリコン窒化膜とすることができる。減圧CVD
によつて、シランガスとアンモニアガスの流量比
を適切に選ぶことにより、第１図ｂと類似の特性
を得ることができる。
第５図は本発明による液晶表示装置の一実施例
を示す縦断図である。１，２は上下透明基板、３
が液晶層、４，５は上下基板の透明電極であり、
Ｘ−Ｙ電極群を形成した。８，９は非線形抵抗膜
であり、それぞれ非化学量論比のシリコン酸化膜
から成り、９は８に対して抵抗が約１ケタ小さ
い。このためには、非線形抵抗膜９の原子素成比
Ｏ／Si＝ｘを非線形抵抗膜８に対して小さくなる
ように成膜する。この成膜は、減圧CVDによつ
て、シランガスと二酸化窒素ガスの流量比を変え
ることによつて連続的に作成することができる。
８，９の膜厚はそれぞれ1000Å，100Åとした。
原子素成比ｘ＞0.5とすれば、非線形抵抗膜は透
明である。また表示用透明電極５と隣接する透明
電極１０の距離を40μｍ以上に設定することによ
り、選択時のもれ電荷をきわめて小さくすること
ができる。このように非線形抵抗素子を２層構造
とすることにより、画素部の液晶に均一に電界が
印加されるため、画素部の表示むらを除去するこ
とができた。また、表示装置と外部駆動回路との
接続用パツド部以外のパネル全面に非線形抵抗膜
を形成するために、非線形抵抗膜のパターニング
がきわめて容易となる。
を示す縦断図である。１，２は上下透明基板、３
が液晶層、４，５は上下基板の透明電極であり、
Ｘ−Ｙ電極群を形成した。８，９は非線形抵抗膜
であり、それぞれ非化学量論比のシリコン酸化膜
から成り、９は８に対して抵抗が約１ケタ小さ
い。このためには、非線形抵抗膜９の原子素成比
Ｏ／Si＝ｘを非線形抵抗膜８に対して小さくなる
ように成膜する。この成膜は、減圧CVDによつ
て、シランガスと二酸化窒素ガスの流量比を変え
ることによつて連続的に作成することができる。
８，９の膜厚はそれぞれ1000Å，100Åとした。
原子素成比ｘ＞0.5とすれば、非線形抵抗膜は透
明である。また表示用透明電極５と隣接する透明
電極１０の距離を40μｍ以上に設定することによ
り、選択時のもれ電荷をきわめて小さくすること
ができる。このように非線形抵抗素子を２層構造
とすることにより、画素部の液晶に均一に電界が
印加されるため、画素部の表示むらを除去するこ
とができた。また、表示装置と外部駆動回路との
接続用パツド部以外のパネル全面に非線形抵抗膜
を形成するために、非線形抵抗膜のパターニング
がきわめて容易となる。
第６図は、本発明による液晶表示装置の一実施
例を示す縦断面図であり、非線形抵抗膜１１と液
晶層３の画素部に透明導電膜１２を形成した。非
線形抵抗膜は透明であり、外部回路との電極引き
出しパツド部以外の表示パネル全面に形成する。
液晶と接触する透明電極１２は、ITOで形成し、
約200μｍ□ の面積をもつ。したがつて本実施例
においても、パターン精度が緩和される。
例を示す縦断面図であり、非線形抵抗膜１１と液
晶層３の画素部に透明導電膜１２を形成した。非
線形抵抗膜は透明であり、外部回路との電極引き
出しパツド部以外の表示パネル全面に形成する。
液晶と接触する透明電極１２は、ITOで形成し、
約200μｍ□ の面積をもつ。したがつて本実施例
においても、パターン精度が緩和される。
なお、上記本発明による実施例において、液晶
はTN液晶を使用し、上下透明基板の外側は２枚
の偏光板によつて狭まれている。また、非線形抵
抗膜は、シリコン酸化膜について説明してきた
が、これをシリコン窒化膜としても同様の結果を
得ることができる。また非線形抵抗膜の作成は、
常圧CVD、フラズマCVD、スパツター等によつ
て作成することができる。
はTN液晶を使用し、上下透明基板の外側は２枚
の偏光板によつて狭まれている。また、非線形抵
抗膜は、シリコン酸化膜について説明してきた
が、これをシリコン窒化膜としても同様の結果を
得ることができる。また非線形抵抗膜の作成は、
常圧CVD、フラズマCVD、スパツター等によつ
て作成することができる。
（発明の効果）
以上延べてきたように、本発明による液晶表示
装置は、非線形抵抗素子の非線形抵抗膜の材料と
して、化学量論的組成比よりもシリコン含有量が
多い、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜を用いる
ことにより、きわめて急峻な非線形抵抗膜を得る
ことが出来、また、画素領域部の非線形抵抗膜の
パターニングを行う必要もないために、大画面、
高精細の液晶表示装置を低コストで、容易に作成
することが出来るというすぐれた効果を有する。
装置は、非線形抵抗素子の非線形抵抗膜の材料と
して、化学量論的組成比よりもシリコン含有量が
多い、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜を用いる
ことにより、きわめて急峻な非線形抵抗膜を得る
ことが出来、また、画素領域部の非線形抵抗膜の
パターニングを行う必要もないために、大画面、
高精細の液晶表示装置を低コストで、容易に作成
することが出来るというすぐれた効果を有する。
第１図ａは、本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す縦断面図、第１図ｂは、本発明による
非線形抵抗膜のＩ〜Ｖ特性図、第２図は、従来か
ら知られている表示装置の回路図、第３図は従来
使用の非線形素子を用いたときの液晶の透過率対
電圧特性図、第４図は、従来から知られた非線形
抵抗素子を用いた液晶表示装置の縦断面図、第５
図、第６図はそれぞれ本発明による液晶表示装置
の他の実施例を示す縦断面図を示す。 １，２……透明電極、３……液晶層、４，５，
７，１２……透明電極、６，８，９，１１……非
線形抵抗膜。
施例を示す縦断面図、第１図ｂは、本発明による
非線形抵抗膜のＩ〜Ｖ特性図、第２図は、従来か
ら知られている表示装置の回路図、第３図は従来
使用の非線形素子を用いたときの液晶の透過率対
電圧特性図、第４図は、従来から知られた非線形
抵抗素子を用いた液晶表示装置の縦断面図、第５
図、第６図はそれぞれ本発明による液晶表示装置
の他の実施例を示す縦断面図を示す。 １，２……透明電極、３……液晶層、４，５，
７，１２……透明電極、６，８，９，１１……非
線形抵抗膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一方の基板の内面に形成した多数の行電極群
と、他方の基板の内面に形成した多数の列電極群
とからなる２枚の基板を対向配置し、前記２枚の
基板の間に液晶層を挟持し、前記行列電極の各交
差部において画素部を構成し、前記少なくとも一
方の基板の各画素部には画素電極を分離形成し、
前記行電極と前記各画素電極との間には非線形抵
抗膜からなる非線形抵抗素子を形成した液晶表示
装置において、 前記非線形抵抗膜は、化学量論的組成比よりも
シリコン原子を多く含むシリコン酸化膜またはシ
リコン窒化膜であり、前記非線形抵抗膜が、前記
一方の基板の画素部領域の全面にわたつて形成さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。 ２ 前記非線形抵抗膜は、それぞれがシリコン含
有量を異にする少なくとも２層以上の層からなる
シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜であること
を特徴とする特許請求範囲第１項記載の液晶表示
装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59216582A JPS6194086A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 液晶表示装置 |
| DE8585307198T DE3585209D1 (de) | 1984-10-16 | 1985-10-08 | Fluessigkristallanzeigevorrichtung. |
| EP85307198A EP0182484B2 (en) | 1984-10-16 | 1985-10-08 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59216582A JPS6194086A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194086A JPS6194086A (ja) | 1986-05-12 |
| JPH058808B2 true JPH058808B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=16690672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59216582A Granted JPS6194086A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 液晶表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0182484B2 (ja) |
| JP (1) | JPS6194086A (ja) |
| DE (1) | DE3585209D1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0617956B2 (ja) * | 1985-01-29 | 1994-03-09 | セイコー電子工業株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH0617957B2 (ja) * | 1985-05-15 | 1994-03-09 | セイコー電子工業株式会社 | 液晶表示装置 |
| EP0234429B1 (en) * | 1986-02-17 | 1995-05-24 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device with a charge strage structure |
| FR2601801B1 (fr) * | 1986-07-16 | 1988-09-16 | Morin Francois | Ecran d'affichage a matrice active utilisant du carbure de silicium amorphe hydrogene et procede de fabrication de cet ecran |
| GB2203881B (en) * | 1987-04-16 | 1991-03-27 | Philips Electronic Associated | Liquid crystal display device |
| JPS6465527A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Seiko Instr & Electronics | Electro-optical device |
| GB9206086D0 (en) * | 1992-03-20 | 1992-05-06 | Philips Electronics Uk Ltd | Manufacturing electronic devices comprising,e.g.tfts and mims |
| US8355274B2 (en) | 2008-09-19 | 2013-01-15 | Panasonic Corporation | Current steering element, storage element, storage device, and method for manufacturing current steering element |
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