JPH0590006A - 厚膜抵抗体形成用組成物 - Google Patents
厚膜抵抗体形成用組成物Info
- Publication number
- JPH0590006A JPH0590006A JP3278773A JP27877391A JPH0590006A JP H0590006 A JPH0590006 A JP H0590006A JP 3278773 A JP3278773 A JP 3278773A JP 27877391 A JP27877391 A JP 27877391A JP H0590006 A JPH0590006 A JP H0590006A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ruo
- film resistor
- glass
- composition
- thick film
- Prior art date
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- Pending
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- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック基体等に厚膜抵抗体を形成するた
めの組成物に係り、抵抗体をセラミック基体等に形成し
た後にガラスコート等を行う際の再加熱工程での抵抗値
変化が少なく、歩留りよく厚膜抵抗体を形成することの
できる厚膜抵抗体形成用組成物を提供することを目的と
する。 【構成】 ＡｇとＰｄの少なくとも一方とＲｕＯ2 とを
含む導電性粉末と、ガラス粉末および有機ビヒクルとを
主成分とする厚膜抵抗体形成用組成物において、固形分
中ＡｇとＰｄのいずれか一方または両方を合せて４０〜
７０重量％、ＲｕＯ2 およびガラスを３０〜６０重量％
含有し、ＲｕＯ2 とガラスの重量比が２：８〜４：６の
範囲内となるようにしたことを特徴とする。
めの組成物に係り、抵抗体をセラミック基体等に形成し
た後にガラスコート等を行う際の再加熱工程での抵抗値
変化が少なく、歩留りよく厚膜抵抗体を形成することの
できる厚膜抵抗体形成用組成物を提供することを目的と
する。 【構成】 ＡｇとＰｄの少なくとも一方とＲｕＯ2 とを
含む導電性粉末と、ガラス粉末および有機ビヒクルとを
主成分とする厚膜抵抗体形成用組成物において、固形分
中ＡｇとＰｄのいずれか一方または両方を合せて４０〜
７０重量％、ＲｕＯ2 およびガラスを３０〜６０重量％
含有し、ＲｕＯ2 とガラスの重量比が２：８〜４：６の
範囲内となるようにしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば各種電子機器の
電子回路部品等においてセラミック基体等の上に厚膜抵
抗体、特に低抵抗値抵抗体を形成するための組成物に関
する。
電子回路部品等においてセラミック基体等の上に厚膜抵
抗体、特に低抵抗値抵抗体を形成するための組成物に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、導電性粉末とガラス粉末を所要の
抵抗値になるように混合し、これを有機ビヒクルに分散
したペーストをアルミナ等のセラミック基体上にスクリ
ーン印刷法等により所要形状に塗布し、７００〜９００
℃で焼成して、基体上に電子回路部品としての厚膜抵抗
体を形成することが行われている。特に、低抵抗値抵抗
体の導電粉末としてＡｇやＰｄの他にＲｕＯ2 を使用す
ることにより抵抗値の安定性を改善したりすることは知
られている。
抵抗値になるように混合し、これを有機ビヒクルに分散
したペーストをアルミナ等のセラミック基体上にスクリ
ーン印刷法等により所要形状に塗布し、７００〜９００
℃で焼成して、基体上に電子回路部品としての厚膜抵抗
体を形成することが行われている。特に、低抵抗値抵抗
体の導電粉末としてＡｇやＰｄの他にＲｕＯ2 を使用す
ることにより抵抗値の安定性を改善したりすることは知
られている。
【０００３】上記のような厚膜抵抗体を使った例えばチ
ップ抵抗器などの製造工程では、通常抵抗体の抵抗値を
調整した後に、ガラスコート等の目的のために６００℃
程度の再加熱が行われる。この再加熱工程での抵抗値変
化を考慮に入れて、トリミングによる抵抗値調整を行っ
ている。
ップ抵抗器などの製造工程では、通常抵抗体の抵抗値を
調整した後に、ガラスコート等の目的のために６００℃
程度の再加熱が行われる。この再加熱工程での抵抗値変
化を考慮に入れて、トリミングによる抵抗値調整を行っ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の再加
熱工程での抵抗値の変化が大きいと最終の抵抗値を目標
の範囲内に収めることが困難となり、歩留りを悪化させ
る大きな原因となっている。本発明は上記の問題点に鑑
みて提案されたもので、再加熱工程での抵抗値変化が少
なく、歩留りよく厚膜抵抗体の得られる主として低抵抗
値を有する厚膜抵抗体形成用組成物を提供することを目
的とする。
熱工程での抵抗値の変化が大きいと最終の抵抗値を目標
の範囲内に収めることが困難となり、歩留りを悪化させ
る大きな原因となっている。本発明は上記の問題点に鑑
みて提案されたもので、再加熱工程での抵抗値変化が少
なく、歩留りよく厚膜抵抗体の得られる主として低抵抗
値を有する厚膜抵抗体形成用組成物を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明による厚膜抵抗体形成用組成物は、以下の
構成としたものである。即ち、ＡｇとＰｄの少なくとも
一方とＲｕＯ2 とを含む導電性粉末と、ガラス粉末およ
び有機ビヒクルとを主成分とする厚膜抵抗体形成用組成
物において、固形分中ＡｇとＰｄのいずれか一方または
両方を合わせて４０〜７０重量％、ＲｕＯ2 およびガラ
スを３０〜６０重量％含有し、ＲｕＯ2 とガラスの重量
比が２：８〜４：６の範囲内になるようにしたことを特
徴とする。
めに、本発明による厚膜抵抗体形成用組成物は、以下の
構成としたものである。即ち、ＡｇとＰｄの少なくとも
一方とＲｕＯ2 とを含む導電性粉末と、ガラス粉末およ
び有機ビヒクルとを主成分とする厚膜抵抗体形成用組成
物において、固形分中ＡｇとＰｄのいずれか一方または
両方を合わせて４０〜７０重量％、ＲｕＯ2 およびガラ
スを３０〜６０重量％含有し、ＲｕＯ2 とガラスの重量
比が２：８〜４：６の範囲内になるようにしたことを特
徴とする。
【０００６】
【作用】上記のＡｇとＰｄは、いずれか一方または両方
の単体粉末あるいは両者の合金粉末等を用いることがで
き、ＡｇとＰｄの比率は特に限定されるものではない
が、コストと抵抗値の温度係数等の点からは、ＡｇとＰ
ｄとの重量比が８０：２０〜４０：６０の範囲内になる
ようにするのが好ましい。また上記の各粉末の粒径は、
１０μｍ以下、望ましくは５μｍ以下が好適である。Ｒ
ｕＯ2 粉末は通常厚膜抵抗体に用いられるものでよく、
粒径は１μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以下が望まし
い。ガラス粉末も通常の厚膜抵抗体に用いられるホウケ
イ酸鉛系、アルミホウケイ酸鉛系等でよく、粒径は１０
μｍ以下、好ましくは５μｍ以下が望ましい。
の単体粉末あるいは両者の合金粉末等を用いることがで
き、ＡｇとＰｄの比率は特に限定されるものではない
が、コストと抵抗値の温度係数等の点からは、ＡｇとＰ
ｄとの重量比が８０：２０〜４０：６０の範囲内になる
ようにするのが好ましい。また上記の各粉末の粒径は、
１０μｍ以下、望ましくは５μｍ以下が好適である。Ｒ
ｕＯ2 粉末は通常厚膜抵抗体に用いられるものでよく、
粒径は１μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以下が望まし
い。ガラス粉末も通常の厚膜抵抗体に用いられるホウケ
イ酸鉛系、アルミホウケイ酸鉛系等でよく、粒径は１０
μｍ以下、好ましくは５μｍ以下が望ましい。
【０００７】上記のＡｇ、Ｐｄ、ＲｕＯ2 及びガラス粉
末以外に、従来からＴＣＲ（抵抗温度係数）を小さくす
るために用いられているＭｎＯ2、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｓｂ2
Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＣｕＯ等を添加することは何ら差し支
えない。有機ビヒクルは、従来と同様にエチルセルロー
ス、メタクリレート等をターピネオール、ブチルカルビ
トールなどに溶解したものでよい。
末以外に、従来からＴＣＲ（抵抗温度係数）を小さくす
るために用いられているＭｎＯ2、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｓｂ2
Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＣｕＯ等を添加することは何ら差し支
えない。有機ビヒクルは、従来と同様にエチルセルロー
ス、メタクリレート等をターピネオール、ブチルカルビ
トールなどに溶解したものでよい。
【０００８】本発明において、固形分すなわちＡｇ、Ｐ
ｄ、ＲｕＯ2 およびガラス粉末とを合わせた全固形分の
うち、ＡｇとＰｄのいずれか一方または両方を合せて４
０〜７０重量％としたのは、４０重量％未満では抵抗値
が高くなりすぎ、７０重量％を超えると抵抗値が低くな
り過ぎるためである。またＲｕＯ2 とガラスの比率は、
本発明の目的である再加熱時の抵抗値変化を小さくする
のに重要であり、ＲｕＯ2 とガラスの重量比を２：８〜
４：６の範囲内としたのは、ＲｕＯ2 とガラスの重量比
が４：６よりもＲｕＯ2 が多くなると、再加熱時の抵抗
値変化が大きくなり、ＲｕＯ2 とガラスの重量比が２：
８よりもＲｕＯ2 が少なくなると、抵抗値が高くなり過
ぎるためである。
ｄ、ＲｕＯ2 およびガラス粉末とを合わせた全固形分の
うち、ＡｇとＰｄのいずれか一方または両方を合せて４
０〜７０重量％としたのは、４０重量％未満では抵抗値
が高くなりすぎ、７０重量％を超えると抵抗値が低くな
り過ぎるためである。またＲｕＯ2 とガラスの比率は、
本発明の目的である再加熱時の抵抗値変化を小さくする
のに重要であり、ＲｕＯ2 とガラスの重量比を２：８〜
４：６の範囲内としたのは、ＲｕＯ2 とガラスの重量比
が４：６よりもＲｕＯ2 が多くなると、再加熱時の抵抗
値変化が大きくなり、ＲｕＯ2 とガラスの重量比が２：
８よりもＲｕＯ2 が少なくなると、抵抗値が高くなり過
ぎるためである。
【０００９】
【実施例】平均粒径が、それぞれ１．０μｍ、０．３μ
ｍ、０．１μｍ以下のＡｇ粉末、Ｐｄ粉末、ＲｕＯ2 粉
末と、平均粒径が１．５μｍのガラス粉末（ＰｂＯが５
５重量％、ＳｉＯ2 が３０重量％、Ｂ2 Ｏ3 が１０重量
％、Ａｌ2 Ｏ3 が５重量％）とを用い、エチルセルロー
スのターピネオール溶液を添加して３本ロールで混練し
て下記表１に示す組成のペスートを調整した。
ｍ、０．１μｍ以下のＡｇ粉末、Ｐｄ粉末、ＲｕＯ2 粉
末と、平均粒径が１．５μｍのガラス粉末（ＰｂＯが５
５重量％、ＳｉＯ2 が３０重量％、Ｂ2 Ｏ3 が１０重量
％、Ａｌ2 Ｏ3 が５重量％）とを用い、エチルセルロー
スのターピネオール溶液を添加して３本ロールで混練し
て下記表１に示す組成のペスートを調整した。
【００１０】そして、予めＡｇＰｄペーストを８５０℃
で焼成してＡｇＰｄ電極を形成した９６％アルミナ基板
に、上記の抵抗ペーストをスクリーン印刷して１５０℃
で乾燥した後、ピーク温度（最高温度）８５０℃を９分
間保つようにしてトータル５０分間ベルト炉で焼成し、
大きさ１ｍｍ角、厚さ８〜１０μｍの抵抗体を形成し
た。その焼成後の初期抵抗値をデジタルマルチメータで
測定した。
で焼成してＡｇＰｄ電極を形成した９６％アルミナ基板
に、上記の抵抗ペーストをスクリーン印刷して１５０℃
で乾燥した後、ピーク温度（最高温度）８５０℃を９分
間保つようにしてトータル５０分間ベルト炉で焼成し、
大きさ１ｍｍ角、厚さ８〜１０μｍの抵抗体を形成し
た。その焼成後の初期抵抗値をデジタルマルチメータで
測定した。
【００１１】次に、上記の抵抗体の上に黒色のガラスペ
ーストを、抵抗体をコートするように印刷して乾燥し、
ピーク温度６００℃を５分間保つようにしてトータル４
０分間ベルト炉で焼成した。この焼成後の抵抗値を測定
し、前記の初期抵抗値に対する変化率を求めた。その結
果を下記表１に示す。
ーストを、抵抗体をコートするように印刷して乾燥し、
ピーク温度６００℃を５分間保つようにしてトータル４
０分間ベルト炉で焼成した。この焼成後の抵抗値を測定
し、前記の初期抵抗値に対する変化率を求めた。その結
果を下記表１に示す。
【００１２】
【００１３】上記のように、本発明に基づく上記各実施
例によれば、再加熱による抵抗値変化率を、±２％の範
囲内に収めることができた。
例によれば、再加熱による抵抗値変化率を、±２％の範
囲内に収めることができた。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明による厚膜抵
抗体形成用組成物は、再加熱による抵抗値変化を極力小
さくすることができるから、再加熱後の抵抗値を所定の
範囲内に収めるのが容易となり、またトリミング等で抵
抗値を調整する場合にも極めて簡単に調整することがで
きるもので、製品の歩留りを大幅に向上させることがで
きる等の効果がある。
抗体形成用組成物は、再加熱による抵抗値変化を極力小
さくすることができるから、再加熱後の抵抗値を所定の
範囲内に収めるのが容易となり、またトリミング等で抵
抗値を調整する場合にも極めて簡単に調整することがで
きるもので、製品の歩留りを大幅に向上させることがで
きる等の効果がある。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＡｇとＰｄの少なくとも一方とＲｕＯ2
とを含む導電性粉末と、ガラス粉末および有機ビヒクル
とを主成分とする厚膜抵抗体形成用組成物において、固
形分中ＡｇとＰｄのいずれか一方または両方を合せて４
０〜７０重量％、ＲｕＯ2 およびガラスを３０〜６０重
量％含有し、ＲｕＯ2 とガラスの重量比が２：８〜４：
６の範囲内であることを特徴とする厚膜抵抗体形成用組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3278773A JPH0590006A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 厚膜抵抗体形成用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3278773A JPH0590006A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 厚膜抵抗体形成用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590006A true JPH0590006A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17601987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3278773A Pending JPH0590006A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 厚膜抵抗体形成用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590006A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110797135A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-02-14 | 湖南嘉业达电子有限公司 | 一种适用于多孔陶瓷的厚膜电阻浆料及其制备方法 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3278773A patent/JPH0590006A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110797135A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-02-14 | 湖南嘉业达电子有限公司 | 一种适用于多孔陶瓷的厚膜电阻浆料及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990525 |