JPH0770370B2 - 厚膜抵抗体形成用組成物 - Google Patents
厚膜抵抗体形成用組成物Info
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- JPH0770370B2 JPH0770370B2 JP1139978A JP13997889A JPH0770370B2 JP H0770370 B2 JPH0770370 B2 JP H0770370B2 JP 1139978 A JP1139978 A JP 1139978A JP 13997889 A JP13997889 A JP 13997889A JP H0770370 B2 JPH0770370 B2 JP H0770370B2
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- Japan
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- glass
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はセラミック基体上に厚膜抵抗体を形成するため
の厚膜抵抗体形成用組成物に関する。
の厚膜抵抗体形成用組成物に関する。
軟化点400〜700℃のガラスフリツトに所要の抵抗値にな
るように導電性粉末を混合し、これを有機ビヒクルに分
散したペーストを、アルミナ等のセラミック基体上にス
クリーン印刷法や転写法により所要形状に塗布し、600
〜900℃で焼成して、基体上に電子回路部品としての厚
膜抵抗体を形成することが行なわれている。
るように導電性粉末を混合し、これを有機ビヒクルに分
散したペーストを、アルミナ等のセラミック基体上にス
クリーン印刷法や転写法により所要形状に塗布し、600
〜900℃で焼成して、基体上に電子回路部品としての厚
膜抵抗体を形成することが行なわれている。
この導電粉末としてRuO2やIrO2を使用することにより抵
抗値の安定性を改善したり、MnやCuの酸化物を添加する
ことによつて抵抗温度係数（TCR）を小さくすることは
公知である。又、RuO2と鉛系ガラスを用い、これにNb酸
化物を添加することによつて、更にTCRを小さくするこ
とも提案されている。
抗値の安定性を改善したり、MnやCuの酸化物を添加する
ことによつて抵抗温度係数（TCR）を小さくすることは
公知である。又、RuO2と鉛系ガラスを用い、これにNb酸
化物を添加することによつて、更にTCRを小さくするこ
とも提案されている。
本発明は従来よりもTCRの小さい主として低抵抗値を有
する厚膜抵抗体形成用組成物を提供することを課題とす
る。
する厚膜抵抗体形成用組成物を提供することを課題とす
る。
本発明は、PbO30〜60重量％、SiO2９〜37重量％を含有
する組成のガラス粉末10〜65重量部、RuO2粉末10〜40重
量部、有機ビヒクル20〜40重量部、Ti化合物粉末をTiと
して0.06〜0.6重量部の割合にこれらを含有する厚膜抵
抗体形成用組成物、及びPbO30〜60重量％、SiO2９〜37
重量％、TiO2をTiとして0.10〜６重量％を含有する組成
のガラス粉末10〜65重量部、RuO2粉末10〜40重量部、有
機ビヒクル20〜40重量部の割合にこれらを含有する厚膜
抵抗体形成用組成物を課題を解決するための手段とする
ものである。
する組成のガラス粉末10〜65重量部、RuO2粉末10〜40重
量部、有機ビヒクル20〜40重量部、Ti化合物粉末をTiと
して0.06〜0.6重量部の割合にこれらを含有する厚膜抵
抗体形成用組成物、及びPbO30〜60重量％、SiO2９〜37
重量％、TiO2をTiとして0.10〜６重量％を含有する組成
のガラス粉末10〜65重量部、RuO2粉末10〜40重量部、有
機ビヒクル20〜40重量部の割合にこれらを含有する厚膜
抵抗体形成用組成物を課題を解決するための手段とする
ものである。
固形物粉末は、ビヒクルと混合してペースト状とし、15
0〜400メツシユスクリーンを通して基体に塗布するた
め、ペーストが円滑にスクリーンを通過しうるようにす
るため、平均粒径10μｍ以下の粉末として用いる。
0〜400メツシユスクリーンを通して基体に塗布するた
め、ペーストが円滑にスクリーンを通過しうるようにす
るため、平均粒径10μｍ以下の粉末として用いる。
有機ビヒクルは、従来と同様にターピネオール、ブチル
カルビトールアセテート、トルエンなどの溶媒にエチル
セルロース、メタクリレート樹脂等を溶解したものが用
いられる。
カルビトールアセテート、トルエンなどの溶媒にエチル
セルロース、メタクリレート樹脂等を溶解したものが用
いられる。
Ti化合物としてはTiO2、BaTiO3などの無機化合物のほか
有機化合物を用いることもでき、Ti化合物はガラス中に
配合しても、ガラスの外に配合しても良い。
有機化合物を用いることもでき、Ti化合物はガラス中に
配合しても、ガラスの外に配合しても良い。
上記のガラス粉末、RuO2粉末、Ti化合物粉末、有機ビヒ
クル以外に、従来からTCRを小さくするために用いられ
ているMnO2、Mn2O3、Mn3O4、CuO、Nb2O3、Sb2O3、を添
加することも出来る。
クル以外に、従来からTCRを小さくするために用いられ
ているMnO2、Mn2O3、Mn3O4、CuO、Nb2O3、Sb2O3、を添
加することも出来る。
上記のガラスとしては、PbO、SiO2のほかにガラス成分
として通常配合されているZnO、B2O3、Al2O3、CaO等を
一種３〜35重量％を熱膨張率、軟化点などを調節するた
めに添加することができる。
として通常配合されているZnO、B2O3、Al2O3、CaO等を
一種３〜35重量％を熱膨張率、軟化点などを調節するた
めに添加することができる。
本発明におけるガラス組成において、PbOの含有量を60
重量％までとするのは、PbOが60重量％を超えるように
なると、基体に塗布したペーストを焼成して皮膜とする
とき最高焼成温度での軟化が著しくパターン形状がくず
れるようになるからである。PbOが30重量％よりも少な
いかSiO2が37重量％を超えるようになると、逆に焼成の
際の軟化が不充分となるため、焼成した被膜が多孔質と
なり弱くなる。SiO2が９重量％未満ではガラス化しにく
くなる。以上からPbO30〜60重量％、SiO2９〜37重量％
とした。
重量％までとするのは、PbOが60重量％を超えるように
なると、基体に塗布したペーストを焼成して皮膜とする
とき最高焼成温度での軟化が著しくパターン形状がくず
れるようになるからである。PbOが30重量％よりも少な
いかSiO2が37重量％を超えるようになると、逆に焼成の
際の軟化が不充分となるため、焼成した被膜が多孔質と
なり弱くなる。SiO2が９重量％未満ではガラス化しにく
くなる。以上からPbO30〜60重量％、SiO2９〜37重量％
とした。
ガラス粉末は、導電成分であるRuO2の10〜40重量部に対
して、65重量部を超えると抵抗値が高くなりすぎ、10重
量部未満では被膜の基体に対する接着強度が低下するの
で、10〜65重量部とする。
して、65重量部を超えると抵抗値が高くなりすぎ、10重
量部未満では被膜の基体に対する接着強度が低下するの
で、10〜65重量部とする。
RuO2粉末が、ガラス粉末10〜65重量部に対して40重量部
を超えるようになると、焼成後の被膜が極端に多孔質と
なり被膜強度が弱くなり信頼性が低下し、10重量部より
少ないと抵抗値の変動が大きくなるので、RuO2の添加範
囲を10〜40重量部の範囲とする。
を超えるようになると、焼成後の被膜が極端に多孔質と
なり被膜強度が弱くなり信頼性が低下し、10重量部より
少ないと抵抗値の変動が大きくなるので、RuO2の添加範
囲を10〜40重量部の範囲とする。
Ti化合物は、TCRを小さくするために添加するものであ
るが、ガラス粉末10〜65重量部に対してTiとして0.06重
量部未満では添加効果がなく、0.6重量部を超えても添
加効果が薄れてくるのでTiの添加量を0.06〜0.6重量部
とした。ガラス内にTiO2としてTiを添加する場合も同様
の理由により、ガラス外に添加する場合と同比率で添加
するものである。
るが、ガラス粉末10〜65重量部に対してTiとして0.06重
量部未満では添加効果がなく、0.6重量部を超えても添
加効果が薄れてくるのでTiの添加量を0.06〜0.6重量部
とした。ガラス内にTiO2としてTiを添加する場合も同様
の理由により、ガラス外に添加する場合と同比率で添加
するものである。
有機ビヒクルはこの組成物をインキ状にして印刷するに
は欠かせないものであるが、ガラス粉末及びRuO2粉末の
量に対して20重量部未満ではインキ状にすることが困難
となり、40重量部を超えると現在一般に使用されている
印刷条件では被膜が薄くなり過ぎ抵抗値が大きく変動す
るようになるので、有機ビヒクルの配合比率を20〜40重
量部とする。
は欠かせないものであるが、ガラス粉末及びRuO2粉末の
量に対して20重量部未満ではインキ状にすることが困難
となり、40重量部を超えると現在一般に使用されている
印刷条件では被膜が薄くなり過ぎ抵抗値が大きく変動す
るようになるので、有機ビヒクルの配合比率を20〜40重
量部とする。
Tiはガラス中に分散してガラス中に分相を生ぜしめ、ガ
ラス相を安定化することによりTCRの変化を小さくする
のではないかと考えられる。
ラス相を安定化することによりTCRの変化を小さくする
のではないかと考えられる。
RuO2、TiO2、BaTiO3、MnO2、Pd粉末として平均粒径0.1
μｍ以下のものを、Ag粉末として平均粒径1.2μｍのも
のを、ガラス粉末として200メツシユの篩を全部通過し
た第１表に示す組成のものを使用した。
μｍ以下のものを、Ag粉末として平均粒径1.2μｍのも
のを、ガラス粉末として200メツシユの篩を全部通過し
た第１表に示す組成のものを使用した。
これらの無機粉末にエチルセルロース10重量％を含有す
るターピネオール溶液30重量部を添加して３本ロールミ
ルで混練して第２表に示す組成の低抵抗体用ペーストを
調整した。
るターピネオール溶液30重量部を添加して３本ロールミ
ルで混練して第２表に示す組成の低抵抗体用ペーストを
調整した。
純度96％のアルミナ基板の上に、Ag/Pdペーストからな
る導電ペーストをスクリーン印刷法により塗布して、ピ
ーク温度150℃のベルト炉で溶剤を乾燥し、次いでピー
ク温度850℃×９分間の温度分布を有するベルト炉を通
して焼成して電極を形成する。
る導電ペーストをスクリーン印刷法により塗布して、ピ
ーク温度150℃のベルト炉で溶剤を乾燥し、次いでピー
ク温度850℃×９分間の温度分布を有するベルト炉を通
して焼成して電極を形成する。
電極間を橋渡しするように上記のペーストを印刷し電極
と同じ方法で乾燥焼成して抵抗体被膜を形成した。抵抗
体被膜の大きさは1mm角である。
と同じ方法で乾燥焼成して抵抗体被膜を形成した。抵抗
体被膜の大きさは1mm角である。
抵抗体は一組成当り20個作成し、まずデジタルマルチメ
ーターで抵抗値を測定した。この中から任意に５個選択
しTCRを測定した。
ーターで抵抗値を測定した。この中から任意に５個選択
しTCRを測定した。
TCRの測定は、恒温槽中に外部にあるデジタルマルチメ
ーターと電極が接続された抵抗体を配置し、一般にTCR
の指標としている高温TCRと低温TCRとを25℃、125℃、
−55℃の順序でその温度での抵抗値を測定し次式で求め
た。
ーターと電極が接続された抵抗体を配置し、一般にTCR
の指標としている高温TCRと低温TCRとを25℃、125℃、
−55℃の順序でその温度での抵抗値を測定し次式で求め
た。
但し R25:25℃の測定抵抗値 R125:125℃の測定抵抗値 R-55：−55℃の測定抵抗値 第２表にその結果を示す。
〔発明の効果〕 第２表に示すように、本発明によればTCRを従来よりも
小さい±50以内の抵抗被膜を形成しうる組成物を提供で
きる。
小さい±50以内の抵抗被膜を形成しうる組成物を提供で
きる。
Claims (2)
- 【請求項１】PbO30〜60重量％、SiO2９〜37重量％を含
有する組成のガラス粉末10〜65重量部、RuO2粉末10〜40
重量部、有機ビヒクル20〜40重量部、Ti化合物粉末をTi
として0.06〜0.6重量部の割合にこれらを含有する厚膜
抵抗体形成用組成物。 - 【請求項２】PbO30〜60重量％、SiO2９〜37重量％、TiO
2をTiとして0.10〜６重量％を含有する組成のガラス粉
末10〜65重量部、RuO210〜40重量部、有機ビヒクル20〜
40重量部の割合にこれらを含有する厚膜抵抗体形成用組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1139978A JPH0770370B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 厚膜抵抗体形成用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1139978A JPH0770370B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 厚膜抵抗体形成用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034501A JPH034501A (ja) | 1991-01-10 |
| JPH0770370B2 true JPH0770370B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=15258098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1139978A Expired - Fee Related JPH0770370B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 厚膜抵抗体形成用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770370B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100274210B1 (ko) * | 1998-11-02 | 2000-12-15 | 오세종 | 어레이형 다중 칩 부품 |
| KR100819200B1 (ko) * | 2007-05-15 | 2008-04-04 | (주)조은포장 | 절첩식 포장상자 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3974107A (en) * | 1974-03-27 | 1976-08-10 | E. I. Dupont De Nemours And Company | Resistors and compositions therefor |
| JPS53100496A (en) * | 1977-02-15 | 1978-09-01 | Sumitomo Metal Mining Co | Method of manufacturing paste for resistance body |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1139978A patent/JPH0770370B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH034501A (ja) | 1991-01-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |