JPH0590366A - 半導体チツプ選別装置 - Google Patents
半導体チツプ選別装置Info
- Publication number
- JPH0590366A JPH0590366A JP25158891A JP25158891A JPH0590366A JP H0590366 A JPH0590366 A JP H0590366A JP 25158891 A JP25158891 A JP 25158891A JP 25158891 A JP25158891 A JP 25158891A JP H0590366 A JPH0590366 A JP H0590366A
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- Japan
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- semiconductor chip
- semiconductor
- wafer
- light
- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップの品種や半導体ウエーハの製造ロ
ットの違いの如何にかかわらず、半導体チップの位置と
良,不良を短時間に容易且つ正確に検査・選別する。 【構成】ウエーハシート2の上面に貼り付けられた状態
で載置台3に搬入された半導体ウエーハ3の上面にスポ
ット光を斜めに照射するスポット照明装置5A,5Bを
設ける。
ットの違いの如何にかかわらず、半導体チップの位置と
良,不良を短時間に容易且つ正確に検査・選別する。 【構成】ウエーハシート2の上面に貼り付けられた状態
で載置台3に搬入された半導体ウエーハ3の上面にスポ
ット光を斜めに照射するスポット照明装置5A,5Bを
設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に係
り、特に半導体ウエーハから半導体チップを選別する半
導体チップ選別装置に関する。
り、特に半導体ウエーハから半導体チップを選別する半
導体チップ選別装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、半導体チップの電極をフィル
ムキャリヤテープのインナーリードに一括接続するイン
ナーリードボンディング装置においては、ウエーハシー
ト上に貼り付けられた状態で載置台に供給された半導体
ウエーハから、良品の半導体チップだけを選別し取り出
して、この半導体チップを搬送アームでフィルムキャリ
ヤテープのインナーリードに位置決めし、半導体チップ
の電極をボンディングツールで連続接合している。
ムキャリヤテープのインナーリードに一括接続するイン
ナーリードボンディング装置においては、ウエーハシー
ト上に貼り付けられた状態で載置台に供給された半導体
ウエーハから、良品の半導体チップだけを選別し取り出
して、この半導体チップを搬送アームでフィルムキャリ
ヤテープのインナーリードに位置決めし、半導体チップ
の電極をボンディングツールで連続接合している。
【0003】このインナーリードボンディング装置にお
いては、各半導体チップは、次のように検査,選別され
ている。その一つは、半導体チップを搬送アームで取り
上げるための位置の検出で、半導体チップの表面に形成
されたパターンの一部の検出であり、他の一つは、半導
体チップの表面に上流の工程で付与された不良マークの
有無と半導体チップの角部の欠損の有無による良,不良
の選別である。
いては、各半導体チップは、次のように検査,選別され
ている。その一つは、半導体チップを搬送アームで取り
上げるための位置の検出で、半導体チップの表面に形成
されたパターンの一部の検出であり、他の一つは、半導
体チップの表面に上流の工程で付与された不良マークの
有無と半導体チップの角部の欠損の有無による良,不良
の選別である。
【0004】そのため、従来のインナーリードボンディ
ング装置の半導体チップ選別装置においては、詳細後述
する同軸落下照明装置の光源ユニットから検査光が半導
体チップに照射され、その反射光を電荷結合素子(Char
ge Coupled Device )カメラ(以下、CCDカメラとい
う)で受光し、このCCDカメラの出力を画像処理装置
に入力し処理して画面に表示し、その画面から良否を選
別している。
ング装置の半導体チップ選別装置においては、詳細後述
する同軸落下照明装置の光源ユニットから検査光が半導
体チップに照射され、その反射光を電荷結合素子(Char
ge Coupled Device )カメラ(以下、CCDカメラとい
う)で受光し、このCCDカメラの出力を画像処理装置
に入力し処理して画面に表示し、その画面から良否を選
別している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の半導
体チップ選別装置においては、半導体チップの端面とウ
エーハシートとの境界線が画面で識別できないときがあ
り、更に半導体チップの角部の欠損の有無が判別できな
いときがあるだけでなく、位置検出のためのパターンの
検出もできないときがある。さらに、上述した不良マー
クの検出も、半導体チップの品種や製造ロットによって
は、半導体チップの表面状態の違いで、画像が不鮮明と
なる。そのため、その都度画像処理装置を調整する方法
も採られていたが、熟練を要し、かえって手間がかかる
だけでなく、それでもロットや品種による表面状態の差
が著しいときには選別できない。
体チップ選別装置においては、半導体チップの端面とウ
エーハシートとの境界線が画面で識別できないときがあ
り、更に半導体チップの角部の欠損の有無が判別できな
いときがあるだけでなく、位置検出のためのパターンの
検出もできないときがある。さらに、上述した不良マー
クの検出も、半導体チップの品種や製造ロットによって
は、半導体チップの表面状態の違いで、画像が不鮮明と
なる。そのため、その都度画像処理装置を調整する方法
も採られていたが、熟練を要し、かえって手間がかかる
だけでなく、それでもロットや品種による表面状態の差
が著しいときには選別できない。
【0006】そこで、本発明の目的は、半導体チップの
品種や半導体ウエーハの製造ロットの違いの如何にかか
わらず、短時間に容易且つ正確に検査・選別することが
でき、半導体製造装置の稼働率と半導体チップの歩止り
率を上げることのできる半導体チップ選別装置を得るこ
とである。
品種や半導体ウエーハの製造ロットの違いの如何にかか
わらず、短時間に容易且つ正確に検査・選別することが
でき、半導体製造装置の稼働率と半導体チップの歩止り
率を上げることのできる半導体チップ選別装置を得るこ
とである。
【0007】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、同軸
落下照明で半導体ウエーハの表面に光を照射し、その反
射光を検出し画像処理装置で処理して半導体ウエーハの
位置を検出し欠陥を判別する半導体チップ選別装置にお
いて、半導体ウエーハの上方からこの半導体ウエーハの
上面に斜めに光を照射するスポット照明装置を設けるこ
とで、画像処理装置の画像を鮮明にして、半導体チップ
の品種や半導体ウエーハの製造ロットによる半導体チッ
プの表面の状態の如何にかかわらず、短時間に容易且つ
正確に検査・選別して、半導体製造装置の稼働率と半導
体チップの歩止り率を上げた半導体チップ選別装置であ
る。
落下照明で半導体ウエーハの表面に光を照射し、その反
射光を検出し画像処理装置で処理して半導体ウエーハの
位置を検出し欠陥を判別する半導体チップ選別装置にお
いて、半導体ウエーハの上方からこの半導体ウエーハの
上面に斜めに光を照射するスポット照明装置を設けるこ
とで、画像処理装置の画像を鮮明にして、半導体チップ
の品種や半導体ウエーハの製造ロットによる半導体チッ
プの表面の状態の如何にかかわらず、短時間に容易且つ
正確に検査・選別して、半導体製造装置の稼働率と半導
体チップの歩止り率を上げた半導体チップ選別装置であ
る。
【0008】
【実施例】以下、本発明の半導体チップ選別装置の一実
施例を図面を参照して説明する。図1は、本発明の半導
体チップ選別装置の概要を示す図である。図1におい
て、詳細省略した載置台3の上面には、ウエーハシート
2の上面に半導体チップ1が貼り付けられた状態で、
今、載置されている。載置台3の上方に設けられた図示
しない架台には、同軸落下照明用ハーフミラーボックス
12や前述した「従来の技術」に記した光源ユニット7な
どで構成された後述する同軸落下照明装置15と画像処理
装置6などが設けられている。
施例を図面を参照して説明する。図1は、本発明の半導
体チップ選別装置の概要を示す図である。図1におい
て、詳細省略した載置台3の上面には、ウエーハシート
2の上面に半導体チップ1が貼り付けられた状態で、
今、載置されている。載置台3の上方に設けられた図示
しない架台には、同軸落下照明用ハーフミラーボックス
12や前述した「従来の技術」に記した光源ユニット7な
どで構成された後述する同軸落下照明装置15と画像処理
装置6などが設けられている。
【0009】このうち、同軸落下照明装置15の光源ユニ
ット7には、内部に収納された図示しない光源の出力を
調整する光量調整装置7aが内蔵され、光源ユニット7
の出力側に接続された光ファイバ8の先端には、ハーフ
ミラーボックス用ガイド9Aが接続され、このハーフミ
ラーボックス用ガイド9Aの更に先端は、同軸落下照明
用ハーフミラーボックス12に連結され、この同軸落下照
明用ハーフミラーボックス12の内部には、ハーフミラー
11が45°に傾けて収納されている。同軸落下照明用ハー
フミラーボックス12の上面には、光学鏡筒12aが連結さ
れ、この光学鏡筒12aの上端には、前述したCCDカメ
ラ4が取り付けられ、このCCDカメラ4の出力信号線
4aは、画像処理装置6に接続されている。
ット7には、内部に収納された図示しない光源の出力を
調整する光量調整装置7aが内蔵され、光源ユニット7
の出力側に接続された光ファイバ8の先端には、ハーフ
ミラーボックス用ガイド9Aが接続され、このハーフミ
ラーボックス用ガイド9Aの更に先端は、同軸落下照明
用ハーフミラーボックス12に連結され、この同軸落下照
明用ハーフミラーボックス12の内部には、ハーフミラー
11が45°に傾けて収納されている。同軸落下照明用ハー
フミラーボックス12の上面には、光学鏡筒12aが連結さ
れ、この光学鏡筒12aの上端には、前述したCCDカメ
ラ4が取り付けられ、このCCDカメラ4の出力信号線
4aは、画像処理装置6に接続されている。
【0010】一方、載置台3の右上方には、前述した架
台に図示しない3軸の駆動部と光源ユニット7が載置さ
れ、このうち、3軸の駆動部の先端には、スポット照明
集光レンズ用ガイド9Bが取り付けられ、このスポット
照明集光レンズ用ガイド9Bの先端には、集光レンズボ
ックス14が取り付けられ、この集光レンズボックス14の
内部には、集光レンズ10が収納されている。光源ユニッ
ト7とスポット照明集光レンズ用ガイド9Bの後端に
は、光ファイバ8が接続され、これらの光源ユニット
7,光ファイバ8,スポット照明用集光レンズ用ガイド
9Bと集光レンズボックス14でスポット照明装置5Bを
構成している。同様に、載置台3の左上方には、スポッ
ト照明装置5Bと同一品のスポット照明装置5Aが、ス
ポット照明装置5Aとほぼ対称的に図示しない架台に載
置されている。
台に図示しない3軸の駆動部と光源ユニット7が載置さ
れ、このうち、3軸の駆動部の先端には、スポット照明
集光レンズ用ガイド9Bが取り付けられ、このスポット
照明集光レンズ用ガイド9Bの先端には、集光レンズボ
ックス14が取り付けられ、この集光レンズボックス14の
内部には、集光レンズ10が収納されている。光源ユニッ
ト7とスポット照明集光レンズ用ガイド9Bの後端に
は、光ファイバ8が接続され、これらの光源ユニット
7,光ファイバ8,スポット照明用集光レンズ用ガイド
9Bと集光レンズボックス14でスポット照明装置5Bを
構成している。同様に、載置台3の左上方には、スポッ
ト照明装置5Bと同一品のスポット照明装置5Aが、ス
ポット照明装置5Aとほぼ対称的に図示しない架台に載
置されている。
【0011】さて、このように構成された半導体チップ
選別装置において、載置台3の上面に載置された半導体
チップ1の位置を検出し、良品か不良品かを選別すると
きには、従来の半導体チップ選別装置と同様に、同軸落
下照明装置15のハーフミラー11からの検査光を半導体チ
ップ1に照射するとともに、左右に設けられたスポット
照明装置5A,5Bから出射され集光レンズ10で集光さ
れた検査光を同時に半導体チップ1に照射する。
選別装置において、載置台3の上面に載置された半導体
チップ1の位置を検出し、良品か不良品かを選別すると
きには、従来の半導体チップ選別装置と同様に、同軸落
下照明装置15のハーフミラー11からの検査光を半導体チ
ップ1に照射するとともに、左右に設けられたスポット
照明装置5A,5Bから出射され集光レンズ10で集光さ
れた検査光を同時に半導体チップ1に照射する。
【0012】この結果、ハーフミラー11から半導体チッ
プ1に照射されて反射した光は、従来と同様にハーフミ
ラー11と光学鏡筒12aを経てCCDカメラ4に入射し、
このCCDカメラ4の出力信号は、画像処理装置6に転
送される。
プ1に照射されて反射した光は、従来と同様にハーフミ
ラー11と光学鏡筒12aを経てCCDカメラ4に入射し、
このCCDカメラ4の出力信号は、画像処理装置6に転
送される。
【0013】一方、左右のスポット照明装置5A,5B
の光源ユニット7から出射され、光ファイバ8,スポッ
ト照明集光レンズ用ガイド9Bを経て集光レンズ10に入
射した検査光は、この集光レンズ10で集光されて半導体
チップ1に照射され、この反射光の一部も、ハーフミラ
ー11を経てCCDカメラ4に入射する。
の光源ユニット7から出射され、光ファイバ8,スポッ
ト照明集光レンズ用ガイド9Bを経て集光レンズ10に入
射した検査光は、この集光レンズ10で集光されて半導体
チップ1に照射され、この反射光の一部も、ハーフミラ
ー11を経てCCDカメラ4に入射する。
【0014】そして、このとき、画像処理装置6で表示
された半導体チップ1の画像を見ながら、各光源ユニッ
ト7の光量調整装置7aで出射される光量を調整すると
ともに、左右のスポット照明集光レンズ用ガイド9Bを
支えている上述した3軸の駆動部を駆動して、半導体チ
ップ1に照射される左右の検査光の照度と角度と焦点を
調整する。
された半導体チップ1の画像を見ながら、各光源ユニッ
ト7の光量調整装置7aで出射される光量を調整すると
ともに、左右のスポット照明集光レンズ用ガイド9Bを
支えている上述した3軸の駆動部を駆動して、半導体チ
ップ1に照射される左右の検査光の照度と角度と焦点を
調整する。
【0015】このように構成された半導体チップ選別装
置においては、集光レンズ10で集光された検査光を、各
半導体チップ1の間に形成された溝に斜めに照射するこ
とで、溝の下部と底部に光の陰影を形成することができ
るので、半導体チップ1の端部とウエーハシート2との
境界を表示する画像処理装置6の画像を鮮明にすること
ができ、半導体チップ1の角部の欠損の有無の表示画像
も同じく鮮明にすることができる。更に、半導体チップ
1の品種や製造ロットが変ったときでも、そのロットの
最初に、上述したように左右のスポット照明装置5A,
5Bなどを調整することで、続いて供給される同一ロッ
トの半導体チップの良品,不良品を容易且つ正確に選別
することができる。
置においては、集光レンズ10で集光された検査光を、各
半導体チップ1の間に形成された溝に斜めに照射するこ
とで、溝の下部と底部に光の陰影を形成することができ
るので、半導体チップ1の端部とウエーハシート2との
境界を表示する画像処理装置6の画像を鮮明にすること
ができ、半導体チップ1の角部の欠損の有無の表示画像
も同じく鮮明にすることができる。更に、半導体チップ
1の品種や製造ロットが変ったときでも、そのロットの
最初に、上述したように左右のスポット照明装置5A,
5Bなどを調整することで、続いて供給される同一ロッ
トの半導体チップの良品,不良品を容易且つ正確に選別
することができる。
【0016】なお、上記実施例においては、スポット照
明装置は載置台3の左右に設けた例で説明したが、半導
体ウエーハの品種や製造ロット間の半導体ウエーハの表
面の状態のばらつきが少ないときには、片側だけにして
もよい。
明装置は載置台3の左右に設けた例で説明したが、半導
体ウエーハの品種や製造ロット間の半導体ウエーハの表
面の状態のばらつきが少ないときには、片側だけにして
もよい。
【0017】
【発明の効果】以上、本発明によれば、同軸落下照明で
半導体ウエーハの表面に光を照射し、その反射光を検出
し画像処理装置で処理して半導体ウエーハの位置を検出
し欠陥を判別する半導体チップ選別装置において、半導
体ウエーハの上方からこの半導体ウエーハの上面に斜め
に光を照射するスポット照明装置を設けることで、画像
処理装置の画像を鮮明にしたので、半導体チップの品種
や半導体ウエーハの製造ロットによる半導体チップの表
面の状態の如何にかかわらず、短時間に容易且つ正確に
検査・選別して、半導体製造装置の稼働率と半導体チッ
プの歩止り率を上げることのできる半導体チップ選別装
置を得ることができる。
半導体ウエーハの表面に光を照射し、その反射光を検出
し画像処理装置で処理して半導体ウエーハの位置を検出
し欠陥を判別する半導体チップ選別装置において、半導
体ウエーハの上方からこの半導体ウエーハの上面に斜め
に光を照射するスポット照明装置を設けることで、画像
処理装置の画像を鮮明にしたので、半導体チップの品種
や半導体ウエーハの製造ロットによる半導体チップの表
面の状態の如何にかかわらず、短時間に容易且つ正確に
検査・選別して、半導体製造装置の稼働率と半導体チッ
プの歩止り率を上げることのできる半導体チップ選別装
置を得ることができる。
【図1】本発明の半導体チップ選別装置の一実施例を示
す図。
す図。
1…半導体チップ、2…ウエーハシート、3…載置台、
4…CCDカメラ、5A,5B…スポット照明装置、6
…画像処理装置。
4…CCDカメラ、5A,5B…スポット照明装置、6
…画像処理装置。
Claims (1)
- 【請求項1】 同軸落下照明で半導体ウエーハの表面に
光を照射し、その反射光を検出し画像処理装置で処理し
て前記半導体ウエーハの位置を検出し欠陥を判別する半
導体チップ選別装置において、前記半導体ウエーハの上
方からこの半導体ウエーハの上面に斜めに光を照射する
スポット照明装置を設けたことを特徴とする半導体チッ
プ選別装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25158891A JPH0590366A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体チツプ選別装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25158891A JPH0590366A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体チツプ選別装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590366A true JPH0590366A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17225051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25158891A Pending JPH0590366A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体チツプ選別装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590366A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5497234A (en) * | 1993-04-30 | 1996-03-05 | Haga; Kazumi | Inspection apparatus |
| US5583632A (en) * | 1994-06-21 | 1996-12-10 | New Creation Co., Ltd. | Apparatus for two or three dimensional optical inspection of a sample |
| JP2008026254A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | ゴムホースの外観検査装置 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP25158891A patent/JPH0590366A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5497234A (en) * | 1993-04-30 | 1996-03-05 | Haga; Kazumi | Inspection apparatus |
| US5583632A (en) * | 1994-06-21 | 1996-12-10 | New Creation Co., Ltd. | Apparatus for two or three dimensional optical inspection of a sample |
| JP2008026254A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | ゴムホースの外観検査装置 |
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