JPH0590421A - 多層配線を形成する半導体装置の製造方法 - Google Patents
多層配線を形成する半導体装置の製造方法Info
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- JPH0590421A JPH0590421A JP3277243A JP27724391A JPH0590421A JP H0590421 A JPH0590421 A JP H0590421A JP 3277243 A JP3277243 A JP 3277243A JP 27724391 A JP27724391 A JP 27724391A JP H0590421 A JPH0590421 A JP H0590421A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 接続孔におけるエッチングの汚染および大気
中の水分吸着によるＷ形成の障害を取り除き、上層配線
との良好な接触を保つ接続孔の埋め込みを行うこと。 【構成】 本発明は、多重配線からなる下層配線の最上
層または単一層からなる下層配線に高融点金属８を用
い、その上面にアモルファスシリコン層２を形成し、次
いで、層間絶縁膜７を形成し、この層間絶縁膜に接続孔
３を開口してその底部にアモルファスシリコンを露出さ
せた後、この露出部分のアモルファスシリコンによるＷ
Ｆ6 ガスの還元反応を行い、前記底部にタングステン層
４を形成し、次いで還元用ガスによるＷＦ6 ガスの還元
反応を実施して前記タングステン層にさらにタングステ
ンの堆積５を進行させ、接続孔の埋め込みを行って多層
配線用接続孔を埋め込んだ半導体装置を形成する。
中の水分吸着によるＷ形成の障害を取り除き、上層配線
との良好な接触を保つ接続孔の埋め込みを行うこと。 【構成】 本発明は、多重配線からなる下層配線の最上
層または単一層からなる下層配線に高融点金属８を用
い、その上面にアモルファスシリコン層２を形成し、次
いで、層間絶縁膜７を形成し、この層間絶縁膜に接続孔
３を開口してその底部にアモルファスシリコンを露出さ
せた後、この露出部分のアモルファスシリコンによるＷ
Ｆ6 ガスの還元反応を行い、前記底部にタングステン層
４を形成し、次いで還元用ガスによるＷＦ6 ガスの還元
反応を実施して前記タングステン層にさらにタングステ
ンの堆積５を進行させ、接続孔の埋め込みを行って多層
配線用接続孔を埋め込んだ半導体装置を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線を形成する半
導体装置の新規な製造方法に関し、特に多層配線におけ
る相互接続用接続孔の埋め込みを選択タングステンＣＶ
Ｄ法を用いて実施する技術の改良に関する。
導体装置の新規な製造方法に関し、特に多層配線におけ
る相互接続用接続孔の埋め込みを選択タングステンＣＶ
Ｄ法を用いて実施する技術の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体集積回路の高密度化に伴い配
線構造を多層に形成することが行われているが、その配
線相互を接続する技術としてタングステンＣＶＤ法があ
る。
線構造を多層に形成することが行われているが、その配
線相互を接続する技術としてタングステンＣＶＤ法があ
る。
【０００３】このタングステンＣＶＤ法は、接続孔の埋
め込み技術において、その埋め込み導体として低接触抵
抗を有し、かつヒロック(hillock) 発生防止のためのシ
リコンとの同等な熱膨張率を有する物性が考慮され、さ
らにステップカバレッジに関係するエレクトロミグレー
ション効果、浅い拡散層（shallow junction) 形成のた
め低温プロセス適合性など理由から用いられている。こ
の方法には、さらにエッチバッグ、そのためのマスク合
わせを不要とし、かつほぼ等しいホール深さの埋め込み
に有効な選択タングステンＣＶＤ法が採用される。
め込み技術において、その埋め込み導体として低接触抵
抗を有し、かつヒロック(hillock) 発生防止のためのシ
リコンとの同等な熱膨張率を有する物性が考慮され、さ
らにステップカバレッジに関係するエレクトロミグレー
ション効果、浅い拡散層（shallow junction) 形成のた
め低温プロセス適合性など理由から用いられている。こ
の方法には、さらにエッチバッグ、そのためのマスク合
わせを不要とし、かつほぼ等しいホール深さの埋め込み
に有効な選択タングステンＣＶＤ法が採用される。
【０００４】選択タングステンＣＶＤ法はタングステン
を堆積すべき部分にＷＦ6 （タングステンヘキサクロラ
イド）ガスと特異的（選択的）に反応をする物質の還元
反応を利用したものである。例えば、Solid State Tech
nology（1986年11月,117〜126 頁) にはシリコン基板上
の酸化膜に形成したコンタクトホールにタングステンＣ
ＶＤ法を実施した例が次のように示されている。
を堆積すべき部分にＷＦ6 （タングステンヘキサクロラ
イド）ガスと特異的（選択的）に反応をする物質の還元
反応を利用したものである。例えば、Solid State Tech
nology（1986年11月,117〜126 頁) にはシリコン基板上
の酸化膜に形成したコンタクトホールにタングステンＣ
ＶＤ法を実施した例が次のように示されている。
【０００５】先ず、反応(1) ： ２ＷＦ6(g)＋３Ｓi(s) → ２Ｗ(s) ＋３ＳiＦ4 (g) が温度約３００℃，圧力１Torr以下で行われ、１００Å
の厚さで、形成限界（self limiting)に達したタングス
テン層は良好な付着と低接触抵抗を示す。
の厚さで、形成限界（self limiting)に達したタングス
テン層は良好な付着と低接触抵抗を示す。
【０００６】次いで、反応(2) ： ＷＦ6(g)＋３Ｈ2(g) → Ｗ(s) ＋６ＨＦ(g) が同様の温度，圧力で行われ、タングステンは反応(1)
より遅い速度で進行し、特に形成限界を有しない。
より遅い速度で進行し、特に形成限界を有しない。
【０００７】この反応(2) の選択性は、還元ガスＨ2 が
純粋で汚染のないタングステンの触媒作用により解離す
るためとされる。反応(1) の形成限界および速度ならび
に反応(2) の速度は、温度，圧力により制御されると述
べられている。
純粋で汚染のないタングステンの触媒作用により解離す
るためとされる。反応(1) の形成限界および速度ならび
に反応(2) の速度は、温度，圧力により制御されると述
べられている。
【０００８】また、特開昭６４−５５８６１号公報には
反応(1),(2) を利用して拡散領域とのコンタクトにタン
グステン層を形成する記載がある。
反応(1),(2) を利用して拡散領域とのコンタクトにタン
グステン層を形成する記載がある。
【０００９】以上の選択タングステンＣＶＤ法は、下層
であるシリコン拡散領域上に形成するものであるが、多
層配線のみならず一般配線材料としては電気伝導度およ
び取り扱い易さからＡl またはAlSiなどの合金が用いら
れ、また拡散領域との接続については各種バリア材を用
いるなどしており、むしろ下層物質（下地）としてはこ
れらを用いることが多い。
であるシリコン拡散領域上に形成するものであるが、多
層配線のみならず一般配線材料としては電気伝導度およ
び取り扱い易さからＡl またはAlSiなどの合金が用いら
れ、また拡散領域との接続については各種バリア材を用
いるなどしており、むしろ下層物質（下地）としてはこ
れらを用いることが多い。
【００１０】下地がＡl またはＡl との合金である場
合、上記反応(1) と異なり、 反応(3) ： ２Ａl(s)＋ＷＦ6(g) → ２Ａl Ｆ3(s)＋Ｗ(g) によりＡl Ｆ3 がＡl とＷの界面に形成され、これが大
きな抵抗となり、また反応自体のバリアとして作用する
ことが問題となっている。
合、上記反応(1) と異なり、 反応(3) ： ２Ａl(s)＋ＷＦ6(g) → ２Ａl Ｆ3(s)＋Ｗ(g) によりＡl Ｆ3 がＡl とＷの界面に形成され、これが大
きな抵抗となり、また反応自体のバリアとして作用する
ことが問題となっている。
【００１１】この対策としてＡl の上層にメタルまたは
シリサイドを設けることも試みられ、Ａl のヒロック抑
制や抗反射層形成にも関連付けられたりしているが、次
のような問題がある。
シリサイドを設けることも試みられ、Ａl のヒロック抑
制や抗反射層形成にも関連付けられたりしているが、次
のような問題がある。
【００１２】すなわち、下地がＡl 以外のタングステン
Ｗ，モリブデンＭo ，およびそれらのシリサイド，チタ
ンＴi ，チタンナイトライドＴi Ｎおよびチタンタング
ステンのような高融点金属の場合には、上記反応(2) と
同様の反応となるが、これらの金属は反応(2) の場合の
ように反応(1) で形成された純粋なＷではなく、接続孔
の形成のエッチング時の汚染および大気接触による水分
吸着などの影響のため均一な（平滑な表面の）Ｗが得ら
れず、上層配線との良好な接触を得にくいという問題が
ある。
Ｗ，モリブデンＭo ，およびそれらのシリサイド，チタ
ンＴi ，チタンナイトライドＴi Ｎおよびチタンタング
ステンのような高融点金属の場合には、上記反応(2) と
同様の反応となるが、これらの金属は反応(2) の場合の
ように反応(1) で形成された純粋なＷではなく、接続孔
の形成のエッチング時の汚染および大気接触による水分
吸着などの影響のため均一な（平滑な表面の）Ｗが得ら
れず、上層配線との良好な接触を得にくいという問題が
ある。
【００１３】当然、上記反応(1) の場合も、シリコンに
は上記と同様な汚染および吸着があるもののシリコン自
体がＷＦ6 ガスの還元に消費され代わってＷが生成され
るので、これらの影響は無視され良好なものとなってい
る。
は上記と同様な汚染および吸着があるもののシリコン自
体がＷＦ6 ガスの還元に消費され代わってＷが生成され
るので、これらの影響は無視され良好なものとなってい
る。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、多層配
線用接続孔の埋め込み等，選択タングステンＣＶＤ法を
実施する場合、下地がＡl またはその合金であるときに
はＡl Ｆ3 生成による高抵抗および還元反応阻害が生
じ、下地が高融点金属であるときであっても、エッチン
グガスの汚染および大気中の水分吸着によるＷ形成の障
害という問題があった。
線用接続孔の埋め込み等，選択タングステンＣＶＤ法を
実施する場合、下地がＡl またはその合金であるときに
はＡl Ｆ3 生成による高抵抗および還元反応阻害が生
じ、下地が高融点金属であるときであっても、エッチン
グガスの汚染および大気中の水分吸着によるＷ形成の障
害という問題があった。
【００１５】本発明はこのような事情に鑑みて、選択タ
ングステンＣＶＤ法の固有な利点を生かし、前記問題を
解決した技術を採用し、多層配線用接続孔を埋め込んだ
半導体装置の新規な製造方法を提供することを目的とし
ている。
ングステンＣＶＤ法の固有な利点を生かし、前記問題を
解決した技術を採用し、多層配線用接続孔を埋め込んだ
半導体装置の新規な製造方法を提供することを目的とし
ている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は多層配線相互の接続孔となるべき部分にお
いて層間絶縁膜と下層配線との間にアモルファスシリコ
ンを介在させることにより、層間絶縁膜に接続孔をエッ
チング開孔する場合に、下層配線を外部汚染ガスから保
護するとともに、その上層に反応(1) による純粋なタン
グステン形成を行わせ、かつ反応式(3) の如き好ましく
ない生成物の発生を防止するため少なくともアモルファ
スシリコン直下の配線材を高融点金属としたものであ
る。
め、本発明は多層配線相互の接続孔となるべき部分にお
いて層間絶縁膜と下層配線との間にアモルファスシリコ
ンを介在させることにより、層間絶縁膜に接続孔をエッ
チング開孔する場合に、下層配線を外部汚染ガスから保
護するとともに、その上層に反応(1) による純粋なタン
グステン形成を行わせ、かつ反応式(3) の如き好ましく
ない生成物の発生を防止するため少なくともアモルファ
スシリコン直下の配線材を高融点金属としたものであ
る。
【００１７】このために多層配線を形成する本発明の方
法は、多重配線からなる下層配線の最上層または単一層
からなる下層配線に高融点金属を用い、その上面にアモ
ルファスシリコン層を形成し、次いで、層間絶縁膜を形
成し、この層間絶縁膜に接続孔を開口してその底部にア
モルファスシリコンを露出させた後、この露出部分のア
モルファスシリコンによるＷＦ6 ガスの還元反応を行
い、前記底部にタングステン層を形成し、次いで還元用
ガスによるＷＦ6 ガスの還元反応を実施して前記タング
ステン層にさらにタングステンの堆積を進行させ、接続
孔の埋め込みを行うことを特徴としている。
法は、多重配線からなる下層配線の最上層または単一層
からなる下層配線に高融点金属を用い、その上面にアモ
ルファスシリコン層を形成し、次いで、層間絶縁膜を形
成し、この層間絶縁膜に接続孔を開口してその底部にア
モルファスシリコンを露出させた後、この露出部分のア
モルファスシリコンによるＷＦ6 ガスの還元反応を行
い、前記底部にタングステン層を形成し、次いで還元用
ガスによるＷＦ6 ガスの還元反応を実施して前記タング
ステン層にさらにタングステンの堆積を進行させ、接続
孔の埋め込みを行うことを特徴としている。
【００１８】本発明の実施例によれば、多重配線を高融
点金属およびＡl もしくはその合金からなる二重配線と
しており、さらにアモルファスシリコンによるＷＦ6 ガ
スの還元反応と、還元用ガスによるＷＦ6 ガスの還元反
応とを、それぞれ別個の反応室で実施すること特徴とし
ている。
点金属およびＡl もしくはその合金からなる二重配線と
しており、さらにアモルファスシリコンによるＷＦ6 ガ
スの還元反応と、還元用ガスによるＷＦ6 ガスの還元反
応とを、それぞれ別個の反応室で実施すること特徴とし
ている。
【００１９】
【作用】上記の構成によれば、選択タングステンＣＶＤ
法によりタングステンを堆積すべき下地下層にアモルフ
ァスシリコンが形成されているので、これに保護されて
下地が接続孔開口時のエッチングによるガス汚染を受け
ずに反応(1)により純粋なタングステンを形成する。ま
た、下地が直接ＷＦ6 ガスを還元することのない高融点
金属であるので、反応(3) を起こさせない。この結果、
AlF3の形成およびそのために生じる高接触抵抗を排除し
て、多層配線用接続孔に良好な電気的導通を与える。
法によりタングステンを堆積すべき下地下層にアモルフ
ァスシリコンが形成されているので、これに保護されて
下地が接続孔開口時のエッチングによるガス汚染を受け
ずに反応(1)により純粋なタングステンを形成する。ま
た、下地が直接ＷＦ6 ガスを還元することのない高融点
金属であるので、反応(3) を起こさせない。この結果、
AlF3の形成およびそのために生じる高接触抵抗を排除し
て、多層配線用接続孔に良好な電気的導通を与える。
【００２０】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図１は多層配線用接続孔を中心にして製造工程 (a)〜
(d) による半導体装置の断面図であり、図２は２室に区
分された反応室を有するＣＶＤ反応装置の平面配置図で
ある。
図１は多層配線用接続孔を中心にして製造工程 (a)〜
(d) による半導体装置の断面図であり、図２は２室に区
分された反応室を有するＣＶＤ反応装置の平面配置図で
ある。
【００２１】図１(a) は、膜厚8000ÅのＡl 合金（AlS
i）層１および膜厚 200Åの高融点金属チタン層８から
なる二重配線の上面にスパッタリング法によりアモルフ
ァスシリコン２を約1000Å堆積させ、さらにその上層に
約7000Åの酸化膜７をＬＰＣＶＤにて積層した後エッチ
ング処理して7000Å×7000Åの接続孔３を開口し、その
底部にアモルファスシリコンを露出させた状態を示して
いる。
i）層１および膜厚 200Åの高融点金属チタン層８から
なる二重配線の上面にスパッタリング法によりアモルフ
ァスシリコン２を約1000Å堆積させ、さらにその上層に
約7000Åの酸化膜７をＬＰＣＶＤにて積層した後エッチ
ング処理して7000Å×7000Åの接続孔３を開口し、その
底部にアモルファスシリコンを露出させた状態を示して
いる。
【００２２】この段階のウエハ９を図２で示したＣＶＤ
反応装置のロードロック室10から搬送室11を経由して反
応室12に搬入してＷＦ6 ／Ａｒガスを供給し、ＷＦ6 ガ
スの分圧を１Torrとし、300 ℃で反応(1) を行い、接続
孔３の底部に初期段階のタングステン層４を図１(b) の
ように形成する。このとき、チタン層８が存在しないと
Ａl 合金層１には反応(3) によりＡl Ｆ3 が形成され好
ましくない。
反応装置のロードロック室10から搬送室11を経由して反
応室12に搬入してＷＦ6 ／Ａｒガスを供給し、ＷＦ6 ガ
スの分圧を１Torrとし、300 ℃で反応(1) を行い、接続
孔３の底部に初期段階のタングステン層４を図１(b) の
ように形成する。このとき、チタン層８が存在しないと
Ａl 合金層１には反応(3) によりＡl Ｆ3 が形成され好
ましくない。
【００２３】図１(c) では、このウエハ９を搬送室11を
経て他の反応室13へ搬入し、この反応室13にＷＦ6 ／Ｈ
2 ガスを供給し、Ｈ2 分圧１Torr，300 ℃で反応(2) を
行い、タングステン層４の上に引き続きタングステン層
５の形成を進行させる。
経て他の反応室13へ搬入し、この反応室13にＷＦ6 ／Ｈ
2 ガスを供給し、Ｈ2 分圧１Torr，300 ℃で反応(2) を
行い、タングステン層４の上に引き続きタングステン層
５の形成を進行させる。
【００２４】次いで、図１(d) に示すように下層配線と
同一のＡl 合金の上層配線６をスパッタリング法で8000
Åの厚さに形成した。
同一のＡl 合金の上層配線６をスパッタリング法で8000
Åの厚さに形成した。
【００２５】以上のように、上下の配線の接続を選択タ
ングステンＣＶＤ法により実施したが、この接続孔のＡ
l 合金−Ｗ−Ｔｉ−Ａl 合金の電気的導通は良好であ
り、１オーム程度の安定したコンタクト抵抗特性が得ら
れた。
ングステンＣＶＤ法により実施したが、この接続孔のＡ
l 合金−Ｗ−Ｔｉ−Ａl 合金の電気的導通は良好であ
り、１オーム程度の安定したコンタクト抵抗特性が得ら
れた。
【００２６】また、反応室13を使用せず、反応(2) の反
応を反応室12で実施する場合は、特に経時的にではある
が、電気的導通状態の安定度にばらつきが見られ、再現
性に影響が生じる傾向があった。
応を反応室12で実施する場合は、特に経時的にではある
が、電気的導通状態の安定度にばらつきが見られ、再現
性に影響が生じる傾向があった。
【００２７】これは同一の反応室で、反応(1),(2) を繰
り返し行うと反応室内壁には還元ガスＨ2 ，反応副生成
物 SiF4 およびＨＦが吸着され、各反応は反応とは異質
のアウトガスにより影響を受けるためである。したがっ
て、反応(1),(2) は特に多数のウエハを処理する量産の
場合においては別々の反応室で実施することが望まし
い。
り返し行うと反応室内壁には還元ガスＨ2 ，反応副生成
物 SiF4 およびＨＦが吸着され、各反応は反応とは異質
のアウトガスにより影響を受けるためである。したがっ
て、反応(1),(2) は特に多数のウエハを処理する量産の
場合においては別々の反応室で実施することが望まし
い。
【００２８】下層配線上面のアモルファスシリコンは、
ＣＶＤ，ＰＶＤなどの処理法で形成され、その層の膜厚
は50〜3000Å程度であり、望ましくは約1000Å程度がよ
い。その厚さが薄すぎれば反応(1) によるＷの形成が不
十分であり、引き続き行われる(2) の反応を均一性，再
現性良く制御することが困難となる。また逆に厚すぎれ
ば初期段階のタングステンＷの形成が自己限界に達し、
この自己限界は、温度，ＷＦ6 濃度，圧力およびＳi 表
面状態（自然酸化膜の厚さ等）により影響を受けるが、
未反応アモルファスシリコンが残置された状態となる。
高融点金属はＷＦ6 ガスの還元をシリコンのみによる還
元に抑制する作用の点からはその上下限値は特にない。
ＣＶＤ，ＰＶＤなどの処理法で形成され、その層の膜厚
は50〜3000Å程度であり、望ましくは約1000Å程度がよ
い。その厚さが薄すぎれば反応(1) によるＷの形成が不
十分であり、引き続き行われる(2) の反応を均一性，再
現性良く制御することが困難となる。また逆に厚すぎれ
ば初期段階のタングステンＷの形成が自己限界に達し、
この自己限界は、温度，ＷＦ6 濃度，圧力およびＳi 表
面状態（自然酸化膜の厚さ等）により影響を受けるが、
未反応アモルファスシリコンが残置された状態となる。
高融点金属はＷＦ6 ガスの還元をシリコンのみによる還
元に抑制する作用の点からはその上下限値は特にない。
【００２９】また、本発明では接続孔の埋め込みに選択
タングステンＣＶＤ法を使用するのであるから、アモル
ファスシリコンは下層配線全面に渡って設ける必要はな
く接続孔およびその近傍を含む部分に設ければよい。
タングステンＣＶＤ法を使用するのであるから、アモル
ファスシリコンは下層配線全面に渡って設ける必要はな
く接続孔およびその近傍を含む部分に設ければよい。
【００３０】本発明では、選択タングステンＣＶＤ法を
接続孔の埋め込みに適用しているがその場合のみなら
ず、下地がＷＦ6 ガスを還元するときに得られる副生成
物が望ましくない物質となるとき、または下地上面の異
物質（汚染）がＷＦ6 ガスの還元反応によるタングステ
ン形成に障害となるとき、下地の任意の領域に応用する
ことができる。
接続孔の埋め込みに適用しているがその場合のみなら
ず、下地がＷＦ6 ガスを還元するときに得られる副生成
物が望ましくない物質となるとき、または下地上面の異
物質（汚染）がＷＦ6 ガスの還元反応によるタングステ
ン形成に障害となるとき、下地の任意の領域に応用する
ことができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、下地配線上面に付着す
るエッチングガスまたは大気中の水分等の汚染によるタ
ングステンの不均一な面形成を防止するので、上下配線
間の接続を安定のものとし、さらにAlF3の形成およびそ
のために生じる高接触抵抗を排除して、多層配線用接続
孔に良好な電気的導通を与えるタングステンを埋め込む
ことができる。この結果、下層配線上面の汚染除去なら
びにその制御のためのＨＦ洗浄等の工程を無くすことが
できる。
るエッチングガスまたは大気中の水分等の汚染によるタ
ングステンの不均一な面形成を防止するので、上下配線
間の接続を安定のものとし、さらにAlF3の形成およびそ
のために生じる高接触抵抗を排除して、多層配線用接続
孔に良好な電気的導通を与えるタングステンを埋め込む
ことができる。この結果、下層配線上面の汚染除去なら
びにその制御のためのＨＦ洗浄等の工程を無くすことが
できる。
【００３２】本発明に用いる選択タングステンＣＶＤ法
は、アモルファスシリコンまたは還元用ガスによるＷＦ
6 ガスの還元をそれぞれ別個の反応室で行うので、他の
反応の副生成物を排除してタングステンを堆積させるこ
とからその反応の安定性および再現性を確保することが
容易にできる。
は、アモルファスシリコンまたは還元用ガスによるＷＦ
6 ガスの還元をそれぞれ別個の反応室で行うので、他の
反応の副生成物を排除してタングステンを堆積させるこ
とからその反応の安定性および再現性を確保することが
容易にできる。
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法を順次各工
程 (a)〜(c) にて示した概略断面図である。
程 (a)〜(c) にて示した概略断面図である。
【図２】本発明に係るＣＶＤ反応装置の概略を説明する
ための平面図である。
ための平面図である。
１ 下層配線 ２ アモルファスシリコン ３ 接続孔 ４ タングステン層 ５ タングステン接続線 ６ 上層配線 ７ 層間絶縁膜 ８ 高融点金属 10 ロードロック室 11 搬送室 12,13 反応室
Claims (3)
- 【請求項１】多層配線用接続孔を選択タングステンＣＶ
Ｄ法により埋め込み、配線間の接続をして多層配線を形
成する半導体装置の製造方法において、 多重配線からなる下層配線の最上層または単一層からな
る下層配線に高融点金属を用い、その上面にアモルファ
スシリコン層を形成し、 次いで、層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜に接続孔
を開口してその底部にアモルファスシリコンを露出させ
た後、 この露出部分のアモルファスシリコンによるＷＦ6 ガス
の還元反応を行い、前記底部にタングステン層を形成
し、 次いで還元用ガスによるＷＦ6 ガスの還元反応を実施し
て前記タングステン層にさらにタングステンの堆積を進
行させ、前記接続孔の埋め込みを行うことを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 多重配線が高融点金属およびＡl もしく
はその合金からなる二重配線であることを特徴とする請
求項１の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 アモルファスシリコンによるＷＦ6 ガス
の還元反応と、還元用ガスによるＷＦ6 ガスの還元反応
とを、それぞれ別個の反応室で実施することを特徴とす
る請求項１または２の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3277243A JP2943029B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 多層配線を形成する半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3277243A JP2943029B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 多層配線を形成する半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590421A true JPH0590421A (ja) | 1993-04-09 |
| JP2943029B2 JP2943029B2 (ja) | 1999-08-30 |
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| JP3277243A Expired - Fee Related JP2943029B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 多層配線を形成する半導体装置の製造方法 |
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| JP (1) | JP2943029B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021167466A (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated | バリア層のないインシトゥタングステン堆積 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3277243A patent/JP2943029B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021167466A (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated | バリア層のないインシトゥタングステン堆積 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2943029B2 (ja) | 1999-08-30 |
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