JPH0593230A - リードフレーム材 - Google Patents
リードフレーム材Info
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- JPH0593230A JPH0593230A JP3290413A JP29041391A JPH0593230A JP H0593230 A JPH0593230 A JP H0593230A JP 3290413 A JP3290413 A JP 3290413A JP 29041391 A JP29041391 A JP 29041391A JP H0593230 A JPH0593230 A JP H0593230A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性が高いＩＣやＬＳＩパッケージ等を高
歩留で作製することを可能にすると共に、リードフレー
ム材の導電率を高める。 【構成】 Crを 0.1〜 1重量％、Zrを0.01〜 0.5重量％
含み、残部が不純物を除き実質的にCuからなるリードフ
レーム材である。リードフレーム材の表面に存在するZr
の偏析による局部変色領域の数を 2個/100cm2 以下にす
る。これは、例えば S含有量を 0.005重量％未満とする
ことによって達成される。
歩留で作製することを可能にすると共に、リードフレー
ム材の導電率を高める。 【構成】 Crを 0.1〜 1重量％、Zrを0.01〜 0.5重量％
含み、残部が不純物を除き実質的にCuからなるリードフ
レーム材である。リードフレーム材の表面に存在するZr
の偏析による局部変色領域の数を 2個/100cm2 以下にす
る。これは、例えば S含有量を 0.005重量％未満とする
ことによって達成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Cu系のリードフレーム
材に関する。
材に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣの高集積化、量産化に伴っ
て、これらに用いられる材料の開発も飛躍的に進んでい
るが、個々の部材についてはその要求特性と価格レベル
との兼ね合いから、さらなる開発が望まれている分野も
多い。例えば、半導体用のリードフレーム材としては、
従来、半導体素子と熱膨脹係数が近似している、42wt%N
i-Feや29wt%Ni-17wt%Co-Fe等の Fe-Ni系合金が使用され
てきた。
て、これらに用いられる材料の開発も飛躍的に進んでい
るが、個々の部材についてはその要求特性と価格レベル
との兼ね合いから、さらなる開発が望まれている分野も
多い。例えば、半導体用のリードフレーム材としては、
従来、半導体素子と熱膨脹係数が近似している、42wt%N
i-Feや29wt%Ni-17wt%Co-Fe等の Fe-Ni系合金が使用され
てきた。
【０００３】しかし、このような鉄系リードフレーム材
は、合金成分として高価なNiやCoを使用しているために
コストが高く、また半導体素子の高集積化に伴って要求
されている高い放熱性、すなわち熱伝導性を十分に満足
できないという問題があった。そこで、放熱性に優れか
つ比較的安価な銅系合金がリードフレーム材として多用
されつつある。このようなリードフレーム用の銅系合金
としては、特にCu-Cr-Zr系合金が高強度、高導電率を有
することから注目されており、使用範囲が拡大してきて
いる。
は、合金成分として高価なNiやCoを使用しているために
コストが高く、また半導体素子の高集積化に伴って要求
されている高い放熱性、すなわち熱伝導性を十分に満足
できないという問題があった。そこで、放熱性に優れか
つ比較的安価な銅系合金がリードフレーム材として多用
されつつある。このようなリードフレーム用の銅系合金
としては、特にCu-Cr-Zr系合金が高強度、高導電率を有
することから注目されており、使用範囲が拡大してきて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たようなCu-Cr-Zr系合金を用いたリードフレームは、素
材自体からのハガレが生じ易いと共に、その表面にメッ
キを施した際に行う加熱テストによりフクレが生じ易い
等といった問題を有している。このような問題を有する
リードフレームを用いて、ＩＣパッケージやＬＳＩパッ
ケージ等を製造した場合、上述したリードフレームの問
題点に起因して、パッケージの製造歩留が低下したり、
またパッケージの信頼性を低下させる要因ともなってい
る。また、上記Cu-Cr-Zr系合金には、リードフレームの
高性能化の点から、例えば75IACS%以上といった高導電
率を再現性よく実現することが強く望まれている。
たようなCu-Cr-Zr系合金を用いたリードフレームは、素
材自体からのハガレが生じ易いと共に、その表面にメッ
キを施した際に行う加熱テストによりフクレが生じ易い
等といった問題を有している。このような問題を有する
リードフレームを用いて、ＩＣパッケージやＬＳＩパッ
ケージ等を製造した場合、上述したリードフレームの問
題点に起因して、パッケージの製造歩留が低下したり、
またパッケージの信頼性を低下させる要因ともなってい
る。また、上記Cu-Cr-Zr系合金には、リードフレームの
高性能化の点から、例えば75IACS%以上といった高導電
率を再現性よく実現することが強く望まれている。
【０００５】本発明は、このような従来の課題に対処す
るためになされたもので、信頼性が高いＩＣやＬＳＩパ
ッケージ等を高歩留で作製することを可能にした、高導
電率のリードフレーム材を提供することを目的としてい
る。
るためになされたもので、信頼性が高いＩＣやＬＳＩパ
ッケージ等を高歩留で作製することを可能にした、高導
電率のリードフレーム材を提供することを目的としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段と作用】本発明のリードフ
レーム材は、Crを 0.1〜 1重量％、Zrを0.01〜 0.5重量
％含み、残部が不純物を除き実質的にCuからなるリード
フレーム材であって、その表面に存在するZrの偏析によ
る局部変色領域の数が 2個/100cm2 以下であることを特
徴とするものである。
レーム材は、Crを 0.1〜 1重量％、Zrを0.01〜 0.5重量
％含み、残部が不純物を除き実質的にCuからなるリード
フレーム材であって、その表面に存在するZrの偏析によ
る局部変色領域の数が 2個/100cm2 以下であることを特
徴とするものである。
【０００７】すなわち本発明は、前述したような、素材
自体からのハガレ、メッキを施した際の加熱テストにお
けるフクレ等といった問題が、Cu-Cr-Zr合金系リードフ
レーム材の表面に存在する局部変色領域の数に起因し、
かつこの局部変色領域がZrの偏析によるものであるとい
う知見に基づいて成されたものである。
自体からのハガレ、メッキを施した際の加熱テストにお
けるフクレ等といった問題が、Cu-Cr-Zr合金系リードフ
レーム材の表面に存在する局部変色領域の数に起因し、
かつこの局部変色領域がZrの偏析によるものであるとい
う知見に基づいて成されたものである。
【０００８】そして、上記Zrの偏析による局部変色領域
の数を 2個/100cm2 以下とすることにより、素材自体か
らのハガレ、メッキを施した際に行う加熱テストによる
フクレ等といった問題が解消され、信頼性が高いＩＣや
ＬＳＩパッケージ等を高歩留で作製することが可能とな
る。この局部変色領域の数は、 1個/100cm2 以下とする
ことがより好ましく、当然ながら存在させないことが望
ましい。なお、ここで言うZrの偏析による局部変色領域
とは、光学顕微鏡拡大写真によって明らかに他の部位と
異なる色調を有する箇所であり、通常帯状に存在するも
のである。またその数とは、独立した変色領域を 1個と
して数えるものとする。
の数を 2個/100cm2 以下とすることにより、素材自体か
らのハガレ、メッキを施した際に行う加熱テストによる
フクレ等といった問題が解消され、信頼性が高いＩＣや
ＬＳＩパッケージ等を高歩留で作製することが可能とな
る。この局部変色領域の数は、 1個/100cm2 以下とする
ことがより好ましく、当然ながら存在させないことが望
ましい。なお、ここで言うZrの偏析による局部変色領域
とは、光学顕微鏡拡大写真によって明らかに他の部位と
異なる色調を有する箇所であり、通常帯状に存在するも
のである。またその数とは、独立した変色領域を 1個と
して数えるものとする。
【０００９】また、上記Zrの偏析による局部変色領域
は、硫黄の存在量が多い部分に、Zrの偏析が起こり易い
ことに起因して発生するため、合金組成中の不純物とし
ての Sの含有量を 0.005重量％未満とすることが重要で
ある。このように、不純物としての S含有量を 0.005重
量％未満とすることによって、局部変色領域の数を 2個
/100cm2 以下とすることができる。より好ましい S含有
量は 0.004重量％未満であり、さらに好ましくは 0.003
重量％未満である。また、合金調整時におけるZrの投入
時期によっても局部変色領域数が左右され、局部変色領
域数を低下させるためには、Zrを Cu-Zrの母合金にて直
接投入することが好ましい。
は、硫黄の存在量が多い部分に、Zrの偏析が起こり易い
ことに起因して発生するため、合金組成中の不純物とし
ての Sの含有量を 0.005重量％未満とすることが重要で
ある。このように、不純物としての S含有量を 0.005重
量％未満とすることによって、局部変色領域の数を 2個
/100cm2 以下とすることができる。より好ましい S含有
量は 0.004重量％未満であり、さらに好ましくは 0.003
重量％未満である。また、合金調整時におけるZrの投入
時期によっても局部変色領域数が左右され、局部変色領
域数を低下させるためには、Zrを Cu-Zrの母合金にて直
接投入することが好ましい。
【００１０】本発明に用いるCu基合金の基本組成の限定
理由は、以下の通りである。Crの含有量が 0.1重量％未
満では、強度および耐熱性が低下し、一方 1重量％を超
えると、折り曲げ性および導電率が低下する。より好ま
しいCrの含有量は0.2〜 0.6重量％の範囲あり、さらに
好ましくは 0.2〜 0.5重量％の範囲である。また、Zrの
含有量が0.01重量％未満では、強度および耐熱性が低下
し、一方0.5重量％を超えると、折り曲げ性および導電
率が低下する。より好ましいZrの含有量は0.05〜 0.3重
量％の範囲あり、さらに好ましくは0.05〜0.25重量％の
範囲である。
理由は、以下の通りである。Crの含有量が 0.1重量％未
満では、強度および耐熱性が低下し、一方 1重量％を超
えると、折り曲げ性および導電率が低下する。より好ま
しいCrの含有量は0.2〜 0.6重量％の範囲あり、さらに
好ましくは 0.2〜 0.5重量％の範囲である。また、Zrの
含有量が0.01重量％未満では、強度および耐熱性が低下
し、一方0.5重量％を超えると、折り曲げ性および導電
率が低下する。より好ましいZrの含有量は0.05〜 0.3重
量％の範囲あり、さらに好ましくは0.05〜0.25重量％の
範囲である。
【００１１】また、本発明のリードフレーム材は、 75I
ACS%以上の高導電率を有することが好ましい。導電率が
75IACS%未満では、半導体素子の高集積化に対応した高
性能のリードフレーム材を得ることはできない。よっ
て、より好ましい導電率は、80IACS% 以上であり、さら
に好ましくは 85IACS%以上とすることである。このよう
に、本発明のリードフレーム材を高導電率化するために
は、合金組成中の不純物としてのFe含有量を0.05重量％
未満、Ni含有量を 0.1重量％未満、 P含有量を0.05重量
％未満、Sn含有量を 0.1重量％未満、Zn含有量を 0.1重
量％未満とすることが好ましい。これらの不純物元素の
いずれかの含有量が上記数値を超えると、導電率の低下
を招き易くなるためである。より好ましい各元素の含有
量は、Ni含有量が0.05重量％未満、 P含有量が0.03重量
％未満、Sn含有量が0.05重量％未満、Zn含有量が0.05重
量％未満である。
ACS%以上の高導電率を有することが好ましい。導電率が
75IACS%未満では、半導体素子の高集積化に対応した高
性能のリードフレーム材を得ることはできない。よっ
て、より好ましい導電率は、80IACS% 以上であり、さら
に好ましくは 85IACS%以上とすることである。このよう
に、本発明のリードフレーム材を高導電率化するために
は、合金組成中の不純物としてのFe含有量を0.05重量％
未満、Ni含有量を 0.1重量％未満、 P含有量を0.05重量
％未満、Sn含有量を 0.1重量％未満、Zn含有量を 0.1重
量％未満とすることが好ましい。これらの不純物元素の
いずれかの含有量が上記数値を超えると、導電率の低下
を招き易くなるためである。より好ましい各元素の含有
量は、Ni含有量が0.05重量％未満、 P含有量が0.03重量
％未満、Sn含有量が0.05重量％未満、Zn含有量が0.05重
量％未満である。
【００１２】本発明のリードフレーム材においては、さ
らに以下の条件を満足させることが好ましい。第１に、
表面のハガレ個数を 5点/1コイル以下とすることであ
る。ハガレ個数が 5点/1コイルを超えるリードフレーム
材を用いて、ＩＣパッケージやＬＳＩパッケージ等を製
造すると、ハガレが原因となってパッケージの製造歩留
が低下するため、高信頼性パッケージを得ることができ
ない。したがって、より好ましいハガレ個数は 3点/1コ
イル以下であり、さらにはハガレはないことが望まし
い。なお、ここで言うハガレとは、リードフレーム表面
が薄皮線状に剥れた状態を指すものである。
らに以下の条件を満足させることが好ましい。第１に、
表面のハガレ個数を 5点/1コイル以下とすることであ
る。ハガレ個数が 5点/1コイルを超えるリードフレーム
材を用いて、ＩＣパッケージやＬＳＩパッケージ等を製
造すると、ハガレが原因となってパッケージの製造歩留
が低下するため、高信頼性パッケージを得ることができ
ない。したがって、より好ましいハガレ個数は 3点/1コ
イル以下であり、さらにはハガレはないことが望まし
い。なお、ここで言うハガレとは、リードフレーム表面
が薄皮線状に剥れた状態を指すものである。
【００１３】第２に、リードフレームの表面にメッキを
施した際に行う加熱テストによるメッキフクレがないこ
とが好ましい。加熱テストによりメッキフクレが発生し
たロットと同一ロットのリードフレーム材を用いて、Ｉ
ＣパッケージやＬＳＩパッケージ等を製造すると、それ
らのパッケージの使用時にメッキフクレを発生する可能
性が高くなり、高信頼性パッケージを得ることはできな
い。なお、ここで言うメッキフクレとは、リードフレー
ム表面にメッキを施した後、メッキ面が平坦である（凸
部がない状態）ことを確認し、 350℃× 5分の条件で加
熱処理を施した後、20倍の実体顕微鏡でその表面を観察
した際に、メッキが盛り上ったように見える凸部を指す
ものとする。
施した際に行う加熱テストによるメッキフクレがないこ
とが好ましい。加熱テストによりメッキフクレが発生し
たロットと同一ロットのリードフレーム材を用いて、Ｉ
ＣパッケージやＬＳＩパッケージ等を製造すると、それ
らのパッケージの使用時にメッキフクレを発生する可能
性が高くなり、高信頼性パッケージを得ることはできな
い。なお、ここで言うメッキフクレとは、リードフレー
ム表面にメッキを施した後、メッキ面が平坦である（凸
部がない状態）ことを確認し、 350℃× 5分の条件で加
熱処理を施した後、20倍の実体顕微鏡でその表面を観察
した際に、メッキが盛り上ったように見える凸部を指す
ものとする。
【００１４】第３に、リードフレーム材のビッカース硬
度は、 150Hv以上とすることが好ましい。ビッカース硬
度が 150Hv未満であるということは、高信頼性パッケー
ジに対応し得る十分な強度が得られないことを意味す
る。より好ましいビッカース硬度は 160Hv以上であり、
さらに好ましくは 170Hv以上である。
度は、 150Hv以上とすることが好ましい。ビッカース硬
度が 150Hv未満であるということは、高信頼性パッケー
ジに対応し得る十分な強度が得られないことを意味す
る。より好ましいビッカース硬度は 160Hv以上であり、
さらに好ましくは 170Hv以上である。
【００１５】このような本発明により、高強度、高導電
率を有し、かつ製造歩留、信頼性を向上させた、極めて
優れたリードフレーム材が得られる。
率を有し、かつ製造歩留、信頼性を向上させた、極めて
優れたリードフレーム材が得られる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。 実施例１〜２０ まず、表１に示す組成の各Cu基合金を、それぞれカーボ
ンルツボを用いて真空溶解した後、鋳造してそれぞれイ
ンゴットを作製した。次いで、各インゴットを約 900℃
に加熱し、熱間鍛造を行って、厚さ約 150mm、幅約 450
mmのビレットとした。次に、それらのビレットを約 950
℃に加熱して熱間圧延を行い、厚さ約13mm、幅約 450mm
のホットコイルとした。熱間加工の最終温度は 750℃〜
800℃とし、その後急冷して溶体化処理を行った。
ンルツボを用いて真空溶解した後、鋳造してそれぞれイ
ンゴットを作製した。次いで、各インゴットを約 900℃
に加熱し、熱間鍛造を行って、厚さ約 150mm、幅約 450
mmのビレットとした。次に、それらのビレットを約 950
℃に加熱して熱間圧延を行い、厚さ約13mm、幅約 450mm
のホットコイルとした。熱間加工の最終温度は 750℃〜
800℃とし、その後急冷して溶体化処理を行った。
【００１７】次に、上記急冷後のホットコイルの表面を
研削した後、冷間圧延にて厚さ約 2mmとし、それらのコ
イルに約 450℃× 6時間の条件で中間焼鈍を施した。そ
の後、表面研磨を行い、さらに冷間圧延にて厚さ0.25mm
まで加工した後、約 450℃の温度で 6時間時効処理を行
って、それぞれリードフレーム材として得た。
研削した後、冷間圧延にて厚さ約 2mmとし、それらのコ
イルに約 450℃× 6時間の条件で中間焼鈍を施した。そ
の後、表面研磨を行い、さらに冷間圧延にて厚さ0.25mm
まで加工した後、約 450℃の温度で 6時間時効処理を行
って、それぞれリードフレーム材として得た。
【表１】 以上のようにして得た各リードフレーム材の表面性状と
して、10cm×10cm内の局部変色領域個数を調査し、10範
囲についての平均値として局部変色領域数を測定した。
その結果を表２に示す。また、各リードフレーム材の特
性評価として、ビッカース硬度を測定すると共に、 4端
子法による比抵抗測定（常温）から計算にて導電率を求
めた。さらに、約2tonコイルのハガレ個数を測定した。
して、10cm×10cm内の局部変色領域個数を調査し、10範
囲についての平均値として局部変色領域数を測定した。
その結果を表２に示す。また、各リードフレーム材の特
性評価として、ビッカース硬度を測定すると共に、 4端
子法による比抵抗測定（常温）から計算にて導電率を求
めた。さらに、約2tonコイルのハガレ個数を測定した。
【００１８】また、各リードフレーム材を図１に示すリ
ードフレーム形状に打ち抜き、リードフレーム１をそれ
ぞれ作製した。これら各リードフレームを用いて、それ
ぞれにAgメッキを施した後、メッキ面が平坦である（凸
部がない状態）ことを確認し、大気中にて 350℃の温度
で 5分間加熱した後、20倍の実体顕微鏡でその表面を観
察することによって、加熱メッキフクレ（メッキが盛り
上ったように見える凸部）の有無を判定した。この加熱
メッキフクレ試験は、それぞれ20フレームについて行っ
て、メッキフクレの発生したフレーム数で表した。それ
らの結果も併せて表２に示す。
ードフレーム形状に打ち抜き、リードフレーム１をそれ
ぞれ作製した。これら各リードフレームを用いて、それ
ぞれにAgメッキを施した後、メッキ面が平坦である（凸
部がない状態）ことを確認し、大気中にて 350℃の温度
で 5分間加熱した後、20倍の実体顕微鏡でその表面を観
察することによって、加熱メッキフクレ（メッキが盛り
上ったように見える凸部）の有無を判定した。この加熱
メッキフクレ試験は、それぞれ20フレームについて行っ
て、メッキフクレの発生したフレーム数で表した。それ
らの結果も併せて表２に示す。
【００１９】なお、本発明との比較のために、従来のCu
基合金を用いたリードフレーム材（表１に組成を示す）
についても、同様な評価を行った。その結果も併せて表
２に示す。
基合金を用いたリードフレーム材（表１に組成を示す）
についても、同様な評価を行った。その結果も併せて表
２に示す。
【表２】 表２の結果から、各実施例によるリードフレーム材は、
いずれも S含有量を0.005重量％未満としていることか
ら、表面に存在する局部変色領域数が少なく、これによ
りハガレや加熱メッキフクレ等が、局部変色領域数が多
い比較例によるものに比べて明らかに少ないことが分
る。これらのことは、ＩＣパッケージ等の製造歩留およ
び信頼性の向上に寄与することを意味している。また、
各実施例によるリードフレーム材は、FeやNi等の他の不
純物量もそれぞれ低く押さえていることから、高導電率
も再現性よく達成されている。さらに、ビッカース硬度
から、高性能化に対応し得る高強度なリードフレーム材
が得られていることが分かる。
いずれも S含有量を0.005重量％未満としていることか
ら、表面に存在する局部変色領域数が少なく、これによ
りハガレや加熱メッキフクレ等が、局部変色領域数が多
い比較例によるものに比べて明らかに少ないことが分
る。これらのことは、ＩＣパッケージ等の製造歩留およ
び信頼性の向上に寄与することを意味している。また、
各実施例によるリードフレーム材は、FeやNi等の他の不
純物量もそれぞれ低く押さえていることから、高導電率
も再現性よく達成されている。さらに、ビッカース硬度
から、高性能化に対応し得る高強度なリードフレーム材
が得られていることが分かる。
【００２０】また、局部変色領域数が多数発生した比較
例のリードフレーム材表面を走査型電子顕微鏡（日本電
子製、JSM-T300：加速電圧10kV，倍率 56.25倍（写真上
で））で観察した。その観察結果として、ＳＥＭ写真像
を模式図として図２に示す。図２において、中央部に縦
に白っぽくすじ状に見られる部分Ａが局部変色領域（す
じ状変色部）である。ＳＥＭ写真で白っぽく見えるの
は、表面のZrが酸化されているためである（Zrは活性金
属のため、大気中で酸化されやすい）。このすじ状に見
られる部分Ａは、肉眼では黒っぽいすじ状に見られる。
さらに、局部変色領域が存在する比較例のリードフレー
ム材の面分析をＥＰＭＡ（日本電子製ＥＰＭＡ）により
行ったところ、局部変色領域からはZr、 S、 Oが検出さ
れた。このことは、 S量が多い部分にZrの偏析が起り、
このZrの偏析によって局部変色が発生していることを裏
付けている。また、局部変色領域以外の部分からは、Zr
や Sは検出されなかった。なお、酸素は上述したように
大気中に晒され、後からZrが酸化したために検出された
ものである。
例のリードフレーム材表面を走査型電子顕微鏡（日本電
子製、JSM-T300：加速電圧10kV，倍率 56.25倍（写真上
で））で観察した。その観察結果として、ＳＥＭ写真像
を模式図として図２に示す。図２において、中央部に縦
に白っぽくすじ状に見られる部分Ａが局部変色領域（す
じ状変色部）である。ＳＥＭ写真で白っぽく見えるの
は、表面のZrが酸化されているためである（Zrは活性金
属のため、大気中で酸化されやすい）。このすじ状に見
られる部分Ａは、肉眼では黒っぽいすじ状に見られる。
さらに、局部変色領域が存在する比較例のリードフレー
ム材の面分析をＥＰＭＡ（日本電子製ＥＰＭＡ）により
行ったところ、局部変色領域からはZr、 S、 Oが検出さ
れた。このことは、 S量が多い部分にZrの偏析が起り、
このZrの偏析によって局部変色が発生していることを裏
付けている。また、局部変色領域以外の部分からは、Zr
や Sは検出されなかった。なお、酸素は上述したように
大気中に晒され、後からZrが酸化したために検出された
ものである。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のリードフ
レーム材によれば、表面性状に優れていることから、リ
ードフレーム表面の欠陥に起因するＩＣやＬＳＩ等の製
造歩留の低下を防止することが可能となると共に、信頼
性の向上にも大きく寄与する。
レーム材によれば、表面性状に優れていることから、リ
ードフレーム表面の欠陥に起因するＩＣやＬＳＩ等の製
造歩留の低下を防止することが可能となると共に、信頼
性の向上にも大きく寄与する。
【図１】本発明の実施例で作製したリードフレーム形状
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】比較例によるリードフレーム材表面の走査型電
子顕微鏡写真を模式的に示す図である。
子顕微鏡写真を模式的に示す図である。
１……リードフレーム Ａ……局部変色領域（すじ状変色部）
Claims (7)
- 【請求項１】 Crを 0.1〜 1重量％、Zrを0.01〜 0.5重
量％含み、残部が不純物を除き実質的にCuからなるリー
ドフレーム材であって、その表面に存在するZrの偏析に
よる局部変色領域の数が 2個/100cm2 以下であることを
特徴とするリードフレーム材。 - 【請求項２】 合金組成中の不純物としての S含有量が
0.005重量％未満であることを特徴とする請求項１記載
のリードフレーム材。 - 【請求項３】 合金組成中の不純物としてのFe含有量が
0.05重量％未満、Ni含有量が 0.1重量％未満、 P含有量
が0.05重量％未満、Sn含有量が 0.1重量％未満、Zn含有
量が 0.1重量％未満であることを特徴とする請求項１記
載のリードフレーム材。 - 【請求項４】 導電率が 75IACS%以上であることを特徴
とする請求項３記載のリードフレーム材。 - 【請求項５】 表面のハガレ個数が 5点/1コイル以下で
あることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム
材。 - 【請求項６】 表面に加熱メッキフクレがないことを特
徴とする請求項１記載のリードフレーム材。 - 【請求項７】 ビッカース硬度が 150Hv以上であること
を特徴とする請求項１記載のリードフレーム材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3290413A JPH0593230A (ja) | 1990-12-20 | 1991-10-11 | リードフレーム材 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-404416 | 1990-12-20 | ||
| JP40441690 | 1990-12-20 | ||
| JP3290413A JPH0593230A (ja) | 1990-12-20 | 1991-10-11 | リードフレーム材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0593230A true JPH0593230A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=26558039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3290413A Pending JPH0593230A (ja) | 1990-12-20 | 1991-10-11 | リードフレーム材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0593230A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019031713A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | 三芳合金工業株式会社 | クロムジルコニウム銅合金鍛造板材及びその製造方法 |
| WO2019102716A1 (ja) * | 2017-11-21 | 2019-05-31 | 三菱マテリアル株式会社 | 鋳造用モールド材、及び、銅合金素材 |
| WO2020170956A1 (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅合金材、整流子片、電極材 |
| CN113439128A (zh) * | 2019-02-20 | 2021-09-24 | 三菱综合材料株式会社 | 铜合金材料、整流片、电极材料 |
-
1991
- 1991-10-11 JP JP3290413A patent/JPH0593230A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019031713A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | 三芳合金工業株式会社 | クロムジルコニウム銅合金鍛造板材及びその製造方法 |
| WO2019102716A1 (ja) * | 2017-11-21 | 2019-05-31 | 三菱マテリアル株式会社 | 鋳造用モールド材、及び、銅合金素材 |
| JP2019094530A (ja) * | 2017-11-21 | 2019-06-20 | 三菱マテリアル株式会社 | 鋳造用モールド材、及び、銅合金素材 |
| KR20200087123A (ko) * | 2017-11-21 | 2020-07-20 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 주조용 몰드재, 및 구리 합금 소재 |
| EP3715488A4 (en) * | 2017-11-21 | 2021-03-31 | Mitsubishi Materials Corporation | CASTING MOLD MATERIAL AND COPPER ALLOY MATERIAL |
| WO2020170956A1 (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅合金材、整流子片、電極材 |
| CN113439128A (zh) * | 2019-02-20 | 2021-09-24 | 三菱综合材料株式会社 | 铜合金材料、整流片、电极材料 |
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