JPH0595017A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0595017A JPH0595017A JP3255166A JP25516691A JPH0595017A JP H0595017 A JPH0595017 A JP H0595017A JP 3255166 A JP3255166 A JP 3255166A JP 25516691 A JP25516691 A JP 25516691A JP H0595017 A JPH0595017 A JP H0595017A
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- surface protective
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/90—Bond pads, in general
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体装置の電極パッドサイズの低減を実現
する。 【構成】 周辺に表面保護膜がオーバーハングしていな
いボンディング用電極パッド１と、半導体基板表面から
表面保護膜の表面までの高さが半導体基板表面から電極
パッドの表面までの高さよりも低く形成された表面保護
膜３とを有する。
する。 【構成】 周辺に表面保護膜がオーバーハングしていな
いボンディング用電極パッド１と、半導体基板表面から
表面保護膜の表面までの高さが半導体基板表面から電極
パッドの表面までの高さよりも低く形成された表面保護
膜３とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関するもの
で、特に詳しく言えば半導体装置の電極パッドに関する
ものである。
で、特に詳しく言えば半導体装置の電極パッドに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子のチップ表面は、パッケージ
を通しての外部からの水分、汚染物の侵入や機械的な損
傷からチップを保護するために、表面保護膜で覆われて
いる。
を通しての外部からの水分、汚染物の侵入や機械的な損
傷からチップを保護するために、表面保護膜で覆われて
いる。
【０００３】図４に従来の半導体装置の電極パッド周辺
図を示す。図４において、１は電極パッド、１ａはボン
ディングセンター位置領域、１ｂはボンディングつぶれ
占有領域、１ｃは表面保護膜のオーバーハング部、２は
引出し配線、３は表面保護膜、４はボンディングワイヤ
ーである。図４中、ボンディングセンター位置領域１ａ
とは、ボンディングワイヤー４の中心のボンディングセ
ンターが、この範囲に入ればボンディングワイヤー４は
表面保護層にあたることなく電極パッド１に接続可能で
あるという領域である。また、ボンディングつぶれ占有
領域１ｂとは、ボンディングワイヤー４が電極パッドと
接続したときに、ワイヤー４がつぶれたときに占有する
領域であって、ボンディングセンター位置領域１ａ以外
の領域である。
図を示す。図４において、１は電極パッド、１ａはボン
ディングセンター位置領域、１ｂはボンディングつぶれ
占有領域、１ｃは表面保護膜のオーバーハング部、２は
引出し配線、３は表面保護膜、４はボンディングワイヤ
ーである。図４中、ボンディングセンター位置領域１ａ
とは、ボンディングワイヤー４の中心のボンディングセ
ンターが、この範囲に入ればボンディングワイヤー４は
表面保護層にあたることなく電極パッド１に接続可能で
あるという領域である。また、ボンディングつぶれ占有
領域１ｂとは、ボンディングワイヤー４が電極パッドと
接続したときに、ワイヤー４がつぶれたときに占有する
領域であって、ボンディングセンター位置領域１ａ以外
の領域である。
【０００４】電極パッド１の周辺には表面保護膜３があ
り、オーバーハングしている。従って電極パッド１はボ
ンディングセンター位置領域１ａ、ボンディングつぶれ
占有領域１ｂ、及び表面保護膜のオーバーハング部１ｃ
から成り立っている。ボンディングセンター位置領域１
ａの一辺の長さａは、ボンディングワイヤー４が電極パ
ッド１の中心からずれることのできる最大の距離、すな
わちワイヤーボンディング装置によって規定されるボン
ディングセンター位置あわせのずれの最大値である。
り、オーバーハングしている。従って電極パッド１はボ
ンディングセンター位置領域１ａ、ボンディングつぶれ
占有領域１ｂ、及び表面保護膜のオーバーハング部１ｃ
から成り立っている。ボンディングセンター位置領域１
ａの一辺の長さａは、ボンディングワイヤー４が電極パ
ッド１の中心からずれることのできる最大の距離、すな
わちワイヤーボンディング装置によって規定されるボン
ディングセンター位置あわせのずれの最大値である。
【０００５】以上のような構造においてワイヤーボンデ
ィングの工程で表面保護膜のオーバーハング部１ｃを破
壊しないようにするには、ボンディングつぶれ占有領域
１ｂの幅ｂはボンディングつぶれの半径ｒ以上にしなけ
ればならない。その上、電極パッド１は上記表面保護膜
のオーバーハング部１ｃの面積をも有しなければならな
い。
ィングの工程で表面保護膜のオーバーハング部１ｃを破
壊しないようにするには、ボンディングつぶれ占有領域
１ｂの幅ｂはボンディングつぶれの半径ｒ以上にしなけ
ればならない。その上、電極パッド１は上記表面保護膜
のオーバーハング部１ｃの面積をも有しなければならな
い。
【０００６】以上のことから、いくら半導体素子が小さ
くなっても、またボンディング装置の精度が向上して
も、表面保護膜のオーバーハング部の面積が残るために
電極パッドが小さくならない。従ってチップが小さくな
らないことになる。また、電極パッドを強引に小さくす
るとワイヤーボンディングの際に表面保護膜を傷つけ、
これによるクラックが生じ、信頼性不良を引き起こす。
くなっても、またボンディング装置の精度が向上して
も、表面保護膜のオーバーハング部の面積が残るために
電極パッドが小さくならない。従ってチップが小さくな
らないことになる。また、電極パッドを強引に小さくす
るとワイヤーボンディングの際に表面保護膜を傷つけ、
これによるクラックが生じ、信頼性不良を引き起こす。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構造の半導
体装置では、いくら半導体素子が小さくなっても、また
ボンディング装置の精度が向上しても、表面保護膜のオ
ーバーハング部の面積が残るために電極パッドが小さく
ならない。従ってチップが小さくならないことになる。
また、電極パッドを強引に小さくするとワイヤーボンデ
ィングの際に表面保護膜を傷つけ、これによるクラック
が生じ、信頼性不良を引き起こす。
体装置では、いくら半導体素子が小さくなっても、また
ボンディング装置の精度が向上しても、表面保護膜のオ
ーバーハング部の面積が残るために電極パッドが小さく
ならない。従ってチップが小さくならないことになる。
また、電極パッドを強引に小さくするとワイヤーボンデ
ィングの際に表面保護膜を傷つけ、これによるクラック
が生じ、信頼性不良を引き起こす。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この問題点を解決するた
めに本発明の半導体装置は、 １．周辺に表面保護膜がオーバーハングしていないボン
ディング用電極パッドと半導体基板表面から表面保護膜
の表面までの高さが半導体基板表面から電極パッドの表
面までの高さよりも低く形成された表面保護膜とを有す
る。 ２．ワイヤーボンディング装置のボンディングセンター
位置あわせのずれの最大値をａ、ボンディングつぶれの
半径をｒ、ボンディング用電極パッドの一辺の長さを
ｄ、ボンディング用電極パッドのエッジから表面保護膜
までの距離をｋとしたとき、 ２ａ≦ｄ≦２（ａ＋ｒ） を満足するように形成されたボンディング用電極パッド
と、 ｋ≧｛２（ａ＋ｒ）−ｄ｝／２ を満足するように形成された表面保護膜とを有する。 ３．少なくとも一個はその引出し方向に対して直角に曲
がった曲がり角を有する電極引出し配線と、上記曲がり
角のうち電極パッドに最も近い曲がり角と上記電極パッ
ドとの間まで形成された表面保護膜とを有する。
めに本発明の半導体装置は、 １．周辺に表面保護膜がオーバーハングしていないボン
ディング用電極パッドと半導体基板表面から表面保護膜
の表面までの高さが半導体基板表面から電極パッドの表
面までの高さよりも低く形成された表面保護膜とを有す
る。 ２．ワイヤーボンディング装置のボンディングセンター
位置あわせのずれの最大値をａ、ボンディングつぶれの
半径をｒ、ボンディング用電極パッドの一辺の長さを
ｄ、ボンディング用電極パッドのエッジから表面保護膜
までの距離をｋとしたとき、 ２ａ≦ｄ≦２（ａ＋ｒ） を満足するように形成されたボンディング用電極パッド
と、 ｋ≧｛２（ａ＋ｒ）−ｄ｝／２ を満足するように形成された表面保護膜とを有する。 ３．少なくとも一個はその引出し方向に対して直角に曲
がった曲がり角を有する電極引出し配線と、上記曲がり
角のうち電極パッドに最も近い曲がり角と上記電極パッ
ドとの間まで形成された表面保護膜とを有する。
【０００９】
【作用】本発明の半導体装置は、 １．周辺に表面保護膜がオーバーハングしていないボン
ディング用電極パッドと半導体基板表面から表面保護膜
の表面までの高さが半導体基板表面から電極パッドの表
面までの高さよりも低く形成された表面保護膜とを有す
ることにより、表面保護膜のオーバーハング部の面積が
ないために電極パッドを大幅に小型化できる。通常チッ
プ全体に占める電極パッドの割合は大きいので電極パッ
ドの小型化はチップの小型化に大きく寄与する。
ディング用電極パッドと半導体基板表面から表面保護膜
の表面までの高さが半導体基板表面から電極パッドの表
面までの高さよりも低く形成された表面保護膜とを有す
ることにより、表面保護膜のオーバーハング部の面積が
ないために電極パッドを大幅に小型化できる。通常チッ
プ全体に占める電極パッドの割合は大きいので電極パッ
ドの小型化はチップの小型化に大きく寄与する。
【００１０】さらにワイヤーボンディングの工程におい
て、ボンディングのつぶれが表面保護膜を傷つけること
がなく、組立歩留まりが向上する。 ２．ワイヤーボンディング装置のボンディングセンター
位置あわせのずれの最大値をａ、ボンディングつぶれの
半径をｒ、ボンディング用電極パッドの一辺の長さを
ｄ、ボンディング用電極パッドのエッジから表面保護膜
までの距離をｋとしたとき、 ２ａ≦ｄ≦２（ａ＋ｒ） を満足するように形成されたボンディング用電極パッド
と、 ｋ≧｛２（ａ＋ｒ）−ｄ｝／２ を満足するように形成された表面保護膜とを有すること
により、電極パッド寸法の大幅な低減、電極パッド間容
量及び電極パッド・基板間容量の低減、電極パッドの高
密度化、チップの小型化、組立歩留まりの向上、ひいて
は製造コストの低減が図られる。 ３．少なくとも一個はその引出し方向に対して直角に曲
がった曲がり角を有する電極引出し配線と、上記曲がり
角のうち電極パッドに最も近い曲がり角と上記電極パッ
ドとの間まで形成された表面保護膜とを有することによ
り、最も水分が侵入しやすい引出し配線と表面保護膜と
の界面から活性領域までの距離を長くできるので、高い
信頼性が保たれる。
て、ボンディングのつぶれが表面保護膜を傷つけること
がなく、組立歩留まりが向上する。 ２．ワイヤーボンディング装置のボンディングセンター
位置あわせのずれの最大値をａ、ボンディングつぶれの
半径をｒ、ボンディング用電極パッドの一辺の長さを
ｄ、ボンディング用電極パッドのエッジから表面保護膜
までの距離をｋとしたとき、 ２ａ≦ｄ≦２（ａ＋ｒ） を満足するように形成されたボンディング用電極パッド
と、 ｋ≧｛２（ａ＋ｒ）−ｄ｝／２ を満足するように形成された表面保護膜とを有すること
により、電極パッド寸法の大幅な低減、電極パッド間容
量及び電極パッド・基板間容量の低減、電極パッドの高
密度化、チップの小型化、組立歩留まりの向上、ひいて
は製造コストの低減が図られる。 ３．少なくとも一個はその引出し方向に対して直角に曲
がった曲がり角を有する電極引出し配線と、上記曲がり
角のうち電極パッドに最も近い曲がり角と上記電極パッ
ドとの間まで形成された表面保護膜とを有することによ
り、最も水分が侵入しやすい引出し配線と表面保護膜と
の界面から活性領域までの距離を長くできるので、高い
信頼性が保たれる。
【００１１】
【実施例】（実施例１）図１は本発明の第１の実施例を
示すものである。図１において、１は電極パッド、２は
引出し配線、３は表面保護膜、４はボンディングワイヤ
ーである。
示すものである。図１において、１は電極パッド、２は
引出し配線、３は表面保護膜、４はボンディングワイヤ
ーである。
【００１２】ボンディング用電極パッドの周辺に表面保
護膜があるが、オーバーハングしていない。さらに断面
の表面保護膜の高さが電極パッドの高さよりも低い。
護膜があるが、オーバーハングしていない。さらに断面
の表面保護膜の高さが電極パッドの高さよりも低い。
【００１３】以上の構成により、表面保護膜のオーバー
ハング部の面積がないために電極パッドを大幅に小型化
できる。通常チップ全体に占める電極パッドの割合は大
きいので電極パッドの小型化はチップの小型化に大きく
寄与する。
ハング部の面積がないために電極パッドを大幅に小型化
できる。通常チップ全体に占める電極パッドの割合は大
きいので電極パッドの小型化はチップの小型化に大きく
寄与する。
【００１４】さらにワイヤーボンディングの工程におい
て、ボンディングのつぶれが表面保護膜を傷つけること
がなく、組立歩留まりが向上する。
て、ボンディングのつぶれが表面保護膜を傷つけること
がなく、組立歩留まりが向上する。
【００１５】（実施例２）図２は本発明の第２の実施例
を示すものである。図２において、１は電極パッド、１
ａはボンディングセンター位置領域、１ｂはボンディン
グつぶれ占有領域、２は引出し配線、３は表面保護膜、
４はボンディングワイヤーである。
を示すものである。図２において、１は電極パッド、１
ａはボンディングセンター位置領域、１ｂはボンディン
グつぶれ占有領域、２は引出し配線、３は表面保護膜、
４はボンディングワイヤーである。
【００１６】電極パッド１はボンディングセンター位置
領域１ａとボンディングつぶれ占有領域１ｂとから成り
立っている。ボンディングセンター位置領域１ａの一辺
の長さａはボンディングセンター位置あわせのずれの最
大値で、これはワイヤーボンディング装置によって規定
される。すなわち、この領域内にボンディングワイヤー
の中心であるボンディングセンターが来るようにすれ
ば、ワイヤー４は電極１にうまく接続されることにな
る。
領域１ａとボンディングつぶれ占有領域１ｂとから成り
立っている。ボンディングセンター位置領域１ａの一辺
の長さａはボンディングセンター位置あわせのずれの最
大値で、これはワイヤーボンディング装置によって規定
される。すなわち、この領域内にボンディングワイヤー
の中心であるボンディングセンターが来るようにすれ
ば、ワイヤー４は電極１にうまく接続されることにな
る。
【００１７】また、ボンディングつぶれの半径をｒとし
たとき、ボンディングつぶれ占有領域１ｂの幅ｂは ０≦ｂ≦ｒ を満足する値に設定する。ボンディング用電極パッドの
一辺の長さｄは、 ２ａ≦ｄ≦２（ａ＋ｂ） を満足する値に設定する。
たとき、ボンディングつぶれ占有領域１ｂの幅ｂは ０≦ｂ≦ｒ を満足する値に設定する。ボンディング用電極パッドの
一辺の長さｄは、 ２ａ≦ｄ≦２（ａ＋ｂ） を満足する値に設定する。
【００１８】ｂ＝０、すなわちボンディングつぶれ占有
領域１ｂがない場合、ボンディングの位置ずれが最大
（図５参照）のときには、ボンディングワイヤー４と電
極パッド１との接着面積はボンディングつぶれの面積の
４分の１となる。ボンディングワイヤー４と電極パッド
１との接着面積が小さいことによって、この部分での抵
抗が大きくなり、素子の電気特性が低下することがあ
る。この場合には、ボンディングつぶれ占有領域１ｂの
幅ｂを適当な値にすることにより、このような特性の低
下を回避することができる。
領域１ｂがない場合、ボンディングの位置ずれが最大
（図５参照）のときには、ボンディングワイヤー４と電
極パッド１との接着面積はボンディングつぶれの面積の
４分の１となる。ボンディングワイヤー４と電極パッド
１との接着面積が小さいことによって、この部分での抵
抗が大きくなり、素子の電気特性が低下することがあ
る。この場合には、ボンディングつぶれ占有領域１ｂの
幅ｂを適当な値にすることにより、このような特性の低
下を回避することができる。
【００１９】また、ボンディング用電極パッドのエッジ
から表面保護膜までの距離ｋは、 ｋ≧｛２（ａ＋ｒ）−ｄ｝／２ を満足する値に設定する。これによって、ボンディング
の位置ずれが最大になった場合でも表面保護膜を傷つけ
ることがない。
から表面保護膜までの距離ｋは、 ｋ≧｛２（ａ＋ｒ）−ｄ｝／２ を満足する値に設定する。これによって、ボンディング
の位置ずれが最大になった場合でも表面保護膜を傷つけ
ることがない。
【００２０】以上の構造にすることで電極パッド１の寸
法を大幅に低減することができ、かつワイヤーボンディ
ングの工程で表面保護膜３を破壊することない。これに
より、電極パッド間容量及び電極パッド・基板間容量の
低減、電極パッドの高密度化、チップの小型化、組立歩
留まりの向上、ひいては製造コストの低減が図られる。
法を大幅に低減することができ、かつワイヤーボンディ
ングの工程で表面保護膜３を破壊することない。これに
より、電極パッド間容量及び電極パッド・基板間容量の
低減、電極パッドの高密度化、チップの小型化、組立歩
留まりの向上、ひいては製造コストの低減が図られる。
【００２１】（実施例３）図３は本発明の第３の実施例
を示すものである。図３において、１は電極パッド、２
は引出し配線、３は表面保護膜である。
を示すものである。図３において、１は電極パッド、２
は引出し配線、３は表面保護膜である。
【００２２】電極引出し配線がその引出し方向に対して
直角に曲がっており、表面保護膜は電極パッドに最も近
い曲がり角と電極パッドとの間まで形成されている。
直角に曲がっており、表面保護膜は電極パッドに最も近
い曲がり角と電極パッドとの間まで形成されている。
【００２３】一般に信頼性上の問題として、水分や汚染
物の侵入が挙げられる。引出し配線２上を表面保護膜３
のエッジが横切る部分、なかでも引出し配線２のエッジ
と表面保護膜３のエッジとの交点から侵入した水分や汚
染物が表面保護膜３と引出し配線２との界面を通って活
性領域に達するというのがその主なものである。それに
対して、本発明の実施例では上記侵入部分から活性領域
までの距離を長くできるので、高い信頼性が保たれる。
物の侵入が挙げられる。引出し配線２上を表面保護膜３
のエッジが横切る部分、なかでも引出し配線２のエッジ
と表面保護膜３のエッジとの交点から侵入した水分や汚
染物が表面保護膜３と引出し配線２との界面を通って活
性領域に達するというのがその主なものである。それに
対して、本発明の実施例では上記侵入部分から活性領域
までの距離を長くできるので、高い信頼性が保たれる。
【００２４】
【発明の効果】このように本発明は、 １．周辺に表面保護膜がオーバーハングしていないボン
ディング用電極パッドと半導体基板表面から表面保護膜
の表面までの高さが半導体基板表面から電極パッドの表
面までの高さよりも低く形成された表面保護膜とを有す
ることにより、表面保護膜のオーバーハング部の面積が
ないために電極パッドを大幅に小型化できる。通常チッ
プ全体に占める電極パッドの割合は大きいので電極パッ
ドの小型化はチップの小型化に大きく寄与する。
ディング用電極パッドと半導体基板表面から表面保護膜
の表面までの高さが半導体基板表面から電極パッドの表
面までの高さよりも低く形成された表面保護膜とを有す
ることにより、表面保護膜のオーバーハング部の面積が
ないために電極パッドを大幅に小型化できる。通常チッ
プ全体に占める電極パッドの割合は大きいので電極パッ
ドの小型化はチップの小型化に大きく寄与する。
【００２５】さらにワイヤーボンディングの工程におい
て、ボンディングのつぶれが表面保護膜を傷つけること
がなく、組立歩留まりが向上する。 ２．ワイヤーボンディング装置のボンディングセンター
位置あわせのずれの最大値をａ、ボンディングつぶれの
半径をｒ、ボンディング用電極パッドの一辺の長さを
ｄ、ボンディング用電極パッドのエッジから表面保護膜
までの距離をｋとしたとき、 ２ａ≦ｄ≦２（ａ＋ｒ） を満足するように形成されたボンディング用電極パッド
と、 ｋ≧｛２（ａ＋ｒ）−ｄ｝／２ を満足するように形成された表面保護膜とを有すること
により、電極パッド寸法の大幅な低減、電極パッド間容
量及び電極パッド・基板間容量の低減、電極パッドの高
密度化、チップの小型化、組立歩留まりの向上、ひいて
は製造コストの低減が図られる。 ３．少なくとも一個はその引出し方向に対して直角に曲
がった曲がり角を有する電極引出し配線と、上記曲がり
角のうち電極パッドに最も近い曲がり角と上記電極パッ
ドとの間まで形成された表面保護膜とを有することによ
り、最も水分が侵入しやすい引出し配線と表面保護膜と
の界面から活性領域までの距離を長くできるので、高い
信頼性が保たれる。という優れた効果を持っている。
て、ボンディングのつぶれが表面保護膜を傷つけること
がなく、組立歩留まりが向上する。 ２．ワイヤーボンディング装置のボンディングセンター
位置あわせのずれの最大値をａ、ボンディングつぶれの
半径をｒ、ボンディング用電極パッドの一辺の長さを
ｄ、ボンディング用電極パッドのエッジから表面保護膜
までの距離をｋとしたとき、 ２ａ≦ｄ≦２（ａ＋ｒ） を満足するように形成されたボンディング用電極パッド
と、 ｋ≧｛２（ａ＋ｒ）−ｄ｝／２ を満足するように形成された表面保護膜とを有すること
により、電極パッド寸法の大幅な低減、電極パッド間容
量及び電極パッド・基板間容量の低減、電極パッドの高
密度化、チップの小型化、組立歩留まりの向上、ひいて
は製造コストの低減が図られる。 ３．少なくとも一個はその引出し方向に対して直角に曲
がった曲がり角を有する電極引出し配線と、上記曲がり
角のうち電極パッドに最も近い曲がり角と上記電極パッ
ドとの間まで形成された表面保護膜とを有することによ
り、最も水分が侵入しやすい引出し配線と表面保護膜と
の界面から活性領域までの距離を長くできるので、高い
信頼性が保たれる。という優れた効果を持っている。
【図１】本発明の第１の半導体装置の電極パッド周辺図
【図２】本発明の第２の半導体装置の電極パッド周辺図
【図３】本発明の第３の半導体装置の電極パッド周辺図
【図４】従来の半導体装置の電極パッド周辺図
【図５】本発明の第２の実施例の参考図
１ 電極パッド １ａ ボンディングセンター位置領域 １ｂ ボンディングつぶれ占有領域 １ｃ 表面保護膜のオーバーハング部 ２ 引出し配線 ３ 表面保護膜 ４ ボンディングワイヤー
Claims (3)
- 【請求項１】周辺に表面保護膜がオーバーハングしてい
ないボンディング用電極パッドと、半導体基板表面から
表面保護膜の表面までの高さが前記半導体基板表面から
電極パッドの表面までの高さよりも低く形成された表面
保護膜とを有する半導体装置。 - 【請求項２】ワイヤーボンディング装置のボンディング
センター位置あわせのずれの最大値をａ、ボンディング
つぶれの半径をｒ、ボンディング用電極パッドの一辺の
長さをｄ、ボンディング用電極パッドのエッジから表面
保護膜までの距離をｋとしたとき、 ２ａ≦ｄ≦２（ａ＋ｒ） を満足するように形成されたボンディング用電極パッド
と、 ｋ≧｛２（ａ＋ｒ）−ｄ｝／２ を満足するように形成された表面保護膜とを有する半導
体装置。 - 【請求項３】少なくとも一個はその引出し方向に対して
直角に曲がった曲がり角を有する電極引出し配線と、上
記曲がり角のうち電極パッドに最も近い曲がり角と上記
電極パッドとの間まで形成された表面保護膜とを有する
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3255166A JPH0595017A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3255166A JPH0595017A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595017A true JPH0595017A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17274981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3255166A Pending JPH0595017A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0595017A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322919A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ビーム放射および／またはビーム受信半導体素子および半導体基体にコンタクトを構造化してデポジットする方法 |
| JP2017092515A (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | 集積回路装置、電子デバイス、電子機器、および基地局 |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP3255166A patent/JPH0595017A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322919A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ビーム放射および／またはビーム受信半導体素子および半導体基体にコンタクトを構造化してデポジットする方法 |
| JP2017092515A (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | 集積回路装置、電子デバイス、電子機器、および基地局 |
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