JPH0595072A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0595072A JPH0595072A JP3255431A JP25543191A JPH0595072A JP H0595072 A JPH0595072 A JP H0595072A JP 3255431 A JP3255431 A JP 3255431A JP 25543191 A JP25543191 A JP 25543191A JP H0595072 A JPH0595072 A JP H0595072A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- pad
- inner lead
- wire
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
- H10W72/07554—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/926—Multiple bond pads having different sizes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パッドとインナーリードに高低差がついてい
ることで、ワイヤにも高低差がつきワイヤ接触を防ぐ半
導体装置を実現する。 【構成】 半導体素子1上の外部端子であるパッド2の
隣合った者同士に高低差が設けてあり、またインナーリ
ード3の隣合った者同士にも高低差がついていて、ワイ
ヤ4でパッドとインナーリードとを結線する。
ることで、ワイヤにも高低差がつきワイヤ接触を防ぐ半
導体装置を実現する。 【構成】 半導体素子1上の外部端子であるパッド2の
隣合った者同士に高低差が設けてあり、またインナーリ
ード3の隣合った者同士にも高低差がついていて、ワイ
ヤ4でパッドとインナーリードとを結線する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
パッドの面積の小さい半導体素子を有する半導体装置、
隣合うパッドの間隔の狭い半導体素子を有する半導体装
置、或いは半導体素子チップと、リードの半導体素子と
接続される側(インナーリード)とを接続するワイヤの
長さが長い半導体装置に関する。
パッドの面積の小さい半導体素子を有する半導体装置、
隣合うパッドの間隔の狭い半導体素子を有する半導体装
置、或いは半導体素子チップと、リードの半導体素子と
接続される側(インナーリード)とを接続するワイヤの
長さが長い半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の一形態として、集積回路が
形成された半導体素子上の入出力端子であるボンディン
グパッドとこれに対応したリードフレームの各インナー
リード部とが結線され、ついで各リードの先端部(アウ
ターリード)を残して射出成型機等によりプラスチック
などで一体的に成型されているものがある。その際、ボ
ンディングパッドとインナーリードとの接続の一方式と
してワイヤ(導電性金属細線)を用いたものがある。
形成された半導体素子上の入出力端子であるボンディン
グパッドとこれに対応したリードフレームの各インナー
リード部とが結線され、ついで各リードの先端部(アウ
ターリード)を残して射出成型機等によりプラスチック
などで一体的に成型されているものがある。その際、ボ
ンディングパッドとインナーリードとの接続の一方式と
してワイヤ(導電性金属細線)を用いたものがある。
【0003】上記のような半導体装置は高集積化、高機
能化等ニーズによる半導体素子のI/Oピン数(入出力
端子数)増大に伴い半導体装置自体の外部との入出力端
子数も増大する傾向にある。これに伴って半導体素子と
リードフレームとを接続するワイヤの本数も増大してゆ
く。従って半導体装置の基板実装密度は益々増大する傾
向にある。
能化等ニーズによる半導体素子のI/Oピン数(入出力
端子数)増大に伴い半導体装置自体の外部との入出力端
子数も増大する傾向にある。これに伴って半導体素子と
リードフレームとを接続するワイヤの本数も増大してゆ
く。従って半導体装置の基板実装密度は益々増大する傾
向にある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のような半導体装
置の方向性を踏まえると、半導体チップ上のパッド部分
の面積縮小化、隣合うパッド同士の間隔の縮小化、それ
に伴うインナーリード部分の隣合う者同士の間隔の縮小
化を進めなければならない。その際パッド部分とインナ
ーリード部分とを接続するワイヤの本数が増えるため、
接続後の樹脂封止の際のワイヤ同士の接触という問題が
生じる。また上記細密化に伴いワイヤのパッド部側の端
子部同士の接触という問題も生じてくる。以上のような
問題点は、基板実装の高密度化を妨げる大きな要因とな
り得る。
置の方向性を踏まえると、半導体チップ上のパッド部分
の面積縮小化、隣合うパッド同士の間隔の縮小化、それ
に伴うインナーリード部分の隣合う者同士の間隔の縮小
化を進めなければならない。その際パッド部分とインナ
ーリード部分とを接続するワイヤの本数が増えるため、
接続後の樹脂封止の際のワイヤ同士の接触という問題が
生じる。また上記細密化に伴いワイヤのパッド部側の端
子部同士の接触という問題も生じてくる。以上のような
問題点は、基板実装の高密度化を妨げる大きな要因とな
り得る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、半導体装置のチップと半導体装置のチップの周囲に
配されたインナーリードと、半導体装置のチップとイン
ナーリードとをワイヤによりボンディングしている、樹
脂封止された半導体装置において、半導体装置のチップ
上の回路の入出力端であるパッドとインナーリードとを
ワイヤボンディングしているワイヤに高低の差があるこ
とを特徴とする。
は、半導体装置のチップと半導体装置のチップの周囲に
配されたインナーリードと、半導体装置のチップとイン
ナーリードとをワイヤによりボンディングしている、樹
脂封止された半導体装置において、半導体装置のチップ
上の回路の入出力端であるパッドとインナーリードとを
ワイヤボンディングしているワイヤに高低の差があるこ
とを特徴とする。
【0006】
【実施例】図1は本発明の一実施例を示す要部の図であ
る。1は半導体チップ、2は半導体チップ上の回路の外
部端子であるパッド電極、3はリードフレームのインナ
ーリード、4はパッドとインナーリードとを接続するワ
イヤである。また、図2に図1の半導体チップ上のパッ
ド部の断面図を示す。5は半導体チップ、6はパッド電
極、7はパッドとインナーリードとを接続するワイヤで
ある。半導体チップのパッド部に図1、図2で示す隣合
うパッドの高さが相異なるものが形成されている。隣合
うパッドの高さが異なるため、半導体チップ上のパッド
上にボンディングされたワイヤの端子の隣合う者同士の
高さも異なってきている。
る。1は半導体チップ、2は半導体チップ上の回路の外
部端子であるパッド電極、3はリードフレームのインナ
ーリード、4はパッドとインナーリードとを接続するワ
イヤである。また、図2に図1の半導体チップ上のパッ
ド部の断面図を示す。5は半導体チップ、6はパッド電
極、7はパッドとインナーリードとを接続するワイヤで
ある。半導体チップのパッド部に図1、図2で示す隣合
うパッドの高さが相異なるものが形成されている。隣合
うパッドの高さが異なるため、半導体チップ上のパッド
上にボンディングされたワイヤの端子の隣合う者同士の
高さも異なってきている。
【0007】図3は図1のインナーリードをチップ側上
方から見た図である。8はインナーリード、9はパッド
とインナーリードとを接続するワイヤ、10はインナー
リードの横ずれを防ぐためのテープである。図3のよう
にインナーリードの先端部が一つおきに変形していて、
隣合うインナーリード同士の高さが相異なるようになっ
ている。隣合うインナーリードの先端部の高さが相異な
るためインナーリードの先端部上にボンディングされた
ワイヤの端子の隣合う者同士の高さも異なっている。
方から見た図である。8はインナーリード、9はパッド
とインナーリードとを接続するワイヤ、10はインナー
リードの横ずれを防ぐためのテープである。図3のよう
にインナーリードの先端部が一つおきに変形していて、
隣合うインナーリード同士の高さが相異なるようになっ
ている。隣合うインナーリードの先端部の高さが相異な
るためインナーリードの先端部上にボンディングされた
ワイヤの端子の隣合う者同士の高さも異なっている。
【0008】図2と図3を組み合わせたのが図1であ
る。高低差がある半導体チップ上のパッド部の高い方と
高低差があるインナーリード先端部の高い方とがワイヤ
で接続され、またパッド部の低い方とインナーリード部
の低い方とがワイヤで接続されている。ここからパッド
部とインナーリードの先端部とを接続しているワイヤの
両端子部の、それぞれ隣合う者同士に高低差が生まれて
いる。またパッド部とインナーリード部とを接続してい
るワイヤ自体も両端子部の高低差のため、隣合うもの同
士に高低差が生まれている。
る。高低差がある半導体チップ上のパッド部の高い方と
高低差があるインナーリード先端部の高い方とがワイヤ
で接続され、またパッド部の低い方とインナーリード部
の低い方とがワイヤで接続されている。ここからパッド
部とインナーリードの先端部とを接続しているワイヤの
両端子部の、それぞれ隣合う者同士に高低差が生まれて
いる。またパッド部とインナーリード部とを接続してい
るワイヤ自体も両端子部の高低差のため、隣合うもの同
士に高低差が生まれている。
【0009】
【発明の効果】従来はパッド部の構造が平面的であった
ため隣合うパッド部間隔が狭くなると隣合うパッド部上
のワイヤ端子同士が接触してしまう恐れがあった。また
隣合うパッド部間隔が狭くなりまた隣合うインナーリー
ド同士の間隔が狭くなるとワイヤ同士が接触してしまう
恐れがあった。本発明はパッド部とインナーリード部と
を接続するワイヤの隣合うもの同士に高低差がついてい
ることでワイヤ同士、またワイヤ端子部同士の接触を防
ぐ効果がある。
ため隣合うパッド部間隔が狭くなると隣合うパッド部上
のワイヤ端子同士が接触してしまう恐れがあった。また
隣合うパッド部間隔が狭くなりまた隣合うインナーリー
ド同士の間隔が狭くなるとワイヤ同士が接触してしまう
恐れがあった。本発明はパッド部とインナーリード部と
を接続するワイヤの隣合うもの同士に高低差がついてい
ることでワイヤ同士、またワイヤ端子部同士の接触を防
ぐ効果がある。
【図1】本発明の半導体装置の一実施例を示す要部の
図。
図。
【図2】図1の半導体チップ上のパッド部の断面図。
【図3】図1のインナーリードをチップ側上方から見た
図。
図。
1,5, 半導体チップ 2,6, パッド 3,8, インナーリード 4,7,9, ワイヤ 10, テープ
Claims (1)
- 【請求項1】半導体装置のチップと半導体装置のチップ
の周囲に配されたインナーリードと、半導体装置のチッ
プとインナーリードとをワイヤ(導電性金属細線)によ
り結線(ボンディング)している、樹脂封止された半導
体装置において、半導体装置のチップ上の回路の入出力
端であるパッドとインナーリードとをボンディングして
いるワイヤに高低の差があることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3255431A JPH0595072A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3255431A JPH0595072A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595072A true JPH0595072A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17278676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3255431A Pending JPH0595072A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0595072A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021150513A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | 株式会社東芝 | 半導体チップ及び半導体装置 |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP3255431A patent/JPH0595072A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021150513A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | 株式会社東芝 | 半導体チップ及び半導体装置 |
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