JPH059724A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
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- JPH059724A JPH059724A JP19589191A JP19589191A JPH059724A JP H059724 A JPH059724 A JP H059724A JP 19589191 A JP19589191 A JP 19589191A JP 19589191 A JP19589191 A JP 19589191A JP H059724 A JPH059724 A JP H059724A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ターゲット２９の裏面の磁石装置３１を失印
Ｔ方向に往復移動させながら、直流電源４１からの直流
電力と、高周波電源４３からの高周波電力とを重畳して
スパッタ電極２１に供給し、ＩＴＯからなるターゲット
２９をスパッタし、基板２７上にＩＴＯ薄膜を形成す
る。 【効果】 低抵抗のＩＴＯ薄膜が得られる。
Ｔ方向に往復移動させながら、直流電源４１からの直流
電力と、高周波電源４３からの高周波電力とを重畳して
スパッタ電極２１に供給し、ＩＴＯからなるターゲット
２９をスパッタし、基板２７上にＩＴＯ薄膜を形成す
る。 【効果】 低抵抗のＩＴＯ薄膜が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マグネトロンスパッタ
法により、ＩＴＯに代表される酸化インジウム系透明導
電膜を形成する方法に関する。
法により、ＩＴＯに代表される酸化インジウム系透明導
電膜を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉ
ｄｅ）からなる透明導電性薄膜は、液晶表示素子やタッ
チセンサー等の透明電極などに広く用いられており、マ
グネトロンスパッタ法などにより形成することができ
る。
ｄｅ）からなる透明導電性薄膜は、液晶表示素子やタッ
チセンサー等の透明電極などに広く用いられており、マ
グネトロンスパッタ法などにより形成することができ
る。
【０００３】このようなＩＴＯ薄膜においては、その低
抵抗化が実現できれば、低電圧駆動が可能となり、ま
た、同じ電圧で駆動するのであれば、それだけ薄膜を薄
くすることができ、透明化あるいは成膜コストの低減が
可能となる。
抵抗化が実現できれば、低電圧駆動が可能となり、ま
た、同じ電圧で駆動するのであれば、それだけ薄膜を薄
くすることができ、透明化あるいは成膜コストの低減が
可能となる。
【０００４】しかしながら、従来のスパッタ法によるＩ
ＴＯ透明導電膜の形成においては、その成膜条件、成膜
後のアニーリング処理の有無ないしは条件、膜厚等にも
よるが、導電性が未だ必ずしも十分でなく、よりいっそ
うの改善がまたれていた。
ＴＯ透明導電膜の形成においては、その成膜条件、成膜
後のアニーリング処理の有無ないしは条件、膜厚等にも
よるが、導電性が未だ必ずしも十分でなく、よりいっそ
うの改善がまたれていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は酸化インジウ
ム系透明導電膜の低抵抗化を目的とする。
ム系透明導電膜の低抵抗化を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の透明導電膜の形
成方法は、マグネトロンスパッタ法によりインジウム系
酸化物をスパッタするに際し、ターゲットに直流電力と
高周波電力とを重畳せしめて供給するとともに、ターゲ
ット上に形成される磁界の位置を変化させて、インジウ
ム系酸化物からなるターゲットをスパッタすることを特
徴とする。
成方法は、マグネトロンスパッタ法によりインジウム系
酸化物をスパッタするに際し、ターゲットに直流電力と
高周波電力とを重畳せしめて供給するとともに、ターゲ
ット上に形成される磁界の位置を変化させて、インジウ
ム系酸化物からなるターゲットをスパッタすることを特
徴とする。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す説明図であり、
図２は本実施例におけるターゲット２９と磁石装置３１
との関係を示す説明斜視図である。
図２は本実施例におけるターゲット２９と磁石装置３１
との関係を示す説明斜視図である。
【０００８】真空槽１１には、絶縁体２３を介してスパ
ッタ電極２１（陰極）が取り付けられており、この上に
ターゲット２９が載置されている。また、ターゲット２
９と対向して、基板ホルダ２５に成膜される基板２７が
取り付けられている。一方、ターゲット２９の裏面に
は、ターゲット２９の面積よりも小さな磁石装置３１が
設けられている。
ッタ電極２１（陰極）が取り付けられており、この上に
ターゲット２９が載置されている。また、ターゲット２
９と対向して、基板ホルダ２５に成膜される基板２７が
取り付けられている。一方、ターゲット２９の裏面に
は、ターゲット２９の面積よりも小さな磁石装置３１が
設けられている。
【０００９】磁石装置３１は、Ｓ極をターゲット２９に
向けるＳ磁石３５と、Ｎ極をターゲット２９に向けＳ磁
石３５を離間して囲繞するＮ磁石３３と、ヨーク３７と
から構成されている。Ｎ極からの磁力線３９は、ターゲ
ット２９面を通過したのち再びターゲット２９面を経て
Ｓ極に入り、磁力線３９とターゲット２９とにより閉ル
ープが形成されている。磁石装置３１は、図示していな
い駆動部材により矢印Ｔ方向に移動させることができ
る。
向けるＳ磁石３５と、Ｎ極をターゲット２９に向けＳ磁
石３５を離間して囲繞するＮ磁石３３と、ヨーク３７と
から構成されている。Ｎ極からの磁力線３９は、ターゲ
ット２９面を通過したのち再びターゲット２９面を経て
Ｓ極に入り、磁力線３９とターゲット２９とにより閉ル
ープが形成されている。磁石装置３１は、図示していな
い駆動部材により矢印Ｔ方向に移動させることができ
る。
【００１０】スパッタ電極２１には、ＲＦ対策を施した
直流電源４１と、マッチングボックス４５を介して高周
波電源４３が接続されている。
直流電源４１と、マッチングボックス４５を介して高周
波電源４３が接続されている。
【００１１】スパッタに際しては、真空槽１１内を真空
ポンプ１３により高真空に排気したのち、ガスボンベ１
５からアルゴンガスあるいはアルゴンと酸素の混合ガス
を、バリアブルバルブ１７を介して真空槽１１内に導入
してスパッタ雰囲気を設定する。また、必要に応じて基
板２７をヒータ（図示せず）等により加熱する。
ポンプ１３により高真空に排気したのち、ガスボンベ１
５からアルゴンガスあるいはアルゴンと酸素の混合ガス
を、バリアブルバルブ１７を介して真空槽１１内に導入
してスパッタ雰囲気を設定する。また、必要に応じて基
板２７をヒータ（図示せず）等により加熱する。
【００１２】スパッタ雰囲気を設定したのち、直流電源
４１により直流電力を供給するとともに、マッチングボ
ックス４５により整合をとりながら、高周波電源４３に
より高周波電力を供給する。高周波電源４３としては、
１０〜１００ＭＨｚ程度の周波数のものを用いることが
できる。高周波電力の重畳の程度は、直流電力に対して
１／６〜３／２倍の高周波電力を供給することが好適で
あり、好ましくは１／３〜６／５倍である。放電が開始
されると、マグネトロン型放電により、電子が前述の閉
ループ内に閉じ込められて運動し、ＩＴＯからなるター
ゲット２９を叩いてスパッタし、基板２７上にＩＴＯ薄
膜が形成される。このとき、磁石装置３１による磁場と
電場が直交する部分が集中的にスパッタされ、その部分
のターゲット２９が選択的に浸食される（エロージョン
現象）。本発明では、ターゲット２９の裏面の磁石装置
３１を矢印Ｔ方向に移動させながらスパッタすることに
より、磁場と電場とが直交するターゲット２９上の部位
が刻々と変化し、上記のエロージョン現象を防止すると
ともに、形成されるＩＴＯ薄膜の導電性を高めることが
できる。
４１により直流電力を供給するとともに、マッチングボ
ックス４５により整合をとりながら、高周波電源４３に
より高周波電力を供給する。高周波電源４３としては、
１０〜１００ＭＨｚ程度の周波数のものを用いることが
できる。高周波電力の重畳の程度は、直流電力に対して
１／６〜３／２倍の高周波電力を供給することが好適で
あり、好ましくは１／３〜６／５倍である。放電が開始
されると、マグネトロン型放電により、電子が前述の閉
ループ内に閉じ込められて運動し、ＩＴＯからなるター
ゲット２９を叩いてスパッタし、基板２７上にＩＴＯ薄
膜が形成される。このとき、磁石装置３１による磁場と
電場が直交する部分が集中的にスパッタされ、その部分
のターゲット２９が選択的に浸食される（エロージョン
現象）。本発明では、ターゲット２９の裏面の磁石装置
３１を矢印Ｔ方向に移動させながらスパッタすることに
より、磁場と電場とが直交するターゲット２９上の部位
が刻々と変化し、上記のエロージョン現象を防止すると
ともに、形成されるＩＴＯ薄膜の導電性を高めることが
できる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、ＩＴＯ等の酸化インジ
ウム系導電性薄膜を製造するに際して、スパッタ電極に
直流電力と高周波電力とを重畳して供給するとともに、
磁場と電場の直交するターゲット上の部位を変化させる
ことにより、低抵抗の導電性薄膜を得ることができる。
ウム系導電性薄膜を製造するに際して、スパッタ電極に
直流電力と高周波電力とを重畳して供給するとともに、
磁場と電場の直交するターゲット上の部位を変化させる
ことにより、低抵抗の導電性薄膜を得ることができる。
【００１４】実験例 図１に示した装置を用い、ターゲット２９としてＩＴＯ
を、また、基板２７としてガラス板をセットした。
を、また、基板２７としてガラス板をセットした。
【００１５】ついで、真空槽１１内を真空ポンプ１３に
より１×１０-5Ｔｏｒｒまで排気した後、ガスボンベ１
５からバリアブルバルブ１７を介してアルゴンガスを真
空槽１１内に導入してスパッタ圧力を調整し、基板２７
を２００℃に加熱しながらスパッタし、基板２７上にＩ
ＴＯ薄膜（厚さ２０００オングストローム）を形成し
た。
より１×１０-5Ｔｏｒｒまで排気した後、ガスボンベ１
５からバリアブルバルブ１７を介してアルゴンガスを真
空槽１１内に導入してスパッタ圧力を調整し、基板２７
を２００℃に加熱しながらスパッタし、基板２７上にＩ
ＴＯ薄膜（厚さ２０００オングストローム）を形成し
た。
【００１６】このとき、磁石装置３１を矢印Ｔ方向に連
続して往復移動させた。また、直流電源４１によりスパ
ッタ電極２１に６８０Ｗを印加し、一方、高周波電源４
３（１３．５６ＭＨｚ）からはロット毎に０〜７５０Ｗ
の範囲で電力を変化させて実験を繰り返した。
続して往復移動させた。また、直流電源４１によりスパ
ッタ電極２１に６８０Ｗを印加し、一方、高周波電源４
３（１３．５６ＭＨｚ）からはロット毎に０〜７５０Ｗ
の範囲で電力を変化させて実験を繰り返した。
【００１７】得られたＩＴＯ薄膜の比抵抗と、重畳した
高周波電力との関係を図３に示した。図３で、横軸は普
通目盛、縦軸は対数目盛である。なお、ターゲットとし
ては５インチ×２０インチ（厚さ１／４インチ）の角型
ターゲットを用いた。２００℃という低温にもかかわら
ず、高周波電力を供給することにより、比抵抗が２．２
５×１０-4Ω・ｃｍから１．５９×１０-4Ω・ｃｍと、
約３０％低下していることが判る。
高周波電力との関係を図３に示した。図３で、横軸は普
通目盛、縦軸は対数目盛である。なお、ターゲットとし
ては５インチ×２０インチ（厚さ１／４インチ）の角型
ターゲットを用いた。２００℃という低温にもかかわら
ず、高周波電力を供給することにより、比抵抗が２．２
５×１０-4Ω・ｃｍから１．５９×１０-4Ω・ｃｍと、
約３０％低下していることが判る。
【図１】本発明の実施例を示す説明図である。
【図２】ターゲットと磁石装置との関係を示す説明斜視
図である。
図である。
【図３】ＩＴＯ薄膜の比抵抗と高周波電力との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
１１ 真空槽 １３ 真空ポンプ １５ ガスボンベ １７ バリアブルバルブ ２１ スパッタ電極 ２３ 絶縁体 ２５ 基板ホルダ ２７ 基板 ２９ ターゲット ３１ 磁石装置 ３３ Ｎ磁石 ３５ Ｓ磁石 ３７ ヨーク ３９ 磁力線 ４１ 直流電源 ４３ 高周波電源 ４５ マッチングボックス
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 マグネトロンスパッタ法によりインジウ
ム系酸化物をスパッタするに際し、ターゲットに直流電
力と高周波電力とを重畳せしめて供給するとともに、タ
ーゲット上に形成される磁界の位置を変化させて、イン
ジウム系酸化物からなるターゲットをスパッタすること
を特徴とする透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19589191A JPH059724A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19589191A JPH059724A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH059724A true JPH059724A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=16348710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19589191A Pending JPH059724A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH059724A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003532997A (ja) * | 2000-05-12 | 2003-11-05 | ウンアクシス ドイチェランド ゲーエムベーハー | インジウム−スズ酸化物（ｉｔｏ）フィルム及びその製造方法 |
| CN103060765A (zh) * | 2013-01-18 | 2013-04-24 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种基体表面高硬度低磨损的 MoS2复合薄膜的制备方法 |
| CN103993280A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-08-20 | 天津大学 | 一种Nb2O5/Cu/Nb2O5结构透明电极的制备方法 |
| JP2014157815A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-08-28 | Nitto Denko Corp | 透明導電フィルムおよびその製造方法 |
| JP2014157814A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-08-28 | Nitto Denko Corp | 透明導電フィルムおよびその製造方法 |
| JP2014157816A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-08-28 | Nitto Denko Corp | 透明導電フィルムの製造方法 |
| CN110349750A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-10-18 | 四川大学 | 一种提高强电场下电介质薄膜器件工作电压的方法 |
-
1991
- 1991-07-09 JP JP19589191A patent/JPH059724A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003532997A (ja) * | 2000-05-12 | 2003-11-05 | ウンアクシス ドイチェランド ゲーエムベーハー | インジウム−スズ酸化物（ｉｔｏ）フィルム及びその製造方法 |
| JP2014157815A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-08-28 | Nitto Denko Corp | 透明導電フィルムおよびその製造方法 |
| JP2014157814A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-08-28 | Nitto Denko Corp | 透明導電フィルムおよびその製造方法 |
| JP2014157816A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-08-28 | Nitto Denko Corp | 透明導電フィルムの製造方法 |
| US9805837B2 (en) | 2013-01-16 | 2017-10-31 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and production method therefor |
| CN103060765A (zh) * | 2013-01-18 | 2013-04-24 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种基体表面高硬度低磨损的 MoS2复合薄膜的制备方法 |
| CN103060765B (zh) * | 2013-01-18 | 2015-04-22 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种基体表面高硬度低磨损的MoS2复合薄膜的制备方法 |
| CN103993280A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-08-20 | 天津大学 | 一种Nb2O5/Cu/Nb2O5结构透明电极的制备方法 |
| CN110349750A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-10-18 | 四川大学 | 一种提高强电场下电介质薄膜器件工作电压的方法 |
| CN110349750B (zh) * | 2019-07-10 | 2021-03-19 | 四川大学 | 一种提高强电场下电介质薄膜器件工作电压的方法 |
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