JPH0597418A - 高配向グラフアイトの製造方法 - Google Patents
高配向グラフアイトの製造方法Info
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- JPH0597418A JPH0597418A JP3257393A JP25739391A JPH0597418A JP H0597418 A JPH0597418 A JP H0597418A JP 3257393 A JP3257393 A JP 3257393A JP 25739391 A JP25739391 A JP 25739391A JP H0597418 A JPH0597418 A JP H0597418A
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- graphite
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、X線、中性子線モノクロメ−タ−
等の放射線光学素子に用いられる高配向グラファイトの
製造方法に関するもので、グラファイト作製時の高温処
理条件を改善し、高配向性のグラファイトを作製するこ
とを目的とする。 【構成】 複数枚の高分子フィルム、あるいは高分子フ
ィルムから得られた炭素質フィルムを複数枚積層し電気
炉内にセットした後、室温より2600℃以上まで昇温
し、2600℃以上の温度域で加圧処理を行う。その後
一旦1500℃以下の温度域まで下げてから、再び初期
加圧処理以上の温度域で無圧処理を行った後、再度、1
500℃以下の温度域まで下げ、再び初期の加圧処理温
度域以上まで昇温し、加圧処理を行うことにより高配向
性のグラファイトが得られる。
等の放射線光学素子に用いられる高配向グラファイトの
製造方法に関するもので、グラファイト作製時の高温処
理条件を改善し、高配向性のグラファイトを作製するこ
とを目的とする。 【構成】 複数枚の高分子フィルム、あるいは高分子フ
ィルムから得られた炭素質フィルムを複数枚積層し電気
炉内にセットした後、室温より2600℃以上まで昇温
し、2600℃以上の温度域で加圧処理を行う。その後
一旦1500℃以下の温度域まで下げてから、再び初期
加圧処理以上の温度域で無圧処理を行った後、再度、1
500℃以下の温度域まで下げ、再び初期の加圧処理温
度域以上まで昇温し、加圧処理を行うことにより高配向
性のグラファイトが得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、X線モノクロメ−タ
−、中性子線モノクロメ−タ−、中性子線フィルタ−等
の放射線光学素子として利用できる高配向グラファイト
の製造方法に関するものである。
−、中性子線モノクロメ−タ−、中性子線フィルタ−等
の放射線光学素子として利用できる高配向グラファイト
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、高配向グラファイトは、X線や中
性子線に対する優れた分光、反射特性を有するために、
X線や中性子線のモノクロメ−タ−あるいはフィルタ−
等の放射線光学素子として使用されている。この用途に
供する高配向グラファイトとしては、天然グラファイト
が最適であるが、良質の天然グラファイトは、生産量が
が非常に限られ、しかも、粉末状あるいは燐片状で取り
扱いが難しい等の問題点があるため、これに代わるもの
として人工的にグラファイトを製造することが行われて
おり、この人工グラファイトが使用されはじめていた。
性子線に対する優れた分光、反射特性を有するために、
X線や中性子線のモノクロメ−タ−あるいはフィルタ−
等の放射線光学素子として使用されている。この用途に
供する高配向グラファイトとしては、天然グラファイト
が最適であるが、良質の天然グラファイトは、生産量が
が非常に限られ、しかも、粉末状あるいは燐片状で取り
扱いが難しい等の問題点があるため、これに代わるもの
として人工的にグラファイトを製造することが行われて
おり、この人工グラファイトが使用されはじめていた。
【0003】従来、人工グラファイトの製造方法として
気相中での炭化水素ガスの高温分解沈積と、その熱間加
工による方法があり、これは圧力を印可しつつ3400
℃近傍で長時間再焼鈍するという工程によって作製する
ものである。この様にして作製されるグラファイトは高
配向性グラファイト(HOPG)と呼ばれ、天然の単結
晶グラファイトと比較し得る優れた特性を有する。しか
しながら、この方法は製造工程が極めて複雑で且つ歩留
りが著しく低く、その結果HOPGは極めて高価にな
り、実用に向かないという問題がある。
気相中での炭化水素ガスの高温分解沈積と、その熱間加
工による方法があり、これは圧力を印可しつつ3400
℃近傍で長時間再焼鈍するという工程によって作製する
ものである。この様にして作製されるグラファイトは高
配向性グラファイト(HOPG)と呼ばれ、天然の単結
晶グラファイトと比較し得る優れた特性を有する。しか
しながら、この方法は製造工程が極めて複雑で且つ歩留
りが著しく低く、その結果HOPGは極めて高価にな
り、実用に向かないという問題がある。
【0004】そこで、この様な問題点を解消できるグラ
ファイトの製造方法として、高分子フィルムを高温焼成
して良質グラファイトを容易且つ低コストで作製する方
法が開発された。高分子化合物は一般的には難グラファ
イト材料に属し、たとえ3000℃の高温で加熱しても
良質のグラファイトに転化される事は無いとされてき
た。しかし、最近の研究の結果、高分子化合物の幾つか
は適当な熱処理を行うことによって良質なグラファィト
に転化させられることが分かってきた。
ファイトの製造方法として、高分子フィルムを高温焼成
して良質グラファイトを容易且つ低コストで作製する方
法が開発された。高分子化合物は一般的には難グラファ
イト材料に属し、たとえ3000℃の高温で加熱しても
良質のグラファイトに転化される事は無いとされてき
た。しかし、最近の研究の結果、高分子化合物の幾つか
は適当な熱処理を行うことによって良質なグラファィト
に転化させられることが分かってきた。
【0005】良質なグラファイトに転化できる高分子化
合物としては、例えば、ポリオキサジアゾ−ル、芳香族
ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾビスチアゾ
−ル、ポリベンゾオキサゾ−ル、ポリチアゾ−ル、およ
びポリパラフェニレンビニレン等がある。
合物としては、例えば、ポリオキサジアゾ−ル、芳香族
ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾビスチアゾ
−ル、ポリベンゾオキサゾ−ル、ポリチアゾ−ル、およ
びポリパラフェニレンビニレン等がある。
【0006】これらの高分子を、複数枚の高分子フィル
ム、あるいは高分子フィルムから得られた炭素質フィル
ムを複数枚積層して、2600℃以上の温度域で加圧処
理を行いグラファイトブロックを得る方法が知られてい
る(特開昭63−235218号公報、特開昭63−2
35219号公報参照)。
ム、あるいは高分子フィルムから得られた炭素質フィル
ムを複数枚積層して、2600℃以上の温度域で加圧処
理を行いグラファイトブロックを得る方法が知られてい
る(特開昭63−235218号公報、特開昭63−2
35219号公報参照)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
従来のグラファイトの製造方法では、完全に満足できる
ものが得られる訳ではないことが分かった。複数枚のフ
ィルムを積層し高温度域で加圧処理するというだけで
は、高配向性ブロック状グラファイトを得るには至らな
いのである。優れたブロック状の高配向性グラファイト
であるためには、各グラファイト化層内部は炭素原子が
所定通りに規則正しく並んだ結晶がきちんと配向した状
態(高配向性状態)になっており、各グラファイト化層
同士がしっかりと接着してひとつのブロック体になって
いなければならない。単純に高温度で圧力をかけ熱処理
しただけでは、しわや内部歪がフィルムにできたり、ま
た圧力のかかり具合いによっては結晶子の成長が、妨げ
られたりして高配向性のグラファイトができにくくなっ
てしまうという課題を有していた。
従来のグラファイトの製造方法では、完全に満足できる
ものが得られる訳ではないことが分かった。複数枚のフ
ィルムを積層し高温度域で加圧処理するというだけで
は、高配向性ブロック状グラファイトを得るには至らな
いのである。優れたブロック状の高配向性グラファイト
であるためには、各グラファイト化層内部は炭素原子が
所定通りに規則正しく並んだ結晶がきちんと配向した状
態(高配向性状態)になっており、各グラファイト化層
同士がしっかりと接着してひとつのブロック体になって
いなければならない。単純に高温度で圧力をかけ熱処理
しただけでは、しわや内部歪がフィルムにできたり、ま
た圧力のかかり具合いによっては結晶子の成長が、妨げ
られたりして高配向性のグラファイトができにくくなっ
てしまうという課題を有していた。
【0008】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、高温域での圧力処理の後、無圧処理を行い、再び圧
力処理を行うことにより配向性の高いグラファイトを得
る高配向グラファイトの製造方法を提供することを目的
とする。
で、高温域での圧力処理の後、無圧処理を行い、再び圧
力処理を行うことにより配向性の高いグラファイトを得
る高配向グラファイトの製造方法を提供することを目的
とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の高配向グラファイトの製造方法は、複数枚の
高分子フィルム、あるいは高分子フィルムから得られた
炭素質フィルムを複数枚積層して、2600℃以上の温
度域で加圧処理を行った後、一旦1500℃以下の温度
域まで下げてから、再び初期加圧処理以上の温度域で無
圧熱処理を行った後、再度1500℃以下の温度域まで
下げ、再び初期の加圧処理温度域以上まで昇温し、加圧
処理を行うことにより容易に達成される。
に本発明の高配向グラファイトの製造方法は、複数枚の
高分子フィルム、あるいは高分子フィルムから得られた
炭素質フィルムを複数枚積層して、2600℃以上の温
度域で加圧処理を行った後、一旦1500℃以下の温度
域まで下げてから、再び初期加圧処理以上の温度域で無
圧熱処理を行った後、再度1500℃以下の温度域まで
下げ、再び初期の加圧処理温度域以上まで昇温し、加圧
処理を行うことにより容易に達成される。
【0010】また本発明における出発原料用高分子フィ
ルムとしては、請求項2に記載したように、ポリオキサ
ジアゾ−ル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポ
リベンゾビスチアゾ−ル、ポリベンゾオキサゾ−ル、ポ
リチアゾ−ル、およびポリパラフェニレンビニレンのう
ちの少なくともひとつからなるフィルムが挙げられる
が、これに限らず高温での熱処理で良質のグラファイト
に転化させられる高分子フィルムであれば、出発原料フ
ィルムとして使えることはいうまでもない。またフィル
ムの厚みは、400μm以下であることが好ましい。厚
みが400μm以上になると、フィルム内部で発生する
ガスのためにフィルムの内部構造が破壊され高配向性が
難しくなってしまうからである。
ルムとしては、請求項2に記載したように、ポリオキサ
ジアゾ−ル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポ
リベンゾビスチアゾ−ル、ポリベンゾオキサゾ−ル、ポ
リチアゾ−ル、およびポリパラフェニレンビニレンのう
ちの少なくともひとつからなるフィルムが挙げられる
が、これに限らず高温での熱処理で良質のグラファイト
に転化させられる高分子フィルムであれば、出発原料フ
ィルムとして使えることはいうまでもない。またフィル
ムの厚みは、400μm以下であることが好ましい。厚
みが400μm以上になると、フィルム内部で発生する
ガスのためにフィルムの内部構造が破壊され高配向性が
難しくなってしまうからである。
【0011】
【作用】この方法によって、フィルム寸法変化の殆どな
い温度領域で加圧処理して、しわや内部構造歪の発性を
抑制するが、ここでの圧力処理では、しわや内部歪が完
全に除去しにくく、圧力の具合いによっては結晶子の成
長の妨げにもなってしまうため、圧力処理後、無圧力の
もとで熱処理を行い、内部歪を完全に取り除き更には結
晶子の成長を促し、再度、圧力処理を行うことによっ
て、高配向性のものが得られるものである。この発明
は、焼成工程で温度と圧力をコントロ−ルする程度で行
えるため、何らの困難もなく極めて容易に実施できる。
い温度領域で加圧処理して、しわや内部構造歪の発性を
抑制するが、ここでの圧力処理では、しわや内部歪が完
全に除去しにくく、圧力の具合いによっては結晶子の成
長の妨げにもなってしまうため、圧力処理後、無圧力の
もとで熱処理を行い、内部歪を完全に取り除き更には結
晶子の成長を促し、再度、圧力処理を行うことによっ
て、高配向性のものが得られるものである。この発明
は、焼成工程で温度と圧力をコントロ−ルする程度で行
えるため、何らの困難もなく極めて容易に実施できる。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【0013】まず、高分子フィルムがポリイミドフィル
ムである場合を例にとって、図面を参照しながら説明す
る。
ムである場合を例にとって、図面を参照しながら説明す
る。
【0014】出発原料として、ポリイミドフィルム(D
upon社製 商品名 カプトン厚さ25μm)を用い
た。図1はこのポリイミドフィルムの熱処理温度上昇に
伴う面方面の伸び・縮み、および熱処理温度上昇に伴う
グラファイト化率(X線回折を利用した測定による)を
あらわす。
upon社製 商品名 カプトン厚さ25μm)を用い
た。図1はこのポリイミドフィルムの熱処理温度上昇に
伴う面方面の伸び・縮み、および熱処理温度上昇に伴う
グラファイト化率(X線回折を利用した測定による)を
あらわす。
【0015】このポリイミドフィルムは、図1のフィル
ム寸法曲線Aにみられるように、450〜500℃では
僅かに伸びるだけであるが、500〜700℃の高分子
分解温度域で急激に縮小し元の長さの75%ほどの長さ
になる。そして、この高分子分解温度を越え2000℃
の間ではフィルムは伸び縮みせず寸法変化が殆ど起こら
ない。しかし、2000〜2600℃ではフィルムは逆
に伸びて元の寸法の90%まで戻る。この温度領域での
フィルムの伸長はグラファイト化の進行と密接に結びつ
いており、図1のグラファイト化率曲線Bに見られるよ
うに、フィルムが伸びるに従いグラファイト化率が急激
に上昇する。このように2600℃以下の温度領域では
フィルム寸法に変化が起こるのである。これに対し26
00℃以上の温度領域、図1にも見られるように、フィ
ルム寸法は殆ど変化しなくなる。
ム寸法曲線Aにみられるように、450〜500℃では
僅かに伸びるだけであるが、500〜700℃の高分子
分解温度域で急激に縮小し元の長さの75%ほどの長さ
になる。そして、この高分子分解温度を越え2000℃
の間ではフィルムは伸び縮みせず寸法変化が殆ど起こら
ない。しかし、2000〜2600℃ではフィルムは逆
に伸びて元の寸法の90%まで戻る。この温度領域での
フィルムの伸長はグラファイト化の進行と密接に結びつ
いており、図1のグラファイト化率曲線Bに見られるよ
うに、フィルムが伸びるに従いグラファイト化率が急激
に上昇する。このように2600℃以下の温度領域では
フィルム寸法に変化が起こるのである。これに対し26
00℃以上の温度領域、図1にも見られるように、フィ
ルム寸法は殆ど変化しなくなる。
【0016】温度変化に対して上記のような寸法変化を
示すフィルムに、以下のようにして熱処理を施すように
する。
示すフィルムに、以下のようにして熱処理を施すように
する。
【0017】まず、熱分解に伴う寸法変化の大きい温度
領域からグラファイト化進行に伴う寸法変化の大きい温
度領域(0℃から2600℃まで)では実質無圧処理を
行い、次のグラファイト化をほぼ終えた2600℃以上
の寸法変化の殆どない温度領域で200kg/cm2の
圧力処理を行う。
領域からグラファイト化進行に伴う寸法変化の大きい温
度領域(0℃から2600℃まで)では実質無圧処理を
行い、次のグラファイト化をほぼ終えた2600℃以上
の寸法変化の殆どない温度領域で200kg/cm2の
圧力処理を行う。
【0018】この後、一旦温度を1500℃以下まで下
げる。降温させる場合、それまでかけていた圧力は少な
くとも1500℃までは維持することが望ましく、降温
は室温まで下げても良い。降温の後、再び2600℃の
温度まで上げる。この再昇温は前の処理温度以上の温度
まで昇温することが望ましい。昇温後、無圧の状態で熱
処理を行い内部構造の歪や結晶子の成長の促進を行う。
この後、再度温度を1500℃まで下げ、再び2600
℃以上に昇温し初期と同様の圧力処理を行う。
げる。降温させる場合、それまでかけていた圧力は少な
くとも1500℃までは維持することが望ましく、降温
は室温まで下げても良い。降温の後、再び2600℃の
温度まで上げる。この再昇温は前の処理温度以上の温度
まで昇温することが望ましい。昇温後、無圧の状態で熱
処理を行い内部構造の歪や結晶子の成長の促進を行う。
この後、再度温度を1500℃まで下げ、再び2600
℃以上に昇温し初期と同様の圧力処理を行う。
【0019】以上のことは、勿論ポリイミドフィルムに
ついて当てはまるだけということではなく、一般に熱処
理によって優れたグラファイトに転化可能な高分子フィ
ルム全般にいえるものである。
ついて当てはまるだけということではなく、一般に熱処
理によって優れたグラファイトに転化可能な高分子フィ
ルム全般にいえるものである。
【0020】(実施例1)縦7cm、横7cm、厚さ5
0μmのポリオキサジアゾ−ル(POD)フィルム10
0枚を重ねてグラファイト製の冶具にセットし、ホット
プレス電気炉にて以下のようにして焼成した。
0μmのポリオキサジアゾ−ル(POD)フィルム10
0枚を重ねてグラファイト製の冶具にセットし、ホット
プレス電気炉にて以下のようにして焼成した。
【0021】まず、アルゴンガス雰囲気中、10℃/m
inの速度で2600℃まで昇温した。この間フィルム
には、冶具重量による100g/cm2だけが加わるよ
うにした。温度が2600℃に達した後、200kg/
cm2の圧力をかけ、そのまま200kg/cm2の圧力
を維持しながら4時間保持した。続いて圧力をかけたま
ま1500℃まで降温し、30分間の保持時間の間に圧
力を解除し、再び10℃/minの速度で2800℃ま
で昇温した後、無圧力のもとで1時間熱処理を行い、再
度、1500℃まで降温し30分間保持の後、初期処理
と同様に10℃/minで2600℃まで昇温し、20
0kg/cm2の圧力をかけながら4時間保持して、高
配向性のブロック状グラファイトを得た。
inの速度で2600℃まで昇温した。この間フィルム
には、冶具重量による100g/cm2だけが加わるよ
うにした。温度が2600℃に達した後、200kg/
cm2の圧力をかけ、そのまま200kg/cm2の圧力
を維持しながら4時間保持した。続いて圧力をかけたま
ま1500℃まで降温し、30分間の保持時間の間に圧
力を解除し、再び10℃/minの速度で2800℃ま
で昇温した後、無圧力のもとで1時間熱処理を行い、再
度、1500℃まで降温し30分間保持の後、初期処理
と同様に10℃/minで2600℃まで昇温し、20
0kg/cm2の圧力をかけながら4時間保持して、高
配向性のブロック状グラファイトを得た。
【0022】(実施例2)縦7cm、横7cm、厚さ2
5μmの芳香族ポリイミド(PI)フィルム100枚を
重ねてグラファイト製の冶具にセットし、ホットプレス
電気炉にて以下のようにして焼成した。
5μmの芳香族ポリイミド(PI)フィルム100枚を
重ねてグラファイト製の冶具にセットし、ホットプレス
電気炉にて以下のようにして焼成した。
【0023】まず、アルゴンガス雰囲気中、10℃/m
inの速度で2700℃まで昇温した。この間フィルム
には、冶具重量による100g/cm2だけが加わるよ
うにした。温度が2700℃に達した後、200kg/
cm2の圧力をかけ、そのまま200kg/cm2の圧力
を維持しながら4時間保持した。続いて圧力をかけたま
ま1500℃まで降温し、30分間の保持時間の間に圧
力を解除し、再び10℃/minの速度で2900℃ま
で昇温した後、無圧力のもとで1時間熱処理を行い、再
度、1500℃まで降温し30分間保持の後、初期処理
と同様に10℃/minで2700℃まで昇温し、20
0kg/cm2の圧力をかけながら4時間保持して、ブ
ロック状グラファイトを得た。
inの速度で2700℃まで昇温した。この間フィルム
には、冶具重量による100g/cm2だけが加わるよ
うにした。温度が2700℃に達した後、200kg/
cm2の圧力をかけ、そのまま200kg/cm2の圧力
を維持しながら4時間保持した。続いて圧力をかけたま
ま1500℃まで降温し、30分間の保持時間の間に圧
力を解除し、再び10℃/minの速度で2900℃ま
で昇温した後、無圧力のもとで1時間熱処理を行い、再
度、1500℃まで降温し30分間保持の後、初期処理
と同様に10℃/minで2700℃まで昇温し、20
0kg/cm2の圧力をかけながら4時間保持して、ブ
ロック状グラファイトを得た。
【0024】(実施例3)縦7cm、横7cm、厚さ2
5μmの芳香族ポリアミド(PA)フィルム100枚を
重ねてグラファイト製の冶具にセットし、ホットプレス
電気炉にて以下のようにして焼成した。
5μmの芳香族ポリアミド(PA)フィルム100枚を
重ねてグラファイト製の冶具にセットし、ホットプレス
電気炉にて以下のようにして焼成した。
【0025】まず、アルゴンガス雰囲気中、10℃/m
inの速度で2800℃まで昇温した。この間フィルム
には、冶具重量による100g/cm2だけが加わるよ
うにした。温度が2800℃に達した後、300kg/
cm2の圧力をかけ、そのまま200kg/cm2の圧力
を維持しながら4時間保持した。続いて圧力をかけたま
ま1500℃まで降温し圧力を解除し、室温まで昇温し
た後、再び10℃/minの速度で3000℃まで昇温
した後、無圧力のもとで1時間熱処理を行い、再度、室
温まで降温した後、初期処理と同様に10℃/minで
2800℃まで昇温し、300kg/cm2の圧力をか
けながら4時間保持して、ブロック状グラファイトを得
た。
inの速度で2800℃まで昇温した。この間フィルム
には、冶具重量による100g/cm2だけが加わるよ
うにした。温度が2800℃に達した後、300kg/
cm2の圧力をかけ、そのまま200kg/cm2の圧力
を維持しながら4時間保持した。続いて圧力をかけたま
ま1500℃まで降温し圧力を解除し、室温まで昇温し
た後、再び10℃/minの速度で3000℃まで昇温
した後、無圧力のもとで1時間熱処理を行い、再度、室
温まで降温した後、初期処理と同様に10℃/minで
2800℃まで昇温し、300kg/cm2の圧力をか
けながら4時間保持して、ブロック状グラファイトを得
た。
【0026】(実施例4)PAフィルムに代えてポリベ
ンゾビスチアゾ−ル(PBBT)フィルムを用いるよう
にした他は、実施例3と同様にしてブロック状グラファ
イトを得た。
ンゾビスチアゾ−ル(PBBT)フィルムを用いるよう
にした他は、実施例3と同様にしてブロック状グラファ
イトを得た。
【0027】(実施例5)PAフィルムに代えてポリベ
ンゾオキサゾ−ル(PBO)フィルムを用いるようにし
た他は、実施例3と同様にしてブロック状グラファイト
を得た。
ンゾオキサゾ−ル(PBO)フィルムを用いるようにし
た他は、実施例3と同様にしてブロック状グラファイト
を得た。
【0028】(実施例6)PAフィルムに代えてポリチ
アゾ−ル(PT)フィルムを用いるようにした他は、実
施例3と同様にしてブロック状グラファイトを得た。
アゾ−ル(PT)フィルムを用いるようにした他は、実
施例3と同様にしてブロック状グラファイトを得た。
【0029】(実施例7)PAフィルムに代えてポリパ
ラフェニレンビニレン(PPV)フィルムを用いるよう
にした他は、実施例3と同様にしてブロック状グラファ
イトを得た。
ラフェニレンビニレン(PPV)フィルムを用いるよう
にした他は、実施例3と同様にしてブロック状グラファ
イトを得た。
【0030】実施例1から7で得られたブロック状グラ
ファイトは、しわの殆ど無い平滑な表面を有していた。
ファイトは、しわの殆ど無い平滑な表面を有していた。
【0031】本実施例によるロッキング特性と従来のロ
ッキングの特性を(表1)に示す。各ロッキング特性
は、理学電機社製ロ−タ−フレックスRU−200B型
X線回折装置を用いて測定した。グラファイト(00
2)回折線のピ−ク位置におけるロッキング特性測定の
結果得られた回折線の半値幅をもって評価した。
ッキングの特性を(表1)に示す。各ロッキング特性
は、理学電機社製ロ−タ−フレックスRU−200B型
X線回折装置を用いて測定した。グラファイト(00
2)回折線のピ−ク位置におけるロッキング特性測定の
結果得られた回折線の半値幅をもって評価した。
【0032】
【表1】
【0033】この(表1)から明らかなように、本実施
例による高配向性グラファイトの製造方法は、いずれも
従来に比べて優れたロッキング特性を有し、X線や中子
線のモノクロメ−タ等に最適であることが分かる。
例による高配向性グラファイトの製造方法は、いずれも
従来に比べて優れたロッキング特性を有し、X線や中子
線のモノクロメ−タ等に最適であることが分かる。
【0034】
【発明の効果】以上のように本発明は、高分子フィルム
から得られた炭素質フィルムを複数枚積層して昇温し、
加圧処理を行った後、一旦降温し再び初期加圧処理以上
の温度域で無圧熱処理を行った後、再度降温の後、再び
昇温により、加圧処理を行いグラファイト化すること
で、しわや内部歪の無い優れた高配向性のグラファイト
が容易に得られるものである。また、請求項2の高分子
フィルムは、本発明の製造方法に非常に適しており、高
配向性グラファイトが得やすいものである。
から得られた炭素質フィルムを複数枚積層して昇温し、
加圧処理を行った後、一旦降温し再び初期加圧処理以上
の温度域で無圧熱処理を行った後、再度降温の後、再び
昇温により、加圧処理を行いグラファイト化すること
で、しわや内部歪の無い優れた高配向性のグラファイト
が容易に得られるものである。また、請求項2の高分子
フィルムは、本発明の製造方法に非常に適しており、高
配向性グラファイトが得やすいものである。
【図1】図1は、ポリイミドフィルムの焼成の際の温度
−フィルム寸法および温度−フィルムのグラファイト化
率をあらわす特性図
−フィルム寸法および温度−フィルムのグラファイト化
率をあらわす特性図
A フィルム寸法曲線 B グラファイト化率曲線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 睦明 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番1 号 松下技研株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】複数枚の高分子フィルム、あるいは高分子
フィルムから得られた炭素質フィルムを複数枚積層し
て、2600℃以上の温度域で加圧処理を行った後、一
旦1500℃以下の温度域まで下げてから、再び初期加
圧処理以上の温度域で無圧熱処理を行った後、再度15
00℃以下の温度域まで下げ、再び初期の加圧処理温度
域以上まで昇温し、加圧処理を行うことによりグラファ
イト化することを特徴とする高配向グラファイトの製造
方法。 - 【請求項2】高分子フィルムが、ポリオキサジアゾ−
ル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾ
ビスチアゾ−ル、ポリベンゾオキサゾ−ル、ポリチアゾ
−ル、およびポリパラフェニレンビニレンのうちの少な
くともひとつからなる請求項1記載の高配向グラファイ
トの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3257393A JPH0597418A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 高配向グラフアイトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3257393A JPH0597418A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 高配向グラフアイトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0597418A true JPH0597418A (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=17305768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3257393A Pending JPH0597418A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 高配向グラフアイトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0597418A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0691803A1 (en) | 1994-07-06 | 1996-01-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Heat radiating member made of highly oriented graphite |
| JP2002308611A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-23 | Ube Ind Ltd | グラファイト層状シ−ト物及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP3257393A patent/JPH0597418A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0691803A1 (en) | 1994-07-06 | 1996-01-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Heat radiating member made of highly oriented graphite |
| JP2002308611A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-23 | Ube Ind Ltd | グラファイト層状シ−ト物及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040119 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040220 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040312 |