JPH06100683A - ディスク基板用ポリカーボネート - Google Patents
ディスク基板用ポリカーボネートInfo
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- JPH06100683A JPH06100683A JP5064897A JP6489793A JPH06100683A JP H06100683 A JPH06100683 A JP H06100683A JP 5064897 A JP5064897 A JP 5064897A JP 6489793 A JP6489793 A JP 6489793A JP H06100683 A JPH06100683 A JP H06100683A
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Landscapes
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ディスクや磁気ディスク等のディスク基板
に使用したときに、基板上の記録膜が腐食を受けにくい
高品質のポリカーボネートを提供すること。 【構成】 不純物の含有量が塩化メチレン２０ppm 以
下、あるいは更に未反応ビスフェノール類２０ppm 以下
であるディスク基板用ポリカーボネートである。
に使用したときに、基板上の記録膜が腐食を受けにくい
高品質のポリカーボネートを提供すること。 【構成】 不純物の含有量が塩化メチレン２０ppm 以
下、あるいは更に未反応ビスフェノール類２０ppm 以下
であるディスク基板用ポリカーボネートである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はディスク基板用ポリカー
ボネートに関し、詳しくは不純物としての塩化メチレン
の含有量が極めて少なく、ディスク基板の素材として有
用な高純度のポリカーボネートに関する。
ボネートに関し、詳しくは不純物としての塩化メチレン
の含有量が極めて少なく、ディスク基板の素材として有
用な高純度のポリカーボネートに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】一般
に、ポリカーボネートは光ディスクや磁気ディスク等の
ディスク基板の素材として利用されている。しかし、こ
のポリカーボネートは、ディスク基板として成形使用す
るにあたって、記録膜中に存在する鉄，ガリウム，テ
ルビウム等の金属が徐々に腐食を受ける、あるいはこ
の基板と記録膜との密着性が不充分である等様々な問題
があった。そこで本発明者らは、ポリカーボネートをデ
ィスク基板として使用するにあたっての上記の如き問題
を解消すべく種々の検討を重ねたところ、従来のポリカ
ーボネート、特にホスゲン法によって得られるポリカー
ボネートには、用いた溶媒としての塩化メチレンが不純
物として含有されており、このような不純物が上述した
様々な問題を引き起こす大きな原因になっていることが
判明した。
に、ポリカーボネートは光ディスクや磁気ディスク等の
ディスク基板の素材として利用されている。しかし、こ
のポリカーボネートは、ディスク基板として成形使用す
るにあたって、記録膜中に存在する鉄，ガリウム，テ
ルビウム等の金属が徐々に腐食を受ける、あるいはこ
の基板と記録膜との密着性が不充分である等様々な問題
があった。そこで本発明者らは、ポリカーボネートをデ
ィスク基板として使用するにあたっての上記の如き問題
を解消すべく種々の検討を重ねたところ、従来のポリカ
ーボネート、特にホスゲン法によって得られるポリカー
ボネートには、用いた溶媒としての塩化メチレンが不純
物として含有されており、このような不純物が上述した
様々な問題を引き起こす大きな原因になっていることが
判明した。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な知見に基いてさらに研究を続けたところ、これら不純
物を含有するポリカーボネートをアセトン等の有機溶剤
で処理すると、不純物である塩化メチレン含量が極めて
少なく高純度のポリカーボネートとなり、これが上述し
た問題、特に記録膜の腐食性の問題を解消し、ディスク
基板として非常にすぐれた性能を発揮することを見出し
た。本発明はかかる過程を経て完成したものであり、そ
の要旨は不純物としての塩化メチレンの含有量が２０pp
m 以下であることを特徴とするディスク基板用ポリカー
ボネートである。また、本発明の要旨は、更に不純物と
して塩化メチレンの含有量が２０ppm 以下であるととも
に未反応ビスフェノール類の含有量が２０ppm 以下であ
るディスク基板用ポリカーボネートである。
な知見に基いてさらに研究を続けたところ、これら不純
物を含有するポリカーボネートをアセトン等の有機溶剤
で処理すると、不純物である塩化メチレン含量が極めて
少なく高純度のポリカーボネートとなり、これが上述し
た問題、特に記録膜の腐食性の問題を解消し、ディスク
基板として非常にすぐれた性能を発揮することを見出し
た。本発明はかかる過程を経て完成したものであり、そ
の要旨は不純物としての塩化メチレンの含有量が２０pp
m 以下であることを特徴とするディスク基板用ポリカー
ボネートである。また、本発明の要旨は、更に不純物と
して塩化メチレンの含有量が２０ppm 以下であるととも
に未反応ビスフェノール類の含有量が２０ppm 以下であ
るディスク基板用ポリカーボネートである。
【０００４】本発明のポリカーボネートは、従来のポリ
カーボネートに比べて不純物（特に塩化メチレン）の含
有量が少なく、純度の高いものである。一般に、従来の
ポリカーボネートには様々な不純物が含有されている
が、特に溶媒として用いた塩化メチレンあるいは未反応
ビスフェノール類（ビスフェノールＡなど）や低分子量
成分（ポリカーボネートオリゴマーなど) が多く、また
これらの不純物、特に塩化メチレンはポリカーボネート
をディスク基板に用いたときに、前述した如き種々の問
題を引き起こす。
カーボネートに比べて不純物（特に塩化メチレン）の含
有量が少なく、純度の高いものである。一般に、従来の
ポリカーボネートには様々な不純物が含有されている
が、特に溶媒として用いた塩化メチレンあるいは未反応
ビスフェノール類（ビスフェノールＡなど）や低分子量
成分（ポリカーボネートオリゴマーなど) が多く、また
これらの不純物、特に塩化メチレンはポリカーボネート
をディスク基板に用いたときに、前述した如き種々の問
題を引き起こす。
【０００５】本発明のポリカーボネートは、上述した不
純物である塩化メチレンの含有量は２０ppm 以下、好ま
しくは１５ppm 以下である。また、更に好適なポリカー
ボネートは、塩化メチレンの含有量が２０ppm 以下（好
ましくは１５ppm 以下）であって、かつ未反応ビスフェ
ノール類の含有量が２０ppm 以下、好ましくは１０ppm
以下である。ここで、塩化メチレンが２０ppm を越える
と、記録膜が腐食を受けやすくなる。また、未反応ビス
フェノール類が２０ppm を越えると、ディスク基板と記
録膜との接着性が不充分になることがある。
純物である塩化メチレンの含有量は２０ppm 以下、好ま
しくは１５ppm 以下である。また、更に好適なポリカー
ボネートは、塩化メチレンの含有量が２０ppm 以下（好
ましくは１５ppm 以下）であって、かつ未反応ビスフェ
ノール類の含有量が２０ppm 以下、好ましくは１０ppm
以下である。ここで、塩化メチレンが２０ppm を越える
と、記録膜が腐食を受けやすくなる。また、未反応ビス
フェノール類が２０ppm を越えると、ディスク基板と記
録膜との接着性が不充分になることがある。
【０００６】本発明のポリカーボネートは、様々な手法
によって得ることが可能であるが、通常は各種方法で得
られた不純物を含有する粉末状ポリカーボネートをアセ
トン等の有機溶媒で抽出処理することによって得られ
る。この不純物を含有する粉末状ポリカーボネートを製
造する方法としては、特に制限はないが、通常はホスゲ
ン法、特にビスフェノールＡ等のビスフェノール類とホ
スゲンを原料とし、塩化メチレンを溶媒とする界面重縮
合法、とりわけ連続界面重縮合法をあげることができ
る。そのほか、エステル交換法やホスゲン法のうちのピ
リジンを溶媒とする所謂ピリジン重合法をあげることも
できる。上記の粉末状ポリカーボネートとは、厳密な意
味での粉末状のものに限定するわけではなく、フレーク
状等のものをも包含する。つまり、ホスゲン法やエステ
ル交換法で得られた粉末状，粒状，フレーク状等のポリ
カーボネートであって、ペレット化する前のものすべて
を包含する。たとえば、上述の連続界面重縮合により得
られる粉末状ポリカーボネートは、通常はフレーク状で
あって、不純物としてポリカーボネートのオリゴマー等
の低分子量成分を４〜８重量％，ビスフェノールＡ等の
未反応ビスフェノール類を７０〜１５０ppm および溶媒
として用いた塩化メチレンを５０〜１５０ppm 程度含有
している。
によって得ることが可能であるが、通常は各種方法で得
られた不純物を含有する粉末状ポリカーボネートをアセ
トン等の有機溶媒で抽出処理することによって得られ
る。この不純物を含有する粉末状ポリカーボネートを製
造する方法としては、特に制限はないが、通常はホスゲ
ン法、特にビスフェノールＡ等のビスフェノール類とホ
スゲンを原料とし、塩化メチレンを溶媒とする界面重縮
合法、とりわけ連続界面重縮合法をあげることができ
る。そのほか、エステル交換法やホスゲン法のうちのピ
リジンを溶媒とする所謂ピリジン重合法をあげることも
できる。上記の粉末状ポリカーボネートとは、厳密な意
味での粉末状のものに限定するわけではなく、フレーク
状等のものをも包含する。つまり、ホスゲン法やエステ
ル交換法で得られた粉末状，粒状，フレーク状等のポリ
カーボネートであって、ペレット化する前のものすべて
を包含する。たとえば、上述の連続界面重縮合により得
られる粉末状ポリカーボネートは、通常はフレーク状で
あって、不純物としてポリカーボネートのオリゴマー等
の低分子量成分を４〜８重量％，ビスフェノールＡ等の
未反応ビスフェノール類を７０〜１５０ppm および溶媒
として用いた塩化メチレンを５０〜１５０ppm 程度含有
している。
【０００７】本発明のポリカーボネートは、このような
不純物を含有する粉末状ポリカーボネートを、ヘキサ
ン，メタノールやアセトン，メチルエチルケトンなどの
ケトン類、トルエン，キシレンなどのポリカーボネート
に対しては弱い沈澱効果があるとされている有機溶媒に
て抽出処理することによって得られる。抽出処理にあた
っては、上記有機溶媒を粉末状ポリカーボネートの0.５
〜２０倍量の範囲で使用し、温度を４０℃以上、用いる
有機溶媒の沸点以下の範囲に設定することが好ましい。
なお、この抽出処理は、通常は常圧下で行うが、加圧下
で行うことも可能である。
不純物を含有する粉末状ポリカーボネートを、ヘキサ
ン，メタノールやアセトン，メチルエチルケトンなどの
ケトン類、トルエン，キシレンなどのポリカーボネート
に対しては弱い沈澱効果があるとされている有機溶媒に
て抽出処理することによって得られる。抽出処理にあた
っては、上記有機溶媒を粉末状ポリカーボネートの0.５
〜２０倍量の範囲で使用し、温度を４０℃以上、用いる
有機溶媒の沸点以下の範囲に設定することが好ましい。
なお、この抽出処理は、通常は常圧下で行うが、加圧下
で行うことも可能である。
【０００８】
【実施例】次に、本発明を実施例および比較例によりさ
らに詳しく説明する。 実施例１ 低分子量成分４重量％，未反応ビスフェノールＡ１００
ppm および塩化メチレン１００ppm を含有するフレーク
状のポリカーボネート１００kgに、ヘキサン２２５kgを
加えて４０℃で１時間撹拌して接触処理（抽出処理）を
行った。その後、ヘキサンを除去し、１２０℃，３０〜
１mmHgの減圧下で２０時間乾燥した。得られたフレーク
状のポリカーボネート中の不純物含量は第１表の通りで
あった。次に、このフレーク状のポリカーボネートにリ
ン系酸化防止剤４ppm(リン換算）および脂肪族エステル
２００ppm を添加した後に、押出機でペレット化し、射
出成形機で直径１３cmのディスク基板を成形した。厚さ
８００Åの酸化珪素（Ｓi Ｏx ）層／厚さ１０００Åの
金属（Ｔb,Ｆe,Ｃo)層／厚さ８００Åの酸化珪素（Ｓi
Ｏx ）層の三層構造からなる光磁気膜を、スパッタリン
グ法により上記ディスク基板上に形成した。得られた光
ディスクの性能を、下記の如く接着性（光磁気膜と基板
との接着性）および腐食性のテストを行うことにより評
価した。結果を第１表に示す。
らに詳しく説明する。 実施例１ 低分子量成分４重量％，未反応ビスフェノールＡ１００
ppm および塩化メチレン１００ppm を含有するフレーク
状のポリカーボネート１００kgに、ヘキサン２２５kgを
加えて４０℃で１時間撹拌して接触処理（抽出処理）を
行った。その後、ヘキサンを除去し、１２０℃，３０〜
１mmHgの減圧下で２０時間乾燥した。得られたフレーク
状のポリカーボネート中の不純物含量は第１表の通りで
あった。次に、このフレーク状のポリカーボネートにリ
ン系酸化防止剤４ppm(リン換算）および脂肪族エステル
２００ppm を添加した後に、押出機でペレット化し、射
出成形機で直径１３cmのディスク基板を成形した。厚さ
８００Åの酸化珪素（Ｓi Ｏx ）層／厚さ１０００Åの
金属（Ｔb,Ｆe,Ｃo)層／厚さ８００Åの酸化珪素（Ｓi
Ｏx ）層の三層構造からなる光磁気膜を、スパッタリン
グ法により上記ディスク基板上に形成した。得られた光
ディスクの性能を、下記の如く接着性（光磁気膜と基板
との接着性）および腐食性のテストを行うことにより評
価した。結果を第１表に示す。
【０００９】接着性テスト 上記光ディスクを、温度９０℃，相対湿度９０％の雰囲
気下に１００時間放置後、セロハンテープによるゴバン
目ピンホールテストを行い、次式に基いて接着性を表示
した。 接着性＝（残った部分の面積）／（テスト面積）×１０
０（％）腐食性テスト 上記光ディスクを、温度６０℃，相対湿度９０％の雰囲
気下に３００時間放置後、光学顕微鏡にて１０００倍で
２５０μｍ×２００μｍの視野中におけるピンホール腐
食の数を測定した。
気下に１００時間放置後、セロハンテープによるゴバン
目ピンホールテストを行い、次式に基いて接着性を表示
した。 接着性＝（残った部分の面積）／（テスト面積）×１０
０（％）腐食性テスト 上記光ディスクを、温度６０℃，相対湿度９０％の雰囲
気下に３００時間放置後、光学顕微鏡にて１０００倍で
２５０μｍ×２００μｍの視野中におけるピンホール腐
食の数を測定した。
【００１０】実施例２ 実施例１において、抽出処理をヘキサンの代わりにメタ
ノールを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行
った。結果を第１表に示す。
ノールを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行
った。結果を第１表に示す。
【００１１】実施例３ 実施例１において、ポリカーボネートとして低分子量成
分４重量％，未反応ビスフェノールＡ１０ppm および塩
化メチレン１０ppm を含有するフレーク状ポリカーボネ
ートを用いたこと及びヘキサンによる抽出処理を行わな
かったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。結
果を第１表に示す。
分４重量％，未反応ビスフェノールＡ１０ppm および塩
化メチレン１０ppm を含有するフレーク状ポリカーボネ
ートを用いたこと及びヘキサンによる抽出処理を行わな
かったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。結
果を第１表に示す。
【００１２】比較例１ 実施例１において、ヘキサンによる抽出処理を行わなか
ったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果
を第１表に示す。
ったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果
を第１表に示す。
【００１３】比較例２ 実施例１において、ポリカーボネートとして低分子量成
分４重量％，未反応ビスフェノールＡ１００ppm および
塩化メチレン２００ppm を含有するフレーク状ポリカー
ボネートを用いたこと及びヘキサンによる抽出処理を行
わなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行っ
た。結果を第１表に示す。
分４重量％，未反応ビスフェノールＡ１００ppm および
塩化メチレン２００ppm を含有するフレーク状ポリカー
ボネートを用いたこと及びヘキサンによる抽出処理を行
わなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行っ
た。結果を第１表に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】＊ 第１表中で、得られたポリカーボネー
ト中の不純物含量は、次の如く分析定量されたものであ
る。塩化メチレン １，２−ジクロロエタンに試料であるポリカーボネート
を溶解し、ガスクロマトグラフィー（ＦＩＤ）により定
量したものである。低分子量成分 アセトンを溶媒としてソックスレー抽出された成分であ
る。即ち、試料であるポリカーボネートを粉砕して１０
０メッシュの金網を通過したもの１５ｇを円筒濾紙 No.
84（２８×１００mm）に採取し、これを３００ミリリッ
トルのアセトンを用いて、３〜４分に１回（２０ミリリ
ットル／回）の還流量で８時間還流させて抽出した。そ
の後、３００ミリリットルのアセトンを蒸発させた後の
残渣物を秤量し、これを低分子量成分とした。未反応ビスフェノールＡ 上述の低分子量成分をアセトンを溶媒としてソックスレ
ー抽出を行った後、液体クロマトグラフィーにより定量
したものである。
ト中の不純物含量は、次の如く分析定量されたものであ
る。塩化メチレン １，２−ジクロロエタンに試料であるポリカーボネート
を溶解し、ガスクロマトグラフィー（ＦＩＤ）により定
量したものである。低分子量成分 アセトンを溶媒としてソックスレー抽出された成分であ
る。即ち、試料であるポリカーボネートを粉砕して１０
０メッシュの金網を通過したもの１５ｇを円筒濾紙 No.
84（２８×１００mm）に採取し、これを３００ミリリッ
トルのアセトンを用いて、３〜４分に１回（２０ミリリ
ットル／回）の還流量で８時間還流させて抽出した。そ
の後、３００ミリリットルのアセトンを蒸発させた後の
残渣物を秤量し、これを低分子量成分とした。未反応ビスフェノールＡ 上述の低分子量成分をアセトンを溶媒としてソックスレ
ー抽出を行った後、液体クロマトグラフィーにより定量
したものである。
【００１７】
【発明の効果】本発明のポリカーボネートは、不純物と
しての塩化メチレンの含有量が極めて少なく高品質のも
のであって、光ディスクや磁気ディスク等のディスク基
板に使用したときに、基板上の記録膜が腐食を受けにく
い。したがって、本発明のポリカーボネートは、優れた
性能を有するディスク基板の素材として実用上極めて価
値の高いものであり、その幅広い利用が期待される。
しての塩化メチレンの含有量が極めて少なく高品質のも
のであって、光ディスクや磁気ディスク等のディスク基
板に使用したときに、基板上の記録膜が腐食を受けにく
い。したがって、本発明のポリカーボネートは、優れた
性能を有するディスク基板の素材として実用上極めて価
値の高いものであり、その幅広い利用が期待される。
Claims (2)
- 【請求項１】 不純物としての塩化メチレンの含有量が
２０ppm 以下であることを特徴とするディスク基板用ポ
リカーボネート。 - 【請求項２】 不純物として塩化メチレンの含有量が２
０ppm 以下であって、かつ未反応ビスフェノール類の含
有量が２０ppm 以下である請求項１記載のディスク基板
用ポリカーボネート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5064897A JPH0794544B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5064897A JPH0794544B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62150101A Division JPH07108938B2 (ja) | 1987-05-30 | 1987-06-18 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06100683A true JPH06100683A (ja) | 1994-04-12 |
| JPH0794544B2 JPH0794544B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=13271332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5064897A Expired - Lifetime JPH0794544B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794544B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06100682A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-04-12 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ディスク基板用ポリカーボネート |
| JP2002069219A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-08 | Teijin Chem Ltd | ポリカーボネート樹脂組成物成形体 |
| JP2009144019A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | ポリカーボネートからなる金属・無機薄膜を有する成形品 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS3816347B1 (ja) * | 1961-03-03 | 1963-08-29 | ||
| JPS5521773B2 (ja) * | 1972-07-14 | 1980-06-12 | ||
| JPS63316313A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
| JPH06100682A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-04-12 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ディスク基板用ポリカーボネート |
-
1993
- 1993-03-24 JP JP5064897A patent/JPH0794544B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS3816347B1 (ja) * | 1961-03-03 | 1963-08-29 | ||
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| JPS63316313A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
| JPH06100682A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-04-12 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ディスク基板用ポリカーボネート |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06100682A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-04-12 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ディスク基板用ポリカーボネート |
| JP2002069219A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-08 | Teijin Chem Ltd | ポリカーボネート樹脂組成物成形体 |
| JP2009144019A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | ポリカーボネートからなる金属・無機薄膜を有する成形品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0794544B2 (ja) | 1995-10-11 |
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