JPH06101254B2 - 透光性導電体膜の形成方法 - Google Patents
透光性導電体膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH06101254B2 JPH06101254B2 JP60150445A JP15044585A JPH06101254B2 JP H06101254 B2 JPH06101254 B2 JP H06101254B2 JP 60150445 A JP60150445 A JP 60150445A JP 15044585 A JP15044585 A JP 15044585A JP H06101254 B2 JPH06101254 B2 JP H06101254B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin oxide
- indium tin
- conductor film
- translucent conductor
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［概要］ 本発明は、パネルディスプレイ用の透光性電極として使
用される透光性導電体膜の形成方法の改良である。
用される透光性導電体膜の形成方法の改良である。
アモルファスのインジュウムティンオキサイドは、電気
抵抗が高いので、電極としては不適当である。そこで、
これに熱処理を施して多結晶に変換して低抵抗となす必
要がある。しかし、アモルファスインジュウムティンオ
キサイド形成工程にターゲットとして使用したインジュ
ウムやスズが未反応のまゝアモルファスインジュウムテ
ィンオキサイド中に残留することがあり、この残留物が
熱処理工程中に成長して、その後なされるパターン工程
において未溶解のまゝ残留して電極間短絡を発生するこ
とがある。
抵抗が高いので、電極としては不適当である。そこで、
これに熱処理を施して多結晶に変換して低抵抗となす必
要がある。しかし、アモルファスインジュウムティンオ
キサイド形成工程にターゲットとして使用したインジュ
ウムやスズが未反応のまゝアモルファスインジュウムテ
ィンオキサイド中に残留することがあり、この残留物が
熱処理工程中に成長して、その後なされるパターン工程
において未溶解のまゝ残留して電極間短絡を発生するこ
とがある。
本発明は、この欠点を解消するため、アモルファスイン
ジュウムティンオキサイド膜形成後パターニングをな
し、その後熱処理をなすこととしたものである。
ジュウムティンオキサイド膜形成後パターニングをな
し、その後熱処理をなすこととしたものである。
［産業上の利用分野］ 本発明は透光性導電体膜の形成方法に関する。特に、こ
の透光性導電体膜を使用して寸法の小さな透光性電極を
互いに近接して形成した場合にも、電極相互間の短絡が
発生するおそれのない透光性導電体膜の形成方法に関す
る。
の透光性導電体膜を使用して寸法の小さな透光性電極を
互いに近接して形成した場合にも、電極相互間の短絡が
発生するおそれのない透光性導電体膜の形成方法に関す
る。
［従来の技術］ EL、液晶、エレクトロクロミック体等を使用してなすデ
ィスプレイパネルの電極として、透光性導電体が必要で
ある。かゝる透光性導電体として従来インジュウムティ
ンオキサイドが使用される。
ィスプレイパネルの電極として、透光性導電体が必要で
ある。かゝる透光性導電体として従来インジュウムティ
ンオキサイドが使用される。
インジュウムティンオキサイドを形成する方法には、イ
ンジュウムティンオキサイドをターゲットとしてなす方
法と、ターゲットとしてはインジュウとスズとを使用
し、酸素ガス中においてグロー放電を発生させてこれら
を反応させてインジュウムティンオキサイドに転換する
反応性スパッタ法とがある。
ンジュウムティンオキサイドをターゲットとしてなす方
法と、ターゲットとしてはインジュウとスズとを使用
し、酸素ガス中においてグロー放電を発生させてこれら
を反応させてインジュウムティンオキサイドに転換する
反応性スパッタ法とがある。
本発明は、反応性スパッタ法を使用してなす透光性導電
体膜の形成方法の改良である。
体膜の形成方法の改良である。
従来、反応性スパッタ法を使用して透光性導電体膜のパ
ターンを形成するには、反応性スパッタ法を使用してア
モルファスインジュウムティンオキサイド膜を形成した
後、これに熱処理を施して多結晶インジュウムティンオ
キサイド膜に転換して低電気抵抗となし、これをパター
ニングしていた。
ターンを形成するには、反応性スパッタ法を使用してア
モルファスインジュウムティンオキサイド膜を形成した
後、これに熱処理を施して多結晶インジュウムティンオ
キサイド膜に転換して低電気抵抗となし、これをパター
ニングしていた。
［発明が解決しようとする問題点］ ところが、上記のアモルファスインジュウムティンオキ
サイド膜の形成工程において、異常グロー放電等の理由
により、ターゲットとして使用したインジュウムやスズ
が未反応のまゝ残留することがある。この未反応物は、
極めて小さな物であって、格別不都合を生じないが、イ
ンジュウムティンオキサイドを低抵抗化するために次工
程になされる熱処理工程においてこの核が成長して、か
なり大きな物となる。ところで、これらの金属は、イン
ジュウムティンオキサイドのエッチャントをもっては溶
解しえないので、上記の熱処理後になされるパターニン
グ工程において溶解されずに残留する。このため、も
し、このインジュウムティンオキサイド膜が互いに近接
している微細な電極等である場合は、電極短絡すなわち
いわゆるタッチの原因となり、製造歩留りを低下し、信
頼性を阻害する結果となる。また、ELを使用したパネル
ディスプレイ等の透明電極は、光透過率が高く抵抗が低
いことの他に、高い平滑性が求められる。電極上に絶縁
耐圧のすぐれた絶縁膜を形成するためである。そのた
め、上記の不溶性残留物の存在はELを使用したパネルデ
ィスプレイ等の透明電極等にとっても許容し難い欠点で
ある。
サイド膜の形成工程において、異常グロー放電等の理由
により、ターゲットとして使用したインジュウムやスズ
が未反応のまゝ残留することがある。この未反応物は、
極めて小さな物であって、格別不都合を生じないが、イ
ンジュウムティンオキサイドを低抵抗化するために次工
程になされる熱処理工程においてこの核が成長して、か
なり大きな物となる。ところで、これらの金属は、イン
ジュウムティンオキサイドのエッチャントをもっては溶
解しえないので、上記の熱処理後になされるパターニン
グ工程において溶解されずに残留する。このため、も
し、このインジュウムティンオキサイド膜が互いに近接
している微細な電極等である場合は、電極短絡すなわち
いわゆるタッチの原因となり、製造歩留りを低下し、信
頼性を阻害する結果となる。また、ELを使用したパネル
ディスプレイ等の透明電極は、光透過率が高く抵抗が低
いことの他に、高い平滑性が求められる。電極上に絶縁
耐圧のすぐれた絶縁膜を形成するためである。そのた
め、上記の不溶性残留物の存在はELを使用したパネルデ
ィスプレイ等の透明電極等にとっても許容し難い欠点で
ある。
本発明はこの欠点を解消することにあり、この透光性導
電体膜を使用して寸法の小さな透光性電極を互いに近接
して形成した場合等にも、電極相互間の短絡が発生する
おそれのないことの他に高い平滑性を有する透光性導電
体膜の形成方法を提供することにある。
電体膜を使用して寸法の小さな透光性電極を互いに近接
して形成した場合等にも、電極相互間の短絡が発生する
おそれのないことの他に高い平滑性を有する透光性導電
体膜の形成方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、本発明が採った手段は、
反応性スパッタ法を使用して形成した高抵抗のアモルフ
ァスインジュウムティンオキサイド膜２を、まずパター
ニングしてインジュウムティンオキサイド膜パターン３
を形成し、その後、熱処理をなして低抵抗の透光性導電
体膜４に転換することにある。
反応性スパッタ法を使用して形成した高抵抗のアモルフ
ァスインジュウムティンオキサイド膜２を、まずパター
ニングしてインジュウムティンオキサイド膜パターン３
を形成し、その後、熱処理をなして低抵抗の透光性導電
体膜４に転換することにある。
［作用］ 上記の欠点は、熱処理工程において寸法の大きな不溶解
物（インジュウムティンオキサイドのエッチャントをも
ってしては溶解しえない物）が形成された後にパターニ
ングをなすから発生するものである点に着目して、この
工程順序を逆にして、まず、パターニングをなしてしま
えば、その後の熱処理工程において不溶解物が発生して
も何ら実害がないという性質を利用したものである。
物（インジュウムティンオキサイドのエッチャントをも
ってしては溶解しえない物）が形成された後にパターニ
ングをなすから発生するものである点に着目して、この
工程順序を逆にして、まず、パターニングをなしてしま
えば、その後の熱処理工程において不溶解物が発生して
も何ら実害がないという性質を利用したものである。
［実施例］ 以下、図面を参照しつゝ、本発明の一実施例に係る透光
性導電体膜の形成方法について説明する。
性導電体膜の形成方法について説明する。
第１図参照 ガラス基板等の基体１を10℃以上、200℃以下の比較的
低温に保持し、インジュウムとスズとをターゲットと
し、グロー放電を使用してなす反応性DCスパッタ法を使
用して表面平滑性の高いアモルファスインジュウムティ
ンオキサイド膜２を厚さ数100〜数1,000Å程度に形成す
る。
低温に保持し、インジュウムとスズとをターゲットと
し、グロー放電を使用してなす反応性DCスパッタ法を使
用して表面平滑性の高いアモルファスインジュウムティ
ンオキサイド膜２を厚さ数100〜数1,000Å程度に形成す
る。
第２図参照 レジスト膜（図示せず）をマスクとし、熱塩酸をエッチ
ャントとしてアモルファスインジュウムティンオキサイ
ド膜２をパターニングして、インジュウムティンオキサ
イド膜パターン３を形成する。
ャントとしてアモルファスインジュウムティンオキサイ
ド膜２をパターニングして、インジュウムティンオキサ
イド膜パターン３を形成する。
第３図参照 窒素雰囲気中において500〜600℃１時間程度熱処理し
て、低抵抗化して、透光性導電体膜４を形成する。
て、低抵抗化して、透光性導電体膜４を形成する。
この熱処理工程においては、上記の反応性DCスパッタ工
程において不可避的に発生する異常グロー放電等によっ
て発生した不溶性核が成長するが、前工程のおいてパタ
ーニングがされているので、この成長した不溶性核がタ
ッチの原因となることはなく、実害は発生しない。
程において不可避的に発生する異常グロー放電等によっ
て発生した不溶性核が成長するが、前工程のおいてパタ
ーニングがされているので、この成長した不溶性核がタ
ッチの原因となることはなく、実害は発生しない。
［発明の効果］ 以上説明せるとおり、本発明に係る透光性導電体膜の形
成方法においては、アモルファスインジュウムティンオ
キサイド膜に直接パターニングを施した後、熱処理をな
すこととされているので、この熱処理工程において、ア
モルファスインジュウムティンオキサイド膜中に存在す
る不溶性核が成長しても、パターンを改変するようなこ
とはない。そのため、この透光性導電体膜を使用して寸
法の小さな透光性電極を互いに近接して形成した場合等
にも、電極相互間の短絡が発生するおそれのないことの
他に高い平滑性を有する透光性導電体膜の形成方法を提
供することができる。
成方法においては、アモルファスインジュウムティンオ
キサイド膜に直接パターニングを施した後、熱処理をな
すこととされているので、この熱処理工程において、ア
モルファスインジュウムティンオキサイド膜中に存在す
る不溶性核が成長しても、パターンを改変するようなこ
とはない。そのため、この透光性導電体膜を使用して寸
法の小さな透光性電極を互いに近接して形成した場合等
にも、電極相互間の短絡が発生するおそれのないことの
他に高い平滑性を有する透光性導電体膜の形成方法を提
供することができる。
第１〜３図は、本発明の一実施例に係る透光性導電体膜
の形成方法の工程図である。 １……基板（ガラス基板等）、２……アモルファスイン
ジュウムティンオキサイド、３……インジュウムティン
オキサイド膜パターン、４……透光性導電体膜。
の形成方法の工程図である。 １……基板（ガラス基板等）、２……アモルファスイン
ジュウムティンオキサイド、３……インジュウムティン
オキサイド膜パターン、４……透光性導電体膜。
Claims (1)
- 【請求項１】その上に透光性導電体膜（４）が形成され
る基板（１）を10℃以上200℃以下の温度範囲に保持し
インジュウムとスズとをターゲットとし酸素ガスを供給
してなす反応性スパッタ法を実行してインジュウムティ
ンオキサイド膜（２）を形成し、 該インジュウムティンオキサイド膜（２）をパターニン
グしてインジュウムティンオキサイド膜パターン（３）
を形成し、 該インジュウムティンオキサイド膜パターン（３）を50
0℃以上600℃以下の温度範囲において熱処理して低抵抗
の透光性導電体膜（４）を形成する透光性導電体膜の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150445A JPH06101254B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 透光性導電体膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60150445A JPH06101254B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 透光性導電体膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212010A JPS6212010A (ja) | 1987-01-21 |
| JPH06101254B2 true JPH06101254B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=15497088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60150445A Expired - Lifetime JPH06101254B2 (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 透光性導電体膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101254B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63454A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-05 | Konica Corp | 透明導電性フイルムの製造方法 |
| US8080141B2 (en) * | 2008-11-18 | 2011-12-20 | Guardian Industries Corp. | ITO-coated article and/or method of making the same via heat treating |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP60150445A patent/JPH06101254B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6212010A (ja) | 1987-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2717237B2 (ja) | 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法 | |
| US4399015A (en) | Method for fabricating an indium tin oxide film for a transparent electrode | |
| KR940008180B1 (ko) | 액정 전기 광학 장치 및 그 구동 방법 | |
| JP2912506B2 (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JPH07114841A (ja) | 透明導電膜、その形成方法および透明導電膜の加工方法 | |
| KR20010061955A (ko) | 산화물 투명도전막과 산화물 투명도전막 형성용 타겟 및그 산화물 투명도전막을 구비한 기판의 제조방법과전자기기 및 액정표시장치 | |
| US20110102722A1 (en) | Indium tin oxide sputtering target and transparent conductive film fabricated using the same | |
| JP2881425B2 (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JPH06101254B2 (ja) | 透光性導電体膜の形成方法 | |
| US4748375A (en) | Stable optically transmissive conductors, including electrodes for electroluminescent devices, and methods for making | |
| JPH06301054A (ja) | 液晶表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 | |
| JP2717234B2 (ja) | 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法 | |
| JPH11323531A (ja) | 加工性に優れた透明導電膜 | |
| JPH11233791A (ja) | 薄膜トランジスタ及びアクティブマトリクス型表示装置 | |
| JPS63184726A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0658476B2 (ja) | 液晶表示素子用基板の製造方法 | |
| JP3114963B2 (ja) | 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置 | |
| JP3114964B2 (ja) | 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製方法 | |
| JP3161701B2 (ja) | 液晶電気光学装置の作製方法 | |
| KR950013793B1 (ko) | 전기광학장치, 상보형 박막 트랜지스터쌍 및 그의 제조방법 | |
| JPH0414705A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
| JPH01289016A (ja) | 透明導電膜 | |
| JPH01272006A (ja) | 透明導電膜 | |
| JPH08248445A (ja) | 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置 | |
| JPH1025567A (ja) | 複合ターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |