JPH06101496B2 - 半導体デバイスの試験測定装置 - Google Patents

半導体デバイスの試験測定装置

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JPH06101496B2
JPH06101496B2 JP61256189A JP25618986A JPH06101496B2 JP H06101496 B2 JPH06101496 B2 JP H06101496B2 JP 61256189 A JP61256189 A JP 61256189A JP 25618986 A JP25618986 A JP 25618986A JP H06101496 B2 JPH06101496 B2 JP H06101496B2
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semiconductor device
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semiconductor
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウエハ上に複数形成された半導体デバ
イスの試験測定を行なう半導体デバイスの試験測定装置
に関する。
(従来の技術〕 一般に半導体デバイスの試験測定装置は、多数の探針を
配置されたプローブカード等を用い、半導体ウエハ上に
複数形成された半導体デバイス電極パットに探針を接触
させ、半導体デバイスの電気的な試験測定を行なう。
そして、半導体ウエハ上に形成された半導体デバイスが
良品であるか、不良品であるかを判別し、不良品の半導
体デバイスにインキング等のマーキングを行なう。
なお、上述のマーキングは、電気的な試験測定による良
品および不良品の判別結果をメモリ内に記憶しておき、
1枚の半導体ウエハ上に形成された全ての半導体デバイ
スの電気的な試験測定が終了した後、インカー等によっ
てマーキングするよう構成された半導体デバイスの試験
測定装置もある。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記説明の従来の半導体デバイスの試験
測定装置では、例えば、1枚の半導体ウエハ上に形成さ
れた半導体デバイスのほとんどが不良品であるような場
合においても、試験測定が終了した後、これら全ての不
良品の半導体デバイスにマーキングを行なうため、マー
キングに時間を要し、稼働率が悪化するという問題があ
る。また、上述のように、1枚の半導体ウエハ上に形成
された半導体デバイスのほとんどが不良品であるような
場合では、少数の良品の半導体デバイスのために、この
半導体ウエハを試験測定終了後のカッティング工程等に
送ることは、生産効率上好ましくない。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、従来に比べて大幅に稼働率の向上を図ることのでき
る半導体デバイスの試験測定装置を提供しようとするも
のである。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) すなわち本発明の半導体デバイスの試験測定装置は、半
導体ウエハ上に複数形成された半導体デバイスの試験測
定を行なう手段と、該手段の測定結果から前記半導体デ
バイスが良品であるか不良品であるかを判別する手段
と、該手段の判別結果から前記半導体デバイスの歩留り
とあらかじめ設定された設定値とを比較する手段と、該
手段の比較結果に応じて不良品の半導体デバイスにマー
キングする手段とを備えたこと特徴とする。
(作用) 本発明の半導体デバイスの試験測定装置では、半導体ウ
エハ上に複数形成された半導体デバイスの試験測定を行
ない良品および不良品の半導体デバイスを判別し、この
判別結果から半導体デバイスの歩留りとあらかじめ設定
された設定値とを比較し、この比較結果に応じて、例え
ば半導体デバイスの歩留りが、あらかじめ設定された設
定値以上の場合のみ、不良品の半導体デバイスにマーキ
ングする。
したがって、例えば、半導体デバイスの歩留りがあらか
じめ設定された設定値以下の場合、すなわち、1枚の半
導体ウエハ上に形成された半導体デバイスの大部分が不
良品で、良品の半導体デバイスが少数しかないような場
合は、マーキングを行なわず、半導体デバイスの試験測
定装置の稼働率の向上を図ることができる。
(実施例) 以下本発明の半導体デバイスの試験測定装置を図面を参
照して一実施例について説明する。
この実施例の半導体デバイスの試験測定装置は、第1図
に示すように、半導体ウエハ1上の半導体デバイスの電
気的な試験測定およびマーキング等を行なうプローバー
部2と、このプローバー部2に電気的に接続され、試験
測定された半導体デバイスが良品であるか不良品である
かを判別するテスター部3とから構成されている。
上記プローバー部2は、例えば測定対象の半導体ウエハ
1が配置されるX−Yテーブル2a、多数の半導体ウエハ
1が収容されたキャリヤ1aから測定対象の半導体ウエハ
1をX−Yテーブル2a上に配置する搬送部2b、半導体ウ
エハ1上に複数形成された半導体デバイスの電極パット
に接触される多数の探針を配置されたプローブカード2
c、テスター部3の判別結果を記憶する記憶部2d、この
記憶部2dに記憶された判別結果から例えば良品数と予め
設定された設定良品数とを比較して歩留りが設定値以上
であるか判定する比較部2e、比較部2eの比較結果に応じ
て不良品の半導体デバイスにインキング等のマーキング
を行なうマーキング部2fと、比較部2eに設定値を入力す
る入力部2gとから構成されている。
なお、マーキング部2fは、図示しないインカー等から構
成され、X−Yテーブル2a上あるいは、X−Yテーブル
2a上から他の載置台上に半導体ウエハ1を搬送した後に
マーキングを行なうよう構成されている。
また、上記テスター部3は、プローブカード2cを介して
半導体デバイスに測定信号の供給および読み取りを行な
う測定部3a、測定部3aの測定結果から、試験測定された
半導体デバイスが良品であるか不良品であるかを判別す
る判別部3b等から構成されている。
上記構成のこの実施例の半導体デバイスの試験測定装置
は、第2図のフローチャートに示すよう動作する。
すなわち、搬送部2bによりX−Yテーブル2a上に半導体
ウエハ1がロードされ、アライメントされる(a)。
次に、X−Yテーブル2a上の所定の位置に配置された半
導体ウエハ1に対して、プローブカード2cの探針が半導
体デバイス上の電極パットと接触状態とされて、テスタ
ー部3の測定部3aおよび判別部3bにより、電気的な試験
測定および良品と不良品の判別が行なわれ、この判別結
果は記憶部2dに記憶される(b)。
測定が終了すると(c)、比較部2eにおいて入力部2gか
ら予め入力された設定良品数と、記憶部2dに記憶された
良品数とを比較する(d)。
そして、測定によって判別された良品数が設定良品数以
上の場合は、マーキング部2fによって、記憶部2d記憶さ
れた不良品の半導体デバイスにマーキングが行なわれる
(e)。
この後、測定結果のプリントが行なわれ(f)、半導体
ウエハ1の通常キャリヤ1aへのアンロードが行なわれる
(g)。
一方、比較部2eにおいて比較された良品数が設定良品数
以下の場合は、マーキング部2fによるマーキングは行な
われず、不良品と判定した旨のプリントが行なわれ
(h)、この後半導体ウエハ1は図示しない指定キャリ
ヤヘアンロードされる(i)。
すなわち、上述のこの実施例の半導体デバイスの試験測
定装置では、比較部2eにおいて入力部2gから予め入力さ
れた設定良品数と、測定によって判別された良品数とを
比較し、この比較の結果良品数が設定良品数以下の場合
は、半導体ウエハ1に対するマーキングを行なわず不良
品と判定して指定キャリヤヘアンロードする。したがっ
て不良品の半導体デバイスが多数存在する半導体ウエハ
1のマーキングに要する時間を省いて、半導体デバイス
の試験測定装置の稼働率の向上を図ることができ、か
つ、測定終了後の工程へ不良品の半導体デバイスが多数
存在する半導体ウエハ1が送られることがなく、生産効
率の向上を図ることができる。
なお、設定良品数は、原料コスト、測定終了後の工程に
おける加工コスト、生産効率等から算出し、設定する。
また、比較対象は、良品数のように歩留りを示すもので
あれば、例えば不良品数、良品率、不良品率等としても
よいことはもちろんである。
また、上述の実施例では、プローバー部2と、テスター
部3とが分離されている例について説明したが、これら
のプローバー部2とテスター部3とは、一体的に構成し
てもよい。
[発明の効果] 上述のように、本発明の半導体デバイスの試験測定装置
では、従来に比べて大幅に稼働率の向上を図ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の半導体デバイスの試験測定
装置の構成を示す構成図、第2図は第1図に示す半導体
デバイスの試験測定装置の動作を示すフローチャートで
ある。 1……半導体ウエハ、2d……記憶部、2e……比較部、2f
……マーキング部、3a……測定部、3b……判別部。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ウエハ上に複数形成された半導体デ
    バイスの試験測定を行なう手段と、該手段の測定結果か
    ら前記半導体デバイスが良品であるか不良品であるかを
    判別する手段と、該手段の判別結果から前記半導体デバ
    イスの歩留りとあらかじめ設定された設定値とを比較す
    る手段と、該手段の比較結果に応じて不良品の半導体デ
    バイスにマーキングする手段とを備えたこと特徴とする
    半導体デバイスの試験測定装置。
  2. 【請求項2】不良品の半導体デバイスにマーキングする
    手段は、良品の半導体デバイスの個数が予め設定された
    設定値以上の場合のみ不良品の半導体デバイスにマーキ
    ングするよう構成された特許請求の範囲第1項記載の半
    導体デバイスの試験測定装置。
JP61256189A 1986-10-28 1986-10-28 半導体デバイスの試験測定装置 Expired - Lifetime JPH06101496B2 (ja)

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JPS63110648A JPS63110648A (ja) 1988-05-16
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JP2677500B2 (ja) * 1992-12-17 1997-11-17 三星電子株式会社 リダンダンシ回路を備えた半導体装置のウェーハ検査方法

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