JPH06103764B2 - バ−スト光出力装置 - Google Patents
バ−スト光出力装置Info
- Publication number
- JPH06103764B2 JPH06103764B2 JP62065272A JP6527287A JPH06103764B2 JP H06103764 B2 JPH06103764 B2 JP H06103764B2 JP 62065272 A JP62065272 A JP 62065272A JP 6527287 A JP6527287 A JP 6527287A JP H06103764 B2 JPH06103764 B2 JP H06103764B2
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- Japan
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- light output
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- signal
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、半導体レーザの光出力レベルを安定化する
ようにしたバースト光出力装置に関するものである。
ようにしたバースト光出力装置に関するものである。
（従来の技術） 近年、大容量の情報を伝送する通信システムとして、光
通信システムが注目されている。この光通信システムに
おいては、正確な光バースト通信を行うために、光信号
の送信レベルを安定的に保持することが求められる。
通信システムが注目されている。この光通信システムに
おいては、正確な光バースト通信を行うために、光信号
の送信レベルを安定的に保持することが求められる。
ところで、バースト状の光信号を、半導体レーザダイオ
ードを用いて発光させた場合、半導体レーザダイオード
の熱応答によって、その出力にサグが現われることが知
られている。この熱サグは、単調減少するものであるか
ら、従来、以下の如き制御を行い、熱サグの除去を行っ
ていた。
ードを用いて発光させた場合、半導体レーザダイオード
の熱応答によって、その出力にサグが現われることが知
られている。この熱サグは、単調減少するものであるか
ら、従来、以下の如き制御を行い、熱サグの除去を行っ
ていた。
半導体レーザダイオードの光出力の一部を光検出素子で
モニタし、得られる検出信号を予め設定された基準信号
と比較する。比較の結果、上記検出信号のレベルが上記
基準信号のレベルより小さいことが検出されると、半導
体レーザダイオードのバイアスレベルを増加させる一
方、上記検出信号のレベルが上記基準信号のレベルより
大きいことが検出されると、半導体レーザダイオードの
バイアスレベルを一定に保持するようにし、光出力レベ
ルを安定化するようにしていた。
モニタし、得られる検出信号を予め設定された基準信号
と比較する。比較の結果、上記検出信号のレベルが上記
基準信号のレベルより小さいことが検出されると、半導
体レーザダイオードのバイアスレベルを増加させる一
方、上記検出信号のレベルが上記基準信号のレベルより
大きいことが検出されると、半導体レーザダイオードの
バイアスレベルを一定に保持するようにし、光出力レベ
ルを安定化するようにしていた。
実際には、第５図に示されるような半導体レーザダイオ
ード10に、トランジスタ11をコンデンサ12で制御して、
バイアス電流IBを与える。この場合、図示せぬ光検出素
子により得た半導体レーザダイオード10の光出力の一部
に基づく検出信号と基準信号との比較結果の信号13で、
スイッチ14を制御し、電流源15よりコンデンサ12の充電
電圧VCをコントロールするのである。
ード10に、トランジスタ11をコンデンサ12で制御して、
バイアス電流IBを与える。この場合、図示せぬ光検出素
子により得た半導体レーザダイオード10の光出力の一部
に基づく検出信号と基準信号との比較結果の信号13で、
スイッチ14を制御し、電流源15よりコンデンサ12の充電
電圧VCをコントロールするのである。
更に、安定な光出力を迅速に得るため、バースト光出力
を得る初期時に、バイアス電流の増加速度を大きくし、
バイアス電流が安定化レベルに近づいたとき、バイアス
電流の増加速度を小さくするようにする制御方式が提案
されている。（第６図）。
を得る初期時に、バイアス電流の増加速度を大きくし、
バイアス電流が安定化レベルに近づいたとき、バイアス
電流の増加速度を小さくするようにする制御方式が提案
されている。（第６図）。
しかしながら、半導体レーザダイオードは、温度特性を
有し、第７図に示されるように、周囲温度が上昇した場
合には、与えるバイアス電流を大きくしなければ、同一
の光出力レベルが得られない。このため、第６図に示し
た従来の方式で光出力を行うと、周囲温度が変化した場
合に、夫々の温度における安定化レベルにまでバイアス
電流が到達するに要する時間に、時間差が生じる。即
ち、第８図に示すように、周囲温度が、T1とT2である場
合の半導体レーザダイオードに与えるバイアス電流が、
夫々、安定化レベル1,2にあるとき、半導体レーザダイ
オードの光信号の送信レベルが安定化されるとすると、
安定化する迄の時間差はΔτ１となる。
有し、第７図に示されるように、周囲温度が上昇した場
合には、与えるバイアス電流を大きくしなければ、同一
の光出力レベルが得られない。このため、第６図に示し
た従来の方式で光出力を行うと、周囲温度が変化した場
合に、夫々の温度における安定化レベルにまでバイアス
電流が到達するに要する時間に、時間差が生じる。即
ち、第８図に示すように、周囲温度が、T1とT2である場
合の半導体レーザダイオードに与えるバイアス電流が、
夫々、安定化レベル1,2にあるとき、半導体レーザダイ
オードの光信号の送信レベルが安定化されるとすると、
安定化する迄の時間差はΔτ１となる。
すると、バースト光出力の指示から、実際に安定的な送
信がなされるまでの時間に、周囲温度によって、差が生
じ、光通信システムにおける光信号の送受の場合、この
時間差を考慮した制御を行う必要が生じ、制御が複雑で
煩しいものとなる欠点があった。
信がなされるまでの時間に、周囲温度によって、差が生
じ、光通信システムにおける光信号の送受の場合、この
時間差を考慮した制御を行う必要が生じ、制御が複雑で
煩しいものとなる欠点があった。
（発明が解決しようとする問題点） 上記のように、従来のバースト光出力装置では、周囲温
度の変化による半導体レーザダイオードの光信号の送信
レベルが安定化される迄に要する時間に差が生じること
になった。このため、光信号の送受の場合に、この時間
差を考慮した制御を行う必要が生じ、制御が複雑で煩し
いものとなる欠点があった。本発明はかかる従来のバー
スト光出力装置の欠点に鑑みなされたもので、その目的
は、バースト光出力の送信レベルの安定化迄に要する時
間を、周囲温度の変化に拘わらず、一定とすることが可
能なバースト光出力装置を提供することである。
度の変化による半導体レーザダイオードの光信号の送信
レベルが安定化される迄に要する時間に差が生じること
になった。このため、光信号の送受の場合に、この時間
差を考慮した制御を行う必要が生じ、制御が複雑で煩し
いものとなる欠点があった。本発明はかかる従来のバー
スト光出力装置の欠点に鑑みなされたもので、その目的
は、バースト光出力の送信レベルの安定化迄に要する時
間を、周囲温度の変化に拘わらず、一定とすることが可
能なバースト光出力装置を提供することである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明に係るバースト光出力装置は、半導体発光素子
と、この半導体発光素子のバースト光出力の一部を検出
する光検出素子と、前記半導体発光素子のバイアス電流
の増加速度を異ならせる複数のバイアス電源と、周囲温
度を検出する感温素子と、前記光検出素子により得られ
る光検出信号に応じて前記複数のバイアス電源の選択切
り換えを行うと共に、前記感温素子により得られる温度
信号に基づき前記光検出信号に応じる選択切換時間に変
動を与えて選択が行われるよう制御する選択制御手段と
を具備することを特徴とする。
と、この半導体発光素子のバースト光出力の一部を検出
する光検出素子と、前記半導体発光素子のバイアス電流
の増加速度を異ならせる複数のバイアス電源と、周囲温
度を検出する感温素子と、前記光検出素子により得られ
る光検出信号に応じて前記複数のバイアス電源の選択切
り換えを行うと共に、前記感温素子により得られる温度
信号に基づき前記光検出信号に応じる選択切換時間に変
動を与えて選択が行われるよう制御する選択制御手段と
を具備することを特徴とする。
（作用） 上記構成によると、周囲温度と現在出力されている光信
号をモニタして得た光検出信号とにより、バイアス電流
の増加速度が所要となるようにバイアス電源を選択し
て、バイアス電流IBの増加曲線が適宜決定されるように
できるため、第４図に示すように、安定化レベル1,2ま
でバイアス電流を上昇させる場合に、ある曲線を描くよ
うな特性のバイアス電源を選択することで、安定化まで
の時間t2を一定とすることが可能である。
号をモニタして得た光検出信号とにより、バイアス電流
の増加速度が所要となるようにバイアス電源を選択し
て、バイアス電流IBの増加曲線が適宜決定されるように
できるため、第４図に示すように、安定化レベル1,2ま
でバイアス電流を上昇させる場合に、ある曲線を描くよ
うな特性のバイアス電源を選択することで、安定化まで
の時間t2を一定とすることが可能である。
（実施例） 以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
１図は本発明の一実施例の構成図である。同図におい
て、第５図と同一の構成要素には、同一の符号を付し、
その説明を省略する。
１図は本発明の一実施例の構成図である。同図におい
て、第５図と同一の構成要素には、同一の符号を付し、
その説明を省略する。
この実施例では、第１の電流源15と第２の電流源16と
を、夫々、スイッチ14,17で選択して、バイアス電流IB
の増加速度が変化するように制御する。30は切換部を示
し、この切換部30は、バイアス制御信号41と、第２図に
示される感温素子（サーミスタ等）33による信号とによ
り、駆動信号31,32を作り、スイッチ14,17を開閉して、
コンデンサ12を充電する充電電流ICに温度特性を持たせ
る。18は光検出素子たるフォートダイオードであり、フ
ォートダイオード18は、半導体レーザダイオード10より
出力された光出力の一部を検出して、バイアス制御信号
41に変換する。切換部30は、第２図に示されるような電
流源34を含む差動増幅部の構成でトランジスタTr1,Tr2
のコレクタ電圧を駆動信号31,32としている。トランジ
スタTr1のベースには、入力端子INよりバイアス制御信
号41が与えらえる。また、トランジスタTr2のベースに
は、感温素子33と抵抗R4とで決定される電圧が与えら
れ、トランジスタTr2は、初期状態においてオン状態に
ある。スイッチ14は、駆動信号31が、Ｈレベルのとき閉
じられ、Ｌレベルのとき開かれ、スイッチ17は、駆動信
号32が、Ｈレベルのとき開かれ、Ｌレベルのとき閉じら
れる。このような、切換部30と、スイッチ14,17は、選
択制御手段50を構成する。尚、本実施例では、バイアス
を与える期間を制御する構成、バースト信号を与える構
成を図示していないが、例えば、前者の構成は、フォー
トダイオード18と選択制御手段50との間に、後者の構成
は、トランジスタ11と選択制御手段50との間に、夫々、
介挿される。
を、夫々、スイッチ14,17で選択して、バイアス電流IB
の増加速度が変化するように制御する。30は切換部を示
し、この切換部30は、バイアス制御信号41と、第２図に
示される感温素子（サーミスタ等）33による信号とによ
り、駆動信号31,32を作り、スイッチ14,17を開閉して、
コンデンサ12を充電する充電電流ICに温度特性を持たせ
る。18は光検出素子たるフォートダイオードであり、フ
ォートダイオード18は、半導体レーザダイオード10より
出力された光出力の一部を検出して、バイアス制御信号
41に変換する。切換部30は、第２図に示されるような電
流源34を含む差動増幅部の構成でトランジスタTr1,Tr2
のコレクタ電圧を駆動信号31,32としている。トランジ
スタTr1のベースには、入力端子INよりバイアス制御信
号41が与えらえる。また、トランジスタTr2のベースに
は、感温素子33と抵抗R4とで決定される電圧が与えら
れ、トランジスタTr2は、初期状態においてオン状態に
ある。スイッチ14は、駆動信号31が、Ｈレベルのとき閉
じられ、Ｌレベルのとき開かれ、スイッチ17は、駆動信
号32が、Ｈレベルのとき開かれ、Ｌレベルのとき閉じら
れる。このような、切換部30と、スイッチ14,17は、選
択制御手段50を構成する。尚、本実施例では、バイアス
を与える期間を制御する構成、バースト信号を与える構
成を図示していないが、例えば、前者の構成は、フォー
トダイオード18と選択制御手段50との間に、後者の構成
は、トランジスタ11と選択制御手段50との間に、夫々、
介挿される。
以上のように構成された、実施例の動作を、第１図乃至
第３図を参照して説明する。バイアス印加の期間となる
と、切換部30の入力端子INには、未だ半導体レーザダイ
オード10の発光が生じていないため、電圧はほとんど与
えられていない。このため、トランジスタTr1はオフ、
トランジスタTr2がオンの状態となり、駆動信号31はＨ
レベル、駆動信号32はＬレベルである。この結果、スイ
ッチ14,17ともに閉成された状態で、第１及び第２の電
流源15,16による充電電流ICの供給が行われ、第３図の
直線S1で示される急峻な傾きの増加速度でバイアス電流
が増加する。これにともなって、半導体レーザダイオー
ド10の発光が開始され、フォトダイオード18によるバイ
アス制御信号のレベルが増加する。この電圧により、コ
ンデンサＣに電荷が蓄積され、トランジスタTr1のベー
ス電位が、トランジスタTr2のベース電位と等しくなる
と、トランジスタTr1がオン状態となり、駆動信号31が
Ｌレベルとなり、スイッチ14が開かれる。この結果、以
後は、第２の電流源16のみによる充電となり、第３図の
直線S2で示される穏やかな傾きの増加速度でバイアス電
流が増加する。これによっても、入力端子INに到達する
バイアス制御信号のため、トランジスタTr1を流れるコ
レクタ電流が増加し、このためトランジスタTr2のエミ
ッタ電圧が上昇し、トランジスタTr2がオフ状態とな
る。このため、駆動信号32がＨレベルとなり、この後
は、第３図の時間t2後に示される如く継続的な制御が続
けられる。
第３図を参照して説明する。バイアス印加の期間となる
と、切換部30の入力端子INには、未だ半導体レーザダイ
オード10の発光が生じていないため、電圧はほとんど与
えられていない。このため、トランジスタTr1はオフ、
トランジスタTr2がオンの状態となり、駆動信号31はＨ
レベル、駆動信号32はＬレベルである。この結果、スイ
ッチ14,17ともに閉成された状態で、第１及び第２の電
流源15,16による充電電流ICの供給が行われ、第３図の
直線S1で示される急峻な傾きの増加速度でバイアス電流
が増加する。これにともなって、半導体レーザダイオー
ド10の発光が開始され、フォトダイオード18によるバイ
アス制御信号のレベルが増加する。この電圧により、コ
ンデンサＣに電荷が蓄積され、トランジスタTr1のベー
ス電位が、トランジスタTr2のベース電位と等しくなる
と、トランジスタTr1がオン状態となり、駆動信号31が
Ｌレベルとなり、スイッチ14が開かれる。この結果、以
後は、第２の電流源16のみによる充電となり、第３図の
直線S2で示される穏やかな傾きの増加速度でバイアス電
流が増加する。これによっても、入力端子INに到達する
バイアス制御信号のため、トランジスタTr1を流れるコ
レクタ電流が増加し、このためトランジスタTr2のエミ
ッタ電圧が上昇し、トランジスタTr2がオフ状態とな
る。このため、駆動信号32がＨレベルとなり、この後
は、第３図の時間t2後に示される如く継続的な制御が続
けられる。
ここで、感温素子33は、周囲温度が低いT1の場合には、
第３図の時間t1でトランジスタTr1がオンとなるよう
に、また、周囲温度が高いT2の場合には、第３図の時間
t1＋Δτ２でトランジスタT 1がオンとなるように、ト
ランジスタTr2のベースへ電圧を与える。そして、トラ
ンジスタTr1がオンとなった後は、トランジスタTr2のエ
ミッタ電圧が、感温素子33によって決められているベー
ス電圧に対し、所定差となるまで、コンデンサＣに対す
る充電がなされ、いずれの温度にあっても、時間t2で安
定に達する。
第３図の時間t1でトランジスタTr1がオンとなるよう
に、また、周囲温度が高いT2の場合には、第３図の時間
t1＋Δτ２でトランジスタT 1がオンとなるように、ト
ランジスタTr2のベースへ電圧を与える。そして、トラ
ンジスタTr1がオンとなった後は、トランジスタTr2のエ
ミッタ電圧が、感温素子33によって決められているベー
ス電圧に対し、所定差となるまで、コンデンサＣに対す
る充電がなされ、いずれの温度にあっても、時間t2で安
定に達する。
尚、本実施例では、電流源を２個としたが、３個以上で
あっても良い。このようにすると、より細かく制御が可
能となる。また、第２図の切換部30の回路定数を調整す
ることにより、また、電源の電流値を変えることによ
り、バイアス電流の増加速度及び、増加速度の切換点を
変更でき、安定化するまでの時間t2をも変化させること
ができる。つまり、必要に応じ、時間t2を伸縮可能とな
る。
あっても良い。このようにすると、より細かく制御が可
能となる。また、第２図の切換部30の回路定数を調整す
ることにより、また、電源の電流値を変えることによ
り、バイアス電流の増加速度及び、増加速度の切換点を
変更でき、安定化するまでの時間t2をも変化させること
ができる。つまり、必要に応じ、時間t2を伸縮可能とな
る。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、周囲温度と現在
出力されている光信号をモニタして得た光検出信号とに
より、バイアス電源の増加速度が所要となるようにバイ
アス電源を選択して、バイアス電流の増加曲線が適宜決
定されるようにでき、安定化までの時間ｔを一定とする
ことが可能である。
出力されている光信号をモニタして得た光検出信号とに
より、バイアス電源の増加速度が所要となるようにバイ
アス電源を選択して、バイアス電流の増加曲線が適宜決
定されるようにでき、安定化までの時間ｔを一定とする
ことが可能である。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は第１図の
要部の構成図、第３図は第１図の一実施例の動作を説明
するための波形図、第４図は本発明の原理を説明するた
めの波形図、第５図は従来のバースト光出力装置の構成
図、第６図、第８図は従来のバースト光出力装置の動作
を説明するための波形図、第７図は半導体レーザダイオ
ードの温度特性を示す図である。 10……半導体レーザダイオード， 14,17……スイッチ,15……第１の電流源 16……第２の電流源,18……フォートダイオード 30……切換部,31,32……駆動信号 33……感温素子,34……電流源 50……選択制御手段
要部の構成図、第３図は第１図の一実施例の動作を説明
するための波形図、第４図は本発明の原理を説明するた
めの波形図、第５図は従来のバースト光出力装置の構成
図、第６図、第８図は従来のバースト光出力装置の動作
を説明するための波形図、第７図は半導体レーザダイオ
ードの温度特性を示す図である。 10……半導体レーザダイオード， 14,17……スイッチ,15……第１の電流源 16……第２の電流源,18……フォートダイオード 30……切換部,31,32……駆動信号 33……感温素子,34……電流源 50……選択制御手段
Claims (1)
- 【請求項１】半導体発光素子と、 この半導体発光素子のバースト光出力の一部を検出する
光検出素子と、 前記半導体発光素子のバイアス電流の増加速度を異なら
せる複数のバイアス電源と、 周囲温度を検出する感温素子と、 前記光検出素子により得られる光検出信号に応じて前記
複数のバイアス電源の選択切り換えを行うと共に、前記
感温素子により得られる温度信号に基づき前記光検出信
号に応じる選択切換時間に変動を与えて選択が行われる
よう制御する選択制御手段とを具備するバースト光出力
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62065272A JPH06103764B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | バ−スト光出力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62065272A JPH06103764B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | バ−スト光出力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229881A JPS63229881A (ja) | 1988-09-26 |
| JPH06103764B2 true JPH06103764B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=13282124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62065272A Expired - Fee Related JPH06103764B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | バ−スト光出力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103764B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3732033B2 (ja) | 1999-02-19 | 2006-01-05 | 富士通株式会社 | 光出力制御回路 |
| WO2007033609A1 (en) * | 2005-09-26 | 2007-03-29 | Hongkong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Driver for an optical transmitter |
| US7639954B2 (en) | 2005-10-11 | 2009-12-29 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Driver for an optical transmitter |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5757568U (ja) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | ||
| JPS6236565U (ja) * | 1985-08-20 | 1987-03-04 |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP62065272A patent/JPH06103764B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63229881A (ja) | 1988-09-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |