JPH06104510A - ガスレーザ装置およびその運転法 - Google Patents
ガスレーザ装置およびその運転法Info
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- JPH06104510A JPH06104510A JP3132913A JP13291391A JPH06104510A JP H06104510 A JPH06104510 A JP H06104510A JP 3132913 A JP3132913 A JP 3132913A JP 13291391 A JP13291391 A JP 13291391A JP H06104510 A JPH06104510 A JP H06104510A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザ用ガス媒体を浄化しつつ、循環させて
使用するガスレーザに関し、長期間一定のレーザ出力を
得ることの容易なガスレーザ装置の運転方法、およびガ
スレーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 希ガスを含むレーザ用ガス媒体を循環させな
がらレーザ発振を行なう方法であって、充填物を収容し
た低温トラップにトラップ温度において凝固する凝固ガ
スを予め付着、凝固させ、その後レーザ用ガス媒体と接
触させることを特徴とする。
使用するガスレーザに関し、長期間一定のレーザ出力を
得ることの容易なガスレーザ装置の運転方法、およびガ
スレーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 希ガスを含むレーザ用ガス媒体を循環させな
がらレーザ発振を行なう方法であって、充填物を収容し
た低温トラップにトラップ温度において凝固する凝固ガ
スを予め付着、凝固させ、その後レーザ用ガス媒体と接
触させることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガスレーザに関し、特
にレーザ用ガス媒体を浄化しつつ、循環させて使用する
ガスレーザに関する。
にレーザ用ガス媒体を浄化しつつ、循環させて使用する
ガスレーザに関する。
【０００２】なお、本明細書で凝固とはガス分子が運動
エネルギを失って個体化する状態をいい、吸着とは付着
したガス分子が付着面の温度に対応した運動エネルギを
有し、離れようとする力と付着しようとする力のバラン
スの下で付着している状態を示す。したがって、凝固ガ
スは置換しないが、吸着ガスはより付着力の強いガス分
子に置換される。
エネルギを失って個体化する状態をいい、吸着とは付着
したガス分子が付着面の温度に対応した運動エネルギを
有し、離れようとする力と付着しようとする力のバラン
スの下で付着している状態を示す。したがって、凝固ガ
スは置換しないが、吸着ガスはより付着力の強いガス分
子に置換される。
【０００３】
【従来の技術】以下、ＫｒＦエキシマレーザを例にとっ
て説明するが、本発明はＫｒＦエキシマレーザに限るも
のではない。たとえばＡｒＦウキシマレーザ等も同様で
ある。
て説明するが、本発明はＫｒＦエキシマレーザに限るも
のではない。たとえばＡｒＦウキシマレーザ等も同様で
ある。
【０００４】ＫｒＦエキシマレーザは、ガラス等で形成
されたレーザ管にレーザガス媒体として約９９％のＮ
ｅ、約１％のＫｒ、約０．１％のＦ2 の混合ガスを収容
し、両端にミラーを配置し、レーザ用ガス媒体を放電発
光させ、共振を生じさせることによって動作させる。
されたレーザ管にレーザガス媒体として約９９％のＮ
ｅ、約１％のＫｒ、約０．１％のＦ2 の混合ガスを収容
し、両端にミラーを配置し、レーザ用ガス媒体を放電発
光させ、共振を生じさせることによって動作させる。
【０００５】ところで、フッ素ガスは反応性が強く、特
に放電によって励起されたフッ素ガスは反応性が強いた
め、放電によってフッ素ガスとガス媒体中の不純物や他
の構成材料との反応が生じる。このため、ＫｒＦエキシ
マレーザのレーザ出力は放電回数と共に減少する。
に放電によって励起されたフッ素ガスは反応性が強いた
め、放電によってフッ素ガスとガス媒体中の不純物や他
の構成材料との反応が生じる。このため、ＫｒＦエキシ
マレーザのレーザ出力は放電回数と共に減少する。
【０００６】図２にこのような従来の技術による、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザの特性を示す。図２（Ａ）図中に示す
ように、レーザ管５１は、その一端にミラー５２、他端
に所望の反射率と透過率を有するハーフミラー５３を有
し、ガス源５４から原料ガスを供給する。レーザ管５１
内を排気弁５５を介して排気し、ガス源５４から新鮮な
原料ガスを供給し、レーザ発振を生じさせた時の時間経
過に伴う特性の変化を以下に説明する。図２（Ａ）はレ
ーザ出力を示し、図２（Ｂ）、（Ｃ）は、レーザ管５１
内のガス成分の濃度を示す。横軸は各図とも時間を分で
示す。
Ｆエキシマレーザの特性を示す。図２（Ａ）図中に示す
ように、レーザ管５１は、その一端にミラー５２、他端
に所望の反射率と透過率を有するハーフミラー５３を有
し、ガス源５４から原料ガスを供給する。レーザ管５１
内を排気弁５５を介して排気し、ガス源５４から新鮮な
原料ガスを供給し、レーザ発振を生じさせた時の時間経
過に伴う特性の変化を以下に説明する。図２（Ａ）はレ
ーザ出力を示し、図２（Ｂ）、（Ｃ）は、レーザ管５１
内のガス成分の濃度を示す。横軸は各図とも時間を分で
示す。
【０００７】図２（Ａ）に示すように、未だ発振を生じ
ない間はレーザ出力はほぼ０であり、発振を開始すると
急激に大きな値に達する。ところが、発振時間の経過と
共にレーザ出力は次第に減少する。
ない間はレーザ出力はほぼ０であり、発振を開始すると
急激に大きな値に達する。ところが、発振時間の経過と
共にレーザ出力は次第に減少する。
【０００８】図２（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、レーザ
発振が生じる前の状態においては、レーザ管５１内のガ
ス成分はほぼ一定であり、不純物であるＮ2 、Ｏ2 、Ｈ
Ｆ、ＳｉＦ4 がわずかに存在する。なお、主成分である
ＮｅとＫｒは図示していないが、濃度はほぼ一定に保た
れる。レーザ発振が開始すると、図２（Ｃ）に示すＣＦ
4 、ＨＦ、ＳｉＦ4 等の不純物濃度は徐々に増大する。
一方、レーザ用ガス媒体の成分であるＦ2 は徐々にその
濃度が低下する。レーザ出力の低下は、これらの不純物
成分の増加とレーザ用ガス媒体であるＦ2 の減少に起因
するものと考えられる。
発振が生じる前の状態においては、レーザ管５１内のガ
ス成分はほぼ一定であり、不純物であるＮ2 、Ｏ2 、Ｈ
Ｆ、ＳｉＦ4 がわずかに存在する。なお、主成分である
ＮｅとＫｒは図示していないが、濃度はほぼ一定に保た
れる。レーザ発振が開始すると、図２（Ｃ）に示すＣＦ
4 、ＨＦ、ＳｉＦ4 等の不純物濃度は徐々に増大する。
一方、レーザ用ガス媒体の成分であるＦ2 は徐々にその
濃度が低下する。レーザ出力の低下は、これらの不純物
成分の増加とレーザ用ガス媒体であるＦ2 の減少に起因
するものと考えられる。
【０００９】一定のレーザ出力を得るためには、図２
（Ａ）に示す構成において、ガス源５４から常に新鮮ガ
スを供給し、排気弁５５から排気を行なってレーザ管５
１内を一定の圧力に保つことが必要となろう。しかし、
この方法によれば、高価な希ガスであるＫｒを浪費する
のみでなく、原料ガス供給、排気の制御が複雑となる。
（Ａ）に示す構成において、ガス源５４から常に新鮮ガ
スを供給し、排気弁５５から排気を行なってレーザ管５
１内を一定の圧力に保つことが必要となろう。しかし、
この方法によれば、高価な希ガスであるＫｒを浪費する
のみでなく、原料ガス供給、排気の制御が複雑となる。
【００１０】そこで、レーザ管内のガスを液体窒素トラ
ップを介して循環させ、生成したハロゲン化物を除去す
る方法が提案されている。
ップを介して循環させ、生成したハロゲン化物を除去す
る方法が提案されている。
【００１１】図３に、レーザガスおよび不純物の蒸気圧
曲線を示す。ＫｒＦエキシマレーザのレーザ用ガス媒体
は、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｆ2 を必要成分とする。また、主な不
純物ガスは、ＣＦ4 、ＳｉＦ4 、ＨＦ等である。
曲線を示す。ＫｒＦエキシマレーザのレーザ用ガス媒体
は、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｆ2 を必要成分とする。また、主な不
純物ガスは、ＣＦ4 、ＳｉＦ4 、ＨＦ等である。
【００１２】たとえば、液体窒素温度においては、不純
物ガスであるＨＦ、ＳｉＦ4 は全てその蒸気圧が極めて
低い値となる。したがって、液体窒素トラップを用いる
ことにより、これらの不純物ガスをトラップすることが
可能である。図４は、液体窒素冷却トラップを備えたＫ
ｒＦエキシマレーザ装置を概略的に示す。
物ガスであるＨＦ、ＳｉＦ4 は全てその蒸気圧が極めて
低い値となる。したがって、液体窒素トラップを用いる
ことにより、これらの不純物ガスをトラップすることが
可能である。図４は、液体窒素冷却トラップを備えたＫ
ｒＦエキシマレーザ装置を概略的に示す。
【００１３】図４においては、反射ミラー５２、ハーフ
ミラー５３を備えたレーザ管５１にガス源５４からレー
ザ用ガス媒体が供給される。レーザ管５１にはさらにガ
ス導出路６１およびガス帰還路６６が備えられている。
ガス導出路６１とガス帰還路６６の間には、ダストフィ
ルタ６２、液体窒素冷却トラップ６４、ポンプ６５が接
続されている。液体窒素冷却トラップ６４は、液体窒素
槽６３に浸積されて液体窒素温度に冷却されている。
ミラー５３を備えたレーザ管５１にガス源５４からレー
ザ用ガス媒体が供給される。レーザ管５１にはさらにガ
ス導出路６１およびガス帰還路６６が備えられている。
ガス導出路６１とガス帰還路６６の間には、ダストフィ
ルタ６２、液体窒素冷却トラップ６４、ポンプ６５が接
続されている。液体窒素冷却トラップ６４は、液体窒素
槽６３に浸積されて液体窒素温度に冷却されている。
【００１４】レーザ管５１内のレーザ用ガス媒体は、ガ
ス導出路６１からダストフィルタ６２を介して液体窒素
冷却トラップ６４に導入され、液体窒素温度での蒸気圧
が低い成分を液体窒素冷却トラップ６４壁面にトラップ
し、ポンプ６５からガス帰還路６６を介してレーザ管５
１内に帰還される。不純物ガスであるＣＦ4 、ＳｉＦ
4 、ＨＦは液体窒素温度で極めて低い蒸気圧を有し、液
体窒素冷却トラップ６４壁面に衝突した不純物ガス分子
はそこにトラップされる。
ス導出路６１からダストフィルタ６２を介して液体窒素
冷却トラップ６４に導入され、液体窒素温度での蒸気圧
が低い成分を液体窒素冷却トラップ６４壁面にトラップ
し、ポンプ６５からガス帰還路６６を介してレーザ管５
１内に帰還される。不純物ガスであるＣＦ4 、ＳｉＦ
4 、ＨＦは液体窒素温度で極めて低い蒸気圧を有し、液
体窒素冷却トラップ６４壁面に衝突した不純物ガス分子
はそこにトラップされる。
【００１５】ところで、図４の構成において、流量を確
保しようとすると液体窒素冷却トラップの管径を太くす
ることが必要となるが、管径を太くすると管壁に接触せ
ずに通過するガス成分を許容することになる。
保しようとすると液体窒素冷却トラップの管径を太くす
ることが必要となるが、管径を太くすると管壁に接触せ
ずに通過するガス成分を許容することになる。
【００１６】ところで、図３に示されるように、レーザ
用ガス媒体の構成要素であるＫｒは、液体窒素温度にお
いて低い蒸気圧を有し、液体窒素冷却トラップにトラッ
プされる確率が高い。Ｋｒが液体窒素冷却トラップにト
ラップされると、レーザ用ガス媒体のＫｒ成分が減少す
るため、レーザ出力の長期一定保持を行なうためには、
Ｋｒを添加する必要がある。なお、ＫｒＦエキシマレー
ザの運転条件においては、ガス流量は通常５Ｎｌ／ｍｉ
ｎ程度であり、ゲージガス圧力は通常５Ｋｇ／ｃｍ2 Ｇ
（全圧６Ｋｇ／ｃｍ2 ）程度である。
用ガス媒体の構成要素であるＫｒは、液体窒素温度にお
いて低い蒸気圧を有し、液体窒素冷却トラップにトラッ
プされる確率が高い。Ｋｒが液体窒素冷却トラップにト
ラップされると、レーザ用ガス媒体のＫｒ成分が減少す
るため、レーザ出力の長期一定保持を行なうためには、
Ｋｒを添加する必要がある。なお、ＫｒＦエキシマレー
ザの運転条件においては、ガス流量は通常５Ｎｌ／ｍｉ
ｎ程度であり、ゲージガス圧力は通常５Ｋｇ／ｃｍ2 Ｇ
（全圧６Ｋｇ／ｃｍ2 ）程度である。
【００１７】また、カルシウム、チタン等を用いたゲッ
タトラップを用いてハロゲンの分離とハロゲンの全量を
トラップする方法が提案されている。この場合は、Ｆ2
が全量トラップされるため、Ｆ2 を供給する必要があ
り、厳しい添加量制御が必要とされる。
タトラップを用いてハロゲンの分離とハロゲンの全量を
トラップする方法が提案されている。この場合は、Ｆ2
が全量トラップされるため、Ｆ2 を供給する必要があ
り、厳しい添加量制御が必要とされる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の技術によるＫｒＦエキシマレーザにおいては、長
期間一定のレーザ出力を得ることが困難であった。
従来の技術によるＫｒＦエキシマレーザにおいては、長
期間一定のレーザ出力を得ることが困難であった。
【００１９】本発明の目的は、長期間一定のレーザ出力
を得ることの容易なガスレーザ装置の運転方法、および
ガスレーザ装置を提供することである。
を得ることの容易なガスレーザ装置の運転方法、および
ガスレーザ装置を提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明のガスレーザ装置
の運転方法は、希ガスを含むレーザ用ガス媒体を循環さ
せながらレーザ発振を行なう方法であって、充填物を収
容した低温トラップにトラップ温度において凝固する凝
固ガスを予め付着、凝固させ、その後レーザ用ガス媒体
と接触させることを特徴とする。
の運転方法は、希ガスを含むレーザ用ガス媒体を循環さ
せながらレーザ発振を行なう方法であって、充填物を収
容した低温トラップにトラップ温度において凝固する凝
固ガスを予め付着、凝固させ、その後レーザ用ガス媒体
と接触させることを特徴とする。
【００２１】また、本発明のガスレーザ装置は、レーザ
用ガス媒体を収容し、レーザ発光させるためのレーザ管
と、前記レーザ管に接続されて循環通路を形成すると共
に、充填物を収容した低温トラップと、前記低温トラッ
プを所定の温度に冷却するための冷媒槽と、前記所定温
度で凝固する凝固ガスを前記低温トラップに供給する手
段とを有する。
用ガス媒体を収容し、レーザ発光させるためのレーザ管
と、前記レーザ管に接続されて循環通路を形成すると共
に、充填物を収容した低温トラップと、前記低温トラッ
プを所定の温度に冷却するための冷媒槽と、前記所定温
度で凝固する凝固ガスを前記低温トラップに供給する手
段とを有する。
【００２２】
【作用】図５に本発明の基礎となる実験結果を示す。図
５（Ａ）は、Ｈｅ中のＸｅのトラップの実験結果を示
す。液体窒素冷却トラップの出入口にグラスウールを詰
め、液体窒素で冷却し、Ｈｅ中に所定濃度のＸｅを含有
させ、この液体窒素冷却トラップを通過させたときのＸ
ｅの濃度を調べた。横軸にＸｅのトラップ入口濃度をｐ
ｐｍで示し、縦軸にトラップ出口濃度をｐｐｍで示す。
５（Ａ）は、Ｈｅ中のＸｅのトラップの実験結果を示
す。液体窒素冷却トラップの出入口にグラスウールを詰
め、液体窒素で冷却し、Ｈｅ中に所定濃度のＸｅを含有
させ、この液体窒素冷却トラップを通過させたときのＸ
ｅの濃度を調べた。横軸にＸｅのトラップ入口濃度をｐ
ｐｍで示し、縦軸にトラップ出口濃度をｐｐｍで示す。
【００２３】液体窒素冷却トラップに供給するＨｅガス
中のＸｅの濃度を変化させ、トラップ出口におけるＸｅ
の濃度をプロットしてある。Ｘｅのトラップ入口濃度が
小さい間は、トラップ出口濃度はトラップ入口濃度とほ
ぼ同じ値を示し、液体窒素冷却トラップにＸｅはほとん
どトラップされていないことを示す。しかしながら、Ｘ
ｅのトラップ入口濃度が１ｐｐｍに近づくと、トラップ
出口濃度はトラップ入口濃度よりも小さくなり、Ｘｅの
トラップ入口濃度が１ｐｐｍを越えた範囲においては、
トラップ出口濃度はほぼ０．９ｐｐｍ以下のほぼ一定な
値を示す。すなわち、グラスウールを詰めた液体窒素冷
却トラップにＸｅがトラップされていることを示してい
る。
中のＸｅの濃度を変化させ、トラップ出口におけるＸｅ
の濃度をプロットしてある。Ｘｅのトラップ入口濃度が
小さい間は、トラップ出口濃度はトラップ入口濃度とほ
ぼ同じ値を示し、液体窒素冷却トラップにＸｅはほとん
どトラップされていないことを示す。しかしながら、Ｘ
ｅのトラップ入口濃度が１ｐｐｍに近づくと、トラップ
出口濃度はトラップ入口濃度よりも小さくなり、Ｘｅの
トラップ入口濃度が１ｐｐｍを越えた範囲においては、
トラップ出口濃度はほぼ０．９ｐｐｍ以下のほぼ一定な
値を示す。すなわち、グラスウールを詰めた液体窒素冷
却トラップにＸｅがトラップされていることを示してい
る。
【００２４】ところで、図２に示すようにＫｒＦレーザ
で問題となる不純物ガスは一般にｐｐｍオーダ以上の濃
度を有する。液体窒素温度において、Ｘｅよりも小さな
蒸気圧を有するＳｉＦ4 、ＨＦ等の不純物ガスはＸｅよ
りもより完全に液体窒素冷却トラップにトラップされる
ことは明らかである。
で問題となる不純物ガスは一般にｐｐｍオーダ以上の濃
度を有する。液体窒素温度において、Ｘｅよりも小さな
蒸気圧を有するＳｉＦ4 、ＨＦ等の不純物ガスはＸｅよ
りもより完全に液体窒素冷却トラップにトラップされる
ことは明らかである。
【００２５】図５（Ｂ）は、液体窒素温度に冷却した活
性炭を用いてＨｅ中の空気を吸着させた吸着実験の結果
を示す。吸着塔内に活性炭を充填し、液体窒素温度に冷
却し、Ｈｅ中に空気を添加し、吸着塔を通過させ、吸着
塔出口におけるＮ2 およびＯ 2 濃度を測定した。Ｎ2 添
加量は約４０００ｐｐｍであり、Ｏ2 添加量は約１００
０ｐｐｍであった。吸着を開始して当初のあいだは、吸
着塔出口においてはＮ 2 濃度もＯ2 濃度も０であった
が、５２４分でＮ2 が破過し、やがてＮ2 濃度は約５０
００ｐｐｍまで上昇した。約１０００分の吸着時間の
後、Ｏ2 が破過し、吸着塔出口におけるＯ2 濃度は次第
に上昇し、約１０００ｐｐｍに近付いていった。吸着塔
出口におけるＯ2 濃度の増大と共に、吸着塔出口におけ
るＮ2 濃度は減少し、次第に約４０００ｐｐｍに近付い
ていった。
性炭を用いてＨｅ中の空気を吸着させた吸着実験の結果
を示す。吸着塔内に活性炭を充填し、液体窒素温度に冷
却し、Ｈｅ中に空気を添加し、吸着塔を通過させ、吸着
塔出口におけるＮ2 およびＯ 2 濃度を測定した。Ｎ2 添
加量は約４０００ｐｐｍであり、Ｏ2 添加量は約１００
０ｐｐｍであった。吸着を開始して当初のあいだは、吸
着塔出口においてはＮ 2 濃度もＯ2 濃度も０であった
が、５２４分でＮ2 が破過し、やがてＮ2 濃度は約５０
００ｐｐｍまで上昇した。約１０００分の吸着時間の
後、Ｏ2 が破過し、吸着塔出口におけるＯ2 濃度は次第
に上昇し、約１０００ｐｐｍに近付いていった。吸着塔
出口におけるＯ2 濃度の増大と共に、吸着塔出口におけ
るＮ2 濃度は減少し、次第に約４０００ｐｐｍに近付い
ていった。
【００２６】すなわち、液体窒素温度に冷却した吸着剤
である活性炭にはＮ2 もＯ2 も吸着するが、吸着力はＮ
2 のほうがＯ2 よりも弱く、Ｏ2 が吸着されるにしたが
って、既に吸着されていたＮ2 は離脱することが示され
ている。
である活性炭にはＮ2 もＯ2 も吸着するが、吸着力はＮ
2 のほうがＯ2 よりも弱く、Ｏ2 が吸着されるにしたが
って、既に吸着されていたＮ2 は離脱することが示され
ている。
【００２７】また、米国のローレンスリバモア国立研究
所は、高真空ポンプ内に液体ヘリウム温度（約５Ｋ）に
冷却された金属パネルを設置し、アルゴン（Ａｒ）ガス
を前もって凝固させておくと、核融合反応で生成される
不純物であるＨｅが吸着されることを報告している。す
なわち、凝固されたアルゴンガスは吸着剤として作用す
ると考えられる。
所は、高真空ポンプ内に液体ヘリウム温度（約５Ｋ）に
冷却された金属パネルを設置し、アルゴン（Ａｒ）ガス
を前もって凝固させておくと、核融合反応で生成される
不純物であるＨｅが吸着されることを報告している。す
なわち、凝固されたアルゴンガスは吸着剤として作用す
ると考えられる。
【００２８】低温トラップ内に充填物を収容し、かつ冷
壁温度で凝固する凝固ガスを予め付着凝固させると、こ
の凝固ガスは上述のように吸着剤として作用する。低温
トラップの温度で凝固される不純物ガス成分は冷壁にト
ラップされ、凝固すると同様に吸着剤として作用する。
壁温度で凝固する凝固ガスを予め付着凝固させると、こ
の凝固ガスは上述のように吸着剤として作用する。低温
トラップの温度で凝固される不純物ガス成分は冷壁にト
ラップされ、凝固すると同様に吸着剤として作用する。
【００２９】たとえば、ＫｒＦエキシマレーザの場合、
除去したい不純物の主成分はＣＦ4、ＳｉＦ4 、ＨＦで
ある。液体窒素冷却トラップを用い、トラップ面に予め
Ｘｅを凝固させておくと、液体窒素温度においてＸｅよ
りも蒸気圧の低いＳｉＦ4 およびＨＦはトラップ表面に
凝固され、液体窒素温度においてＸｅよりも蒸気圧の高
いＣＦ4 は凝固したＸｅ表面を吸着面として吸着され
る。このため、ＫｒＦエキシマレーザ用ガス媒体はＸｅ
を凝固させた液体窒素冷却トラップによって効率的に浄
化することができる。なお、ＣＦ4 に近い蒸気圧曲線を
持つＫｒもＸｅ凝固液体窒素冷却トラップ面に吸着され
るが、ＫｒのほうがＣＦ4 よりも蒸気圧が高いため、Ｋ
ｒの吸着力はＣＦ4 の吸着力よりも弱い。そのため、初
期にＫｒが吸着されても、ＣＦ4 が吸着されてくると、
ＫｒとＣＦ4 との相互作用によってＫｒの吸着されてい
る場所で吸着力の弱いＫｒが吸着力の強いＣＦ4 と置換
してＫｒが吸着剤から追い出される。このため、液体窒
素冷却トラップによるＫｒの消費は問題とならない。Ｋ
ｒＦエキシマレーザのレーザ用ガス媒体の不純物濃度
は、液体窒素冷却トラップ出口におけるＣＦ4 濃度の立
上り時間によって制限されるのみとなる。
除去したい不純物の主成分はＣＦ4、ＳｉＦ4 、ＨＦで
ある。液体窒素冷却トラップを用い、トラップ面に予め
Ｘｅを凝固させておくと、液体窒素温度においてＸｅよ
りも蒸気圧の低いＳｉＦ4 およびＨＦはトラップ表面に
凝固され、液体窒素温度においてＸｅよりも蒸気圧の高
いＣＦ4 は凝固したＸｅ表面を吸着面として吸着され
る。このため、ＫｒＦエキシマレーザ用ガス媒体はＸｅ
を凝固させた液体窒素冷却トラップによって効率的に浄
化することができる。なお、ＣＦ4 に近い蒸気圧曲線を
持つＫｒもＸｅ凝固液体窒素冷却トラップ面に吸着され
るが、ＫｒのほうがＣＦ4 よりも蒸気圧が高いため、Ｋ
ｒの吸着力はＣＦ4 の吸着力よりも弱い。そのため、初
期にＫｒが吸着されても、ＣＦ4 が吸着されてくると、
ＫｒとＣＦ4 との相互作用によってＫｒの吸着されてい
る場所で吸着力の弱いＫｒが吸着力の強いＣＦ4 と置換
してＫｒが吸着剤から追い出される。このため、液体窒
素冷却トラップによるＫｒの消費は問題とならない。Ｋ
ｒＦエキシマレーザのレーザ用ガス媒体の不純物濃度
は、液体窒素冷却トラップ出口におけるＣＦ4 濃度の立
上り時間によって制限されるのみとなる。
【００３０】さらに、Ｘｅを凝固ガスとした液体窒素冷
却トラップにおいて、吸着されているガスはＫｒとＣＦ
4 であり、他のレーザ用ガス媒体の成分は影響を受け
ず、他の不純物は液体窒素トラップ面に凝固する。凝固
した不純物ガスは、Ｘｅと同様、吸着剤として作用す
る。Ｋｒ、ＣＦ4 を吸着した液体窒素冷却トラップ面を
Ｘｅが蒸発しないぎりぎりの温度にまで昇温すると、吸
着していたＫｒとＣＦ4 は脱離されて、吸着面の再生処
理が実現できる。凝固しているＸｅおよびＣＦ4 以外の
不純物は、冷壁上に残り、吸着剤として作用し続ける。
却トラップにおいて、吸着されているガスはＫｒとＣＦ
4 であり、他のレーザ用ガス媒体の成分は影響を受け
ず、他の不純物は液体窒素トラップ面に凝固する。凝固
した不純物ガスは、Ｘｅと同様、吸着剤として作用す
る。Ｋｒ、ＣＦ4 を吸着した液体窒素冷却トラップ面を
Ｘｅが蒸発しないぎりぎりの温度にまで昇温すると、吸
着していたＫｒとＣＦ4 は脱離されて、吸着面の再生処
理が実現できる。凝固しているＸｅおよびＣＦ4 以外の
不純物は、冷壁上に残り、吸着剤として作用し続ける。
【００３１】
【実施例】図１に本発明の実施例を示す。図４に示すよ
うなＫｒＦエキシマレーザのレーザ用ガス媒体の浄化方
法およびそれに用いる装置を示す。
うなＫｒＦエキシマレーザのレーザ用ガス媒体の浄化方
法およびそれに用いる装置を示す。
【００３２】図１（Ａ）において、液体窒素冷却トラッ
プ１は、内部にグラスウール、金属性パッキング、金属
製ディクソンリング等の充填物２を充填してある。この
充填物は、所定の冷却温度で熱電動率が高い金属、たと
えばステンレス鋼、銅、アルミニウム等で形成される。
また、充填物は充填された状態でガスの凝固によって目
詰まりを起こさず、かつ通過ガスとの接触面積を高くす
るように充填される。
プ１は、内部にグラスウール、金属性パッキング、金属
製ディクソンリング等の充填物２を充填してある。この
充填物は、所定の冷却温度で熱電動率が高い金属、たと
えばステンレス鋼、銅、アルミニウム等で形成される。
また、充填物は充填された状態でガスの凝固によって目
詰まりを起こさず、かつ通過ガスとの接触面積を高くす
るように充填される。
【００３３】液体窒素冷却トラップ１上部にはガス導入
パイプ３が接続されており、液体窒素冷却トラップ１下
部にはガス導出パイプ４が接続されている。このように
充填物２を収容した液体窒素冷却トラップ１は、液体窒
素槽５中に浸漬され、その全体が液体窒素温度に冷却さ
れる。ガス導入パイプ３は、Ｘｅ供給パイプ６およびガ
ス媒体供給パイプ７に接続され、バルブ操作によって選
択的にガスを導入することができる。なお、Ｘｅ供給パ
イプ６はバルブを介してＸｅ源８に接続されている。ガ
ス媒体供給パイプ７およびガス導出パイプ４は、レーザ
管に接続される。ＫｒＦレーザ運転前の状態において、
液体窒素槽５に液体窒素を収容し、液体窒素冷却トラッ
プ１を液体窒素温度に冷却した後、Ｘｅ源８からＸｅ供
給パイプ６、ガス導入パイプ３を介して、液体窒素冷却
トラップ１内にＸｅを導入する。Ｘｅガスは液体窒素温
度に冷却された充填物２表面に凝固する。
パイプ３が接続されており、液体窒素冷却トラップ１下
部にはガス導出パイプ４が接続されている。このように
充填物２を収容した液体窒素冷却トラップ１は、液体窒
素槽５中に浸漬され、その全体が液体窒素温度に冷却さ
れる。ガス導入パイプ３は、Ｘｅ供給パイプ６およびガ
ス媒体供給パイプ７に接続され、バルブ操作によって選
択的にガスを導入することができる。なお、Ｘｅ供給パ
イプ６はバルブを介してＸｅ源８に接続されている。ガ
ス媒体供給パイプ７およびガス導出パイプ４は、レーザ
管に接続される。ＫｒＦレーザ運転前の状態において、
液体窒素槽５に液体窒素を収容し、液体窒素冷却トラッ
プ１を液体窒素温度に冷却した後、Ｘｅ源８からＸｅ供
給パイプ６、ガス導入パイプ３を介して、液体窒素冷却
トラップ１内にＸｅを導入する。Ｘｅガスは液体窒素温
度に冷却された充填物２表面に凝固する。
【００３４】このように、充填物表面に予め凝固させる
凝固ガスは、レーザガス媒体のガス純度に影響を与えな
いガスである必要がある。この点で不活性ガスは構成機
器への影響がなく有効である。たとえば、ＫｒＦレーザ
ではＸｅガスがＡｒＦレーザではＫｒガスが有効であ
る。レーザガス媒体の各成分よりも蒸気圧が低く、かつ
レーザ発振性能に影響しないガスであれば使用可能であ
る。
凝固ガスは、レーザガス媒体のガス純度に影響を与えな
いガスである必要がある。この点で不活性ガスは構成機
器への影響がなく有効である。たとえば、ＫｒＦレーザ
ではＸｅガスがＡｒＦレーザではＫｒガスが有効であ
る。レーザガス媒体の各成分よりも蒸気圧が低く、かつ
レーザ発振性能に影響しないガスであれば使用可能であ
る。
【００３５】その後、図１（Ｂ）に示すように、バルブ
によってＸｅ源８をガス導入パイプ３から切離し、レー
ザ管に接続されたガス媒体供給パイプ７をガス導入パイ
プ３に接続することにより、レーザ管からレーザ用ガス
媒体を液体窒素冷却トラップ１内に導入する。レーザ管
において放電を開始し、レーザ発振をさせつつ、レーザ
用ガス媒体を液体窒素冷却トラップ１を通して循環させ
る。液体窒素冷却トラップ１内の充填物２は、液体窒素
温度に冷却されたトラップ面を形成すると共に、Ｘｅを
凝固していることにより、吸着面としても作用する。こ
のため、液体窒素温度において低い蒸気圧を有するＳｉ
Ｆ4 およびＨＦをトラップ面に凝固すると共に、液体窒
素温度においてＸｅよりも蒸気圧の高いＣＦ4 を吸着す
る。
によってＸｅ源８をガス導入パイプ３から切離し、レー
ザ管に接続されたガス媒体供給パイプ７をガス導入パイ
プ３に接続することにより、レーザ管からレーザ用ガス
媒体を液体窒素冷却トラップ１内に導入する。レーザ管
において放電を開始し、レーザ発振をさせつつ、レーザ
用ガス媒体を液体窒素冷却トラップ１を通して循環させ
る。液体窒素冷却トラップ１内の充填物２は、液体窒素
温度に冷却されたトラップ面を形成すると共に、Ｘｅを
凝固していることにより、吸着面としても作用する。こ
のため、液体窒素温度において低い蒸気圧を有するＳｉ
Ｆ4 およびＨＦをトラップ面に凝固すると共に、液体窒
素温度においてＸｅよりも蒸気圧の高いＣＦ4 を吸着す
る。
【００３６】なお、Ｘｅより蒸気圧の低いＳｉＦ4 やＨ
Ｆ等の不純物は凝固ガス表面で完全凝固され、これら凝
固された不純物は新たな吸着剤として作用し、凝固ガス
よりも蒸気圧の高いＣＦ4 等の不純物を吸着する。この
性質は凝固ガスより蒸気圧の低いガスに一般に当てはま
る。
Ｆ等の不純物は凝固ガス表面で完全凝固され、これら凝
固された不純物は新たな吸着剤として作用し、凝固ガス
よりも蒸気圧の高いＣＦ4 等の不純物を吸着する。この
性質は凝固ガスより蒸気圧の低いガスに一般に当てはま
る。
【００３７】このようにして、レーザ用ガス媒体におけ
る不純物が除去され、レーザ用ガス媒体が浄化される。
なお、充填物２表面にはＫｒも吸着されるが、ＣＦ4 が
吸着されるにしたがってＫｒは吸着面から追出され、レ
ーザ用ガス媒体中に戻る。このようにして、液体窒素冷
却トラップ１を通過したレーザ用ガス媒体は浄化されて
レーザ管に戻るため、ＫｒＦエキシマレーザの長時間定
出力運転が可能となる。なお、ＣＦ4 に対する吸着能力
が低下した時は、液体窒素冷却トラップ１をレーザ管か
ら切離し、液体窒素冷却トラップ１の温度を凝固したＸ
ｅが蒸発しない温度にまで上昇させることにより、Ｘｅ
よりも蒸気圧の高いＫｒおよびＣＦ4 を吸着面から離脱
させることができる。このようにして、充填物２が形成
する吸着面を再生した後は、再び液体窒素冷却トラップ
１を液体窒素温度に冷却し、レーザ用ガス媒体の浄化に
用いることができる。
る不純物が除去され、レーザ用ガス媒体が浄化される。
なお、充填物２表面にはＫｒも吸着されるが、ＣＦ4 が
吸着されるにしたがってＫｒは吸着面から追出され、レ
ーザ用ガス媒体中に戻る。このようにして、液体窒素冷
却トラップ１を通過したレーザ用ガス媒体は浄化されて
レーザ管に戻るため、ＫｒＦエキシマレーザの長時間定
出力運転が可能となる。なお、ＣＦ4 に対する吸着能力
が低下した時は、液体窒素冷却トラップ１をレーザ管か
ら切離し、液体窒素冷却トラップ１の温度を凝固したＸ
ｅが蒸発しない温度にまで上昇させることにより、Ｘｅ
よりも蒸気圧の高いＫｒおよびＣＦ4 を吸着面から離脱
させることができる。このようにして、充填物２が形成
する吸着面を再生した後は、再び液体窒素冷却トラップ
１を液体窒素温度に冷却し、レーザ用ガス媒体の浄化に
用いることができる。
【００３８】図１に示すような液体窒素冷却トラップを
２個レーザ管に接続し、一方をレーザ管に接続しつつ、
他方を再生すれば、連続的に運転できる時間をさらに延
長することができる。
２個レーザ管に接続し、一方をレーザ管に接続しつつ、
他方を再生すれば、連続的に運転できる時間をさらに延
長することができる。
【００３９】なお、ＫｒＦエキシマレーザやＡｒＦエキ
シマレーザ用のレーザ用ガス媒体を浄化する場合を説明
したが、不純物ガスを含む他のガス媒体の浄化に同様の
方法を適用することが可能なことは当業者に自明であろ
う。また、低温トラップの冷壁に凝固させるガスとして
Ｘｅを用いる場合を説明したが、他の凝固ガスを用いる
こともできる。
シマレーザ用のレーザ用ガス媒体を浄化する場合を説明
したが、不純物ガスを含む他のガス媒体の浄化に同様の
方法を適用することが可能なことは当業者に自明であろ
う。また、低温トラップの冷壁に凝固させるガスとして
Ｘｅを用いる場合を説明したが、他の凝固ガスを用いる
こともできる。
【００４０】低温トラップに充填物を収容し、充填物表
面に凝固ガスを凝固させることにより、吸着面を形成す
ることによって、吸着力の強い不純物ガスおよび蒸気圧
の低い不純物ガスを除去することができる。
面に凝固ガスを凝固させることにより、吸着面を形成す
ることによって、吸着力の強い不純物ガスおよび蒸気圧
の低い不純物ガスを除去することができる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
充填物を収容した低温トラップ内に冷却温度において凝
固するガスを予め凝固させることにより、冷壁面を吸着
面として作用させることができる。このようにして、低
温トラップの温度において低い蒸気圧を有する不純物ガ
ス成分も高い蒸気圧を有する不純物ガス成分もレーザ用
ガス媒体中から除去することができる。
充填物を収容した低温トラップ内に冷却温度において凝
固するガスを予め凝固させることにより、冷壁面を吸着
面として作用させることができる。このようにして、低
温トラップの温度において低い蒸気圧を有する不純物ガ
ス成分も高い蒸気圧を有する不純物ガス成分もレーザ用
ガス媒体中から除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す。図１（Ａ）、（Ｂ）は
本発明の実施例によるレーザ用ガス媒体の浄化方法を説
明するためのレーザ用ガス媒体浄化装置の概略断面図で
ある。
本発明の実施例によるレーザ用ガス媒体の浄化方法を説
明するためのレーザ用ガス媒体浄化装置の概略断面図で
ある。
【図２】従来の技術を説明するためのグラフである。
【図３】レーザガスおよび不純物の蒸気圧曲線を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図４】図４は従来の液体窒素冷却トラップを備えたＫ
ｒＦエキシマレーザ装置を示す概略断面図である。
ｒＦエキシマレーザ装置を示す概略断面図である。
【図５】本発明の基礎となる実験結果を示すグラフであ
る。図５（Ａ）は液体窒素トラップによるＨｅ中のＸｅ
のトラップ結果を示すグラフであり、図５（Ｂ）は液体
窒素冷却吸着塔によるＨｅ中の空気成分の吸着を示すグ
ラフである。
る。図５（Ａ）は液体窒素トラップによるＨｅ中のＸｅ
のトラップ結果を示すグラフであり、図５（Ｂ）は液体
窒素冷却吸着塔によるＨｅ中の空気成分の吸着を示すグ
ラフである。
１ 液体窒素冷却トラップ ２ 充填物 ３ ガス導入パイプ ４ ガス導出パイプ ５ 液体窒素槽 ６ Ｘｅ供給パイプ ７ ガス媒体供給パイプ ８ Ｘｅ源 ５１ レーザ管 ５２ 反射鏡 ５３ ハーフミラー ５４ ガス源 ５５ 排気弁
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１１月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】ＫｒＦエキシマレーザは、金属、ガラス、
プラスチック、セラミック等で形成されたレーザ管にレ
ーザガス媒体として約９５〜９９％のＮｅ、約１〜５％
のＫｒ、約０．１〜０．５％のＦ2 の混合ガスを収容
し、両端にミラーを配置し、レーザ用ガス媒体を放電発
光させ、共振を生じさせることによって動作させる。
プラスチック、セラミック等で形成されたレーザ管にレ
ーザガス媒体として約９５〜９９％のＮｅ、約１〜５％
のＫｒ、約０．１〜０．５％のＦ2 の混合ガスを収容
し、両端にミラーを配置し、レーザ用ガス媒体を放電発
光させ、共振を生じさせることによって動作させる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】ところで、フッ素ガスは反応性が強く、特
に放電や他の励起手段によって励起されたフッ素ガスは
反応性が強いため、放電によってフッ素ガスとレーザ容
器の構成材料との反応が生じる。このため、あるレベル
の不純物がレーザガス中に発生し、これらの不純物の存
在によりＫｒＦエキシマレーザのレーザ出力は放電パル
ス回数が増大すると共に減少する。
に放電や他の励起手段によって励起されたフッ素ガスは
反応性が強いため、放電によってフッ素ガスとレーザ容
器の構成材料との反応が生じる。このため、あるレベル
の不純物がレーザガス中に発生し、これらの不純物の存
在によりＫｒＦエキシマレーザのレーザ出力は放電パル
ス回数が増大すると共に減少する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】図２（Ａ）に示すように、未だ発振を生じ
ない間はレーザ出力はほぼ０であり、発振を開始すると
急激に大きな値に達する。ところが、フッ素の欠乏と不
純物濃度の増加により、発振時間の経過と共にレーザ出
力は次第に減少する。
ない間はレーザ出力はほぼ０であり、発振を開始すると
急激に大きな値に達する。ところが、フッ素の欠乏と不
純物濃度の増加により、発振時間の経過と共にレーザ出
力は次第に減少する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】そこで、レーザ管内のガスを液体窒素トラ
ップを介して循環させ、生成したハロゲン化物および他
の不純物を除去する方法が提案されている。
ップを介して循環させ、生成したハロゲン化物および他
の不純物を除去する方法が提案されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】ところで、図４の構成において、適当な流
量を得ようとすると液体窒素冷却トラップの管径を太く
することが必要となるが、管径を太くするとガスが管壁
に接触せずに通過することが可能になる。
量を得ようとすると液体窒素冷却トラップの管径を太く
することが必要となるが、管径を太くするとガスが管壁
に接触せずに通過することが可能になる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】ところで、図３に示されるように、レーザ
用ガス媒体の構成要素であるＫｒは、液体窒素温度にお
いて低い蒸気圧を有し、液体窒素冷却トラップにトラッ
プされる確率が高い。Ｋｒが液体窒素冷却トラップにト
ラップされると、レーザ用ガス媒体のＫｒ成分が減少す
るため、レーザ出力の長期一定保持を行なうためには、
Ｋｒを添加する必要がある。なお、ＫｒＦエキシマレー
ザの運転条件においては、ガス流量は通常５Ｎｌ／ｍｉ
ｎ程度であり、ゲージガス圧力は通常２〜５Ｋｇ／ｃｍ
2 Ｇ（全圧３〜６Ｋｇ／ｃｍ2 ）の範囲である。
用ガス媒体の構成要素であるＫｒは、液体窒素温度にお
いて低い蒸気圧を有し、液体窒素冷却トラップにトラッ
プされる確率が高い。Ｋｒが液体窒素冷却トラップにト
ラップされると、レーザ用ガス媒体のＫｒ成分が減少す
るため、レーザ出力の長期一定保持を行なうためには、
Ｋｒを添加する必要がある。なお、ＫｒＦエキシマレー
ザの運転条件においては、ガス流量は通常５Ｎｌ／ｍｉ
ｎ程度であり、ゲージガス圧力は通常２〜５Ｋｇ／ｃｍ
2 Ｇ（全圧３〜６Ｋｇ／ｃｍ2 ）の範囲である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】たとえば、ＫｒＦエキシマレーザの場合、
除去したい不純物の主成分はＣＦ4、ＳｉＦ4 、ＨＦで
ある。液体窒素冷却トラップを用い、トラップ面に予め
Ｘｅを凝固させておくと、液体窒素温度においてＸｅよ
りも蒸気圧の低いＳｉＦ4 およびＨＦはトラップ表面に
凝固され、液体窒素温度においてＸｅよりも蒸気圧の高
いＣＦ4 は凝固したＸｅ表面を吸着面として吸着され
る。このため、ＫｒＦエキシマレーザ用ガス媒体はトラ
ップ温度でＸｅを凝固させることによって前処理された
吸着剤を収容する液体窒素冷却トラップを用いて効率的
に浄化することができる。なお、ＣＦ4 に近い蒸気圧曲
線を持つＫｒもＸｅ凝固液体窒素冷却トラップ面に吸着
されるが、ＫｒのほうがＣＦ4 よりも蒸気圧が高いた
め、Ｋｒの吸着力はＣＦ4 の吸着力よりも弱い。そのた
め、初期にＫｒが吸着されても、ＣＦ4 が吸着されてく
ると、ＫｒとＣＦ4 との相互作用によってＫｒの吸着さ
れている場所で吸着力の弱いＫｒが吸着力の強いＣＦ4
と置換してＫｒが吸着剤から追い出される。このため、
液体窒素冷却トラップによるＫｒの消費は問題とならな
い。ＫｒＦエキシマレーザのレーザ用ガス媒体の不純物
濃度は、液体窒素冷却トラップ出口におけるＣＦ4 濃度
の立上り時間によって制限されるのみとなる。
除去したい不純物の主成分はＣＦ4、ＳｉＦ4 、ＨＦで
ある。液体窒素冷却トラップを用い、トラップ面に予め
Ｘｅを凝固させておくと、液体窒素温度においてＸｅよ
りも蒸気圧の低いＳｉＦ4 およびＨＦはトラップ表面に
凝固され、液体窒素温度においてＸｅよりも蒸気圧の高
いＣＦ4 は凝固したＸｅ表面を吸着面として吸着され
る。このため、ＫｒＦエキシマレーザ用ガス媒体はトラ
ップ温度でＸｅを凝固させることによって前処理された
吸着剤を収容する液体窒素冷却トラップを用いて効率的
に浄化することができる。なお、ＣＦ4 に近い蒸気圧曲
線を持つＫｒもＸｅ凝固液体窒素冷却トラップ面に吸着
されるが、ＫｒのほうがＣＦ4 よりも蒸気圧が高いた
め、Ｋｒの吸着力はＣＦ4 の吸着力よりも弱い。そのた
め、初期にＫｒが吸着されても、ＣＦ4 が吸着されてく
ると、ＫｒとＣＦ4 との相互作用によってＫｒの吸着さ
れている場所で吸着力の弱いＫｒが吸着力の強いＣＦ4
と置換してＫｒが吸着剤から追い出される。このため、
液体窒素冷却トラップによるＫｒの消費は問題とならな
い。ＫｒＦエキシマレーザのレーザ用ガス媒体の不純物
濃度は、液体窒素冷却トラップ出口におけるＣＦ4 濃度
の立上り時間によって制限されるのみとなる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7454−4Ｍ Ｈ０１Ｓ 3/097 Ａ
Claims (2)
- 【請求項１】 希ガスを含むレーザ用ガス媒体を循環さ
せながらレーザ発振を行なう方法であって、 充填物を収容した低温トラップにトラップ温度において
凝固する凝固ガスを予め付着、凝固させ、その後レーザ
用ガス媒体と接触させるガスレーザ装置の運転方法。 - 【請求項２】 レーザ用ガス媒体を収容し、レーザ発光
させるためのレーザ管と、 前記レーザ管に接続されて循環通路を形成すると共に、
充填物を収容した低温トラップと、 前記低温トラップを所定の温度に冷却するための冷媒槽
と、 前記所定温度で凝固する凝固ガスを前記低温トラップに
供給する手段とを有するガスレーザ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3132913A JPH06104510A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | ガスレーザ装置およびその運転法 |
| US07/822,609 US5199267A (en) | 1991-06-04 | 1992-01-15 | Gas circulation type gas laser apparatus and method of operating the same |
| EP92101788A EP0516919B1 (en) | 1991-06-04 | 1992-02-03 | Gas circulation type gas laser apparatus and method of operating the same |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3132913A JPH06104510A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | ガスレーザ装置およびその運転法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104510A true JPH06104510A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=15092451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3132913A Withdrawn JPH06104510A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | ガスレーザ装置およびその運転法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5199267A (ja) |
| EP (1) | EP0516919B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06104510A (ja) |
| DE (1) | DE69213825T2 (ja) |
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1992
- 1992-01-15 US US07/822,609 patent/US5199267A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1992-02-03 DE DE69213825T patent/DE69213825T2/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5199267A (en) | 1993-04-06 |
| EP0516919B1 (en) | 1996-09-18 |
| DE69213825T2 (de) | 1997-02-27 |
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| EP0516919A1 (en) | 1992-12-09 |
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