JPH06104603A - 移相器 - Google Patents
移相器Info
- Publication number
- JPH06104603A JPH06104603A JP27555892A JP27555892A JPH06104603A JP H06104603 A JPH06104603 A JP H06104603A JP 27555892 A JP27555892 A JP 27555892A JP 27555892 A JP27555892 A JP 27555892A JP H06104603 A JPH06104603 A JP H06104603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- transmission lines
- phase shifter
- lines
- transmission line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 より少ない数のＦＥＴスイッチと位相量の異
なる伝送線路とで、より多くの位相の状態を実現できる
移相器を得る。 【構成】 位相量の異なる５本の伝送線路３〜７を並列
に設け、各伝送線路３〜７の両端に設けられたＦＥＴス
イッチ８〜１７を制御して上記伝送線路３〜７の内から
所定の２本を選択し、この選択された伝送線路にマイク
ロ波を通過させて所要の移相量を得るようにした。
なる伝送線路とで、より多くの位相の状態を実現できる
移相器を得る。 【構成】 位相量の異なる５本の伝送線路３〜７を並列
に設け、各伝送線路３〜７の両端に設けられたＦＥＴス
イッチ８〜１７を制御して上記伝送線路３〜７の内から
所定の２本を選択し、この選択された伝送線路にマイク
ロ波を通過させて所要の移相量を得るようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は移相器に関し、特に複
数の伝送線路を選択して所要の位相を得る移相器に関す
るものである。
数の伝送線路を選択して所要の位相を得る移相器に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の移相器を示す回路図であ
り、図において、３１は入力端子、３２は出力端子、３
３，３４，３５，３６はマイクロ波の通過する伝送線路
を制御する制御端子、３７，３８は通過位相量の異なる
伝送線路、３９，４０，４１，４２はＦＥＴスイッチで
ある。
り、図において、３１は入力端子、３２は出力端子、３
３，３４，３５，３６はマイクロ波の通過する伝送線路
を制御する制御端子、３７，３８は通過位相量の異なる
伝送線路、３９，４０，４１，４２はＦＥＴスイッチで
ある。
【０００３】次に動作について説明する。このように構
成された従来の移相器では、ＦＥＴスイッチ３９，４１
の制御端子３３，３４の電圧を０Ｖとし、ＦＥＴスイッ
チ３９，４１をオン状態にして、ＦＥＴスイッチ４０，
４２の制御端子３５，３６にピンチオフ以下の電圧、例
えば、−５Ｖを印加してＦＥＴスイッチ４０，４２をオ
フ状態にすると、入力端子３１より入力したマイクロ波
は伝送線路３７を通過する。一方、ＦＥＴスイッチ３
９，４１をオフ状態にして、ＦＥＴスイッチ４０，４２
をオン状態にすると、マイクロ波は伝送線路３８を通過
する。伝送線路３７と伝送線路３８とでは通過時の位相
量が異なるため、２つの状態間で位相差が生じる。この
ようにして位相量を制御し、マイクロ波の移相量を得て
いる。
成された従来の移相器では、ＦＥＴスイッチ３９，４１
の制御端子３３，３４の電圧を０Ｖとし、ＦＥＴスイッ
チ３９，４１をオン状態にして、ＦＥＴスイッチ４０，
４２の制御端子３５，３６にピンチオフ以下の電圧、例
えば、−５Ｖを印加してＦＥＴスイッチ４０，４２をオ
フ状態にすると、入力端子３１より入力したマイクロ波
は伝送線路３７を通過する。一方、ＦＥＴスイッチ３
９，４１をオフ状態にして、ＦＥＴスイッチ４０，４２
をオン状態にすると、マイクロ波は伝送線路３８を通過
する。伝送線路３７と伝送線路３８とでは通過時の位相
量が異なるため、２つの状態間で位相差が生じる。この
ようにして位相量を制御し、マイクロ波の移相量を得て
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の移相器は以上の
ように構成されているので、位相量の異なる伝送線路を
２つ備えた移相器では、２つの状態しかとることができ
ない。そこで、２つ以上の状態を得るために、従来の移
相器を使用した場合、例えば２つの伝送線路を有する移
相器を２個接続すれば４つの状態が得られる移相器にな
り、同様に３個の移相器では８つの状態が得られる移相
器になる。このようにして、より多くの状態を得るため
に移相器を増やしていくと、移相器２個では４つの伝送
線路と８個のＦＥＴスイッチ、また移相器３個では６つ
の伝送線路と１２個のＦＥＴスイッチというように、そ
れに伴って伝送線路とＦＥＴスイッチの数が増え、移相
器自体も大きくなり、大きな場所を占有するという問題
があった。
ように構成されているので、位相量の異なる伝送線路を
２つ備えた移相器では、２つの状態しかとることができ
ない。そこで、２つ以上の状態を得るために、従来の移
相器を使用した場合、例えば２つの伝送線路を有する移
相器を２個接続すれば４つの状態が得られる移相器にな
り、同様に３個の移相器では８つの状態が得られる移相
器になる。このようにして、より多くの状態を得るため
に移相器を増やしていくと、移相器２個では４つの伝送
線路と８個のＦＥＴスイッチ、また移相器３個では６つ
の伝送線路と１２個のＦＥＴスイッチというように、そ
れに伴って伝送線路とＦＥＴスイッチの数が増え、移相
器自体も大きくなり、大きな場所を占有するという問題
があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、伝送線路とＦＥＴスイッチの数
を少なくして、より多くの位相の状態を実現できる移相
器を提供することを目的としている。
ためになされたもので、伝送線路とＦＥＴスイッチの数
を少なくして、より多くの位相の状態を実現できる移相
器を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る移相器
は、位相の異なる伝送線路を複数本並列に設け、伝送線
路の両端に接続されたＦＥＴスイッチにより、いくつか
の伝送線路を選んで、その伝送線路にマイクロ波を通過
させて、所要の移相量を得るようにしたものである。
は、位相の異なる伝送線路を複数本並列に設け、伝送線
路の両端に接続されたＦＥＴスイッチにより、いくつか
の伝送線路を選んで、その伝送線路にマイクロ波を通過
させて、所要の移相量を得るようにしたものである。
【０００７】
【作用】この発明においては、複数本並列に設けられた
伝送線路の中から、複数の伝送線路を選択し、この伝送
線路にマイクロ波を通過させて移相量を得るようにした
から、ＦＥＴスイッチや伝送線路を増やすことなく、多
くの位相の状態を得ることができる。また、これにより
同時に回路素子の小型化をも達成できる。
伝送線路の中から、複数の伝送線路を選択し、この伝送
線路にマイクロ波を通過させて移相量を得るようにした
から、ＦＥＴスイッチや伝送線路を増やすことなく、多
くの位相の状態を得ることができる。また、これにより
同時に回路素子の小型化をも達成できる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１ 図１は本発明の一実施例による移相器の回路図であり、
図２と同一符号は同一又は相当部分を示し、１は入力端
子、２は出力端子、３〜７はそれぞれ並列に設けられた
伝送線路であり、その伝送線路長、即ち位相量をそれぞ
れθ0 ，θ0 ＋θ，θ0 ＋２θ，θ0 ＋４θ，θ0 ＋７
θとし、それぞれの特性インピーダンスを入出力の端子
につながる系の特性インピーダンスＺ0 の２倍の値、即
ち２Ｚ0に設定してある。また８〜１７はＦＥＴスイッ
チ、１８〜２７はマイクロ波の経路を制御する制御端子
である。このように、本実施例の移相器は５つの伝送線
路３〜７と１０個のＦＥＴスイッチ８〜２７を備えてい
る。
る。 実施例１ 図１は本発明の一実施例による移相器の回路図であり、
図２と同一符号は同一又は相当部分を示し、１は入力端
子、２は出力端子、３〜７はそれぞれ並列に設けられた
伝送線路であり、その伝送線路長、即ち位相量をそれぞ
れθ0 ，θ0 ＋θ，θ0 ＋２θ，θ0 ＋４θ，θ0 ＋７
θとし、それぞれの特性インピーダンスを入出力の端子
につながる系の特性インピーダンスＺ0 の２倍の値、即
ち２Ｚ0に設定してある。また８〜１７はＦＥＴスイッ
チ、１８〜２７はマイクロ波の経路を制御する制御端子
である。このように、本実施例の移相器は５つの伝送線
路３〜７と１０個のＦＥＴスイッチ８〜２７を備えてい
る。
【０００９】次に動作について説明する。例えば、ＦＥ
Ｔスイッチ８，９，１３，１４の制御端子１８，１９，
２３，２４の電圧を０Ｖとし、該ＦＥＴスイッチ８，
９，１３，１４をオン状態にし、その他のＦＥＴスイッ
チ１０〜１２，１５〜１７の制御端子２０〜２２，２５
〜２７の電圧を−５Ｖとし、該ＦＥＴスイッチ１０〜１
２，１５〜１７をオフ状態にすると、伝送線路３と伝送
線路４とが選択されて、入力端子１から入力したマイク
ロ波は位相量θ0 の伝送線路３と位相量θ0 ＋θの伝送
線路４に分かれて進み、出力端子２から出力するまえに
合成されて、ほぼθ0 ＋１／２・θの位相となって出力
される。このようにして位相量の異なる伝送線路を必要
に応じて選択して、マイクロ波の所要の移相量を得てい
る。
Ｔスイッチ８，９，１３，１４の制御端子１８，１９，
２３，２４の電圧を０Ｖとし、該ＦＥＴスイッチ８，
９，１３，１４をオン状態にし、その他のＦＥＴスイッ
チ１０〜１２，１５〜１７の制御端子２０〜２２，２５
〜２７の電圧を−５Ｖとし、該ＦＥＴスイッチ１０〜１
２，１５〜１７をオフ状態にすると、伝送線路３と伝送
線路４とが選択されて、入力端子１から入力したマイク
ロ波は位相量θ0 の伝送線路３と位相量θ0 ＋θの伝送
線路４に分かれて進み、出力端子２から出力するまえに
合成されて、ほぼθ0 ＋１／２・θの位相となって出力
される。このようにして位相量の異なる伝送線路を必要
に応じて選択して、マイクロ波の所要の移相量を得てい
る。
【００１０】５つの線路３〜７のうちから、任意の２つ
の伝送線路を選ぶ方法は、それぞれ伝送線路３と４，３
と５，３と６，３と７，４と５，４と６，４と７，５と
６，５と７，６と７の１０通り有り、その時の位相量は
それぞれほぼθ0 ＋１／２θ，θ0 ＋θ，θ0 ＋２θ，
θ0 ＋３．５θ，θ0 ＋１．５θ，θ0 ＋２．５θ，θ
0 ＋４θ，θ0 ＋３θ，θ0 ＋４．５θ，θ0 ＋５．５
θとなり、１０通りの位相の状態を持つ移相器が得られ
る。
の伝送線路を選ぶ方法は、それぞれ伝送線路３と４，３
と５，３と６，３と７，４と５，４と６，４と７，５と
６，５と７，６と７の１０通り有り、その時の位相量は
それぞれほぼθ0 ＋１／２θ，θ0 ＋θ，θ0 ＋２θ，
θ0 ＋３．５θ，θ0 ＋１．５θ，θ0 ＋２．５θ，θ
0 ＋４θ，θ0 ＋３θ，θ0 ＋４．５θ，θ0 ＋５．５
θとなり、１０通りの位相の状態を持つ移相器が得られ
る。
【００１１】このように５つの伝送線路と１０個のＦＥ
Ｔスイッチを備えた移相器は、２つの伝送線路を選択し
た場合には１０通りの状態が得られ、伝送線路６つとＦ
ＥＴスイッチ１２個を備えて８つの状態が得られる従来
の移相器と比較すれば、伝送線路は１つ、ＦＥＴスイッ
チは２個少なくした上で、得られる位相の状態として
は、少なくとも２つは多いものを得ることができる。
Ｔスイッチを備えた移相器は、２つの伝送線路を選択し
た場合には１０通りの状態が得られ、伝送線路６つとＦ
ＥＴスイッチ１２個を備えて８つの状態が得られる従来
の移相器と比較すれば、伝送線路は１つ、ＦＥＴスイッ
チは２個少なくした上で、得られる位相の状態として
は、少なくとも２つは多いものを得ることができる。
【００１２】上記の説明では、２つの伝送線路を選択し
た場合について述べたが、その他、いくつの伝送線路を
選択するかによって、いろいろな組み合わせがあり、こ
の組み合わせの数と同数の位相の状態が得られることに
なる。すなわち、ｎ本の伝送線路の中から、ｍ本を選ぶ
選び方はｎＣｍ通り有るので、得られる位相の状態もｎ
Ｃｍ通りになる。
た場合について述べたが、その他、いくつの伝送線路を
選択するかによって、いろいろな組み合わせがあり、こ
の組み合わせの数と同数の位相の状態が得られることに
なる。すなわち、ｎ本の伝送線路の中から、ｍ本を選ぶ
選び方はｎＣｍ通り有るので、得られる位相の状態もｎ
Ｃｍ通りになる。
【００１３】このように本実施例によれば、位相の異な
る伝送線路を複数並列に設け、これらの伝送線路より複
数本を選んで、その伝送線路にマイクロ波を通過させる
ようにしたので、伝送線路やＦＥＴスイッチの数を増や
すことなく、より多くの位相の状態を得ることができ
る。
る伝送線路を複数並列に設け、これらの伝送線路より複
数本を選んで、その伝送線路にマイクロ波を通過させる
ようにしたので、伝送線路やＦＥＴスイッチの数を増や
すことなく、より多くの位相の状態を得ることができ
る。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る移相器に
よれば、位相の異なる伝送線路を複数本並列に設けて、
伝送線路の両端に接続されたＦＥＴスイッチにより、こ
の伝送線路の中から複数選択して、この選択された伝送
線路にマイクロ波を通過させて所要の移相量を得るよう
にしたので、少ない数のＦＥＴスイッチと伝送線路と
で、より多くの位相の状態が得られ、同時に回路素子の
小型化が図られるという効果がある。
よれば、位相の異なる伝送線路を複数本並列に設けて、
伝送線路の両端に接続されたＦＥＴスイッチにより、こ
の伝送線路の中から複数選択して、この選択された伝送
線路にマイクロ波を通過させて所要の移相量を得るよう
にしたので、少ない数のＦＥＴスイッチと伝送線路と
で、より多くの位相の状態が得られ、同時に回路素子の
小型化が図られるという効果がある。
【図１】この発明の一実施例による移相器を示す回路
図。
図。
【図２】従来の移相器を示す回路図。
１ 入力端子 ２ 出力端子 ３〜 ７ 伝送線路 ８〜１７ ＦＥＴスイッチ １８〜２７ 制御端子 ３１ 入力端子 ３２ 出力端子 ３３〜３６ 制御端子 ３７ 伝送線路 ３８ 伝送線路 ３９〜４２ ＦＥＴスイッチ
Claims (2)
- 【請求項１】 マイクロ波の位相を調節する移相器にお
いて、 複数並列に装荷される位相量の異なる伝送線路と、 上記複数の線路のうち所定のものを相互に並列接続され
るように選択する複数のスイッチ手段とを備え、 選択された上記複数の線路に上記マイクロ波を通過させ
て所要の移相量を得ることを特徴とする移相器。 - 【請求項２】 請求項１記載の移相器において、 上記各スイッチ手段は、上記各伝送線路の両端の各々に
挿入された一対のＦＥＴスイッチからなることを特徴と
する移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27555892A JPH06104603A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27555892A JPH06104603A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 移相器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104603A true JPH06104603A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17557127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27555892A Pending JPH06104603A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104603A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012502569A (ja) * | 2008-09-09 | 2012-01-26 | アルカテル−ルーセント | Ｒｆフィードバックを使用する電力増幅器線形化 |
| CN110233316A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-09-13 | 电子科技大学 | 一种改进开关线型移相器 |
| US20200118781A1 (en) * | 2018-10-12 | 2020-04-16 | Analog Devices International Unlimited Company | Miniature slow-wave transmission line with asymmetrical ground and associated phase shifter systems |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP27555892A patent/JPH06104603A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012502569A (ja) * | 2008-09-09 | 2012-01-26 | アルカテル−ルーセント | Ｒｆフィードバックを使用する電力増幅器線形化 |
| US20200118781A1 (en) * | 2018-10-12 | 2020-04-16 | Analog Devices International Unlimited Company | Miniature slow-wave transmission line with asymmetrical ground and associated phase shifter systems |
| US11075050B2 (en) * | 2018-10-12 | 2021-07-27 | Analog Devices International Unlimited Company | Miniature slow-wave transmission line with asymmetrical ground and associated phase shifter systems |
| CN110233316A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-09-13 | 电子科技大学 | 一种改进开关线型移相器 |
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