JPH0610853B2 - 炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法 - Google Patents
炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法Info
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- JPH0610853B2 JPH0610853B2 JP63013080A JP1308088A JPH0610853B2 JP H0610853 B2 JPH0610853 B2 JP H0610853B2 JP 63013080 A JP63013080 A JP 63013080A JP 1308088 A JP1308088 A JP 1308088A JP H0610853 B2 JPH0610853 B2 JP H0610853B2
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- Japan
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- tape
- shaped carrier
- film
- roll
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- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 「発明の利用分野」 本発明は光学的バンド巾が１.０ｅＶ以上特に１.５〜
５.５ｅＶを有する炭素または炭素を主成分とする被膜
を磁気部品または磁気ヘッド用部材上特にそのスライダ
部（磁気テープ、磁気ディスク等こすれあう部分）にコ
ーティングすることにより、これら磁気用部材の補強
材、また機械ストレスに対する耐摩耗保護材として得ん
とする複合体に関する。
５.５ｅＶを有する炭素または炭素を主成分とする被膜
を磁気部品または磁気ヘッド用部材上特にそのスライダ
部（磁気テープ、磁気ディスク等こすれあう部分）にコ
ーティングすることにより、これら磁気用部材の補強
材、また機械ストレスに対する耐摩耗保護材として得ん
とする複合体に関する。
「従来技術」 炭素膜のコーティングに関しては、本発明人の出願にな
る特許願『炭素被膜を有する複合体およびその作製方
法』（特願昭56−146936昭和56年９月17日出願）が知ら
れている。しかし、これらは単にその作製方法を一般的
に記載したものであり、その形成温度を200℃以下、好
ましくは＋150〜−100℃と実質的に冷却とし、かつ、被
形成面であるフェライト、パーマロイ、希土類等の磁性
体のスライダ部にコーティングする例はまったく述べら
れていない。
る特許願『炭素被膜を有する複合体およびその作製方
法』（特願昭56−146936昭和56年９月17日出願）が知ら
れている。しかし、これらは単にその作製方法を一般的
に記載したものであり、その形成温度を200℃以下、好
ましくは＋150〜−100℃と実質的に冷却とし、かつ、被
形成面であるフェライト、パーマロイ、希土類等の磁性
体のスライダ部にコーティングする例はまったく述べら
れていない。
「従来の問題点」 従来例において、炭素膜は200〜1000℃と高温でしか得
られないとされており、炭素膜が条件によっては、室温
（プラズマにより150℃程度まで表面が昇温する）また
はそれ以下の温度での作製方法でも十分な硬度を有せし
め得ることの記載はまったくない。
られないとされており、炭素膜が条件によっては、室温
（プラズマにより150℃程度まで表面が昇温する）また
はそれ以下の温度での作製方法でも十分な硬度を有せし
め得ることの記載はまったくない。
「問題を解決すべき手段」 本発明は、磁気ヘッド用部材上、特に磁気テープ、磁気
ディスクとこすれる部分であるスライダ部上に炭素また
は炭素を主成分とする被膜をコーティングし、その表面
での耐摩耗性等の機械的強度を補強しようというもので
ある。特にエチレン、メタンのような炭化水素気体を直
流または高周波、特に基体側に正の直流バイヤスを加え
た高周波電界によりプラズマを発生させた雰囲気中に導
入して分解せしめることにより、Ｃ−Ｃ結合を作り、結
果としてグラファイトのような非透光性の導電性または
不良導電性の炭素を作るのではなく、作製条件により求
められた光学的エネルギバンド巾（Ｅｇという）が１.
０ｅＶ以上、好ましくは１.５〜５.５ｅＶを有するダイ
ヤモンドに類似の絶縁性の炭素を形成することを特徴と
している。さらにこの本発明の炭素は、その硬度もビッ
カース硬度が2000Kg／mm2以上、好ましくは4500Kg／mm2
以上、理想的には6500Kg／mm2というダイヤモンド類似
の硬さを有するアモルファス（非晶質）または５〜200
Åの大きさの微結晶性を有するセミアモルファス（半非
晶質）構造を有する炭素またはこの炭素中に水素、ハロ
ゲン元素が25原子％以下またはIII価またはＶ価の不純
物が５原子％以下、また窒素がN/C≦０.05の濃度に添加
されたいわゆる炭素を主成分とする炭素（以下本発明に
おいては単に炭素という）を基板上に設けた複合体を設
けんとしたものである。
ディスクとこすれる部分であるスライダ部上に炭素また
は炭素を主成分とする被膜をコーティングし、その表面
での耐摩耗性等の機械的強度を補強しようというもので
ある。特にエチレン、メタンのような炭化水素気体を直
流または高周波、特に基体側に正の直流バイヤスを加え
た高周波電界によりプラズマを発生させた雰囲気中に導
入して分解せしめることにより、Ｃ−Ｃ結合を作り、結
果としてグラファイトのような非透光性の導電性または
不良導電性の炭素を作るのではなく、作製条件により求
められた光学的エネルギバンド巾（Ｅｇという）が１.
０ｅＶ以上、好ましくは１.５〜５.５ｅＶを有するダイ
ヤモンドに類似の絶縁性の炭素を形成することを特徴と
している。さらにこの本発明の炭素は、その硬度もビッ
カース硬度が2000Kg／mm2以上、好ましくは4500Kg／mm2
以上、理想的には6500Kg／mm2というダイヤモンド類似
の硬さを有するアモルファス（非晶質）または５〜200
Åの大きさの微結晶性を有するセミアモルファス（半非
晶質）構造を有する炭素またはこの炭素中に水素、ハロ
ゲン元素が25原子％以下またはIII価またはＶ価の不純
物が５原子％以下、また窒素がN/C≦０.05の濃度に添加
されたいわゆる炭素を主成分とする炭素（以下本発明に
おいては単に炭素という）を基板上に設けた複合体を設
けんとしたものである。
本発明は、さらにこの炭素が形成される基板を200℃以
下好ましくは−100〜150℃の従来より知られたCVD法に
比べて500〜1500℃も低い温度で形成せしめ、下地の磁
性材料の特性を劣化させることなく、また下地材料との
界面でおこる反応を防止しつつコーティングが可能であ
ることを実験的に見出したことを他の特徴とする。
下好ましくは−100〜150℃の従来より知られたCVD法に
比べて500〜1500℃も低い温度で形成せしめ、下地の磁
性材料の特性を劣化させることなく、また下地材料との
界面でおこる反応を防止しつつコーティングが可能であ
ることを実験的に見出したことを他の特徴とする。
また本発明は、この炭素にIII価の不純物であるホウ素
を０.１〜５原子％の濃度に添加し、Ｐ型の炭素を設
け、またＶ価の不純物であるリン、窒素を同様に０.１
〜５原子％の濃度に添加し、Ｎ型の炭素を設けることに
よりこの基板上面の炭素を導電性にしたことを他の特徴
としている。
を０.１〜５原子％の濃度に添加し、Ｐ型の炭素を設
け、またＶ価の不純物であるリン、窒素を同様に０.１
〜５原子％の濃度に添加し、Ｎ型の炭素を設けることに
よりこの基板上面の炭素を導電性にしたことを他の特徴
としている。
また本発明は、基体特にフェライト、パーマロイ、希土
類、アモルファス成分等の磁性材料を有する磁気ヘッド
用部材のスライダ部の上表面にダイヤモンド結合を有す
る炭素膜を形成して、これを多量に製造するため、テー
プ状キャリアを用いてロール・ツー・ロール（ｒｏｌｌ
ｔｏ ｒｏｌｌ以下ＲＴＲという）方式で作製せんと
するものである。
類、アモルファス成分等の磁性材料を有する磁気ヘッド
用部材のスライダ部の上表面にダイヤモンド結合を有す
る炭素膜を形成して、これを多量に製造するため、テー
プ状キャリアを用いてロール・ツー・ロール（ｒｏｌｌ
ｔｏ ｒｏｌｌ以下ＲＴＲという）方式で作製せんと
するものである。
以下に図面に従って本発明に用いられた複合体の作製方
法を記す。
法を記す。
実施例１ 第１図本発明の炭素または炭素を主成分とする被膜を形
成するためのＲＴＲ方式のプラズマCVD装置の概要を示
す。
成するためのＲＴＲ方式のプラズマCVD装置の概要を示
す。
図面において、ドーピング系(10)において、キャリアガ
スである水素を(11)より、反応性気体である炭化水素気
体例えばメタン、エチレンを(12)より、III価不純物の
ジボラン（水素希釈）(13)，Ｖ価不純物のアンモニアま
たはフォスヒンを(14)よりバルブ(28)、流量計(29)をへ
て反応系(30)中にノズル(25)より導入される。このノズ
ルに至る前に、反応性気体の励起用にマイクロ波エネル
ギを(26)で加えて予め活性化させることは有効である。
スである水素を(11)より、反応性気体である炭化水素気
体例えばメタン、エチレンを(12)より、III価不純物の
ジボラン（水素希釈）(13)，Ｖ価不純物のアンモニアま
たはフォスヒンを(14)よりバルブ(28)、流量計(29)をへ
て反応系(30)中にノズル(25)より導入される。このノズ
ルに至る前に、反応性気体の励起用にマイクロ波エネル
ギを(26)で加えて予め活性化させることは有効である。
反応系(30)では、第１のロール(4)より第２のロール(5)
に補助ロール(6)，(7)を経て移動する。
に補助ロール(6)，(7)を経て移動する。
この補助ロール(7)はテープ状キャリアにたるみがこな
いように一定の張力（テンション）を与えるべく、バネ
(27)を具備する。補助ロール間には、第１の電極(2)，
被形成面を具備するテープ状キャリア(1)，第２の電極
(3)を有し、一対の電極(2)，(3)間には高周波電極(1
5)、マッチングトランス(16)，直流バイヤス電源(17)よ
り電気エネルギが加えられ、プラズマ(40)が発生する。
排気系(20)は圧力調整バルブ(25)，ターボ分子ポンプ(2
2)，ロータリーポンプ(23)をへて不要気体を排気する。
いように一定の張力（テンション）を与えるべく、バネ
(27)を具備する。補助ロール間には、第１の電極(2)，
被形成面を具備するテープ状キャリア(1)，第２の電極
(3)を有し、一対の電極(2)，(3)間には高周波電極(1
5)、マッチングトランス(16)，直流バイヤス電源(17)よ
り電気エネルギが加えられ、プラズマ(40)が発生する。
排気系(20)は圧力調整バルブ(25)，ターボ分子ポンプ(2
2)，ロータリーポンプ(23)をへて不要気体を排気する。
これらの反応性気体は、反応空間(40)で０.01〜０.３ｔ
ｏｒｒ例えば０.１ｔｏｒｒとし、高周波による電磁エ
ネルギにより０.１〜５KWのエネルギを加えられる。直
流バイヤスは、−200〜600Ｖ（実質的には−400〜＋400
Ｖ）を加える。なぜなら、直流バイヤスが零のときは自
己バイヤスが−200Ｖ（第２の電極を接地レベルとし
て）を有しているためである。反応性気体は、水素で一
部を希釈した。例えばメタンまたはエチレン：水素＝1:
1とした。第１の電極冷却手段(9)を有し、冷却液体を
(8)より入れ、(8′)に排出させ、被形成面上の温度を15
0〜−100℃に保持させる。かくしてプラズマにより被形
成面上ビッカーズ硬度2000Kg／mm2以上を有するととも
に、熱伝導度２.５Ｗ／cm ｄｅｇ以上のC-C結合を多数
形成したアモルファス構造または微結晶構造を有するア
モルファス構造の炭素を生成させた。さらにこの電磁エ
ネルギは50Ｗ〜１KWを供給し、単位面積あたり0.03〜3W
/cm2のプラズマエネルギを加えた。このプラズマ密度が
大きい場合、また予めマイクロ波で反応性気体が励起さ
れている場合は、５〜200Åの大きさの微結晶性を有す
るセミアモルファス構造の炭素を生成させることができ
た。成膜速度は100〜1000Ａ／分を有し、特に表面温度
を−50〜150℃とし、直流バイアスを＋100〜300Ｖ加え
た場合、その成膜速度は100〜200Ａ／分（メタンを用い
マイクロ波を用いない場合）、500〜1000Ａ／分（メタ
ンを用いマイクロ波を用いた場合、またはエチレンを用
いマイクロ波を用いた場合）を得た。
ｏｒｒ例えば０.１ｔｏｒｒとし、高周波による電磁エ
ネルギにより０.１〜５KWのエネルギを加えられる。直
流バイヤスは、−200〜600Ｖ（実質的には−400〜＋400
Ｖ）を加える。なぜなら、直流バイヤスが零のときは自
己バイヤスが−200Ｖ（第２の電極を接地レベルとし
て）を有しているためである。反応性気体は、水素で一
部を希釈した。例えばメタンまたはエチレン：水素＝1:
1とした。第１の電極冷却手段(9)を有し、冷却液体を
(8)より入れ、(8′)に排出させ、被形成面上の温度を15
0〜−100℃に保持させる。かくしてプラズマにより被形
成面上ビッカーズ硬度2000Kg／mm2以上を有するととも
に、熱伝導度２.５Ｗ／cm ｄｅｇ以上のC-C結合を多数
形成したアモルファス構造または微結晶構造を有するア
モルファス構造の炭素を生成させた。さらにこの電磁エ
ネルギは50Ｗ〜１KWを供給し、単位面積あたり0.03〜3W
/cm2のプラズマエネルギを加えた。このプラズマ密度が
大きい場合、また予めマイクロ波で反応性気体が励起さ
れている場合は、５〜200Åの大きさの微結晶性を有す
るセミアモルファス構造の炭素を生成させることができ
た。成膜速度は100〜1000Ａ／分を有し、特に表面温度
を−50〜150℃とし、直流バイアスを＋100〜300Ｖ加え
た場合、その成膜速度は100〜200Ａ／分（メタンを用い
マイクロ波を用いない場合）、500〜1000Ａ／分（メタ
ンを用いマイクロ波を用いた場合、またはエチレンを用
いマイクロ波を用いた場合）を得た。
これらはすべてビッカーズ硬度が2000Kg／mm2以上を有
する条件のみを良品とする。もちろんグラファイトが主
成分ならばきわめて柔らかく、かつ黒色で本発明とはま
ったく異質なものである。
する条件のみを良品とする。もちろんグラファイトが主
成分ならばきわめて柔らかく、かつ黒色で本発明とはま
ったく異質なものである。
この反応生成物気体は磁気ヘッド用部材(1)が冷却媒体
(9)により冷却され、この上面に被膜として形成され
る。反応後の不純物は排気系(20)よりターボ分子ポン
プ、ロータリーポンプを経て排気される。反応系は0.00
1〜10ｔｏｒｒ代表的には0.01〜０.５ｔｏｒｒに保持さ
れており、マイクロ波(26)、高周波のエネルギ(15)によ
り反応系内はプラズマ状態(40)が生成される。特に励起
源が１GHz以上、例えば2.45GHzの周波数にあっては、Ｃ
−Ｈ結合より水素を分離し、さらに周波源が０.１〜50M
Hz例えば13.56MHzの周波数にあってはＣ−Ｃ結合、Ｃ＝
Ｃ結合を分解し、−Ｃ−Ｃ−結合を作り、炭素の不対結
合手同志を互いに衡突させて共有結合（ダイヤモンド結
合）させ、安定なダイヤモンド構造を局部的に有した構
造とさせ得る。
(9)により冷却され、この上面に被膜として形成され
る。反応後の不純物は排気系(20)よりターボ分子ポン
プ、ロータリーポンプを経て排気される。反応系は0.00
1〜10ｔｏｒｒ代表的には0.01〜０.５ｔｏｒｒに保持さ
れており、マイクロ波(26)、高周波のエネルギ(15)によ
り反応系内はプラズマ状態(40)が生成される。特に励起
源が１GHz以上、例えば2.45GHzの周波数にあっては、Ｃ
−Ｈ結合より水素を分離し、さらに周波源が０.１〜50M
Hz例えば13.56MHzの周波数にあってはＣ−Ｃ結合、Ｃ＝
Ｃ結合を分解し、−Ｃ−Ｃ−結合を作り、炭素の不対結
合手同志を互いに衡突させて共有結合（ダイヤモンド結
合）させ、安定なダイヤモンド構造を局部的に有した構
造とさせ得る。
かくして磁気ヘッドの磁性体および金属または磁気ヘッ
ド用部材のスライダ部の磁性体上に炭素特に炭素中に水
素を25モル％以下含有する炭素またＰ、ＩまたはＮ型の
導電型を有する炭素を主成分とする被膜を形成させるこ
とができた。
ド用部材のスライダ部の磁性体上に炭素特に炭素中に水
素を25モル％以下含有する炭素またＰ、ＩまたはＮ型の
導電型を有する炭素を主成分とする被膜を形成させるこ
とができた。
「実施例２」 第２図(A)，(B-1)，(B-2)は実施例１の作製方法によっ
て得られた炭素を用いた磁気ヘッドまたはそれ用部材の
例である。即ちテープまたはテープ状キャリア上に磁気
ヘッド用部材がテープ状に配設されている。これを第１
図のＲＴＲ方式にてこの上面に炭素(50)を0.03〜３μｍ
好ましくは０.１〜０.５μｍの厚さに設けたものであ
る。さらにこれらの炭素膜(50)をコートした後、これら
磁気ヘッド用部材(41)をテープ状キャリアよりとりはず
した。この磁気ヘッド等の一部または磁気テープ、磁気
ディスク、等の他の異種材料がその表面をこすって走行
するスライダ部の部材の耐摩耗性の向上にきわめて有効
である。特にこの炭素膜は熱伝導率が２.５Ｗ／cmｄｅ
ｇ以上、代表的には４.０〜６.０Ｗ／cmｄｅｇとダイヤ
モンドの６.０Ｗ／cmｄｅｇに近いため、高速テープ状
キャリア走行により発生する熱を全体に均一に逃がし、
局部的な昇温およびそれに伴う磁気ヘッドの特性劣化を
防ぐことができるため、耐摩耗性、高熱伝導性、炭素膜
特有の高平滑性等、多くの特性を併用して有効に用いて
いる。
て得られた炭素を用いた磁気ヘッドまたはそれ用部材の
例である。即ちテープまたはテープ状キャリア上に磁気
ヘッド用部材がテープ状に配設されている。これを第１
図のＲＴＲ方式にてこの上面に炭素(50)を0.03〜３μｍ
好ましくは０.１〜０.５μｍの厚さに設けたものであ
る。さらにこれらの炭素膜(50)をコートした後、これら
磁気ヘッド用部材(41)をテープ状キャリアよりとりはず
した。この磁気ヘッド等の一部または磁気テープ、磁気
ディスク、等の他の異種材料がその表面をこすって走行
するスライダ部の部材の耐摩耗性の向上にきわめて有効
である。特にこの炭素膜は熱伝導率が２.５Ｗ／cmｄｅ
ｇ以上、代表的には４.０〜６.０Ｗ／cmｄｅｇとダイヤ
モンドの６.０Ｗ／cmｄｅｇに近いため、高速テープ状
キャリア走行により発生する熱を全体に均一に逃がし、
局部的な昇温およびそれに伴う磁気ヘッドの特性劣化を
防ぐことができるため、耐摩耗性、高熱伝導性、炭素膜
特有の高平滑性等、多くの特性を併用して有効に用いて
いる。
「実施例３」 第２図(A)の場合、テープ用の書き込み、読み取りまた
は該ヘッドの一例である。
は該ヘッドの一例である。
この磁気ヘッド(41)のMn−Znフェライトを用いた磁性体
(43)におけるスライダ部(42)上に炭素または炭素を主成
分とする被膜(50)を０.１〜０.５μｍの厚さにコーティ
ングした。するとコーティングをしない場合に比べてそ
の寿命は５倍にも向上させることができた。この図面は
1/2インチVTR用磁気ヘッドの図面の例を示す。
(43)におけるスライダ部(42)上に炭素または炭素を主成
分とする被膜(50)を０.１〜０.５μｍの厚さにコーティ
ングした。するとコーティングをしない場合に比べてそ
の寿命は５倍にも向上させることができた。この図面は
1/2インチVTR用磁気ヘッドの図面の例を示す。
特にこの炭素膜をコートしない場合のスライダ部のビッ
カース硬度は800Kg/mm2しかないため、これを2000Kg/mm
2以上に向上させ得るとともに、表面でのテープ等のす
べりを良好にし得るための効果は著しい。
カース硬度は800Kg/mm2しかないため、これを2000Kg/mm
2以上に向上させ得るとともに、表面でのテープ等のす
べりを良好にし得るための効果は著しい。
「実施例４」 第２図(B-1)，(B-2)は薄膜磁気ヘッドの一例を示す。第
２図(B-1)は正面図、(B-2)は側面図を示す。この磁気ヘ
ッドはトラック巾25μｍ、スライダ部のギャップ長０.
６μｍ、浮上量０.μｍ、インダクタンス100mH以下（1M
Hz），出力電圧０.３ｍＶ以上（(1MHz)を有する。この
磁性材料(43)のスライダ部(42)上に炭素または炭素を主
成分とする部分(50)を0.05〜０.３μｍの厚さに形成し
た。するとこの薄膜ヘッドの耐摩耗性を３倍以上に伸ば
すことができた。
２図(B-1)は正面図、(B-2)は側面図を示す。この磁気ヘ
ッドはトラック巾25μｍ、スライダ部のギャップ長０.
６μｍ、浮上量０.μｍ、インダクタンス100mH以下（1M
Hz），出力電圧０.３ｍＶ以上（(1MHz)を有する。この
磁性材料(43)のスライダ部(42)上に炭素または炭素を主
成分とする部分(50)を0.05〜０.３μｍの厚さに形成し
た。するとこの薄膜ヘッドの耐摩耗性を３倍以上に伸ば
すことができた。
「効果」 以上の説明より明らかな如く、本発明は有機樹脂または
それにガラス、磁性体、金属またはセラミックを形成
し、それらの磁気ヘッド用部材または磁気ヘッド全体の
表面に炭素または炭素を主成分とした被膜をコーティン
グして設けたものである。この複合体は他の多くの実施
例にみられる如く、すべりを助長でき、加えて耐摩耗性
の向上ができるため、その工業的価値は計り知れないも
のである。特にこの炭素が150℃以下の低温で形成でき
るに対し、その硬度また基板に対する密着性がきわめて
優れているのが特徴である。
それにガラス、磁性体、金属またはセラミックを形成
し、それらの磁気ヘッド用部材または磁気ヘッド全体の
表面に炭素または炭素を主成分とした被膜をコーティン
グして設けたものである。この複合体は他の多くの実施
例にみられる如く、すべりを助長でき、加えて耐摩耗性
の向上ができるため、その工業的価値は計り知れないも
のである。特にこの炭素が150℃以下の低温で形成でき
るに対し、その硬度また基板に対する密着性がきわめて
優れているのが特徴である。
また磁性体はサマリューム、コバルト等の希土類磁石、
アモルファス磁性体、酸化鉄またははこれにニッケル、
クロム等がコートされた形状異方形の磁性体またはフェ
ライト磁性体であってもよい。
アモルファス磁性体、酸化鉄またははこれにニッケル、
クロム等がコートされた形状異方形の磁性体またはフェ
ライト磁性体であってもよい。
第１図は本発明の炭素または炭素を主成分とする被膜を
被形成面上に作製するロール・ツー・ロール方式の製造
装置の概要を示す。 第２図(A)，(B-1)，(B-2)は本発明の複合体の実施例を
示す。
被形成面上に作製するロール・ツー・ロール方式の製造
装置の概要を示す。 第２図(A)，(B-1)，(B-2)は本発明の複合体の実施例を
示す。
Claims (1)
- 【請求項１】テープ状キャリア表面上にスライダ部を有
する磁性部材を仮付けまたは配設する工程と、これら部
材とテープ状キャリアとを第１のロールより第２のロー
ルに移動させつつ前記ロール間でテープ状キャリアの裏
側に配設された第１の電極と、この電極に対向して前記
テープ状キャリアの表面側に配設された第２の電極との
間に直流または高周波電圧を印加して、プラズマを発生
せしめ、炭化水素化物気体、またはこれに加えて添加物
気体とを分解反応せしめて、前記スライダ部上に炭素膜
またはホウ素、リンまたは窒素の添加物の添加された炭
素どうしの共有結合を有する炭素を主成分とする膜を形
成する工程と、この後前記部材を前記テープ状キャリア
より離脱させる工程とを有することを特徴とする炭素膜
がコートされた磁気部材の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013080A JPH0610853B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013080A JPH0610853B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5167501A Division JPH0782959B2 (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189019A JPH01189019A (ja) | 1989-07-28 |
| JPH0610853B2 true JPH0610853B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=11823188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63013080A Expired - Lifetime JPH0610853B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610853B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69117323T2 (de) | 1990-04-16 | 1996-07-11 | Hitachi Ltd | Dünnfilm-Magnetkopf mit schmaler Spurbreite und dessen Herstellungsverfahren |
| US5637373A (en) | 1992-11-19 | 1997-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US6805941B1 (en) | 1992-11-19 | 2004-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0637704B2 (ja) * | 1984-12-06 | 1994-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 高硬度炭素膜形成方法 |
| JPH0624046B2 (ja) * | 1985-03-25 | 1994-03-30 | 花王株式会社 | 記録媒体の摺接部品の製造方法 |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP63013080A patent/JPH0610853B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01189019A (ja) | 1989-07-28 |
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