JPH01189019A - 炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法 - Google Patents
炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法Info
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- JPH01189019A JPH01189019A JP1308088A JP1308088A JPH01189019A JP H01189019 A JPH01189019 A JP H01189019A JP 1308088 A JP1308088 A JP 1308088A JP 1308088 A JP1308088 A JP 1308088A JP H01189019 A JPH01189019 A JP H01189019A
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Landscapes
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
本発明は光学的バンド巾が1 、 OeV以上特に1.
5〜5 、5eVを有する炭素または炭素を主成分とす
る被膜を磁気ヘッドまたは磁気ヘッド用部材上°特にそ
のスライダ部(磁気テープ、磁気ディスク等こすれあう
部分)にコーティングすることにより、これら磁気ヘッ
ド用部材の補強材、また機械ストレスに対する耐摩耗保
護材として得んとする複合体に関する。
5〜5 、5eVを有する炭素または炭素を主成分とす
る被膜を磁気ヘッドまたは磁気ヘッド用部材上°特にそ
のスライダ部(磁気テープ、磁気ディスク等こすれあう
部分)にコーティングすることにより、これら磁気ヘッ
ド用部材の補強材、また機械ストレスに対する耐摩耗保
護材として得んとする複合体に関する。
「従来技術」
炭素膜のコーティングに関しては、本発明人の出願にな
る特許願「炭素被膜を有する複合体およびその作製方法
J (特願昭56−146936 昭和56年9月1
7日出願)が知られている。しかし、これらは単にその
作製方法を一般的に記載したものであり、その形成温度
を200°C以下、好ましくは+150〜−100°C
と実質的に冷却とし、かつ、被形成面であるフェライト
、パーマロイ、希土類等の磁性体の磁気ヘッドのスライ
ダ部にコーティングする例はまったく述べられていない
。
る特許願「炭素被膜を有する複合体およびその作製方法
J (特願昭56−146936 昭和56年9月1
7日出願)が知られている。しかし、これらは単にその
作製方法を一般的に記載したものであり、その形成温度
を200°C以下、好ましくは+150〜−100°C
と実質的に冷却とし、かつ、被形成面であるフェライト
、パーマロイ、希土類等の磁性体の磁気ヘッドのスライ
ダ部にコーティングする例はまったく述べられていない
。
「従来の問題点」
従来例において、炭素膜は200〜1000°Cと高温
でしか得られないとされており、炭素膜が条件によって
は、室温(プラズマにより150°C程度まで表面が昇
温する)またはそれ以下の温度での作製方法でも十分な
硬度を有せしめ得ることの記載はまった(ない。
でしか得られないとされており、炭素膜が条件によって
は、室温(プラズマにより150°C程度まで表面が昇
温する)またはそれ以下の温度での作製方法でも十分な
硬度を有せしめ得ることの記載はまった(ない。
「問題を解決すべき手段」
本発明は、磁気ヘッド用部材上、特に磁気テープ、磁気
ディスクとこすれる部分であるスライダ部上に炭素また
は炭素を主成分とする被膜をコーティングし、その表面
での耐摩耗性等の機械的強゛度を補強しようというもの
である。特にエチレン、メタンのような炭化水素気体を
直流または高周波、特に基体側に正の直流バイヤスを加
えた高周波電界によりプラズマを発生させた雰囲気中に
導入して分解せしめることにより、C−C結合を作り、
結果としてグラフディトのような非透光性の導電性また
は不良導電性の炭素を作るのではなく、作製条件により
求められた光学的エネルギバンド巾(Egという)が1
、 OeV以上、好ましくは1.5〜5.5eVを有
するダイヤモンドに類似の絶縁性の炭素を形成すること
を特徴としている。さらにこの本発明の炭素は、その硬
度もビッカース硬度が2000Kg/mm”以上、好ま
しくは4500Kg/nu++”以上、理想的には65
00Kg/vw”というダイヤモンド類似の硬さを有す
るアモルファス(非晶質)または5〜200人の大きさ
の微結晶性を有するセミアモルファス(半非晶質)構造
を有する炭素またはこの炭素中に水素、ハロゲン元素が
25原子%以下または■価または7価の不純物が5原子
%以下、また窒素がN/C≦0.05の濃度に添加され
たいわゆる炭素を主成分とする炭素(以下本発明におい
ては単に炭素という)を基板上に設けた複合体を設けん
としたものである。
ディスクとこすれる部分であるスライダ部上に炭素また
は炭素を主成分とする被膜をコーティングし、その表面
での耐摩耗性等の機械的強゛度を補強しようというもの
である。特にエチレン、メタンのような炭化水素気体を
直流または高周波、特に基体側に正の直流バイヤスを加
えた高周波電界によりプラズマを発生させた雰囲気中に
導入して分解せしめることにより、C−C結合を作り、
結果としてグラフディトのような非透光性の導電性また
は不良導電性の炭素を作るのではなく、作製条件により
求められた光学的エネルギバンド巾(Egという)が1
、 OeV以上、好ましくは1.5〜5.5eVを有
するダイヤモンドに類似の絶縁性の炭素を形成すること
を特徴としている。さらにこの本発明の炭素は、その硬
度もビッカース硬度が2000Kg/mm”以上、好ま
しくは4500Kg/nu++”以上、理想的には65
00Kg/vw”というダイヤモンド類似の硬さを有す
るアモルファス(非晶質)または5〜200人の大きさ
の微結晶性を有するセミアモルファス(半非晶質)構造
を有する炭素またはこの炭素中に水素、ハロゲン元素が
25原子%以下または■価または7価の不純物が5原子
%以下、また窒素がN/C≦0.05の濃度に添加され
たいわゆる炭素を主成分とする炭素(以下本発明におい
ては単に炭素という)を基板上に設けた複合体を設けん
としたものである。
本発明は、さらにこの炭素が形成される基板を200°
C以下好ましくは一100〜150°Cの従来より知ら
れたCVD法に比べて500〜1500°Cも低い温度
で形成せしめ、下地の磁性材料の特性を劣化させること
な(、また下地材料との界面でおこる反応を防止しつつ
コーティングが可能であることを実験的に見出したこと
を他の特徴とする。
C以下好ましくは一100〜150°Cの従来より知ら
れたCVD法に比べて500〜1500°Cも低い温度
で形成せしめ、下地の磁性材料の特性を劣化させること
な(、また下地材料との界面でおこる反応を防止しつつ
コーティングが可能であることを実験的に見出したこと
を他の特徴とする。
また本発明は、この炭素゛に■価の不純物であるホウ素
を0.1〜5原子%の濃度に添加し、P型の炭素を設け
、また7価の不純物であるリン、窒素を同様に0.1〜
5原子%の濃度に添加し、N型の炭素を設けることによ
りこの基板上面の炭素を導電性にしたことを他の特徴と
している。
を0.1〜5原子%の濃度に添加し、P型の炭素を設け
、また7価の不純物であるリン、窒素を同様に0.1〜
5原子%の濃度に添加し、N型の炭素を設けることによ
りこの基板上面の炭素を導電性にしたことを他の特徴と
している。
また本発明は、基体特にフェライト、パーマロイ、希土
類、アモルファス成分等の磁性材料を有する磁気ヘッド
用部材の上表面に炭素膜を形成して、これを多量に製造
するため、テープ状キャリアを用いてロール・ツー・ロ
ール(roll to roll以下RTRという)方
式で作製せんとするものである。
類、アモルファス成分等の磁性材料を有する磁気ヘッド
用部材の上表面に炭素膜を形成して、これを多量に製造
するため、テープ状キャリアを用いてロール・ツー・ロ
ール(roll to roll以下RTRという)方
式で作製せんとするものである。
以下に図面に従って本発明に用いられた複合体の作製方
法を記す。
法を記す。
実施例1
第1図は本発明の炭素または炭素を主成分とする被膜を
形成するためのRTR方式のプラズマCVD装置の概要
を示す。
形成するためのRTR方式のプラズマCVD装置の概要
を示す。
図面において、ドーピング系(10)において、キャリ
アガスである水素を(11)より、反応性気体である炭
化水素気体例えばメタン、エチレンを(12)より、■
価不純物のジボラン(水素希釈)(13)、V価不純物
のアンモニアまたはフオスヒンを(14)よりバルブ(
28)、流量計(29)をへて反応系(30)中にノズ
ル(25)より導入される。このノズルに至る前に、反
応性気体の励起用にマイクロ波エネルギを(26)で加
えて予め活性化させることは有効である。
アガスである水素を(11)より、反応性気体である炭
化水素気体例えばメタン、エチレンを(12)より、■
価不純物のジボラン(水素希釈)(13)、V価不純物
のアンモニアまたはフオスヒンを(14)よりバルブ(
28)、流量計(29)をへて反応系(30)中にノズ
ル(25)より導入される。このノズルに至る前に、反
応性気体の励起用にマイクロ波エネルギを(26)で加
えて予め活性化させることは有効である。
反応系(30)では、第1のロール(4)より第2のロ
ール(5)に補助ロール(6) 、 (7)を経て移動
する。
ール(5)に補助ロール(6) 、 (7)を経て移動
する。
この補助ロール(7)はテープ状キャリアにたるみがこ
ないように一定の張力(テンシロン)を与えるべく、バ
ネ(27)を具備する。補助ロール間には、第1の電極
(2)、被形成面を具備するテープ状キャリア(1)、
第2の電極(3)を有し、一対の電極(2) 、 (3
)間には高周波電極(15)、マツチングトランス(1
6) 、直流バイヤス電源(17)より電気エネルギが
加えられ、プラズマ(40)が発生する。排気系(20
)は圧力調整パルプ(25)、ターボ分子ポンプ(22
)。
ないように一定の張力(テンシロン)を与えるべく、バ
ネ(27)を具備する。補助ロール間には、第1の電極
(2)、被形成面を具備するテープ状キャリア(1)、
第2の電極(3)を有し、一対の電極(2) 、 (3
)間には高周波電極(15)、マツチングトランス(1
6) 、直流バイヤス電源(17)より電気エネルギが
加えられ、プラズマ(40)が発生する。排気系(20
)は圧力調整パルプ(25)、ターボ分子ポンプ(22
)。
ロータリーポンプ(23)をへて不要気体を排気する。
これらの反応性気体は、反応空間(40)で0.01〜
0.3tor?例えば0.1torrとし、高周波によ
る電磁エネルギにより0.1〜5に−のエネルギを加え
られる。直流バイヤスは、−200〜600V (実質
的には一400〜+400V)を加える。なぜなら、直
流バイヤスが零のときは自己バイヤスが一200V (
第2の電極を接地レベルとして)を有しているためであ
る。反応性気体は、水素で一部を希釈した。例えばメタ
ン:水素=1:1とした。第1の電極は冷却手段(9)
を有し、冷却液体を(8)より入れ、(8゛)に排出さ
せ、被形成面上の温度を150〜−100℃に保持させ
る。かくしてプラズマにより被形成面上にビッカーズ硬
度2000Kg/n+n+”以上を有するとともに、熱
伝導度2.5W/cm deg以上のC−C結合を多数
形成したアモルファス構造または微結晶構造を有するア
モルファス構造の炭素を生成させた。さらにこの電磁エ
ネルギは50W〜IK−を供給し、単位面積あたり0.
03〜3W/cn+”のプラズマエネルギを加えた。こ
のプラズマ密度が大きい場合、また予めマイクロ波で反
応性気体が励起されている場合は、5〜200人の大き
さの微結晶性を有するセミアモルファス構造の炭素を生
成させることができた。成膜速度は100〜100OA
/分を有し、特に表面温度を一50〜150°Cとし、
直流バイアスを+100〜300V加えた場合、その成
膜速度は100〜200A/分(メタンを用いマイクロ
波を用いない場合)、500〜100OA/分(メタン
を用いマイクロ波を用いた場合、またはエチレンを用い
マイクロ波を用いた場合)を得た。
0.3tor?例えば0.1torrとし、高周波によ
る電磁エネルギにより0.1〜5に−のエネルギを加え
られる。直流バイヤスは、−200〜600V (実質
的には一400〜+400V)を加える。なぜなら、直
流バイヤスが零のときは自己バイヤスが一200V (
第2の電極を接地レベルとして)を有しているためであ
る。反応性気体は、水素で一部を希釈した。例えばメタ
ン:水素=1:1とした。第1の電極は冷却手段(9)
を有し、冷却液体を(8)より入れ、(8゛)に排出さ
せ、被形成面上の温度を150〜−100℃に保持させ
る。かくしてプラズマにより被形成面上にビッカーズ硬
度2000Kg/n+n+”以上を有するとともに、熱
伝導度2.5W/cm deg以上のC−C結合を多数
形成したアモルファス構造または微結晶構造を有するア
モルファス構造の炭素を生成させた。さらにこの電磁エ
ネルギは50W〜IK−を供給し、単位面積あたり0.
03〜3W/cn+”のプラズマエネルギを加えた。こ
のプラズマ密度が大きい場合、また予めマイクロ波で反
応性気体が励起されている場合は、5〜200人の大き
さの微結晶性を有するセミアモルファス構造の炭素を生
成させることができた。成膜速度は100〜100OA
/分を有し、特に表面温度を一50〜150°Cとし、
直流バイアスを+100〜300V加えた場合、その成
膜速度は100〜200A/分(メタンを用いマイクロ
波を用いない場合)、500〜100OA/分(メタン
を用いマイクロ波を用いた場合、またはエチレンを用い
マイクロ波を用いた場合)を得た。
これらはすべてビッカーズ硬度が2000Kg/mm”
以上を有する条件のみを良品とする。もちろんグラファ
イトが主成分ならばきわめて柔らかく、かつ黒色で本発
明とはまったく異質なものである。
以上を有する条件のみを良品とする。もちろんグラファ
イトが主成分ならばきわめて柔らかく、かつ黒色で本発
明とはまったく異質なものである。
この反応生成物は磁気ヘッド用部材(1)が冷却媒体(
9)により冷却され、この上面に被膜とじて形成される
。反応後の不純物は排気系(20)よりターボ分子ポン
プ、ロータリーポンプを経て排気される6反応系は0.
001〜10torr代表的には0.01〜Q、5to
rrに保持されており、マイクロ波(26)、高周波の
エネルギ(15)により反応系内はプラズマ状態(40
)が生成される。特に励起源がIGH2以上、例えば2
.45GHzの周波数にあっては、C−H結合より水素
を分離し、さらに周波源が0.1〜50MH2例えば1
3.56MH2の周波数にあってはC−C結合、C=C
結合を分解し、−C−C−結合を作り、炭素の不対結合
手同志を互いに衝突させて共有結合させ、安定なダイヤ
モンド構造を局部的に有した構造とさせ得る。
9)により冷却され、この上面に被膜とじて形成される
。反応後の不純物は排気系(20)よりターボ分子ポン
プ、ロータリーポンプを経て排気される6反応系は0.
001〜10torr代表的には0.01〜Q、5to
rrに保持されており、マイクロ波(26)、高周波の
エネルギ(15)により反応系内はプラズマ状態(40
)が生成される。特に励起源がIGH2以上、例えば2
.45GHzの周波数にあっては、C−H結合より水素
を分離し、さらに周波源が0.1〜50MH2例えば1
3.56MH2の周波数にあってはC−C結合、C=C
結合を分解し、−C−C−結合を作り、炭素の不対結合
手同志を互いに衝突させて共有結合させ、安定なダイヤ
モンド構造を局部的に有した構造とさせ得る。
かくして磁気ヘッドの磁性体および金属または磁気ヘッ
ド用部材のスライダ部の磁性体上に炭素特に炭素中に水
素を25モル%以下含有する炭素またP、■またはN型
の導電型を有する炭素を主成分とする被膜を形成させる
ことができた。
ド用部材のスライダ部の磁性体上に炭素特に炭素中に水
素を25モル%以下含有する炭素またP、■またはN型
の導電型を有する炭素を主成分とする被膜を形成させる
ことができた。
「実施例2」
第2図(A) 、 (B−1) 、 (B−2)は実施
例1の作製方法によって得られた炭素を用いた磁気ヘッ
ドまたはそれ用部材の例である。即ちテープ状キャリア
上に磁気ヘッド用部材がテープ状に配設されている。
例1の作製方法によって得られた炭素を用いた磁気ヘッ
ドまたはそれ用部材の例である。即ちテープ状キャリア
上に磁気ヘッド用部材がテープ状に配設されている。
これを第1図のRTR方式にてこの上面に炭素(50)
を0.03〜3μm好ましくは0.1〜0.5 μmの
厚さに設けたものである。さらにこれらの炭素膜(50
)をコートした後、これら磁気ヘッド用部材(41)を
テープ状キャリアよりとりはずした。この磁気ヘッド等
一部に磁気テープ、磁気ディスク、等の他の異種材料が
その表面をこすって走行するスライダ部の部材の耐摩耗
性の向上にきわめて有効である。特にこの炭素膜は熱伝
導率が2.5W/co+ deg以上、代表的には4.
0〜6.0 W/cn+ dsgとダイヤモンドの6.
OW/cm degに近いため、高速テープ状キャリア
走行により発生する熱を全体に均一に逃がし、局部的な
昇温およびそれに伴う磁気ヘッドの特性劣化を防ぐこと
ができるため、耐摩耗性、高熱伝導性、炭素膜特有の高
平滑性等、多くの特性を併用して有効に用いている。
を0.03〜3μm好ましくは0.1〜0.5 μmの
厚さに設けたものである。さらにこれらの炭素膜(50
)をコートした後、これら磁気ヘッド用部材(41)を
テープ状キャリアよりとりはずした。この磁気ヘッド等
一部に磁気テープ、磁気ディスク、等の他の異種材料が
その表面をこすって走行するスライダ部の部材の耐摩耗
性の向上にきわめて有効である。特にこの炭素膜は熱伝
導率が2.5W/co+ deg以上、代表的には4.
0〜6.0 W/cn+ dsgとダイヤモンドの6.
OW/cm degに近いため、高速テープ状キャリア
走行により発生する熱を全体に均一に逃がし、局部的な
昇温およびそれに伴う磁気ヘッドの特性劣化を防ぐこと
ができるため、耐摩耗性、高熱伝導性、炭素膜特有の高
平滑性等、多くの特性を併用して有効に用いている。
「実施例3」
第2図(A)の場合、テープ用の書き込み、読み取りま
たは該ヘッドの一例である。
たは該ヘッドの一例である。
この磁気ヘッド(41)のMn−Znフェライトを用い
た磁性体(43)におけるスライダ部(42)上に炭素
または炭素を主成分とする被膜(50)を0.1〜0.
5μmの厚さにコーティングした。するとコーティング
をしない場合に比べてその寿命は5倍にも向上させるこ
とができた。この図面は172インチVTR用磁気ヘッ
ドの図面の例を示す。
た磁性体(43)におけるスライダ部(42)上に炭素
または炭素を主成分とする被膜(50)を0.1〜0.
5μmの厚さにコーティングした。するとコーティング
をしない場合に比べてその寿命は5倍にも向上させるこ
とができた。この図面は172インチVTR用磁気ヘッ
ドの図面の例を示す。
特にこの炭素膜をコートしない場合のスライダ部のビッ
カース硬度は800Kg/mm” Lかないため、これ
を2000Kg/mm”以上に向上させ得るとともに、
表面でのテープ等のすべりを良好にし得るための効果は
著しい。
カース硬度は800Kg/mm” Lかないため、これ
を2000Kg/mm”以上に向上させ得るとともに、
表面でのテープ等のすべりを良好にし得るための効果は
著しい。
「実施例4」
第2図(B−1) 、 (B−2)は薄膜磁気ヘッドの
一例を示す。第2図(B−1)は正面図、(B−2)は
側面図を示す。この磁気ヘッドはトラック巾25μm、
スライダ部のギャップ長0.6μm、浮上量0.3μm
、イ゛ンダクタンス100mH以下(IMHz)、出力
電圧0.3mV以上(IM)Iz)を有する。この磁性
材料(43)のスライダ部(42)上に炭素または炭素
を主成分とする部分(50)を0.05〜0.3μmの
厚さに形成した。するとこの薄膜ヘッドの耐摩耗性を3
倍以上に伸ばすことができた。
一例を示す。第2図(B−1)は正面図、(B−2)は
側面図を示す。この磁気ヘッドはトラック巾25μm、
スライダ部のギャップ長0.6μm、浮上量0.3μm
、イ゛ンダクタンス100mH以下(IMHz)、出力
電圧0.3mV以上(IM)Iz)を有する。この磁性
材料(43)のスライダ部(42)上に炭素または炭素
を主成分とする部分(50)を0.05〜0.3μmの
厚さに形成した。するとこの薄膜ヘッドの耐摩耗性を3
倍以上に伸ばすことができた。
「効果」
以上の説明より明らかな如く、本発明は有機樹脂または
それにガラス、磁性体、金属またはセラミックを形成し
、それらの磁気ヘッド用部材または磁気ヘッド全体の表
面に炭素または炭素を主成分とした被膜をコーティング
して設けたものである。この複合体は他の多(の実施例
にみられる如く、すべりを助長でき、加えて耐摩耗性の
向上ができるため、その工業的価値は計り知れないもの
である。特にこの炭素が150℃以下の低温で形成でき
るに対し、その硬度また基板に対する密着性がきわめて
優れているのが特徴である。
それにガラス、磁性体、金属またはセラミックを形成し
、それらの磁気ヘッド用部材または磁気ヘッド全体の表
面に炭素または炭素を主成分とした被膜をコーティング
して設けたものである。この複合体は他の多(の実施例
にみられる如く、すべりを助長でき、加えて耐摩耗性の
向上ができるため、その工業的価値は計り知れないもの
である。特にこの炭素が150℃以下の低温で形成でき
るに対し、その硬度また基板に対する密着性がきわめて
優れているのが特徴である。
また磁性体はサマリューム、コバルト等の希土類磁石、
アモルファス磁性体、酸化鉄またはこれにニッケル、ク
ロム等がコートされた形状異方形の磁性体またはフェラ
イト磁性体であってもよい。
アモルファス磁性体、酸化鉄またはこれにニッケル、ク
ロム等がコートされた形状異方形の磁性体またはフェラ
イト磁性体であってもよい。
第1図は本発明の炭素または炭素を主成分とする被膜を
被形成面上に作製するロール・ツー・ロール方式の製造
装置の概要を示す。 第2図(A) 、 (B−1) 、 (B−2)は本発
明の複合体の実施例を示す。
被形成面上に作製するロール・ツー・ロール方式の製造
装置の概要を示す。 第2図(A) 、 (B−1) 、 (B−2)は本発
明の複合体の実施例を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、磁気ヘッド用部材のスライダ部にビッカース硬度と
して2000Kg/mm^2以上を有する炭素または炭
素を主成分とする薄膜が耐摩耗層として設けられている
ことを特徴とする炭素膜がコートされた磁気ヘッド。 2、特許請求の範囲第1項において、スライダは希土類
磁性材料、フェライト材料、パーマロイ、金属材料より
なり、該材料上に密接して設けられたことを特徴とする
炭素膜がコートされた磁気ヘッド。 3、耐摩耗性を有する磁気ヘッド部材を炭化物気体また
は該気体と水素または不活性気体との混合気体の導入さ
れたプラズマ雰囲気内に保持し、前記材料に密接してビ
ッカース硬度として2000Kg/mm^2以上を有す
る炭素または炭素を主成分とする被膜を形成することを
特徴とする炭素膜がコートされた磁気ヘッドの作製方法
。 4、テープ状キャリア表面上に磁気ヘッド用部材を仮付
けまたは配設する工程と、これら部材とテープ状キャリ
アとを第1のロールより第2のロールに移動させつつ前
記ロール間でテープ状キャリアの裏側に配設された第1
の電極と、この電極に対向して前記テープ状キャリアの
表面側に配設された第2の電極との間に直流または高周
波電圧を印加して、プラズマを発生せしめ、炭化水素化
物気体、またはこれに加えて添加物気体とを分解反応せ
しめて、前記テープ状キャリアおよび部材上に炭素膜ま
たは添加物の添加された炭素を主成分とする膜を形成す
る工程と、この後前記部材を前記テープ状キャリアより
離脱させる工程とを有することを特徴とする炭素膜がコ
ートされた磁気ヘッドの作製方法。 5、特許請求の範囲第4項において、前記部材は薄膜磁
気ヘッド用部材よりなることを特徴とする炭素膜がコー
トされた磁気ヘッドの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013080A JPH0610853B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013080A JPH0610853B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5167501A Division JPH0782959B2 (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189019A true JPH01189019A (ja) | 1989-07-28 |
| JPH0610853B2 JPH0610853B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=11823188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63013080A Expired - Lifetime JPH0610853B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610853B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6278578B1 (en) | 1990-04-16 | 2001-08-21 | Hitachi, Ltd. | Narrow track thin film head having a focused ion beam etched air bearing surface |
| US6623836B1 (en) | 1992-11-19 | 2003-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US6805941B1 (en) | 1992-11-19 | 2004-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59127214A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-23 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
| JPS6026608U (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-22 | 富士電気化学株式会社 | 磁気ヘッド用コア組立体 |
| JPS61136678A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高硬度炭素膜形成方法 |
| JPS61220109A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-30 | Kao Corp | 記録媒体の摺接部品の製造方法 |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP63013080A patent/JPH0610853B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59127214A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-23 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
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| JPS61136678A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高硬度炭素膜形成方法 |
| JPS61220109A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-30 | Kao Corp | 記録媒体の摺接部品の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6278578B1 (en) | 1990-04-16 | 2001-08-21 | Hitachi, Ltd. | Narrow track thin film head having a focused ion beam etched air bearing surface |
| US6623836B1 (en) | 1992-11-19 | 2003-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US6805941B1 (en) | 1992-11-19 | 2004-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US7083873B2 (en) | 1992-11-19 | 2006-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium including a diamond-like carbon protective film with hydrogen and at least two additional elements |
| US7391592B2 (en) | 1992-11-19 | 2008-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium including a diamond-like carbon protective film and at least two additional elements |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0610853B2 (ja) | 1994-02-09 |
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