JPS63168026A - 現像方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウニ八等の被処理基板の現像処理を行
なう現像装置に関する。

（従来の技術） 一般に、半導体ウェハ等の被処理基板の現像処理を行な
う現像装置では、表面にフォトレジ久ト等の感光性膜が
形成された被処理基板が配置される処理室と、この処理
室内から排気する手段と、被処理基板と現像液とを所定
の現像時間の間接触させ、感光性膜に所定の化学変化を
生じさせて現像を行なう手段とを備えている。

そして、処理室内に配置された載置台上に半導体ウェハ
等の被処理基板を配置して、現像液、純水等のリンス液
を順次スプレーノズル等から被処理基板に供給して、現
像を行なう。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述の従来の現像装置では、多量の現像
液を必要とするなめ、現像コストが高くなるという問題
がある。

本発明者等は、このような問題を解決するため、被処理
基板を現像液・中に浸漬するようにして現像を行なうデ
ィップ型の現像装置の開発を行なってきた。そしてディ
ヅプ型の現像装置では、被処理基板表面全面に渡って、
高速かつ均一に現像液を供給することが困難であり、特
に現像時間短縮のための現像液の改良による現像の高速
化、被処理基板の大型化等を行なう場合、被処理基板面
内で、現像状態が不均一となり、例えば精密写真技術を
用いて、半導体ウェハ上に微細パターンを形成する場合
等では、半導体ウェハ面に形成される線幅等が不均一に
なるという問題が発生することが判明した。

本発明は、上記問題に対処してなされたもので、少量の
現像液で現像処理を行なうことができ、現像コストの低
減を１図ることができ、がっ、被処理基板表面全面に渡
って、高速かつ均一に現像液を供給することができ、高
速な現像液を用いて、大型の被処理基板の現像を行なう
場合でも面内の現像状態が均一となるように現像処理を
行なうことができ、半導体ウェハ面に形成される線幅等
を均一化することのできる現像装置を提供しようとする
ものである。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち本発明は、表面に感光性膜が形成された被処理
基板と現像液とを接触させ前記感光性膜に所定の化学変
化を生じさせて現像を行なう現像液供給手段を備えた現
像装置において、前記現像液供給手段は、前記被処理基
板の周囲を囲む環状の堰を形成する環状部材と、この環
状部材に前記被処理基板を囲むように配置され前記被処
理基板面にほぼ平行な現像液流を形成する現像液供給口
と、前記現像液供給口と間隔をもって対向する対向部を
形成し前記現像液流の方向を下方へ向けるリング状部材
とを備えたことを特徴とする。

（作　用） 本発明の現像装置では、被処理基板の周囲を囲む環状の
堰を形成する環状部材と、この環状部材に前記被処理基
板を囲むように配置され前記被処理基板面にほぼ平行な
現像液流を形成する現像液供給口と、前記現像液供給口
と間隔をもって対向する対向部を形成し前記現像液流の
方向を下方へ向けるリング状部材とを備えている。

したがって、少量の現像液で現像処理を行なうことがで
き、かつ、被処理基板表面全面に渡って、高速かつ均一
に現像液を供給することができ、高速な現像液を用いて
、大型の被処理基板の現像を行なう場合でも面内の現像
状態が均一となるように現像処理を行なうことができる
。

（実施例） 以下本発明の現像装置を図面を参照して一実施例につい
て説明する。

現像装置１では、処理室２内には、半導体ウェハ等の被
処理基板３を吸着保持する真空チャックおよび回転機ｆ
Ｎ４ａを備えた載置台４が配置されている。

また処理室２内には、第２図にも示すように、上下動可
能とされ、被処理基板３を真空チャック等により吸着保
持するとともに、被処理基板３の周囲を囲む環状の堰を
形成する環状部材５ａが配置されている。この環状部材
５ａには載置台４の周囲を囲むように配置され、被処理
基板３方向へ被処理基板３とほぼ平行する現像液流を形
成する複数の現像液供給口５ｂが配置されている。そし
て、環状部材５ａ上には、現像液供給口５ｂと間隔をも
って対向する対向部５ｃを形成し、現像液流を下方へ向
けるリング状部材５ｄが１１置されており、現像液供給
部が形成されている。

そして、載置台４上方には、被処理基板３に純水等のリ
ンス液を供給するリンスノズル６が配置されている。

また、処理室２の下部には、廃液排出用量ロアと、排気
装置８に接続された排気用開口９が配置されており、排
気装置８と排気用開口９との間には、排気路の開閉を行
なうシャッタ１０が介挿されている。

上記構成のこの実施例の現像装置では、例えば図示しな
いマイクロコンピュータ等からなる制御部によって例え
ば以下のように制御され、現像処理を行なう。

すなわち、まず、図示しない搬送装置等により被処理基
板３が載置台４上にａ置され、載置台４の真空チャック
が作動され、被処理基板３が載置台４上に吸着保持され
る。

次に、環状部材５ａを上昇させ、被処理基板３を載置台
４から環状部材５ａに移動させ、現像液供給口５ｂから
、被処理基板３方向へ被処理基板３とほぼ平行する現像
液流を形成し、対向部５Ｃによってこの現像液流を下方
へ向けて現ｆｊＡ液を供給し、環状部材５ａ内に現像液
を貯留して、あらかじめ設定された例えば３０秒等の所
定の現像時間、現像液を被処理基板３に接触させて、被
処理基板３表面に形成されたフォトレジスト等の感光性
膜の現像を行なう、なお、この現像時間中は、シャッタ
１１は閉塞され、処理室２内からの排気は停止されてい
る。

この後、環状部材５ａを下降させ、被処理基板３を環状
部材５ａから載置台４に移動させ、回転ａ構４ａによっ
て被処理基板３を例えば５００ｒｐｎ〜２０００ｒｐｍ
程度の回転数で回転させ、リンスノズル６から純水等の
リンス液を被処理基板３表面に供給する。なお、この時
は、シャッタ１０は開とされ、１０〜２０１１１１Ｈ２
０程度の排気量で処理室２からの排気が行なわれる。

上記リンス操作が、例えば１０秒〜２０秒程度の所定時
間行なわれた後、リンスノズル６からのリンス液の供給
を停止して、被処理基板３の回転を例えば３０００ｒｐ
ｎ〜５０００ｒｐｌ程度の回転数に上昇させて被処理基
板３表面に付着した液体を遠心力により除去し、被処理
基板３を乾燥させる。なお、この間も、シャッタ１１は
開とされ、１０〜２０ｎｎＨ２０程度の排気量で処理室
２からの排気が行なわれる。

被処理基板３の乾燥が終了すると、回転Ｒ消４ａが停止
され、図示しない搬送装置によって、被処理基板３が処
理室２内から搬出される。

すなわちこの実施例の現像装置では、現像液供給口５ｂ
から、被処理基板３方内へ被処理基板３とほぼ平行する
現像液流を形成し、リング状部材５ｄの対向部５Ｃによ
ってこの現像液流を下方へ向けて現ｍ液を供給し、環状
部材５ａ内に現像液を貯留して、所定の現像時間、現像
液を被処理基板３に接触させて、被処理基板表面に形成
されたフォトレジスト等の感光性膜の現像を行なう、し
たがって、少量の現像液で現像処理を行なうことができ
、かつ、被処理基板表面全面に渡って、高速かつ均一に
現像液を供給することができ、被処理基板３面内の現像
状態が均一となるように現像処理を行なうことができる
。

［発明の効果］ 上述のように、本発明の現像装置では、少量の現像液で
現像処理を行なうことができ、現像コストの低減を図る
ことができ、かつ、被処理基板表面全面に渡って、高速
かつ均一に現像液を供給することができ、高速な現像液
を用いて、大型の被処理基板の現像を行なう場合でも面
内の現像状態が均一となるように現像処理を行なうこと
ができ、半導体ウニへ面に形成される線幅等を均一化す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の現像装置を示す構成図、第
２図は第１図に示す現像装置の要部を拡大して示す縦断
面図である。 １・・・・・・現像装置、３・・・・・・被処理基板、
５ａ・・・・・・環状部材、５ｂ・・・・・・現像液供
給口、５Ｃ・・・・・・対向部、５ｄ・・・・・・リン
グ状部材。 出願人　　東京エレクトロン株式会社 代理人　弁理士　　須　山　佐　− 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面に感光性膜が形成された被処理基板と現像液
   とを接触させ前記感光性膜に所定の化学変化を生じさせ
   て現像を行なう現像液供給手段を備えた現像装置におい
   て、前記現像液供給手段は、前記被処理基板の周囲を囲
   む環状の堰を形成する環状部材と、この環状部材に前記
   被処理基板を囲むように配置され前記被処理基板面にほ
   ぼ平行な現像液流を形成する現像液供給口と、前記現像
   液供給口と間隔をもつて対向する対向部を形成し前記現
   像液流の方向を下方へ向けるリング状部材とを備えたこ
   とを特徴とする現像装置。