JPH0611049B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0611049B2 JPH0611049B2 JP62071286A JP7128687A JPH0611049B2 JP H0611049 B2 JPH0611049 B2 JP H0611049B2 JP 62071286 A JP62071286 A JP 62071286A JP 7128687 A JP7128687 A JP 7128687A JP H0611049 B2 JPH0611049 B2 JP H0611049B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 35
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNKTZDSRQHMHLZ-UHFFFAOYSA-N [Si].[Si].[Si].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti] Chemical compound [Si].[Si].[Si].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti] GNKTZDSRQHMHLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の素子領域と配線とのコンタクトを得る手段
として素子領域と配線が直接コンタクトできる多結晶シ
リコン膜が用いられている。
として素子領域と配線が直接コンタクトできる多結晶シ
リコン膜が用いられている。
第２図（ａ），（ｂ）は従来の半導体装置の製造方法を
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
第２図（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン基板１の表面
に素子形成領域を区画する素子分離用フィールド絶縁膜
２を形成し、前記素子形成領域を含む表面に絶縁膜３を
形成する。次に、前記素子形成領域内にイオン注入法で
Ｎ型拡散領域５を選択的に形成し、Ｎ型拡散領域５の上
の絶縁膜３の一部を選択的に開口してコンタクト用窓を
形成する。
に素子形成領域を区画する素子分離用フィールド絶縁膜
２を形成し、前記素子形成領域を含む表面に絶縁膜３を
形成する。次に、前記素子形成領域内にイオン注入法で
Ｎ型拡散領域５を選択的に形成し、Ｎ型拡散領域５の上
の絶縁膜３の一部を選択的に開口してコンタクト用窓を
形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、前記窓に露出するＮ
型拡散領域５の一部を覆い、且つ絶縁膜３の上に延在し
てＮ型不純物を含む多結晶シリコン膜４を選択的に形成
し、熱処理により多結晶シリコン膜４とＮ型拡散領域と
のコンタクトを得る。
型拡散領域５の一部を覆い、且つ絶縁膜３の上に延在し
てＮ型不純物を含む多結晶シリコン膜４を選択的に形成
し、熱処理により多結晶シリコン膜４とＮ型拡散領域と
のコンタクトを得る。
上述した従来の半導体装置の製造方法は拡散領域のコン
タクト抵抗の増大を抑える為にコンタクト接触面積を小
さくすることができない。即ち拡散領域と多結晶シリコ
ン膜間の重なり部分の面積が装置の平面的な縮小の障害
となる。
タクト抵抗の増大を抑える為にコンタクト接触面積を小
さくすることができない。即ち拡散領域と多結晶シリコ
ン膜間の重なり部分の面積が装置の平面的な縮小の障害
となる。
また、配線の抵抗を低くする為には、多結晶シリコン膜
に高濃度の不純物を添加する必要があるが、拡散領域と
多結晶シリコン膜が直接接触している為に、多結晶シリ
コン膜への不純物拡散時、或は、その後の製造工程上の
熱処理によって不純物がシリコン基板中に拡散しシリコ
ン基板表面の拡散領域の深さを増大させる。この拡散領
域深さの増大は、他の拡散領域との間の実効的な分離距
離を縮めて絶縁特性を悪化させる。それゆえに、拡散領
域間の絶縁性を確保する為フィールド絶縁膜の幅を広げ
て最小の分離間隔を大きくせねばならず、半導体素子微
細化の障害となる問題点がある。
に高濃度の不純物を添加する必要があるが、拡散領域と
多結晶シリコン膜が直接接触している為に、多結晶シリ
コン膜への不純物拡散時、或は、その後の製造工程上の
熱処理によって不純物がシリコン基板中に拡散しシリコ
ン基板表面の拡散領域の深さを増大させる。この拡散領
域深さの増大は、他の拡散領域との間の実効的な分離距
離を縮めて絶縁特性を悪化させる。それゆえに、拡散領
域間の絶縁性を確保する為フィールド絶縁膜の幅を広げ
て最小の分離間隔を大きくせねばならず、半導体素子微
細化の障害となる問題点がある。
本発明の目的は、半導体素子の微細化を可能とする半導
体装置の製造方法を提供することにある。
体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、一導電型の半導体基
板の一主面に素子形成領域を区画する素子分離用のフィ
ールド絶縁膜を形成する工程と、前記素子形成領域を含
む表面に絶縁膜を形成し前記絶縁膜上に多結晶シリコン
膜を選択的に形成する工程と、前記多結晶シリコン膜お
よび前記フィールド絶縁膜をマスクとして不純物をイオ
ン注入し前記素子形成領域に逆導電型の拡散領域を形成
する工程と、前記多結晶シリコン膜をマスクとして前記
拡散領域上の前記絶縁膜を選択的に除去してコンタクト
用窓を形成する工程と、前記絶縁膜上の前記多結晶シリ
コン膜および前記コンタクト用窓に露出した前記拡散領
域を含む表面に高融点金属膜を形成する工程と、不活性
ガス雰囲気中で熱処理し前記高融点金属膜と接触してい
る前記多結晶シリコン膜および前記拡散領域表面を反応
させて高融点金属硅化物膜を形成する工程と、未反応の
前記高融点金属膜を除去して前記高融点金属硅化物膜に
より前記拡散領域とコンタクトする配線を形成する工程
とを含んで構成される。
板の一主面に素子形成領域を区画する素子分離用のフィ
ールド絶縁膜を形成する工程と、前記素子形成領域を含
む表面に絶縁膜を形成し前記絶縁膜上に多結晶シリコン
膜を選択的に形成する工程と、前記多結晶シリコン膜お
よび前記フィールド絶縁膜をマスクとして不純物をイオ
ン注入し前記素子形成領域に逆導電型の拡散領域を形成
する工程と、前記多結晶シリコン膜をマスクとして前記
拡散領域上の前記絶縁膜を選択的に除去してコンタクト
用窓を形成する工程と、前記絶縁膜上の前記多結晶シリ
コン膜および前記コンタクト用窓に露出した前記拡散領
域を含む表面に高融点金属膜を形成する工程と、不活性
ガス雰囲気中で熱処理し前記高融点金属膜と接触してい
る前記多結晶シリコン膜および前記拡散領域表面を反応
させて高融点金属硅化物膜を形成する工程と、未反応の
前記高融点金属膜を除去して前記高融点金属硅化物膜に
より前記拡散領域とコンタクトする配線を形成する工程
とを含んで構成される。
〔実施例〕 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
第１図（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン基板１の表面
に素子形成領域を区画する素子分離用フィールド絶縁膜
２を形成し、前記素子形成領域を含む表面に膜厚２００
Åの絶縁膜３を形成する。次に、絶縁膜３の上に一部が
前記素子形成領域と重なるようにリンを添加した膜厚0.
4μｍの多結晶シリコン膜４を選択的に形成する。
に素子形成領域を区画する素子分離用フィールド絶縁膜
２を形成し、前記素子形成領域を含む表面に膜厚２００
Åの絶縁膜３を形成する。次に、絶縁膜３の上に一部が
前記素子形成領域と重なるようにリンを添加した膜厚0.
4μｍの多結晶シリコン膜４を選択的に形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、多結晶シリコン膜４
およびフィールド絶縁膜２をマスクとしてヒ素をイオン
注入し、前記素子形成領域内にＮ型拡散領域５を形成す
る。次に、多結晶シリコン膜４をマスクとしてＮ型拡散
領域上の絶縁膜３を選択的に除去してコンタクト用窓を
形成する。
およびフィールド絶縁膜２をマスクとしてヒ素をイオン
注入し、前記素子形成領域内にＮ型拡散領域５を形成す
る。次に、多結晶シリコン膜４をマスクとしてＮ型拡散
領域上の絶縁膜３を選択的に除去してコンタクト用窓を
形成する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、前記窓の露出したＮ
型拡散領域５を含む表面に膜厚５００Åのチタニウム膜
６を堆積させる。
型拡散領域５を含む表面に膜厚５００Åのチタニウム膜
６を堆積させる。
次に、第１図（ｄ）に示すように、６００℃の窒素雰囲
気中で６０分間の処理を行い、絶縁膜３上の多結晶シリ
コン膜４およびＮ型拡散領域５と接触しているチタニウ
ム膜６を反応させて厚さ約０．１μｍの硅化チタニウム
膜７を形成する。このとき、絶縁膜３の側壁部のチタニ
ウム膜６は上部の多結晶シリコン膜４および下部のＮ型
拡散領域表面から供給されるシリコンと反応して硅化チ
タニウム膜が形成され、硅化チタニウム膜７はＮ型拡散
領域とコンタクトし絶縁膜３上まで連続した状態で形成
される。
気中で６０分間の処理を行い、絶縁膜３上の多結晶シリ
コン膜４およびＮ型拡散領域５と接触しているチタニウ
ム膜６を反応させて厚さ約０．１μｍの硅化チタニウム
膜７を形成する。このとき、絶縁膜３の側壁部のチタニ
ウム膜６は上部の多結晶シリコン膜４および下部のＮ型
拡散領域表面から供給されるシリコンと反応して硅化チ
タニウム膜が形成され、硅化チタニウム膜７はＮ型拡散
領域とコンタクトし絶縁膜３上まで連続した状態で形成
される。
次に、第１図（ｅ）に示すように、アニモニアと過酸化
水素の混合溶液により未反応のチタニウム膜６を除去
し、Ｎ型拡散領域とコンタクトし絶縁膜３上に延在する
配線を得る。
水素の混合溶液により未反応のチタニウム膜６を除去
し、Ｎ型拡散領域とコンタクトし絶縁膜３上に延在する
配線を得る。
なお、高融点金属としてはチタニウム以外に例えばタン
グステン，モリブデン等も使用できる。
グステン，モリブデン等も使用できる。
以上説明したように本発明は、素子領域内の拡散領域表
面とコンタクトし絶縁膜上の多結晶シリコン膜上に延在
する高融点金属硅化物膜を形成することにより、拡散領
域表面に不純物を添加した多結晶シリコン膜を直接接触
させることがなく低抵抗のコンタクトが形成できるた
め、拡散領域と多結晶シリコン膜の重なり面積を小さく
でき、拡散領域の深さの増大を抑制して他の拡散領域と
の実効的な分離距離を縮める要因を取除き、半導体素子
の微細化を可能にする効果がある。
面とコンタクトし絶縁膜上の多結晶シリコン膜上に延在
する高融点金属硅化物膜を形成することにより、拡散領
域表面に不純物を添加した多結晶シリコン膜を直接接触
させることがなく低抵抗のコンタクトが形成できるた
め、拡散領域と多結晶シリコン膜の重なり面積を小さく
でき、拡散領域の深さの増大を抑制して他の拡散領域と
の実効的な分離距離を縮める要因を取除き、半導体素子
の微細化を可能にする効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図、第２図
（ａ），（ｂ）は従来の半導体装置の製造方法を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。 １……Ｐ型シリコン基板、２……フィールド絶縁膜、３
……絶縁膜、４……多結晶シリコン膜、５……Ｎ型拡散
領域、６……チタニウム膜、７……硅化チタニウム膜。
めの工程順に示した半導体チップの断面図、第２図
（ａ），（ｂ）は従来の半導体装置の製造方法を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。 １……Ｐ型シリコン基板、２……フィールド絶縁膜、３
……絶縁膜、４……多結晶シリコン膜、５……Ｎ型拡散
領域、６……チタニウム膜、７……硅化チタニウム膜。
Claims (1)
- 【請求項１】一導電型の半導体基板の一主面に素子形成
領域を区画する素子分離用のフィールド絶縁膜を形成す
る工程と、前記素子形成領域を含む表面に絶縁膜を形成
し前記絶縁膜上に多結晶シリコン膜を選択的に形成する
工程と、前記多結晶シリコン膜および前記フィールド絶
縁膜をマスクとして不純物をイオン注入し前記素子形成
領域に逆導電型の拡散領域を形成する工程と、前記多結
晶シリコン膜をマスクとして前記拡散領域上の前記絶縁
膜を選択的に除去してコンタクト用窓を形成する工程
と、前記絶縁膜上の前記多結晶シリコン膜および前記コ
ンタクト用窓に露出した前記拡散領域を含む表面に高融
点金属膜を形成する工程と、不活性ガス雰囲気中で熱処
理し前記高融点金属膜と接触している前記多結晶シリコ
ン膜および前記拡散領域表面を反応させて高融点金属硅
化物膜を形成する工程と、未反応の前記高融点金属膜を
除去して前記高融点金属硅化物膜により前記拡散領域と
コンタクトする配線を形成する工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071286A JPH0611049B2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071286A JPH0611049B2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236347A JPS63236347A (ja) | 1988-10-03 |
| JPH0611049B2 true JPH0611049B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=13456304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62071286A Expired - Lifetime JPH0611049B2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0611049B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6037774A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0611051B2 (ja) * | 1984-06-14 | 1994-02-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP62071286A patent/JPH0611049B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63236347A (ja) | 1988-10-03 |
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