JPH06111233A - 薄膜積層磁気ヘッド - Google Patents
薄膜積層磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH06111233A JPH06111233A JP4285074A JP28507492A JPH06111233A JP H06111233 A JPH06111233 A JP H06111233A JP 4285074 A JP4285074 A JP 4285074A JP 28507492 A JP28507492 A JP 28507492A JP H06111233 A JPH06111233 A JP H06111233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- sendust
- magnetic head
- laminated
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 66
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 13
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜積層磁気ヘッドの特性改善を目的とす
る。 【構成】 磁気ヘッドコアの少なくとも一部が、Fe-Si-
Al系強磁性合金からなるセンダスト薄膜と、Ａｌ2 Ｏ3
からなる絶縁薄膜とを交互に積層させた積層体からなる
薄膜積層磁気ヘッドにおいて、前記センダスト薄膜は、
結晶面（４２２）に高配向している薄膜積層磁気ヘッ
ド。
る。 【構成】 磁気ヘッドコアの少なくとも一部が、Fe-Si-
Al系強磁性合金からなるセンダスト薄膜と、Ａｌ2 Ｏ3
からなる絶縁薄膜とを交互に積層させた積層体からなる
薄膜積層磁気ヘッドにおいて、前記センダスト薄膜は、
結晶面（４２２）に高配向している薄膜積層磁気ヘッ
ド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高保磁力記録媒体を用
いて記録再生するのに適した薄膜積層磁気ヘッドに係わ
り、特に絶縁薄膜と交互に積層するセンダスト薄膜の結
晶配向に関するものである。
いて記録再生するのに適した薄膜積層磁気ヘッドに係わ
り、特に絶縁薄膜と交互に積層するセンダスト薄膜の結
晶配向に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録技術の分野における記録
密度の向上が著しく、記録密度を向上させるために高保
磁力Hcの磁気記録媒体を使用する必要があるが、その磁
気記録媒体の性能を十分に生かすためには、高飽和磁束
密度Bsを有する磁気ヘッド材料が必要であり、Fe-Si-Al
系強磁性合金，いわゆるセンダストなどの高飽和磁束密
度Bsの強磁性合金材料が利用されている。また、記録密
度を向上させるためには、高周波領域まで透磁率μが良
い必要があるが、この強磁性合金材料は金属であるため
比抵抗が小さいので、高周波領域でうず電流により透磁
率μが劣化するため、従来の強磁性合金薄膜を用いた金
属磁性薄膜ヘッドには強磁性合金薄膜と絶縁薄膜とを交
互に積層し、所定の膜厚まで多層化した磁性薄膜積層体
が利用されている。このような磁性薄膜積層体を用いた
薄膜積層磁気ヘッドの構造について図を用いて説明す
る。
密度の向上が著しく、記録密度を向上させるために高保
磁力Hcの磁気記録媒体を使用する必要があるが、その磁
気記録媒体の性能を十分に生かすためには、高飽和磁束
密度Bsを有する磁気ヘッド材料が必要であり、Fe-Si-Al
系強磁性合金，いわゆるセンダストなどの高飽和磁束密
度Bsの強磁性合金材料が利用されている。また、記録密
度を向上させるためには、高周波領域まで透磁率μが良
い必要があるが、この強磁性合金材料は金属であるため
比抵抗が小さいので、高周波領域でうず電流により透磁
率μが劣化するため、従来の強磁性合金薄膜を用いた金
属磁性薄膜ヘッドには強磁性合金薄膜と絶縁薄膜とを交
互に積層し、所定の膜厚まで多層化した磁性薄膜積層体
が利用されている。このような磁性薄膜積層体を用いた
薄膜積層磁気ヘッドの構造について図を用いて説明す
る。
【０００３】図６は、薄膜積層磁気ヘッド１０の外観斜
視図であり、図７は薄膜積層磁気ヘッド１０の磁気記録
媒体摺接面を示す要部拡大図である。
視図であり、図７は薄膜積層磁気ヘッド１０の磁気記録
媒体摺接面を示す要部拡大図である。
【０００４】これら図面を参照しながら薄膜積層磁気ヘ
ッド１０を説明する。
ッド１０を説明する。
【０００５】非磁性絶縁基盤１１ａにスパッタリング等
の真空薄膜形成技術を用いてFe-Si-Al系強磁性合金のよ
うな強磁性合金薄膜１２と、絶縁薄膜１３とを交互に積
層し、所定の積層厚となるまで多層化し、磁性薄膜積層
体２０を形成したものに、さらにガラス薄膜１５を形成
し、もう一方の非磁性基盤１１ｂとガラス接合し磁気コ
ア半体１７，１８とし、これらのギャップ対向面同士を
突き合わせて貼り合わせ磁気ギャップＧが形成されてい
る。このような薄膜積層磁気ヘッド１０では飽和磁束密
度Bsが高く、うず電流による高周波領域での透磁率μの
劣化も少なく、高記録密度の磁気記録再生に好適な磁気
ヘッドである。
の真空薄膜形成技術を用いてFe-Si-Al系強磁性合金のよ
うな強磁性合金薄膜１２と、絶縁薄膜１３とを交互に積
層し、所定の積層厚となるまで多層化し、磁性薄膜積層
体２０を形成したものに、さらにガラス薄膜１５を形成
し、もう一方の非磁性基盤１１ｂとガラス接合し磁気コ
ア半体１７，１８とし、これらのギャップ対向面同士を
突き合わせて貼り合わせ磁気ギャップＧが形成されてい
る。このような薄膜積層磁気ヘッド１０では飽和磁束密
度Bsが高く、うず電流による高周波領域での透磁率μの
劣化も少なく、高記録密度の磁気記録再生に好適な磁気
ヘッドである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スパッ
タリング等の真空薄膜形成技術により形成たれた２層目
以降のFe-Si-Al系強磁性合金薄膜の結晶構造や磁気的特
性は、下地層となる絶縁薄膜に影響されることがよく知
られている。この問題を解決するための技術が、例えば
特開平１ー２７９７４２号公報，特開平３ー２０３００
８号公報に開示されている。これらの技術は予め積層す
るFe-Si-Al系強磁性合金薄膜の下地層にCr薄膜を用いる
ものであり、その結果、２層目以降のFe-Si-Al系強磁性
合金薄膜の結晶配向を高配向にすることができて、軟磁
気特性を向上させることができる。しかし、製造工程に
おいて絶縁薄膜上にCr膜を成膜する工程が、従来の工程
に加え更に必要となる。
タリング等の真空薄膜形成技術により形成たれた２層目
以降のFe-Si-Al系強磁性合金薄膜の結晶構造や磁気的特
性は、下地層となる絶縁薄膜に影響されることがよく知
られている。この問題を解決するための技術が、例えば
特開平１ー２７９７４２号公報，特開平３ー２０３００
８号公報に開示されている。これらの技術は予め積層す
るFe-Si-Al系強磁性合金薄膜の下地層にCr薄膜を用いる
ものであり、その結果、２層目以降のFe-Si-Al系強磁性
合金薄膜の結晶配向を高配向にすることができて、軟磁
気特性を向上させることができる。しかし、製造工程に
おいて絶縁薄膜上にCr膜を成膜する工程が、従来の工程
に加え更に必要となる。
【０００７】また、一般に絶縁材としてよく用いられる
ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 の薄膜を下地層として薄膜積層磁
気ヘッドに用いた場合、積層するFe-Si-Al系強磁性合金
薄膜のもつ磁気的特性を十分に引き出すことが困難であ
ると言われている。しかし、本発明者たちは、このＡｌ
2 Ｏ3 薄膜を下地層としての絶縁薄膜に用いることによ
り、最も軟磁気特性の優れた（４２２）面に高配向した
Fe-Si-Al系強磁性合金薄膜を得ることができることを見
出した。
ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 の薄膜を下地層として薄膜積層磁
気ヘッドに用いた場合、積層するFe-Si-Al系強磁性合金
薄膜のもつ磁気的特性を十分に引き出すことが困難であ
ると言われている。しかし、本発明者たちは、このＡｌ
2 Ｏ3 薄膜を下地層としての絶縁薄膜に用いることによ
り、最も軟磁気特性の優れた（４２２）面に高配向した
Fe-Si-Al系強磁性合金薄膜を得ることができることを見
出した。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたものであり、磁気ヘッドコアの少
なくとも一部が、Fe-Si-Al系強磁性合金からなるセンダ
スト薄膜と、Ａｌ2 Ｏ3 からなる絶縁薄膜とを交互に積
層させた積層体からなる薄膜積層磁気ヘッドにおいて、
前記センダスト薄膜は、結晶面（４２２）に高配向して
いることを特徴とする薄膜積層磁気ヘッドを提供するも
のである。
決するためになされたものであり、磁気ヘッドコアの少
なくとも一部が、Fe-Si-Al系強磁性合金からなるセンダ
スト薄膜と、Ａｌ2 Ｏ3 からなる絶縁薄膜とを交互に積
層させた積層体からなる薄膜積層磁気ヘッドにおいて、
前記センダスト薄膜は、結晶面（４２２）に高配向して
いることを特徴とする薄膜積層磁気ヘッドを提供するも
のである。
【０００９】
【実施例】本発明は、Fe-Si-Al系強磁性合金あるいはR
u,Ti,Cr等の添加物を添加したFe-Si-Al系強磁性合金か
らなるセンダスト薄膜と、Ａｌ2 Ｏ3 からなる絶縁薄膜
とを交互に積層させた積層体からなる薄膜積層磁気ヘッ
ドにおいて、結晶面（４２２）に高配向したセンダスト
薄膜を得るための下地層として、絶縁薄膜として用いる
Ａｌ2 Ｏ3 薄膜のスパッタリング条件を最適化して、透
磁率μが高く、かつ、保磁力Hcが小さい薄膜積層磁気ヘ
ッドを提供するものである。
u,Ti,Cr等の添加物を添加したFe-Si-Al系強磁性合金か
らなるセンダスト薄膜と、Ａｌ2 Ｏ3 からなる絶縁薄膜
とを交互に積層させた積層体からなる薄膜積層磁気ヘッ
ドにおいて、結晶面（４２２）に高配向したセンダスト
薄膜を得るための下地層として、絶縁薄膜として用いる
Ａｌ2 Ｏ3 薄膜のスパッタリング条件を最適化して、透
磁率μが高く、かつ、保磁力Hcが小さい薄膜積層磁気ヘ
ッドを提供するものである。
【００１０】本発明の薄膜積層磁気ヘッドの構成は、前
述した図６の薄膜積層磁気ヘッド１０と同一構成からな
るものであり、その説明は省略し同図及び図７を参照し
ながら本発明の薄膜積層磁気ヘッドの特徴であるＡｌ2
Ｏ3 絶縁薄膜のスパッタリングを重点に説明する。
述した図６の薄膜積層磁気ヘッド１０と同一構成からな
るものであり、その説明は省略し同図及び図７を参照し
ながら本発明の薄膜積層磁気ヘッドの特徴であるＡｌ2
Ｏ3 絶縁薄膜のスパッタリングを重点に説明する。
【００１１】セラミックスあるいはガラスなどからなる
非磁性絶縁基盤１１ａ上に、Ａｒガス圧力８〜１０ｍＴ
ｏｒｒ、投入電力７００Ｗの条件でＡｌ2 Ｏ3 からなる
ターゲットを用いて、膜厚８００〜１０００オングスト
ロームのＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜１３をスパッタして形成
し、さらにその上面にＡｒガス圧力１０ｍＴｏｒｒ、投
入電力８００Ｗ、基盤温度 250℃の条件でＳｉ:10wt%,
Ａｌ:6wt%,Ｒｕ:0.7wt%,Ｔｉ:0.3wt%,残部がＦｅからな
るターゲットを用いて、膜厚約５μｍのセンダスト薄膜
１２をスパッタして形成し、さらにその上面に前記と同
じ条件でＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜とセンダスト薄膜を交互に
積層して所定の積層厚となるまで多層化して積層体２０
を形成する。このようにして形成された積層体２０のＡ
ｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜１３とセンダスト薄膜１２について、
Ａｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜１３のスパッタ条件と磁気特性の関
係を測定し、その測定結果について図面の沿って以下に
述べる。
非磁性絶縁基盤１１ａ上に、Ａｒガス圧力８〜１０ｍＴ
ｏｒｒ、投入電力７００Ｗの条件でＡｌ2 Ｏ3 からなる
ターゲットを用いて、膜厚８００〜１０００オングスト
ロームのＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜１３をスパッタして形成
し、さらにその上面にＡｒガス圧力１０ｍＴｏｒｒ、投
入電力８００Ｗ、基盤温度 250℃の条件でＳｉ:10wt%,
Ａｌ:6wt%,Ｒｕ:0.7wt%,Ｔｉ:0.3wt%,残部がＦｅからな
るターゲットを用いて、膜厚約５μｍのセンダスト薄膜
１２をスパッタして形成し、さらにその上面に前記と同
じ条件でＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜とセンダスト薄膜を交互に
積層して所定の積層厚となるまで多層化して積層体２０
を形成する。このようにして形成された積層体２０のＡ
ｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜１３とセンダスト薄膜１２について、
Ａｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜１３のスパッタ条件と磁気特性の関
係を測定し、その測定結果について図面の沿って以下に
述べる。
【００１２】図１は、膜厚 1000 ，2000オングストロー
ムのＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜上に積層したセンダスト薄膜の
保磁力Hcと、Ａｌ2 Ｏ3 のスパッタガス圧の関係図であ
る。同図からセンダスト薄膜の保磁力Hcは、下地層であ
るＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜のスパッタガス圧によつて変化
し、スパッタガス圧１０ｍＴｏｒｒ，膜厚 1000 オング
ストロームの条件によるＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜が下地層と
して最適であることが分かる。
ムのＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜上に積層したセンダスト薄膜の
保磁力Hcと、Ａｌ2 Ｏ3 のスパッタガス圧の関係図であ
る。同図からセンダスト薄膜の保磁力Hcは、下地層であ
るＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜のスパッタガス圧によつて変化
し、スパッタガス圧１０ｍＴｏｒｒ，膜厚 1000 オング
ストロームの条件によるＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜が下地層と
して最適であることが分かる。
【００１３】図２は、この膜厚 1000 オングストローム
のＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜について、スパッタ電力依存を測
定した図である。同図からセンダスト薄膜の保磁力Hc
は、Ａｒガス圧８ｍＴｏｒｒ，膜厚 1000 オングストロ
ーム，投入電力７００Ｗの条件によるＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄
膜が下地層として最適であることが分かる。尚、同図に
示した絶縁薄膜は、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 の２層から構
成されているが、Ａｌ2Ｏ3 の単層より磁気特性の改善
には２層がより好ましいが、特に限定するもの出はな
い。
のＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜について、スパッタ電力依存を測
定した図である。同図からセンダスト薄膜の保磁力Hc
は、Ａｒガス圧８ｍＴｏｒｒ，膜厚 1000 オングストロ
ーム，投入電力７００Ｗの条件によるＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄
膜が下地層として最適であることが分かる。尚、同図に
示した絶縁薄膜は、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 の２層から構
成されているが、Ａｌ2Ｏ3 の単層より磁気特性の改善
には２層がより好ましいが、特に限定するもの出はな
い。
【００１４】図３，図４は、Ａｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜の膜厚
とセンダスト薄膜の透磁率μ及び保磁力Hcの関係図であ
る。同図からＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜の膜厚は約 800オング
ストロームが下地層として最適であることが分かる。
とセンダスト薄膜の透磁率μ及び保磁力Hcの関係図であ
る。同図からＡｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜の膜厚は約 800オング
ストロームが下地層として最適であることが分かる。
【００１５】図５ は、図４におけるセンダスト薄膜の
結晶配向性をＸ線回析法により分析したピーク強度比を
示した図である。（４２２）面と（２２０）面のピーク
強度Ｉ（４２２）とＩ（２２０）をピーク強度比Ｉ（４
２２）／｛Ｉ（４２２）＋Ｉ（２２０）｝として評価し
たもので、Ａｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜の膜厚は約1000オングス
トローム前後が最も高く優れた軟磁気特性を示し、セン
ダスト薄膜として理想的な結晶配向になると共に、従来
より改善された低保磁力Hc、高透磁率μの薄膜積層磁気
ヘッドを得ることができた。
結晶配向性をＸ線回析法により分析したピーク強度比を
示した図である。（４２２）面と（２２０）面のピーク
強度Ｉ（４２２）とＩ（２２０）をピーク強度比Ｉ（４
２２）／｛Ｉ（４２２）＋Ｉ（２２０）｝として評価し
たもので、Ａｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜の膜厚は約1000オングス
トローム前後が最も高く優れた軟磁気特性を示し、セン
ダスト薄膜として理想的な結晶配向になると共に、従来
より改善された低保磁力Hc、高透磁率μの薄膜積層磁気
ヘッドを得ることができた。
【００１６】
【発明の効果】上述したように本発明の薄膜積層磁気ヘ
ッドは、磁気ヘッドコアの少なくとも一部が、Fe-Si-Al
系強磁性合金あるいはRu,Ti,Cr等の添加物を添加したFe
-Si-Al系強磁性合金からなるセンダスト薄膜と、Ａｌ2
Ｏ3 からなる絶縁薄膜とを交互に積層させた積層体の前
記センダスト薄膜を結晶面（４２２）に高配向させるこ
とにより、透磁率μが高く、保磁力Hcが小さく、かつ、
軟磁性の大幅な改善を図ることができる。また、絶縁薄
膜であるＡｌ2 Ｏ3 のスパッタリングの条件を最適に選
ぶことにより、他のFe系強磁性合金の結晶質磁性薄膜の
磁気特性をも向上させ得る可能性のあるものである。
ッドは、磁気ヘッドコアの少なくとも一部が、Fe-Si-Al
系強磁性合金あるいはRu,Ti,Cr等の添加物を添加したFe
-Si-Al系強磁性合金からなるセンダスト薄膜と、Ａｌ2
Ｏ3 からなる絶縁薄膜とを交互に積層させた積層体の前
記センダスト薄膜を結晶面（４２２）に高配向させるこ
とにより、透磁率μが高く、保磁力Hcが小さく、かつ、
軟磁性の大幅な改善を図ることができる。また、絶縁薄
膜であるＡｌ2 Ｏ3 のスパッタリングの条件を最適に選
ぶことにより、他のFe系強磁性合金の結晶質磁性薄膜の
磁気特性をも向上させ得る可能性のあるものである。
【図１】膜厚 1000 ，2000オングストロームのＡｌ2 Ｏ
3 絶縁薄膜上に積層したセンダスト薄膜の保磁力Hcと、
Ａｌ2 Ｏ3 のスパッタガス圧との関係図である。
3 絶縁薄膜上に積層したセンダスト薄膜の保磁力Hcと、
Ａｌ2 Ｏ3 のスパッタガス圧との関係図である。
【図２】膜厚 1000 オングストロームのＡｌ2 Ｏ3 絶縁
薄膜について、スパッタ電力依存を測定した図である。
薄膜について、スパッタ電力依存を測定した図である。
【図３】Ａｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜の膜厚とセンダスト薄膜の
透磁率μの関係図である。
透磁率μの関係図である。
【図４】Ａｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜の膜厚とセンダスト薄膜の
保磁力Hcの関係図である。
保磁力Hcの関係図である。
【図５】センダスト薄膜の結晶配向性をＸ線回析法によ
り分析したピーク強度比を示した図である。
り分析したピーク強度比を示した図である。
【図６】薄膜積層磁気ヘッドの外観斜視図である。
【図７】薄膜積層磁気ヘッドの磁気記録媒体摺接面を示
す要部拡大図である。
す要部拡大図である。
１１ａ，１１ｂ 非磁性絶縁基盤 １２ センダスト磁性薄膜 １３ Ａｌ2 Ｏ3 絶縁薄膜 １７ 磁気コア半体 １８ 磁気コア半体 ２０ 積層体 Ｇ ギャップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板東 正樹 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 福永 信之 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 井関 隆之 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】磁気ヘッドコアの少なくとも一部が、Fe-S
i-Al系強磁性合金からなるセンダスト薄膜と、Ａｌ2 Ｏ
3 からなる絶縁薄膜とを交互に積層させた積層体からな
る薄膜積層磁気ヘッドにおいて、 前記センダスト薄膜は、結晶面（４２２）に高配向して
いることを特徴とする薄膜積層磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4285074A JP2790159B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 薄膜積層磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4285074A JP2790159B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 薄膜積層磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111233A true JPH06111233A (ja) | 1994-04-22 |
| JP2790159B2 JP2790159B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=17686813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4285074A Expired - Fee Related JP2790159B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 薄膜積層磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2790159B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5987614A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-21 | Hitachi Ltd | 金属磁性薄膜ヘツド |
| JPH01279742A (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-10 | Sharp Corp | センダスト薄膜の成膜方法 |
| JPH0237510A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH03168909A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-22 | Nec Kansai Ltd | 磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH03203008A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Nec Kansai Ltd | 磁気ヘッド用Ｆｅ―Ｓｉ―Ａｌ系強磁性合金積層膜の製造方法 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP4285074A patent/JP2790159B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5987614A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-21 | Hitachi Ltd | 金属磁性薄膜ヘツド |
| JPH01279742A (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-10 | Sharp Corp | センダスト薄膜の成膜方法 |
| JPH0237510A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH03168909A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-22 | Nec Kansai Ltd | 磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH03203008A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Nec Kansai Ltd | 磁気ヘッド用Ｆｅ―Ｓｉ―Ａｌ系強磁性合金積層膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2790159B2 (ja) | 1998-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH061729B2 (ja) | 磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH0622170B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| US6238492B1 (en) | Soft magnetic thin film, method for preparing same and magnetic head | |
| EP0466159B1 (en) | Composite magnetic head | |
| US5663857A (en) | Magnetic head | |
| JPH06318516A (ja) | 軟磁性多層膜およびこれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH06215325A (ja) | 積層型磁気ヘッドコア | |
| JP2790159B2 (ja) | 薄膜積層磁気ヘッド | |
| JPS63293707A (ja) | Ｆｅ−Ｃｏ磁性多層膜及び磁気ヘッド | |
| JPH0917632A (ja) | 軟磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド | |
| JP2925257B2 (ja) | 強磁性膜、その製造方法及び磁気ヘッド | |
| JPH03203008A (ja) | 磁気ヘッド用Ｆｅ―Ｓｉ―Ａｌ系強磁性合金積層膜の製造方法 | |
| JP2798315B2 (ja) | 複合磁気ヘッド | |
| KR100324730B1 (ko) | 자기헤드의제조방법 | |
| KR950001603B1 (ko) | 적층자기헤드 | |
| JP2550995B2 (ja) | 軟磁性積層薄膜 | |
| JP2551008B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPH01100714A (ja) | 複合磁気ヘッド | |
| JPH05189716A (ja) | 軟磁性多層膜及びこれを用いた磁気ヘッド | |
| JP2002123906A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH02216604A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH01143312A (ja) | 非晶質軟磁性積層膜 | |
| JPH1012437A (ja) | 磁気ヘッド用基板付き合金磁性膜、その製造方法および磁気ヘッド | |
| JP2000011314A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0765316A (ja) | 磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090612 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090612 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100612 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |