JPH0237510A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ＶＴＲあるいは、ＤＡＴ等に用いられる高保
磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記録するのに通し
た磁気ヘッドに関する。

従来の技術 高密度磁気記録再生においては、記録媒体の保磁力を太
き（すれば有利であることが一般に知られているが、高
保磁力の記録媒体に情報を記録するためには強い磁場が
必要となる。ヘッドコア材として主流をなすフェライト
材はその飽和磁束密度が４０００〜５０００ガウス程度
であるため、磁気記録媒体の保磁力が１０００エルステ
ツドを越えてくると記録が不十分になるという欠点があ
る。

そこでフェライトよりも飽和磁束密度の大きいことから
ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等の非晶質合金が利用
されている。しかしながらこれに於いても飽和磁束密度
を太き（するためには合金中のＣｏ量を多くすることが
必要となり、一方ＣｏＩを多くすると非晶質合金の結晶
化温度が低くなり、熱処理工程の多いヘッドの製造に支
障を来すということで９０００ガウス程度以下の飽和磁
束密度を示す物しかヘッドとして製造できていない。

そこでヘッドの材料として１００００ガウス以上の飽和
磁束密度を示すセンダス）　（ＦｅＡＦ！Ｓｔ）合金が
利用されている（例えば、第９回日本応用磁気学会学術
講演概要集、２９ｐＡ−２）。

発明が解決しようとする課題 しかしながらセンダスト薄膜をスパッタ法などで形成す
る場合、基板の熱膨張係数、スパッタ時のアルゴンガス
圧力など種類の条件を細かく検討しなければ基板と膜の
間に歪が生じて応力が発生し、その結果基板が反るなど
して、このことが精密加工を必要とするヘッドの製造に
大きな支障となり、生産歩留まりを落としている。

そこでここでは熱工程を加えることにより比較的容易に
膜と基板の反りを減少させることのできるセンダスト薄
膜の形成方法を示す。

課題を解決するための手段 スパッタ法によりセンダスト薄膜を作製する際に基板上
にまずガラス層を形成し、その後にヘッドのコア材料と
なるべきセンダスト薄膜をスパッタ法で形成する。

作用 この技術的手段の作用は次のようになる。ガラスは熱を
加えることにより軟化する。基板とセンダスト薄膜の間
に形成されたガラス層は熱処理を施すと軟化し、このた
めセンダスト薄膜とガラス層の境界に生じていた歪が緩
和される。またこの際に外力を加えることで膜の内部応
力も減少させ、基板の反り量も著しく減少させることが
可能となり、磁気ヘッドの製造歩留りをアップさせられ
る。

実施例 以下実施例を示す。

第１図は、本発明により形成した磁気ヘッドの一例を示
す。（ａ）は磁気ヘッドの主コアとなるのがセンダスト
薄膜（Ｆ　ｅｏ、７５Ａｊ２０．０６　Ｓ　ｉｏ、１９
）３、非磁性酸化物基板が１、そのあいだにあるのが、
ガラス層２である。（ｂ）は非磁性基板の代わりにフェ
ライトを用いた場合である。４はガラスである。これら
の例では、センダス）１１１９の厚みがトランクになっ
ている。

第２図は第１図（ａ）に示される磁気ヘッドの製造方法
の一例である。

（ａｌではまず１枚の非磁性酸化物基板２０上にガラス
層を２１をスパッタ法にて形成する。このガラス層はこ
の後の熱工程により１０５Ｐｏｉｓｅ程度まで軟化する
ガラスが望ましい。またこのガラスの熱膨張係数もｌ０
０ＸＩ０７〜２００×１０７／’Ｃの物であれば問題は
ない。またこのガラス層の厚さは、０．３μｍ以上であ
れば問題はない。この後例えばセンダス）（Ｆｅ０．７
５ＡｆｆｉＯ，０６Ｓｉ０．１９）薄膜２２を所望の厚
さ形成する。この際筒周＄領域での磁気特性を向上させ
るために絶縁物、例えば５ｉＯｚ（図では省略）とセン
ダストとの積層構造にするのが望ましい。

もう１枚の非磁性セラミック基板２０上にはデインツブ
ガラス法などでガラスＮ２３を１μｍ〜３μｍ形成する
。

■ンでは（ａ）で作った２枚の基板を電気炉の中、窒素
雲囲気で約６００°Ｃで加熱加圧接着し、複合ブロンク
２４を製造する。

（Ｃ）ではこの複合ブロックを短冊切断し、２本の複合
バー２５．２６を１組として、少なくとも１本の複合バ
ーには巻線溝加工などを行う。

（ｄ）では２本のバー２５．２６の突合せ面２７２８（
ギャンブ面）を研磨した後、この面にＳｉＯ□、ガラス
（共に図では省略）を順にスパック法で形成し、電気炉
内で加圧加熱接着し、ヘンドパ−２９とする。このとき
の温度は工程（ｂ）で行った接着がゆるまないようにこ
の温度より少し低い５５０°Ｃくらいが望ましい。

（ｅｌではヘッドバー２９を適当に切断して磁気ヘッド
ができあがる。

第３図は第１図（ｂｌに示される磁気へンドの製造方法
の一例である。

（ａ）ではまずフェライト基板４０上に所定間隔に、所
定幅の溝を作る。その溝にガラス４１を融解した後、研
摩を行って、ガラスとフェライトの複合基板４２を作製
する。

（ｂ）では上記複合基板２枚を１組として１枚の複合基
板４２上にガラスＪｉ４３をスパッタ法にて形成する。

このガラス層も第２図のガラスと同様の条件を満たせば
よい。またこのガラス層の膜厚は、０．３μｍ以上であ
れば効果は十分である。この後センダスト薄膜４４を所
望の厚さ形成する。この際高周波領域での磁気特性を向
上させるために絶縁物、例えばＳｉＯ□　（図では省略
）とセンダストとの積層構造にするのが望ましい。

もう１枚のフェライトとガラスの複合基板４２上にはデ
イツプガラス法などでガラス層４５を１μｍ〜３１ｔｍ
形成する。

（Ｃ）では（ｂ）で作った２種類の基板各１枚を一組と
して２枚の基板を電気炉の中で加熱加圧接着し、複合ブ
ロンク４６を製造する。この際温度は６００°Ｃ程度、
窒素雰囲気中で行うのが望ましい。

（ｄ）ではこの複合ブロックを短冊切断する。切断線を
４７（ａ）　〜（ｇ）、切断バーを４８　（ａ）〜（ｆ
）とする。

（ｅ）切断バー４８　（ａ）〜（ｆ）の隣あう２木のバ
ーを一組として、少なくとも１本のバーには巻線溝加工
などを行ったのち２本のバー４８　（ａ）、（ｂ）の突
合せ面４９．５０（ギャンプ面）を研磨した後、この面
にＳｉＯ□、ガラス（共に図では省略）を順にスパッタ
法で所定膜厚形成する。

（ｆ）２本のバーのギャップ面を突き合わせた後、電気
炉内で加圧加熱接着し、ヘッドバー５１とする。このと
きの温度は工程（Ｃ）で行った接着がゆるまないように
この温度より少し低い５５０″Ｃ以下くらいが望ましい
。この後、ヘッドバー５１を適当に切断する。

（励磁気ヘッドができあがる。

なお上記の実施例では磁気ヘッドの主コアにセンダスト
（Ｆｅ０．７５Ａｊ！０．０６Ｓｉ０．１９）Ｆｉｌ膜
を用いているが、これの代わりにＦｅ０．７５ＡＩ０．
０６ＳｉＯ，ｌ７Ｃｒ０．０２、もしくはＦｅＯ，７２
ＧＯ，０６ＳｉＯ，ｌ７Ｒｕ０．０４などを用いても同
様の効果が得られることは言うまでもない。

発明の効果 本発明による磁気ヘッドにより、例えばＶＴＲ。

ＤＡＴ用ヘッドのコア材料としてセンダスト合金薄膜が
利用でき、高飽和磁束密度の記録効率の優れた磁気ヘッ
ドを今までに比べて歩留り良く製造できる。

【図面の簡単な説明】

（ａ）〜（ｅ）、第３図（ａ）〜（匂は本発明の磁気ヘ
ッドの製造方法の工程図である。 代理人の氏名　弁理士　粟野正単　はか１名簿 図 作ａ性酸化物慕抜 ガラス層 ℃ンダスト薄槓 乃ラス 加−・−作夜性赦（じ慴基板 ２１〜　　ガラス層 ２−ｔソリスト薄県 ４０−・−フェライト幕板 ４１〜・−ガラス 手７（ａＪ−（＄３・・・ｇＪ　　１纏４？、Ｗ　　−
・− プｊ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　基板上にガラス層を０．１μｍ以上形成した後、磁気
   ヘッドの主コアとなるＦｅｘＭｙＮｚで表せる軟磁性薄
   膜をスパッタ法で形成することを特徴とする磁気ヘッド
   。 但し、ＭはＡｌ，Ｓｉ，Ｒｕ，Ｇａ，Ｎｉの１種類また
   は２種類以上の合金からなり、ＮはＴｉ，Ｃｒ，Ｖ，Ｔ
   ａ，Ｗ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂの少なくとも１種類以上の合
   金からなり、ｘは０．６〜０．９、ｙは０．１〜０．３
   、ｚは０〜０．１かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１。