JPH06112282A - ボンディングツールおよびボンディング方法 - Google Patents

ボンディングツールおよびボンディング方法

Info

Publication number
JPH06112282A
JPH06112282A JP25441392A JP25441392A JPH06112282A JP H06112282 A JPH06112282 A JP H06112282A JP 25441392 A JP25441392 A JP 25441392A JP 25441392 A JP25441392 A JP 25441392A JP H06112282 A JPH06112282 A JP H06112282A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
metal wire
tip
tool
bonding tool
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25441392A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoichi Mori
陽一 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP25441392A priority Critical patent/JPH06112282A/ja
Publication of JPH06112282A publication Critical patent/JPH06112282A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • H10W72/07141Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07521Aligning
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531Techniques
    • H10W72/07532Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H10W72/07533Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/536Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】ワイヤーボンディングにおいて、ボンディング
後の接合ボールの径を小さくして隣接するボンディング
パッド上の接合ボールどうしの短絡を防止し、かつ、ボ
ンディングパッド下の事故を防止する。 【構成】先端2から所定の距離5軸方向に沿ってスリッ
ト6が形成されているボンディングツール1の先端近傍
の開閉部分9で金属ワイヤー11をクランプし、金属ワ
イヤーの突出部分12を半導体チップのボンディングパ
ッド22の面に押しつけ超音波振動により金属ワイヤー
をボンディングパッドに接合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はボンディングツールおよ
びボンディング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のボンディングツールおよびボンデ
ィング方法の一例を図面を参照して説明する。図5は従
来のボンディングツールの側面図、図6は図5のB−
B’部の断面図である。また、図7〜図9は従来のボン
ディング方法を示す図である。
【0003】まず、円筒部53および円錐部54を有す
るボンディングツール51の貫通孔57(図5,図6)
に金、アルミ等の金属線(ワイヤー)11を通し、金属
ワイヤー11を先端52より突出62させる(図7
(a))。そしてこの金属ワイヤー11の突出部62を
放電によって溶融してボール状66にする(図7
(b))。このボール状の部分66がボンディングツー
ル51の先端52から突出した状態で半導体チップ21
のボンディングパッド22に、下地加熱150〜250
℃、ツールへの加重30〜60gの条件で押し付け、ボ
ンディングツール51に例えば60KHzの超音波振動
を加える。するとボール66は半導体チップ21のボン
ディングパッド22との摩擦熱により押しつぶされた接
合部分63となりボンディングパッド22に接合される
(図7(c))。この状態でボンディングツール51を
一旦持ち上げリードフレーム23のステッチ部24側に
移動させ(図8(a))、金属ワイヤー11をステッチ
部24に押し付け再びボンディングツール51に超音波
振動を加えることにより金属ワイヤーとステッチ部との
摩擦熱により両者が接合される。これにより半導体チッ
プとリードフレームとが金属ワイヤー11により接続さ
れる。次に、ボンディングツール51を持ち上げ金属ワ
イヤー11を切断する(図8(b))。そして、金属ワ
イヤーのボンディングツールの先端から突出した突出部
を再度放電によってボール状にして上記動作を繰り返
し、半導体チップの各ボンディングパッドと各リードフ
レームのステッチ部を接続していく。
【0004】以上がワイヤーボンディングによる接続方
法についての説明であるが、フィルムキャリア型半導体
装置やフリップチップ等のバンプ形成方法の一つとして
のボールバンプ法について図9を参照して説明する。こ
れは、図7,図8のワイヤーボンディング法を応用した
ものであり、金、半田等からなる金属ワイヤー11の突
出部72(図9(a))を放電によって溶融してボール
状76にし(図9(b))、このボール状の部分76を
半導体チップのボンディングパッド42に、下地加熱1
50〜250℃、ツールへの加重30〜60gの条件で
押し付け、ボンディングツール51に例えば60KHz
の超音波振動を加えてボールをボンディングパッド42
との摩擦熱により押しつぶした接合部分73によりボン
ディングパッド42に接合し(図9(c))、この状態
でボンディングツール51を上方に移動させ(図9
(d))、金属ワイヤー11を切断してボールバンプ電
極74を形成する(図9(e))。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術で
は、ボール状の部分がボンディングツールの先端とボン
ディングパッドとの間に存在している状態でボンディン
グパッド面に押し付けるからその荷重がボンディングの
品質に大きな影響を与えていた。例えば、押し付け荷重
が大き過ぎると金属ワイヤーの先端部のボール状の部分
がワイヤー径の4.5倍以上に大きくつぶれ、隣接した
部分と接触し短絡するという問題があった。又、押し付
け荷重大により半導体チップのボンディングパッド面下
にクラックが発生してしまうという問題点もあった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、金属ワ
イヤーが貫通する貫通孔を有し、その先端から前記金属
ワイヤーを突出させてボンディングを行うボンディング
ツールにおいて、前記先端から所定の距離軸方向に沿っ
てスリットが形成され、このスリットにより分割された
部分が中心軸方向に弾性変位をするようになっているボ
ンディングツールにある。ここで前記スリットが形成さ
れたボンディングツールの外周の所定部に押え手段を具
備し、この押え手段により前記スリットにより分割され
た部分が中心軸方向に変位して前記金属ワイヤーをクラ
ンプする。
【0007】本発明の他の特徴は、先端から所定の距離
軸方向に沿ってスリットが形成されているボンディング
ツールの前記先端近傍の開閉部分で金属ワイヤーをクラ
ンプし、前記ボンディングツールの先端から突出する前
記金属ワイヤーの突出部分を半導体チップのボンディン
グパッド面に押しつけ超音波振動により前記金属ワイヤ
ーの突出部分を前記ボンディングパッド面に接合するボ
ンディング方法にある。ここで、前記金属ワイヤーの突
出部分を前記ボンディングパッド面に接合しかつ前記金
属ワイヤーの他の箇所をリードに接合することができ
る。あるいは、前記ボンディングパッド面の前記金属ワ
イヤーの接合部分の上で前記金属ワイヤーを切断して前
記金属ワイヤーの接合部分によるバンプ電極を形成する
ことができる。
【0008】このような本発明によれば、ボンディング
ツールの先端から所定の距離軸方向に沿ってスリットが
形成されているから、先端近傍に金属ワイヤーをクラン
プする開閉部分が形成できる。したがってボールを形成
しなくともボンディングツールの先端から突出する金属
ワイヤーの突出部分をそのまま半導体チップのボンディ
ングパッド面に押しつけ超音波振動により小さい接合部
分により接合が可能となり、ボンディングツールの先端
からの荷重がボンディングパッド面に加わらないから、
前述した従来技術の問題点は解消される。
【0009】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0010】図1は本発明の一実施例のボンディングツ
ールの側面図であり、図2は図1のA−A’部の断面図
である。ボンディングツール1には先端2よりその軸方
向に沿って、円錐部4の全長から円筒部3にかけて距離
5にわたってスリット6が形成されている。2つのスリ
ット6のそれぞれは、貫通孔7を通る金属ワイヤー11
の直径が例えば30μmのとき15〜20μmの幅であ
り、距離5においてボンディングツールを2等分に分割
している。このボンディングツールには、押え用機構8
がスリット形成部分5の外周所定箇所に当接して設けら
れ、アクチュエータによりボンディングツールの分割部
分を円中心軸方向に弾性変位させて金属ワイヤーをクラ
ンプ(閉状態)し、押さえ力解除でそのクランプを解除
(開状態)する。この押え機構によりボンディングツー
ルの先端近傍の開閉部分9で金属ワイヤーをクランプす
ることが可能となる。
【0011】次に本発明の第1の実施例のボンディング
方法として上述したボンディングツールを用いたワイヤ
ーボンディング法について、図3を参照して説明する。
【0012】ボンディングツール1の貫通孔7に金、ア
ルミ等の金属ワイヤー11を通し、ツールの先端2より
少しワイヤーの先端部分を突出12させ(図3
(a))、先に述べたアクチュエータによりボンディン
グツールの分割部分を円中心方向に弾性変位させツール
の先端近傍の開閉部分9を閉状態にして金属ワイヤー1
1をクランプする(図3(b))。そしてこの状態でボ
ンディングツール1を下降させ、ワイヤーの突出部分1
2をそのまま半導体チップ21のボンディングパッド2
2に押し付け超音波振動を加える。するとワイヤーの突
出部分12は半導体チップ21のボンディングパッド2
2との摩擦熱により押しつぶされた接合部分13となり
ボンディングパッド22に接合される(図3(c))。
この状態でアクチュエータにより開閉部分9を開状態す
なわちクランプを解除してボンディングツール1を一旦
持ち上げリードフレーム23のステッチ部24側に移動
させ(図3(d))、金属ワイヤー11をステッチ部2
4に押し付け再びボンディングツール1に超音波振動を
加えることにより金属ワイヤーとステッチ部との摩擦熱
により両者が接合される。これにより半導体チップとリ
ードフレームとが金属ワイヤーにより接続される。次
に、ボンディングツール1を持ち上げ金属ワイヤー11
を切断する(図3(e))。
【0013】以上説明したように、ボンディングツール
1にツールを2等分に分割するスリット6を設け、先端
の近傍部9で金属ワイヤー11をクランプし、ボールを
形成すること無くワイヤーの突出部分12をそのままボ
ンディングパッド22に押し付け超音波振動を加えるか
ら、それによるワイヤーの接合部分13はワイヤー径の
1.5〜2.0倍というように小さくする事ができ、押
し付け荷重大により金属ワイヤーの先端のボール状の部
分が大きくつぶれ隣接したボール部と接触しショートし
てしまうという従来技術による問題点を防止することが
できる。
【0014】したがって、金属ワイヤーの直径が例えば
30μmの場合、従来技術ではボンディングパッド間の
パッドピッチが120〜150μm必要であったが、本
実施例の方法を用いることによりパッドピッチを80〜
100μmに縮小することが可能となる。さらに本実施
例ではボンディングツール1の先端2からの力がボンデ
ィングパッド22に作用しないで接合が行われるから、
ボンディングパッド22下への影響が緩和される。
【0015】次に本発明の第2の実施例のボンディング
方法として上述したボンディングツールを用いたバンプ
形成法について、図4を参照して説明する。
【0016】ボンディングツール1の貫通孔7に金、ア
ルミ等の金属ワイヤー11を通し、ツールの先端2より
少しワイヤーの先端部分を突出32させ(図4
(a))、アクチュエータによりボンディングツールの
分割部分を円中心軸方向に弾性変位させツールの先端近
傍の開閉部分9を閉状態にして金属ワイヤー11をクラ
ンプする(図4(b))。そしてこの状態でボンディン
グツール1を下降させ、ワイヤーの突出部分32をその
まま半導体チップのボンディングパッド42に押し付け
超音波振動を加えことによりワイヤーの突出部分32は
ボンディングパッド42との摩擦熱により押しつぶされ
た接合部分33となりボンディングパッド42に接合さ
れる(図4(c))。この状態で開閉部分9を開状態す
なわちクランプを解除してボンディングツール1を持ち
上げ(図4(d))、接合部分33を残して金属ワイヤ
ー11を切断して残余した接合部分33からボールバン
プ34が得られる。
【0017】以上説明したように本実施例では、ツール
先端部で金属ワイヤーをクランプして金属ワイヤーの突
出部をそのままボンディングパッドに押し付けて超音波
振動により接合し、ワイヤーを切断してボールバンプを
形成するから、ワイヤー径の1.5〜2.0というよう
な小さいボール径のボールバンプを得ることができる。
また、従来は放電によりワイヤー先端にボールを形成し
ていたが、本実施例では放電によるボール形成を省略し
てボールバンプを得ることができるという長所も有す
る。さらに、先の第1の実施例と同様にこの第2の実施
例でもツール先端からの押し付け力をボンディングパッ
ドに作用することなくワイヤーとボンディングパッドと
の接合を行うので、ボールバンプ形成によるボンディン
グパッド下の半導体チップの部分への悪影響を排除する
ことができる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、先端部分
にツールを2等分割するスリットを設けているボンディ
ングツールのツール先端部で金属ワイヤーをクランプ
し、金属ワイヤーの突出部分をそのままボンディングパ
ッドに押し付け超音波振動により金属ワイヤーとボンデ
ィングパッドとを接合させるからボンディング後の接合
ボール径を小さくすることが出来、隣接するボンディン
グパッド上の接合ボールとの短絡を防止できるという効
果を有する。又、ツール先端部からの作用力をボンディ
ングパッドにおよぼさないから、ボンディングパッド下
のクラック等の不都合をなくすことができるという効果
を有する。さらにボールバンプを形成する場合、放電工
程を省略することができ、さらにボール径の小さいバン
プ形成が可能であるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のボンディングツールを示す
側面図である。
【図2】図1のA−A’部の断面図である。
【図3】本発明の第1の実施例のボンディング方法を示
す図である。
【図4】本発明の第2の実施例のボンディング方法を示
す図である。
【図5】従来技術のボンディングツールを示す側面図で
ある。
【図6】図5のB−B’部の断面図である。
【図7】従来技術のボンディング方法の前半の工程を示
す図である。
【図8】従来技術のボンディング方法の後半の工程を示
す図である。
【図9】他の従来技術のボンディング方法を示す図であ
る。
【符号の説明】
1,51 ボンディングツール 2,52 ボンディングツールの先端 3,53 ボンディングツールの円筒部 4,54 ボンディングツールの円錐部 5 ボンディングツールのスリット形成部 6 スリット 7,57 ボンディングツールの貫通孔 8 押え機構 9 ボンディングツールの金属ワイヤーをクランプす
る開閉部分 11 金属ワイヤー 12,32,62,72 金属ワイヤーの突出部分 13,33,63,73 ボンディングパッド上のワ
イヤーの接合部分(接合ボール) 21 半導体チップ 22 ボンディングパッド 23 リードフレーム 24 リードフレームのステッチ部 34,74 ボールバンプ電極 66,76 放電によるボール

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属ワイヤーが貫通する貫通孔を有し、
    その先端から前記金属ワイヤーを突出させてボンディン
    グを行うボンディングツールにおいて、前記先端から所
    定の距離軸方向に沿ってスリットが形成され、このスリ
    ットにより分割された部分が中心軸方向に弾性変位をす
    るようになっていることを特徴とするボンディングツー
    ル。
  2. 【請求項2】 前記スリットが形成されたボンディング
    ツールの外周の所定部に押え手段を具備し、この押え手
    段により前記スリットにより分割された部分が中心軸方
    向に変位して前記金属ワイヤーをクランプすることを特
    徴とする請求項1に記載のボンディングツール。
  3. 【請求項3】 先端から所定の距離軸方向に沿ってスリ
    ットが形成されているボンディングツールの前記先端近
    傍の開閉部分で金属ワイヤーをクランプし、前記ボンデ
    ィングツールの先端から突出する前記金属ワイヤーの突
    出部分を半導体チップのボンディングパッド面に押しつ
    け超音波振動により前記金属ワイヤーの突出部分を前記
    ボンディングパッド面に接合することを特徴とするボン
    ディング方法。
  4. 【請求項4】 前記金属ワイヤーの突出部分を前記ボン
    ディングパッド面に接合しかつ前記金属ワイヤーの他の
    箇所をリードに接合することを特徴とする請求項3に記
    載のボンディング方法。
  5. 【請求項5】 前記ボンディングパッド面の前記金属ワ
    イヤーの接合部分の上で前記金属ワイヤーを切断して前
    記金属ワイヤーの接合部分によるバンプ電極を形成する
    ことを特徴とする請求項2に記載のボンディング方法。
JP25441392A 1992-09-24 1992-09-24 ボンディングツールおよびボンディング方法 Pending JPH06112282A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25441392A JPH06112282A (ja) 1992-09-24 1992-09-24 ボンディングツールおよびボンディング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25441392A JPH06112282A (ja) 1992-09-24 1992-09-24 ボンディングツールおよびボンディング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06112282A true JPH06112282A (ja) 1994-04-22

Family

ID=17264633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25441392A Pending JPH06112282A (ja) 1992-09-24 1992-09-24 ボンディングツールおよびボンディング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06112282A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100330400B1 (ko) * 1999-09-14 2002-03-27 이용철 캐피러리 제작용 툴 및 캐피러리 재생방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50120261A (ja) * 1974-03-06 1975-09-20
JPS59208751A (ja) * 1983-05-13 1984-11-27 Hitachi Ltd バンプ形成方法
JPS61166035A (ja) * 1985-12-09 1986-07-26 Hitachi Ltd ワイヤボンデイング方法
JPH02273945A (ja) * 1989-04-17 1990-11-08 Shinkawa Ltd バンプ形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50120261A (ja) * 1974-03-06 1975-09-20
JPS59208751A (ja) * 1983-05-13 1984-11-27 Hitachi Ltd バンプ形成方法
JPS61166035A (ja) * 1985-12-09 1986-07-26 Hitachi Ltd ワイヤボンデイング方法
JPH02273945A (ja) * 1989-04-17 1990-11-08 Shinkawa Ltd バンプ形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100330400B1 (ko) * 1999-09-14 2002-03-27 이용철 캐피러리 제작용 툴 및 캐피러리 재생방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI502662B (zh) 成柱凸塊程序中增加支座高度之系統以及方法
JP2004088005A (ja) ワイヤボンディング用キャピラリ及びこれを用いたワイヤボンディング方法
JPH06338504A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US6244499B1 (en) Structure of a ball bump for wire bonding and the formation thereof
JP2631013B2 (ja) バンプ形成方法
KR19990013284A (ko) 캡슐봉입 볼본딩 장치 및 방법
JPH06112282A (ja) ボンディングツールおよびボンディング方法
JP3128718B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
JPH1064940A (ja) ワイヤボンディング装置用キャピラリ
US6467677B1 (en) Method and contact point for producing an electrical connection
JPS5940537A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2500655B2 (ja) ワイヤ―ボンディング方法及びその装置
JP3322642B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US7510958B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device including a bump forming process
JPH0695519B2 (ja) バンプ形成方法
JP3202193B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2001338941A (ja) バンプ形成装置及びバンプ形成方法
JPH1174299A (ja) バンプ形成装置およびバンプ形成方法
JPH0430546A (ja) 被覆線の超音波ワイヤボンディング方法及び被覆線の超音波ワイヤボンディング用外部リード
JPH11330125A (ja) キャピラリ、バンプ形成方法、並びに電子部品及びその製造方法
JPH09326411A (ja) ワイヤボンディング装置
JP2574531B2 (ja) バンプ電極の形成方法
JPH03116735A (ja) フリップチップ用ic及びその製造方法
JP3269398B2 (ja) バンプ付きワークの半田付け方法
JPH08306727A (ja) ワイヤボンディング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980804