JPH06112386A - 電子部品の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子部品において、実装時の半田に対するぬ
れ性を確保し、マーキング時のマーキング不良を低減す
る。また、組立プロセスの処理時間を短縮する。 【構成】 電子部品の形成方法において、受動素子６、
封止体１及び内部リード２Ａ等の組立部品を準備すると
共に、円周表面上に半田に対してぬれ性を有しかつ半田
に比べて硬質である金属メッキ層５を形成した外部リー
ド２Ｂを前記組立部品の準備に対して独立にかつ並列に
準備する工程と、前記内部リード２Ａの一端側と外部リ
ード２Ｂの一端側とを溶接により接合し、前記内部リー
ド２Ａの他端側に前記受動素子６を電気的に接続すると
共に、前記内部リード２Ａ及び受動素子６を前記円筒状
の封止体１で封止する工程と、前記外部リード２Ｂの他
端側をマーキング装置のリードガイド１１に回転自在に
支持し、封止体１を回転させながら該封止体１の円周表
面上にマーキングを施す工程とを備える。前記金属メッ
キ層５は、Ｎｉ膜若しくはＣｒ膜で形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子部品に関し、特
に、外部リードが接続された内部リードを封止体に挿入
し、この内部リード及び封止体で形成されるキャビティ
内に受動素子を封止する電子部品に適用して有効な技術
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】プリント配線基板等の実装基板上に実装
される電子部品として、例えば、内部リードとして使用
されるジュメット線に外部リードとして使用されるＣＰ
線が接続(接合)された２本のスラグリードを使用し、こ
の２本のスラグリードのジュメット線の夫々をガラス材
からなる円筒状の封止体(ガラススリーブ)の円筒内にそ
の両端側から夫々毎に挿入し、ジュメット線及び封止体
で形成されるキャビティ内に単一のダイオード素子を封
止したダイオード部品がある。この種のダイオード部品
には、封止体の円周表面上に連続した帯状のカソードマ
ークがマーキング(表面)される。また、ダイオード素子
には、酸化によるＣＰ線の劣化防止や実装時の半田に対
するぬれ性を確保する目的として、ＣＰ線の表面上に半
田が被覆される。

【０００３】以下、前記ダイオード部品の組立プロセス
について簡単に説明する。

【０００４】まず、ダイオード素子、ジュメット線(内
部リード)、ＣＰ線(外部リード)及び封止体(ガラススリ
ーブ)等の組立部品を準備する。

【０００５】次に、前記ジュメット線の一端側にＣＰ線
の一端側を抵抗溶接により接合してスラグリードを形成
する。前記ジュメット線、ＣＰ線の夫々は、例えばＦｅ
Ｎｉ合金からなる芯線にＣｕ膜を被覆した２層構造で構
成される。

【０００６】次に、前記スラグリードを２本使用して、
この２本のスラグリードのジュメット線の夫々を前記円
筒状の封止体の円筒内にその両端側から夫々毎に挿入
し、一方のジュメットの他端側に前記ダイオード素子の
アノード側、他方のジュメット線の他端側に前記ダイオ
ード素子のカソード側の夫々を電気的に接続する。この
後、熱処理を施し、前記２つのジュメット線の夫々を前
記封止体に溶着し、ジュメット線及びダイオード素子を
封止体で封止する。

【０００７】次に、半田浸漬法に基づき半田ディプ処理
を施して、前記２本のＣＰ線の表面上に半田を被覆す
る。この半田としては、例えばＰｂ−Ｓｎ系合金（例え
ば７５［重量％］Ｐｂ−２５［重量％］Ｓｎ）が使用さ
れる。

【０００８】次に、前記２本のＣＰ線の他端側の夫々を
マーキング装置のリードガイドに回転自在に支持し、円
筒状の封止体を回転させながら該円筒状の封止体の円周
表面上に連続した帯状のカソードマークをマーキングす
る。これにより、ダイオード部品がほぼ完成する。

【０００９】次に、前記ダイオード部品の電気的特性を
測定し、選別を行う。この後、連続した粘着テープにダ
イオード部品を固定し、製品出荷する。

【００１０】このように構成されるダイオード部品は、
プリント配線基板等の実装基板上に実装され、半田で電
気的かつ機械的に接続される。この実装時の半田として
は、例えばＰｂ−Ｓｎ系合金(例えば６０［重量％］Ｐ
ｂ−４０［重量％］Ｓｎ)が使用される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述のダ
イオード部品(電子部品)について検討した結果、以下の
問題点を見出した。

【００１２】前記ダイオード部品の組立プロセスのマー
キング工程において、ダイオード部品の外部リードとし
て使用されるＣＰ線の表面上に被覆された半田がリード
ガイドとＣＰ線との回転摩擦により摩耗し、リードガイ
ドに半田粕が付着する。このため、円筒状の封止体が円
滑に回転しなくなり、この封止体の円周表面上にマーキ
ングされるカソードマークのマーキング処理不良が増大
するという問題があった。

【００１３】また、前記ダイオード部品のＣＰ線の表面
上に被覆される半田は、封止工程後の半田ディップ工程
において形成される。この半田ディップ工程は、ダイオ
ード部品の組立プロセスでの処理時間に占める割合が大
きい。このため、半田ディップ工程に相当する分、ダイ
オード部品の組立プロセスの処理時間が増大するという
問題があった。

【００１４】本発明の目的は、電子部品において、実装
時の半田に対するぬれ性を確保し、マーキング時のマー
キング処理不良を低減することが可能な技術を提供する
ことにある。

【００１５】また、本発明の他の目的は、電子部品の組
立プロセスの処理時間を短縮することが可能な技術を提
供することにある。

【００１６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１８】（１）外部リードが接続された内部リード
を円筒状の封止体に挿入し、この内部リード及び封止体
で形成されるキャビティ内に単一の受動素子を封止する
電子部品の形成方法において、下記の工程(イ)乃至(ハ)
を備える。

【００１９】(イ)前記単一の受動素子、円筒状の封止体
及び内部リードの複数個の部品を準備すると共に、円周
表面上に半田に対してぬれ性を有しかつ半田に比べて硬
質である金属メッキ層を形成した外部リードを前記複数
個の部品に対して独立にかつ並列に準備する工程、(ロ)
前記複数個の部品のうち、内部リードの一端側と外部リ
ードの一端側とを溶接により接合し、前記内部リードの
他端側に前記受動素子を電気的に接続すると共に、前記
内部リード及び受動素子を前記円筒状の封止体で封止す
る工程、(ハ)前記外部リードの他端側をマーキング装置
のリードガイドに回転自在に支持し、前記円筒状の封止
体を回転させながら該円筒状の封止体の円周表面上にマ
ーキングを施す工程。

【００２０】（２）前記金属メッキ層は、Ｎｉ膜若しく
はＣｒ膜で形成される。

【００２１】

【作用】上述した手段によれば、電子部品の外部リード
の円周表面上に半田に変えて硬質の金属メッキ層を形成
したので、実装時の半田に対するぬれ性を確保でき、し
かもマーキング処理において、リードガイドと外部リー
ドとの回転摩擦による金属メッキ層の耐摩耗性を向上で
きる。この結果、リードガイドに半田粕が付着すること
を根本的に除去し、封止体の回転を円滑にできるので、
電子部品のマーキング処理不良を低減できる。

【００２２】また、封止工程前に外部リードの円周表面
上に金属メッキ層を形成したので、封止工程後であって
マーキング工程前の半田ディップ工程を廃止でき、この
半田ディップ工程に相当する分、電子部品の組立プロセ
スの処理時間を短縮できる。

【００２３】また、円周表面上に金属メッキ層を形成し
た外部リードを、単一の受動素子、円筒状の封止体及び
内部リード等の部品に対して独立にかつ並列に準備する
ので、更に電子部品の組立プロセスの処理時間を短縮で
きる。

【００２４】以下、本発明の構成について、ダイオード
部品(電子部品)に本発明を適用した本発明の一実施例と
ともに説明する。

【００２５】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００２６】

【実施例】本発明の一実施例であるダイオード部品の概
略構成を図１（斜視図）及び図２(要部断面図)で示す。

【００２７】図１及び図２に示すように、本発明の一実
施例であるダイオード部品（電子部品）は、内部リード
として使用されるジュメット線２Ａの一端側に外部リー
ドとして使用されるＣＰ線２Ｂの一端側が接合されたス
ラグリード２を２本使用し、この２本のスラグリード２
のジュメット線２Ａの夫々をガラス材からなる円筒状の
封止体(ガラススリーブ)１の円筒内にその両端側から夫
々毎に挿入し、この２本のジュメット線２Ａ及び封止体
１で形成されるキャビティ内に単一のダイオード素子
(受動素子)６を封止している。このダイオード部品は、
プリント配線基板等の実装基板上に実装され、半田で電
気的かつ機械的に接続される。

【００２８】前記単一のダイオード素子６は、主面にｐ
ｎ接合が形成された半導体ペレットで構成される。前記
２本のジュメット線２Ａの夫々は、封止体１の円筒内の
両端側に夫々毎に溶着される。この２本のジュメット線
２Ａのうち、一方のジュメット線２Ａの他端側にはバン
プ電極７を介在してダイオード素子６のアノード側が電
気的に接続され、他方のジュメット線２Ａの他端側には
ダイオード素子６のカソード側が電気的に接続される。

【００２９】前記ジュメット線２Ａ、ＣＰ線２Ｂの夫々
は例えばＦｅＮｉ合金からなる芯線にＣｕ膜を被覆した
２層構造で構成される。このＣＰ線２Ｂの円周表面上に
は、実装時の半田に対してぬれ性を有し、かつ半田に比
べて硬質である金属メッキ層５が形成される。この金属
メッキ層５は例えばＮｉ膜若しくはＣｒ膜で形成され
る。前記円筒状の封止体１は、その円周表面上に連続し
た帯状のカソードマーク１Ａがマーキングされる。

【００３０】次に、前記ダイオード部品の組立プロセス
について、図３（組立実装プロセスフロー図）、図４
（封止工程を説明するための概略構成図）及び図５（マ
ーキング工程を説明するための概略構成図）を用いて簡
単に説明する。

【００３１】まず、単一のダイオード素子６、円筒状の
封止体(ガラススリーブ)１及びジュメット線(内部リー
ド)２Ａ等の複数個の組立部品を準備すると共に、円周
表面上に、実装時の半田に対してぬれ性を有しかつ半田
ディップ時の半田に比ベて硬質である金属メッキ層５を
形成したＣＰ線(外部リード)２Ｂを準備する〈２０〉。
このＣＰ線２Ｂは、前述の複数個の組立部品に対して独
立にかつ並列に準備される。

【００３２】次に、前記複数個の部品のうち、ジュメッ
ト線２Ａの一端側とＣＰ線２Ｂの一端側とを抵抗溶接に
より接合してスラグリード２を形成する。

【００３３】次に、図３及び図４に示すように、前記ス
ラグリード２を２本使用して、この２本のスラグリード
２のジュメット線２Ａの夫々を円筒状の封止体１の円筒
内にその両端側から夫々毎に挿入し、一方のジュメット
線２Ａの他端側にバンプ電極７を介在してダイオード素
子６のアノード側、他方のジュメット線２Ａの他端側に
ダイオード素子６のカソード側の夫々を電気的に接続す
ると共に、ジュメット線２Ａ及びダイオード素子６を封
止体６で封止する〈２１〉。この封止工程は、熱処理を
施して２本のジュメット線２Ａの夫々を封止体１に溶着
する。

【００３４】次に、図３及び図５に示すように、前記２
本のＣＰ線２Ａの他端側の夫々をマーキング装置１０の
リードガイド１１に回転自在に支持し、円筒状の封止体
１を回転ローラ１２で回転させながら該封止体１の円周
表面上に連続した帯状のカソードマーク１Ａマーキング
する〈２２〉。この時、ＣＰ線２Ｂの円周表面上には、
半田に変えて硬質の金属メッキ層５が形成されているの
で、リードガイド１１とＣＰ線２Ｂとの回転摩擦による
金属メッキ層５の耐摩耗性を向上できる。この結果、リ
ードガイド１１に半田粕が付着することを根本的に除去
し、円筒状の封止体１の回転を円滑にできるので、カソ
ードマーク１Ａのマーキング不良を低減できる。この工
程により、ダイオード部品がほぼ完成する。

【００３５】次に、前記ダイオード部品の電気的特性を
測定し、選別を行う〈２３〉。

【００３６】次に、前記ダイオード部品を連続した粘着
テープに固定する〈２４〉。この後、ダイオード素子は
製品出荷される。

【００３７】次に、前記ダイオード部品は、プリント配
線基板、セラミック基板等の実装基板上に実装され〈２
５〉、半田により電気的かつ機械的に接続される〈２
６〉。この時、ダイオード部品のＣＰ線２Ｂの円周表面
上には、半田に対してぬれ性を有する金属メッキ層５が
形成されているので、実装時のぬれ性を確保できる。

【００３８】なお、本実施例のダイオード部品は、内部
リードとしてジュメット線２Ａ、外部リードとしてＣＰ
線２Ｂの夫々を使用しているが、内部リード、外部リー
ドの夫々を例えばＦｅ等の金属で形成してもよい。

【００３９】このように、本実施例によれば、以下の効
果が得られる。

【００４０】ダイオード部品のＣＰ線(外部リード)２Ｂ
の円周表面上に半田に変えて硬質の金属メッキ層５を形
成したので、実装時の半田に対するぬれ性を確保でき、
しかもマーキング処理において、リードガイド１１とＣ
Ｐ線２Ｂとの回転摩擦による金属メッキ層５の耐摩耗性
を向上できる。この結果、リードガイド１１に半田粕が
付着することを根本的に除去し、封止体１の回転を円滑
にできるので、ダイオード部品のマーキング処理不良を
低減できる。

【００４１】また、封止工程〈２１〉前にＣＰ線２Ｂの
円周表面上に金属メッキ層５を形成したので、封止工程
〈２１〉後であってマーキング工程〈２２〉前の半田デ
ィップ工程を廃止でき、この半田ディップ工程に相当す
る分、ダイオード部品の組立プロセスの処理時間を短縮
できる。

【００４２】また、円周表面上に金属メッキ層５を形成
したＣＰ線２Ｂを単一のダイオード素子６、封止体１及
びジュメット線２Ａ等の部品の準備に対して独立にかつ
並列に準備するので、更にダイオード部品の組立プロセ
スの処理時間を短縮できる。

【００４３】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。

【００４４】例えば、本発明は、外部リードが接続され
た内部リードを円筒状の封止体に挿入し、この内部リー
ド及び封止体で形成されるキャビティ内に単一の抵抗素
子を封止する抵抗部品に適用することができる。

【００４５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００４６】電子部品において、実装時の半田に対する
ぬれ性を確保し、マーキング時のマーキング処理不良を
低減できる。

【００４７】また、前記電子部品の組立プロセスの処理
時間を短縮することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例であるダイオード部品の斜
視図、

【図２】 前記ダイオード部品の要部断面図、

【図３】 前記ダイオード部品の組立実装フロー図、

【図４】 前記ダイオード部品の組立工程を説明するた
めの概略構成図、

【図５】 前記ダイオード部品のマーキング工程を説明
するための概略構成図。

【符号の説明】

１…封止体、２…スラグリード、２Ａ…ジュメット線
(内部リード)、２Ｂ…ＣＰ線(外部リード)、３…芯線、
４…Ｃｕ膜、５…金属メッキ層、１０…マーキング装
置、１１…リードガイド、１２…回転ローラ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部リードが接続された内部リードを円
   筒状の封止体に挿入し、この内部リード及び封止体で形
   成されるキャビティ内に単一の受動素子を封止する電子
   部品の形成方法において、下記の工程(イ)乃至(ハ)を備
   えたことを特徴とする電子部品の形成方法。 （イ）前記単一の受動素子、円筒状の封止体及び内部リ
   ードの複数個の部品を準備すると共に、円周表面上に半
   田に対してぬれ性を有しかつ半田に比べて硬質である金
   属メッキ層を形成した外部リードを前記複数個の部品に
   対して独立にかつ並列に準備する工程、 （ロ）前記複数個の部品のうち、内部リードの一端側と
   外部リードの一端側とを溶接により接合し、前記内部リ
   ードの他端側に前記受動素子を電気的に接続すると共
   に、前記内部リード及び受動素子を前記円筒状の封止体
   で封止する工程、 （ハ）前記外部リードの他端側をマーキング装置のリー
   ドガイドに回転自在に支持し、前記円筒状の封止体を回
   転させながら該円筒状の封止体の円周表面上にマーキン
   グを施す工程。
2. 【請求項２】 前記金属メッキ層は、Ｎｉ膜若しくはＣ
   ｒ膜で形成されることを特徴とする請求項１に記載の電
   子部品の形成方法。