JPH06112585A - サブマウントの製造方法 - Google Patents
サブマウントの製造方法Info
- Publication number
- JPH06112585A JPH06112585A JP28091392A JP28091392A JPH06112585A JP H06112585 A JPH06112585 A JP H06112585A JP 28091392 A JP28091392 A JP 28091392A JP 28091392 A JP28091392 A JP 28091392A JP H06112585 A JPH06112585 A JP H06112585A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- submount
- wafer
- coating
- manufacturing
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 片面から他面への抵抗が低く、導電特性に優
れ、十分な放熱効果が得られるサブマウントを容易に作
ることのできる方法を提供する。 【構成】 ウェハーの片面にコーティングした後切断
し、然る後他面にコーティングすることを特徴とするサ
ブマウントの製造方法。
れ、十分な放熱効果が得られるサブマウントを容易に作
ることのできる方法を提供する。 【構成】 ウェハーの片面にコーティングした後切断
し、然る後他面にコーティングすることを特徴とするサ
ブマウントの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品、特にレーザ
ーダイオードに用いられるサブマウントの製造方法に係
り、詳しくは導電特性に優れたサブマウントの製造方法
に関する。
ーダイオードに用いられるサブマウントの製造方法に係
り、詳しくは導電特性に優れたサブマウントの製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、サブマウントを製造するには、ウ
ェハーの片面にコーティングした後他面にコーティング
し、次に切断してチップとなしている。
ェハーの片面にコーティングした後他面にコーティング
し、次に切断してチップとなしている。
【０００３】ところで、かかる従来のサブマウントの製
造方法では、放熱効果に優れ、切断時ばりが出にくく、
温度が上がりにくいウェハーを用いているが、コーティ
ング後切断している為、片面から他面への導電性が悪
く、十分な放熱効果が得られなかった。従って、このサ
ブマウントをレーザーダイオードに用いると、レーザー
特性が劣化した。
造方法では、放熱効果に優れ、切断時ばりが出にくく、
温度が上がりにくいウェハーを用いているが、コーティ
ング後切断している為、片面から他面への導電性が悪
く、十分な放熱効果が得られなかった。従って、このサ
ブマウントをレーザーダイオードに用いると、レーザー
特性が劣化した。
【０００４】この為、片面から他面への結線（ワイヤー
ボンディング）により導電性をカバーしていたが、サブ
マウント製造の工数が増え、生産性が低下していた。
ボンディング）により導電性をカバーしていたが、サブ
マウント製造の工数が増え、生産性が低下していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、導電
特性に優れたサブマウントの製造方法を提供しようとす
るものである。
特性に優れたサブマウントの製造方法を提供しようとす
るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のサブマウントの製造方法は、ウェハーの片面
にコーティングした後切断し、然る後他面にコーティン
グすることを特徴とするものである。
の本発明のサブマウントの製造方法は、ウェハーの片面
にコーティングした後切断し、然る後他面にコーティン
グすることを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】上記のように本発明のサブマウントの製造方法
では、ウェハーの片面にコーティングした後切断し、然
る後他面にコーティングするので、この他面のコーティ
ングが回り込んで切断面である側面もコーティングされ
る。その結果、側面の接続により片面から他面への電気
的導通が得られ、導電特性の優れたものとなり、十分な
放熱効果が得られる。
では、ウェハーの片面にコーティングした後切断し、然
る後他面にコーティングするので、この他面のコーティ
ングが回り込んで切断面である側面もコーティングされ
る。その結果、側面の接続により片面から他面への電気
的導通が得られ、導電特性の優れたものとなり、十分な
放熱効果が得られる。
【０００８】
【実施例】本発明のサブマウントの製造方法の実施例と
従来例を説明する。先ず第１実施例について説明する
と、図１に示す外径 100mm、厚さ 0.6mmのＡｌＮよりな
るウェハー１の片面にスパッタリング法によりＴｉ1000
Å、Ｐｔ2000Å、Ａｕ 500Åをコーティング１ａし、さ
らにＰｂ−Ｓｎ40％を湿式メッキ法により３μｍコーテ
ィング１ｂした。次にこのウェハー１を図２に示すよう
に幅２mmに順次切断して帯材２となした。次いでこの帯
材２をイソプロピルアルコールにより超音波洗浄し、他
面に図３に示すようにスパッタリング法によりＴｉ1000
Å、Ｐｔ2000Å、Ａｕ 500Åをコーティング１ｃした。
その後この帯材２を長さ２mmに切断して図４に示すよう
にチップ状のサブマウント３となした後、イソプロピル
アルコールにより超音波洗浄した。
従来例を説明する。先ず第１実施例について説明する
と、図１に示す外径 100mm、厚さ 0.6mmのＡｌＮよりな
るウェハー１の片面にスパッタリング法によりＴｉ1000
Å、Ｐｔ2000Å、Ａｕ 500Åをコーティング１ａし、さ
らにＰｂ−Ｓｎ40％を湿式メッキ法により３μｍコーテ
ィング１ｂした。次にこのウェハー１を図２に示すよう
に幅２mmに順次切断して帯材２となした。次いでこの帯
材２をイソプロピルアルコールにより超音波洗浄し、他
面に図３に示すようにスパッタリング法によりＴｉ1000
Å、Ｐｔ2000Å、Ａｕ 500Åをコーティング１ｃした。
その後この帯材２を長さ２mmに切断して図４に示すよう
にチップ状のサブマウント３となした後、イソプロピル
アルコールにより超音波洗浄した。
【０００９】次に第２実施例について説明すると、図５
に示す外径 100mm、厚さ 0.6mmのＡｌＮよりなるウェハ
ー１の片面にスパッタリング法によりＴｉ1000Å、Ｐｔ
2000Å、Ａｕ 500Åをコーティング１ａし、さらにＰｂ
−Ｓｎ40％を湿式メッキ法により３μｍコーティング１
ｂした。次にこのウェハー１を図６に示すように縦、横
２mmの方形に切断して多数のチップ４を得た。次いでこ
の多数のチップ４をイソプロピルアルコールにて超音波
洗浄し、他面にスパッタリング法によりＴｉ1000Å、Ｐ
ｔ2000Å、Ａｕ 500Åをコーティングして図７に示すサ
ブマウント５を得た。
に示す外径 100mm、厚さ 0.6mmのＡｌＮよりなるウェハ
ー１の片面にスパッタリング法によりＴｉ1000Å、Ｐｔ
2000Å、Ａｕ 500Åをコーティング１ａし、さらにＰｂ
−Ｓｎ40％を湿式メッキ法により３μｍコーティング１
ｂした。次にこのウェハー１を図６に示すように縦、横
２mmの方形に切断して多数のチップ４を得た。次いでこ
の多数のチップ４をイソプロピルアルコールにて超音波
洗浄し、他面にスパッタリング法によりＴｉ1000Å、Ｐ
ｔ2000Å、Ａｕ 500Åをコーティングして図７に示すサ
ブマウント５を得た。
【００１０】最後に従来例について説明すると、図８に
示す外径 100mm、厚さ 0.6mmのＳｉよりなるウェハー
１′の片面に蒸着法によりＴｉ1000Å、Ｐｔ2000Å、Ａ
ｕ 500Åをコーティング１ａした。次にウェハー１′の
他面に蒸着法により図９に示すようにＴｉ1000Å、Ｐｔ
2000Å、Ａｕ 500Åをコーティング１ｃし、さらにＰｂ
−Ｓｎ40％を湿式メッキ法により３μｍコーティング１
ｂした。次いでこのウェハー１′を図10に示すように
縦、横２mmの方形に切断してチップ状のサブマウント６
を得た後、イソプロピルアルコールにより超音波洗浄し
た。
示す外径 100mm、厚さ 0.6mmのＳｉよりなるウェハー
１′の片面に蒸着法によりＴｉ1000Å、Ｐｔ2000Å、Ａ
ｕ 500Åをコーティング１ａした。次にウェハー１′の
他面に蒸着法により図９に示すようにＴｉ1000Å、Ｐｔ
2000Å、Ａｕ 500Åをコーティング１ｃし、さらにＰｂ
−Ｓｎ40％を湿式メッキ法により３μｍコーティング１
ｂした。次いでこのウェハー１′を図10に示すように
縦、横２mmの方形に切断してチップ状のサブマウント６
を得た後、イソプロピルアルコールにより超音波洗浄し
た。
【００１１】こうして得た第１実施例、第２実施例、従
来例のサブマウントのＶ（電圧）−Ｉ（電流）特性を調
べた処、図11、12、13に示すような結果を得た。
来例のサブマウントのＶ（電圧）−Ｉ（電流）特性を調
べた処、図11、12、13に示すような結果を得た。
【００１２】図11、12、13を比較して明らかなように第
１実施例、第２実施例のサブマウントは、従来例のサブ
マウントよりも著しく抵抗が低く、導電特性に優れてい
ることが判る。とりわけ第２実施例のサブマウントは、
チップに切断した後他面にコーティングしたので、周囲
の四側面にコーティングが回り込み、片面から他面への
電気的導通が極めて良好となった為、第１実施例の二側
面にコーティングが回り込んだサブマウントよりもさら
に抵抗が低く、導電特性が優れたものとなった。
１実施例、第２実施例のサブマウントは、従来例のサブ
マウントよりも著しく抵抗が低く、導電特性に優れてい
ることが判る。とりわけ第２実施例のサブマウントは、
チップに切断した後他面にコーティングしたので、周囲
の四側面にコーティングが回り込み、片面から他面への
電気的導通が極めて良好となった為、第１実施例の二側
面にコーティングが回り込んだサブマウントよりもさら
に抵抗が低く、導電特性が優れたものとなった。
【００１３】尚、上記実施例ではＴｉ、Ｐｔ、Ａｕのコ
ーティングに密着力の強いスパッタリング法を用いた
が、蒸着法、湿式メッキ法、乾式メッキ法でも良いもの
である。
ーティングに密着力の強いスパッタリング法を用いた
が、蒸着法、湿式メッキ法、乾式メッキ法でも良いもの
である。
【００１４】
【発明の効果】以上の通り本発明のサブマウントの製造
方法によれば、片面から他面への抵抗が低く、導電特性
に優れ、十分な放熱効果が得られるサブマウントを容易
に得ることができる。
方法によれば、片面から他面への抵抗が低く、導電特性
に優れ、十分な放熱効果が得られるサブマウントを容易
に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のサブマウントの製造方法の第１実施例
の工程を示す図である。
の工程を示す図である。
【図２】本発明のサブマウントの製造方法の第１実施例
の工程を示す図である。
の工程を示す図である。
【図３】本発明のサブマウントの製造方法の第１実施例
の工程を示す図である。
の工程を示す図である。
【図４】本発明のサブマウントの製造方法の第１実施例
の工程を示す図である。
の工程を示す図である。
【図５】本発明のサブマウントの製造方法の第２実施例
の工程を示す図である。
の工程を示す図である。
【図６】本発明のサブマウントの製造方法の第２実施例
の工程を示す図である。
の工程を示す図である。
【図７】本発明のサブマウントの製造方法の第２実施例
の工程を示す図である。
の工程を示す図である。
【図８】従来のサブマウントの製造方法の工程を示す図
である。
である。
【図９】従来のサブマウントの製造方法の工程を示す図
である。
である。
【図10】従来のサブマウントの製造方法の工程を示す図
である。
である。
【図11】本発明のサブマウントの製造方法の第１実施例
によって得たサブマウントのＶ−Ｉ特性を示すグラフで
ある。
によって得たサブマウントのＶ−Ｉ特性を示すグラフで
ある。
【図12】本発明のサブマウントの製造方法の第２実施例
によって得たサブマウントのＶ−Ｉ特性を示すグラフで
ある。
によって得たサブマウントのＶ−Ｉ特性を示すグラフで
ある。
【図13】従来のサブマウントの製造方法によって得たサ
ブマウントのＶ−Ｉ特性を示すグラフである。
ブマウントのＶ−Ｉ特性を示すグラフである。
１ ウェハー ２ 帯材 ３、５ サブマウント ４ チップ
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハーの片面にコーティングした後切
断し、然る後他面にコーティングすることを特徴とする
サブマウントの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28091392A JPH06112585A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | サブマウントの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28091392A JPH06112585A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | サブマウントの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112585A true JPH06112585A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17631686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28091392A Pending JPH06112585A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | サブマウントの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112585A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0755074A3 (en) * | 1995-07-18 | 1998-04-01 | Tokuyama Corporation | Submount |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP28091392A patent/JPH06112585A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0755074A3 (en) * | 1995-07-18 | 1998-04-01 | Tokuyama Corporation | Submount |
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