JPH06113169A - 水平同期分離方法および回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 水平同期信号以外の信号を除去するためのマ
スク信号のパルス幅を温度変化に対して安定にする。 【構成】 反転出力ＩＱからマスク信号を発生する単安
定マルチバイブレータ４１の非反転出力を積分する積分
回路４２と、この積分回路４２からアッテネータ４３を
介して供給される電圧を電流に変換する電圧‐電流変換
回路４４とを備え、単安定マルチバイブレータ４１の制
御入力端子に接続されたコンデンサＣを、電圧‐電流変
換回路４４の出力電流で充電する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高品位テレビジョンの
同期信号から水平同期信号だけを取り出す水平同期分離
方法および回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】図４は、従来の水平同期分離回路のマス
ク信号発生回路の一例の構成を示す。このマスク信号発
生回路４０Ｐにおいては、単安定マルチバイブレータ４
１Ｐの入力端子と接地点間に接続されたコンデンサすな
わち外付けコンデンサＣは、定電流源４６の出力電流に
よって充電され、コンデンサＣの端子電圧が単安定マル
チバイブレータ４１Ｐのスレッショルド電圧より大きく
なると、単安定マルチバイブレータ４１Ｐの非反転出力
Ｑは「Ｌ」となり、反転出力ＩＱは、「Ｈ」となる。単
安定マルチバイブレータ４１Ｐの反転出力ＩＱは、高品
位テレビジョンの同期信号から水平同期信号だけを取り
出す際に、水平同期信号以外の信号を除去するためのマ
スク信号となる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述の従来のマスク信
号発生回路では、温度変化による回路定数の変化がマス
ク信号のパルス幅に対して１乗で効いてくるため、温度
変化があると、マスク信号のパルス幅が不安定になると
いう問題があった。

【０００４】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、水平同期信号以外の信号を除去するため
のマスク信号のパルス幅を温度変化に対して安定にする
ことを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の水平同期分離方
法は、マスク信号のパルス幅を、単安定マルチバイブレ
ータ（例えば、図１の単安定マルチバイブレータ４２）
の制御入力端子に接続されたコンデンサ（例えば、図１
のコンデンサＣ）の容量と単安定マルチバイブレータの
スレッショルド電圧との積の平方根に比例させることを
特徴とする。

【０００６】単安定マルチバイブレータの制御入力端子
に接続されたコンデンサは、単安定マルチバイブレータ
の出力を積分して得られた信号に基づいて充電すること
が好ましい。

【０００７】本発明の水平同期分離回路は、単安定マル
チバイブレータ（例えば、図１の単安定マルチバイブレ
ータ４２）の制御入力端子に接続されたコンデンサ（例
えば、図１のコンデンサＣ）と、単安定マルチバイブレ
ータの出力を積分する積分回路（例えば、図１の積分回
路４２）と、この積分回路の出力電圧を電流に変換し
て、コンデンサを充電する電圧‐電流変換回路（例え
ば、図１の電圧‐電流変換回路４４）とを備えることを
特徴とする。

【０００８】

【作用】本発明の水平同期分離方法においては、マスク
信号のパルス幅が、単安定マルチバイブレータの制御入
力端子に接続されたコンデンサの容量と単安定マルチバ
イブレータのスレッショルド電圧との積の平方根に比例
させられる。従って、温度変化による回路定数の変化
は、マスク信号のパルス幅に対して平方根でしか効いて
こない。

【０００９】単安定マルチバイブレータの制御入力端子
に接続されたコンデンサが、単安定マルチバイブレータ
の出力を積分して得られた信号に基づいて充電されるこ
とにより、マスク信号のパルス幅を、単安定マルチバイ
ブレータの制御入力端子に接続されたコンデンサの容量
と単安定マルチバイブレータのスレッショルド電圧との
積の平方根に比例させることができる。

【００１０】本発明の水平同期分離回路においては、積
分回路が、単安定マルチバイブレータの出力を積分し、
電圧‐電流変換回路が、積分回路の出力電圧を電流に変
換して、単安定マルチバイブレータの制御入力端子に接
続されたコンデンサを充電する。従って、マスク信号の
パルス幅を、単安定マルチバイブレータの制御入力端子
に接続されたコンデンサの容量と単安定マルチバイブレ
ータのスレッショルド電圧との積の平方根に比例させる
ことができる。

【００１１】

【実施例】図１は、本発明の水平同期分離回路の一実施
例の構成を示す。この実施例は、高品位テレビジョンす
なわちハイビジョン用モニターシステムの中で、映像を
表示するタイミングの基準となる水平同期信号を抜き出
すために利用される。立ち上がり検出回路２０は、入力
されたハイビジョンの同期信号から水平同期信号以外の
信号を除去するのを容易にするために、入力されたハイ
ビジョンの同期信号のパルス幅を整形する。マスク信号
発生回路４０は、水平同期信号以外の信号を除去するた
めのマスク信号を発生する。マスキング回路６０は、立
ち上がり検出回路２０によって整形されたハイビジョン
の同期信号をマスク信号でマスクする。

【００１２】マスク信号発生回路４０は、制御入力端子
と接地端子との間にコンデンサＣが接続され、反転出力
ＩＱからマスク信号を出力する単安定マルチバイブレー
タ４１と、単安定マルチバイブレータ４１の非反転出力
Ｑを積分してＤＣ成分を取り出す積分回路４２と、積分
回路４２の出力電圧を減衰させるアッテネータ４３と、
アッテネータ４３から出力されるＤＣ電圧をコンデンサ
Ｃを充電するための電流に変換する電圧‐電流変換回路
４４とを備えている。

【００１３】図２は、図１の実施例の各部の信号波形を
示す。以下、図２を参照して、図１の実施例の動作につ
いて説明する。まず、マスキング信号による水平同期信
号以外の信号の除去について説明する。図１の実施例で
は、図２（ａ）に示すような等価パルス付近のハイビジ
ョン信号に対し、同期信号の負の部分を取り出すように
動作する同期分離回路の出力（図２（ｂ））を入力信号
として想定している。立ち上がり検出回路２０は、この
入力信号の立ち上がりタイミングを取り出して、タイミ
ングパルスとして出力する（図２（ｃ））。マスキング
回路６０は、立ち上がり検出回路２０から出力されるタ
イミングパルスを、単安定マルチバイブレータ４１の反
転出力ＩＱから発生される図２（ｆ）に示されたマスキ
ング信号でマスクすることにより、図２（ｇ）に示され
たパルスすなわち水平同期信号を出力する。この水平同
期信号は、マスク信号を発生させる単安定マルチバイブ
レータ４１のトリガ入力パルスにもなっている。

【００１４】次に、マスキング信号発生回路４０の動作
について説明する。単安定マルチバイブレータ４１は、
トリガパルスが入力されると、外付けのコンデンサＣを
放電させ、非反転出力Ｑを「Ｈ」にし、反転出力ＩＱを
「Ｌ」にする。コンデンサＣが充電されて、端子電圧が
単安定マルチバイブレータ４１のスレッショルド電圧Ｖ
_thを超えると、非反転出力Ｑは「Ｌ」に、反転出力ＩＱ
は「Ｈ」になる。この動作が繰り返される事により図２
（ｆ）のマスク信号が発生される。

【００１５】積分回路４２は、図２（ｅ）に示された単
安定マルチバイブレータ４１の非反転出力Ｑの出力を積
分してＤＣ成分を取り出す。アッテネータ４３は、積分
回路４２が出力するＤＣ電圧を減衰させる。アッテネー
タ４３の出力ＤＣ電圧が、電圧‐電流変換回路４４によ
って電流Ｉに変換され、この電流によってコンデンサＣ
が充電される。

【００１６】積分回路４２、アッテネータ４３および電
圧‐電流変換回路４４によって構成される帰還ループに
より、マスク信号の幅が変化したときでも、その変化を
打ち消すようにコンデンサＣの充電電流Ｉが変化する。

【００１７】なお、図１の引込回路４５は、最初に信号
が入力されたときに図１の実施例の回路が安定して動作
する状態になるように働く回路である。

【００１８】次に、図１の実施例の動作を理論的に説明
すると、マスク信号の周期をＴ、マスク信号のパルス幅
をτ、単安定定マルチバイブレータ４１の非反転出力Ｑ
のパルスの振幅をＶＡ、アッテネータ４３の減衰率をａ
とすると、電圧‐電流変換回路４４の入力ＤＣ電圧Ｖ
は、次の（式１）で示される。

【００１９】

【数１】

【００２０】電圧‐電流変換係数をαとすると、電圧‐
電流変換回路４４の出力電流Ｉは、次の（式２）によっ
て示される。

【００２１】

【数２】

【００２２】また、単安定マルチバイブレータ４１の外
付けコンデンサＣの容量をＣ、単安定マルチバイブレー
タ４１のスレッショルド電圧をＶ_thとすると、マスク信
号のパルス幅τは、（式３）によって示される。

【００２３】

【数３】

【００２４】（式１），（式２），（式３）からＶおよ
びＩを消去すると、マスク信号のパルス幅τは、（式
４）によって示される。

【００２５】

【数４】

【００２６】図４の従来例のマスク信号のパルス幅τ
は、定電流源４６の出力をＩ_Oとすれば、（式５）によ
って示される。

【００２７】

【数５】

【００２８】（式４）および（式５）のＣＶ_thに注目す
ると、マスク信号のパルス幅τは、図４の従来方式の場
合、ＣＶ_thに比例しているのに対し、図１の実施例で
は、ＣＶ_thの平方根に比例している。従って、温度変化
によるＣＶ_thの値の変化に対し、図１の実施例の方が影
響を受けにくいことがわかる。

【００２９】図３は、図１の実施例の具体的回路例を示
す。立ち上がり検出回路２０は、同期信号入力をＢ入力
端子で受ける１／２７４ＨＣ１２３からなる集積回路Ｉ
Ｃ１と、ＩＣ１のＲ／Ｃ端子と接地点となるＣ端子との
間に接続されたコンデンサＣ１と、Ｃ１にコレクタが接
続されたトランジスタＱ１と、Ｑ１のエミッタとバイア
ス電圧源との間に接続された抵抗Ｒ１と、Ｑ１のベース
にベースとコレクタとが接続されるトランジスタＱ２
と、Ｑ２のコレクタと接地点との間に接続された可変抵
抗ＶＲと、Ｑ２のエミッタとバイアス電圧源との間に接
続された抵抗Ｒ２とにより構成されている。

【００３０】単安定マルチバイブレータ４１は、Ａ入力
端子がマスキング回路６０の出力端子に接続され、Ｂ入
力端子がバイアス電圧入力端子Ｖｃｃに接続され、端子
Ｖｃｃと接地点との間にコンデンサＣ２が接続された１
／２７４ＨＣ１２３からなる集積回路ＩＣ２とにより構
成される。

【００３１】外付けコンデンサＣは、ＩＣ２の端Ｒ／Ｃ
端子と接地点となるＣ端子との間に接続される。

【００３２】積分回路４２は、単安定マルチバイブレー
タ４１を構成するＩＣ２の非反転出力端子Ｑに直列に接
続された抵抗Ｒ３と、このＲ３の他端と接地点との間に
接続されるコンデンサＣ３とにより構成される。

【００３３】アッテネータ４３は、積分回路４２の抵抗
Ｒ３に直列に接続された抵抗Ｒ４と、このＲ４の他端と
接地点との間に接続された抵抗Ｒ５とにより構成され
る。

【００３４】電圧‐電流変換回路４４は、アッテネータ
４３の抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５との接続点とバイアス電圧源
との間に接続されたコンデンサＣ４とダイオードＤ１と
の並列回路と、アッテネータ４３の抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５
との接続点にベースが接続され、コレクタが接地される
トランジスタＱ３と、このＱ３のエミッタとバイアス電
圧源との間に接続された抵抗Ｒ６と、Ｑ３のエミッタに
ベースが接続されるトランジスタＱ４と、このＱ４のエ
ミッタと接地点との間に接続される抵抗Ｒ７と、Ｑ４の
コレクタにコレクタおよびベースが接続され、エミッタ
がバイアス電圧源に接続されたトランジスタＱ５と、こ
のＱ５のベースにベースが接続され、エミッタがバイア
ス電圧源に接続され、コレクタがコンデンサＣに接続さ
れるトランジスタＱ６とにより構成される。

【００３５】引込回路４５は、立ち上がり検出回路２０
のＩＣ１の非反転出力端子Ｑに抵抗Ｒ８を介してベース
が接続され、エミッタが接地されたトランジスタＱ７
と、このＱ７のベースとエミッタとの間に接続された抵
抗Ｒ９と、Ｑ７のコレクタ接地点との間に接続されたコ
ンデンサＣ５と、Ｑ７のコレクタとバイアス電圧源との
間に接続された抵抗Ｒ１０と、コンデンサＣ５と抵抗Ｒ
１０との接続点に反転入力端子が接続される演算増幅器
ＯＰと、バイアス電圧源に接続された抵抗Ｒ１１と、こ
のＲ１１の他端と接地点との間に接続された抵抗Ｒ１２
ならびにコンデンサＣ６およびＣ７からなる並列回路
と、抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２との接続点と演算増幅器Ｏ
Ｐの非反転入力端子との間に接続された抵抗Ｒ１３と、
演算増幅器ＯＰの非反転入力端子と出力端子との間に接
続された抵抗Ｒ１４と、演算増幅器ＯＰと接地点との間
に接続されたコンデンサＣ８と、演算増幅器ＯＰの出力
端子と抵抗Ｒ１５を介してベースが接続され、エミッタ
がバイアス電圧源に接続されたトランジスタＱ８と、こ
のＱ８のベースとコレクタとの間に接続された抵抗Ｒ１
６とから構成される。引込回路４５のトランジスタＱ８
のコレクタは、電圧‐電流変換回路４４のトランジスタ
Ｑ３のベースに接続される。

【００３６】マスキング回路６０は、立ち上がり検出回
路２０のＩＣ１の非反転出力を第１の入力とし、単安定
マルチバイブレータ４１のＩＣ２の反転出力を第２の入
力とするＮＡＮＤゲート６２により構成される。

【００３７】図３には、回路定数の一例が示されている
が、これは一例であり、種々の値をとることがある。な
お、図３中、抵抗の単位は、オームであり、容量の単位
し、ファラッドである。

【００３８】また、図３の回路例は、単なる一例であっ
て、本発明はこれに限定されず、種々の回路構成をとる
ことができる。

【００３９】

【発明の効果】本発明の水平同期分離方法によれば、マ
スク信号のパルス幅を、単安定マルチバイブレータの制
御入力端子に接続されたコンデンサの容量と単安定マル
チバイブレータのスレッショルド電圧との積の平方根に
比例させるようにしたので、温度変化による回路定数の
変化は、マスク信号のパルス幅に対して平方根でしか効
いてこなのなるから、マスク信号のパルス幅を温度変化
に対して安定にすることができる。

【００４０】本発明の水平同期分離回路によれば、単安
定マルチバイブレータの出力を積分し、積分により得ら
れた電圧を電流に変換して、単安定マルチバイブレータ
の制御入力端子に接続されたコンデンサを充電するの
で、マスク信号のパルス幅を、単安定マルチバイブレー
タの制御入力端子に接続されたコンデンサの容量と単安
定マルチバイブレータのスレッショルド電圧との積の平
方根に比例させることができるから、マスク信号のパル
ス幅を温度変化に対して安定にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の水平同期分離回路の一実施例の構成を
示すブロック図である。

【図２】図１の実施例の各部の信号波形を示す波形図で
ある。

【図３】図１の実施例の具体的回路例を示す回路図であ
る。

【図４】従来の水平同期分離回路のマスク信号発生回路
の一例の構成を示すブロック図である。

【符号の説明】

２０ 立ち上がり検出回路 ４０ マスク信号発生回路 ４１ 単安定マルチバイブレータ ４２ 積分回路 ４３ アッテネータ ４４ 電圧‐電流変換回路 ６０ マスキング回路 Ｃ 外付けコンデンサ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高品位テレビジョンの同期信号から水平
   同期信号だけを取り出す際に、単安定マルチバイブレー
   タを使用して水平同期信号以外の信号を除去するための
   マスク信号を発生させる水平同期分離方法において、 前記マスク信号のパルス幅を、前記単安定マルチバイブ
   レータの制御入力端子に接続されたコンデンサの容量と
   前記単安定マルチバイブレータのスレッショルド電圧と
   の積の平方根に比例させることを特徴とする水平同期分
   離方法。
2. 【請求項２】 前記単安定マルチバイブレータの出力を
   積分して得られた信号に基づいて、前記単安定マルチバ
   イブレータの制御入力端子に接続されたコンデンサを充
   電することを特徴とする請求項１記載の水平同期分離方
   法。
3. 【請求項３】 高品位テレビジョンの同期信号から水平
   同期信号だけを取り出す際に、単安定マルチバイブレー
   タを使用して水平同期信号以外の信号を除去するための
   マスク信号を発生させる水平同期分離回路において、 前記単安定マルチバイブレータの制御入力端子に接続さ
   れたコンデンサと、 前記単安定マルチバイブレータの出力を積分する積分回
   路と、 前記積分回路の出力電圧を電流に変換して、前記コンデ
   ンサを充電する電圧‐電流変換回路とを備えることを特
   徴とする水平同期分離回路。