JPH0611717A - 液晶素子 - Google Patents

液晶素子

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JPH0611717A
JPH0611717A JP23509892A JP23509892A JPH0611717A JP H0611717 A JPH0611717 A JP H0611717A JP 23509892 A JP23509892 A JP 23509892A JP 23509892 A JP23509892 A JP 23509892A JP H0611717 A JPH0611717 A JP H0611717A
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JP
Japan
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liquid crystal
group
electrode
glass substrate
alignment film
Prior art date
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Withdrawn
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JP23509892A
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English (en)
Inventor
Makoto Murata
誠 村田
Keiichi Yoshida
恵一 吉田
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Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0611717A publication Critical patent/JPH0611717A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ラビング法によらず形成された配向膜を有
し、均一でしかも欠陥のない液晶配向性を示す液晶素子
を提供する。 【構成】 ガラス基板4、該ガラス基板4上に形成され
た透明電極5aおよび該透明電極5aの表面上に形成さ
れた配向膜6とからなる一方の電極体2aと、ガラス基
板4、該ガラス基板4上に形成された電極5bおよび該
電極5bの表面上に形成された配向膜6とからなる他方
の電極体2bと、前記両電極体2a,2b間に配設され
ている液晶3とからなる液晶素子1であって、前記配向
膜1が水面上に形成された単分子膜を前記透明電極5a
および(または)電極5bが形成された前記ガラス基板
4,4の表面上に1層以上積層して得られたラングミュ
ア・ブロジェット膜であり、かつ、前記液晶3の誘電率
異方性Δεが0より大きく10以下としたものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な液晶配向膜を有
する新規な液晶素子に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、時計やテレビ等の表示媒体として
液晶素子を用いたディスプレイが広く使用されるように
なってきている。
【0003】図2はこの液晶素子の概略断面図である。
図において、11は液晶素子、12aおよび12bは一
対の電極体、13は液晶である。電極体12aおよび1
2bは、ガラス基板14とこのガラス基板14上に形成
された透明電極15aまたは電極15bとからなってい
る。この透明電極15aまたは電極15bが形成された
ガラス基板14表面には、表面処理がなされた配向膜1
6が形成されている。
【0004】この液晶素子11における前記配向膜16
は、SiOやAu等の斜方蒸着法、ラビング法等の物理
的方法またはポリイミド樹脂を塗布した後ラビング処理
する方法などの物理化学的方法により形成された薄膜で
ある。
【0005】しかしながら、斜方蒸着法により形成され
た配向膜16は、その形成方法が液晶に所定のプレチル
ト角を与えるのに大変有利であるが、反面、真空蒸着法
であるため、10-5torr位の高真空が必要であり、
また、基板を傾斜しなければならないなど、量産性に乏
しいという欠点を有している。また、ラビング法により
形成された配向膜16は、ラビング時に発生するごみや
静電気により生産性が低下しやすく、品質が劣化しやす
いという欠点を有している。それゆえ、この様な従来技
術によらないで形成された配向膜16が望まれている。
【0006】そこで、発明者らは先にラングミュア・ブ
ロジェット膜(以下、LB膜ともいう)を用いたラビン
グ処理を必要としない新規な液晶配向膜を提案している
(特開昭63−23131号)。しかし、使用する液晶
材料によっては、リバースツイストやリバースチルトと
いう表示欠陥が発生し、液晶素子としての実用性が制限
されてしまうばあいのあることがわかった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の問題点および本発明者らが先に提案したLB膜の問
題点に鑑みなされたものであって、ラビング法によらず
形成された配向膜を有し、均一でしかも欠陥の殆ど無い
液晶配向性を示す液晶素子を提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる問
題点につき鋭意研究した結果、配向膜と液晶の組合せを
適宜選択することにより、配向膜上での液晶のプレチル
ト角を5〜20度とすることができ、そのばあいは図2
のような構成を採用して液晶素子を作製したとき、リバ
ースツイストやリバースチルトという表示欠陥が発生し
ないことを見出し本発明を完成するに至った。
【0009】すなわち、本発明の液晶素子は、ガラス基
板、該ガラス基板上に形成された透明電極および該透明
電極の表面上に形成された配向膜とからなる一方の電極
体と、ガラス基板、該ガラス基板上に形成された電極及
び該電極の表面上に形成された配向膜とからなる他方の
電極体と、前記両電極体間に配設されている液晶とから
なる液晶素子であって、前記配向膜が水面上に形成され
た単分子膜を前記透明電極および(または)電極が形成
された前記ガラス基板の表面上に1層以上積層して得ら
れたラングミュア・ブロジェット膜であり、かつ、前記
液晶の誘電率異方性Δεが0より大きく10以下である
ことを特徴としている。
【0010】本発明の液晶表示装置においては、前記液
晶のスプレイ弾性定数K1とベンド弾性定数K3の比、
K3/K1が1.0以上であるのが好ましい。
【0011】
【作用】本発明の液晶素子においては、配向膜が水面上
に形成された単分子膜を透明電極および(または)電極
が形成されたガラス基板の表面上に1層以上積層して得
られたラングミュア・ブロジェット膜であり、かつ、前
記液晶の誘電率異方性Δεが0より大きく10以下であ
るので、配向膜上での液晶のプレチルト角を5〜20度
とすることができる。したがって、図2のような構成を
採用して液晶素子を作製したとき、リバースツイストや
リバースチルトという表示欠陥が発生しない。
【0012】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明を実施
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。
【0013】図1は本発明の液晶素子の一実施例の概略
図である。図1に示す本発明の液晶素子1は、図2に示
す液晶素子11と同様、一対の電極体2a,2b間に液
晶3が封入されてなるものである。この一対の電極体2
a,2bの一方の電極体2aは、ガラス基板4、該ガラ
ス基板4上に形成された透明電極5aおよび該透明電極
5aの表面上に形成された配向膜6からなり、また他方
の電極体2bは、ガラス基板4、該ガラス基板4上に形
成された電極5bおよび該電極5b上に形成された配向
膜6からなる。
【0014】一方の電極体2aに用いられる透明電極5
aとしては、ITO、SnO2 などの透明導電膜が挙げ
られる。また、他方の電極体2bに用いられる電極5b
としては、前記透明電導電膜のほか、薄膜トランジスタ
(TFT)、薄膜ダイオード(TFD)、A1などの金
属が挙げられる。
【0015】前記配向膜6は液晶の分子配列を均一にす
るためのものであり、本発明においては、ラングムミュ
ア・ブロジェット膜が用いられる。また、液晶3として
は、誘電率異方性Δεが0より大きく10以下のものが
用いられる。その中でも、スプレイ弾性定数K1とベン
ド弾性定数K3の比、K3/K1が1.0以上であるも
のが用いられるのが好ましい。
【0016】前記配向膜6と液晶3の組合せを適宜選定
することにより、配向膜6上での液晶3のプレチルト角
を5〜20度とすることが可能となり、図1のような構
成で液晶素子1を作製したとき、リバースツイストやリ
バースチルトという表示欠陥がない液晶素子1を得るこ
とができる。液晶3のプレチルト角が前記範囲を外れる
場合には、リバースツイストやリバースチルトという表
示欠陥が発生するようになり、液晶素子1としての実用
性が制限されてしまう。前記条件を外れた液晶3を用い
ると、液晶3のプレチルト角を安定的に5〜20度とす
ることは困難となる。
【0017】さらに前記配向膜6は、一般式(I)(化
3):
【0018】
【化3】 で表わされる繰返し単位を有する両親媒性高分子物質を
水面上に展開することによりえられる単分子膜を、透明
電極5aが形成されたガラス基板4の表面上、または電
極5bが形成されたガラス基板の表面上に1層以上、好
ましくは1〜11層程度積層したのち、前記両親媒性高
分子物質が、完全にまたは部分的に一般式(II)(化
4):
【0019】
【化4】 で表わされる繰り返し単位を有するポリイミドとなるよ
うな熱処理を施すことによりえられた薄膜であるのが好
ましい。
【0020】一般式(I)で表わされる両親媒性高分子
物質は、熱処理を全く施さない状態では、R3 、R4
5 およびR6 の性質で決定される表面性を有し、熱処
理により一般式(II)で表わされる繰返し単位を有す
るポリイミドへの環化反応が進行するにしたがい、一般
式(II)で表わされるポリイミドの有する表面性が支
配的となる。薄膜上の液晶3のプレチルト角は、薄膜の
表面性で決定されるため、熱処理温度や熱処理時間によ
り配向膜6上の液晶3のプレチルト角を操作することが
可能である。
【0021】前記両親媒性分子物質の数平均分子量は、
後述するLB法で略配向した薄膜を得るという点から、
2000〜300000、好ましくは2000〜300
00である。
【0022】前記一般式(I)におけるR1 は少なくと
も2個、好ましくは5〜20個の炭素原子を有する4価
の基であり、芳香族の基であってもよく、環状脂肪族の
基であってもよく、芳香族の基と脂肪族の基との結合し
た基であってもよく、さらにはこれらの基が炭素数1〜
30の脂肪族の基、環状脂肪族の基または芳香族の基と
脂肪族の基とが結合した基であってもよく、それらの基
がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メト
キシ基、アセトキシ基などの1価の基または該1価の基
が−O−、−COO−、−NHCO−、−CO−、−S
−、−CSS−、−NHCS−、−CS−などに結合し
た基で置換された誘導体となった基であってもよい。こ
れらのうちでも、少なくとも6個の炭素原子を有するベ
ンゼノイド不飽和によって特徴づけられた基であるの
が、耐熱性、耐薬品性や機械的特性などの点から好まし
い。
【0023】本明細書にいうベンゼノイド不飽和とは、
数1に示すように炭素環式化合物の構造に関してキノイ
ド構造と対比して用いられる術語で、普通の芳香族化合
物に含まれる炭素環と同じ形の構造をいう。
【0024】
【数1】
【0025】R1 の4個の結合手、すなわち一般式
(I)で表わされる繰返し単位における化5,化6,化
7,化8が結合する手の位置には限定はないが、4個の
結合手の各2個づつがR1 を構成する隣接する2個の炭
素原子に存在するばあいには、一般式(I)で表わされ
る繰返し単位を有する両親媒性高分子物質(両性ポリイ
ミド前駆体)を用いて形成した膜などをポリイミド化す
る際に5員環を形成しやすくイミド化しやすいため好ま
しい。
【0026】
【化5】
【0027】
【化6】
【0028】
【化7】
【0029】
【化8】
【0030】前記のごときR1 の具体例としては、例え
ば、化9,化10,化11,化12,化13,化14,
化15,化16,化17,化18,化19,化20,化
21などが挙げられる。
【0031】
【化9】
【0032】
【化10】
【0033】
【化11】
【0034】
【化12】
【0035】
【化13】
【0036】
【化14】
【0037】
【化15】
【0038】
【化16】
【0039】
【化17】
【0040】
【化18】
【0041】
【化19】
【0042】
【化20】
【0043】
【化21】
【0044】一般式(I)におけるR2 は、少なくとも
2個の炭素原子を含有する2価の基であり、芳香族の基
であってもよく、脂肪族の基であってもよく、環状脂肪
族の基であってもよく、芳香族の基と脂肪族の基との結
合した基であってもよく、さらにはこれらの2価の基が
炭素数1〜30の脂肪族の基、環状脂肪族の基または芳
香族の基と脂肪族の基とが結合した基であってもよく、
それらの基がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シア
ノ基、メトキシ基、アセトキシ基などの1価の基または
該1価の基が−O−、−COO−、−NHCO−、−C
O−、−S−、−CSS−、−NHCS−、−CS−な
どに結合した基で置換された基であってもよい。これら
のうちでも、少なくとも6個の炭素原子数を有するベン
ゼノイド不飽和によって特徴づけられた基であるのが、
耐熱性、耐薬品性や機械的特性などの点から好ましい。
【0045】前記のごときR2 の好ましい具体例として
は、例えば、化22,化23,化24,化25,化26
などが挙げられる。前記化学式中、R7は、ー(CH2
mー(mは1〜3の整数),化27,化28,ーOー,
ーCOー,ーSー,ーSO2ー,ーNR8ー,化29,化
30,化31,化32を示す。また、前記化学式中、R
8 およびR9 はそれぞれ炭素原子数1〜30のアルキル
またはアリール基を示す。
【0046】
【化22】
【0047】
【化23】
【0048】
【化24】
【0049】
【化25】
【0050】
【化26】
【0051】
【化27】
【0052】
【化28】
【0053】
【化29】
【0054】
【化30】
【0055】
【化31】
【0056】
【化32】
【0057】一般式(I)におけるR3 、R4 、R5
よびR6 はそれぞれハロゲン原子、ニトロ基、アミノ
基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基で置換されて
いてもよい脂肪族、環状脂肪族または芳香族(これらが
相互に組合わさっていてもよい)の炭素原子数1〜3
0、好ましくは1〜22の1価の炭化水素基または水素
原子である。なお、一般式(I)においてR3 、R4
5 およびR6 はいずれも一般式(III)(化3
3):
【0058】
【化33】 (式中、R1 、R2 は前記と同じ)で表わされるポリア
ミック酸単位に疎水性を付与し、安定な凝縮膜を得るた
めに導入される基であり、R3 、R4 、R5 およびR6
のうちの少なくとも1つがハロゲン原子、ニトロ基、ア
ミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基で置換さ
れていてもよい脂肪族、環状脂肪族または、芳香族(こ
れらの基が相互に組合わさっていてもよい)の炭素原子
数12〜30、好ましくは16〜22の基であるため、
水面上に安定な凝縮膜が形成され、それがLB法により
基板上に累積される。
【0059】前記のごときR3 、R4 、R5 、R6 の水
素原子以外の基の具体例としては、例えば、化34,化
35,化36,化37,化38,化39などが挙げられ
る。また、前記化学式中のLはいずれも12〜30、好
ましくは16〜22である。
【0060】
【化34】
【0061】
【化35】
【0062】
【化36】
【0063】
【化37】
【0064】
【化38】
【0065】
【化39】 これらのうちでも、化40で表わされる直鎖アルキル基
を利用するのが、性能的にもコスト的にもとくに望まし
い。また、フッ素原子により疎水性は水素原子と比べて
飛躍的に改善されるので、フッ素原子を含むものがさら
に好ましい。
【0066】
【化40】
【0067】前記のごとき一般式(I)で表わされる繰
返し単位を有する両親媒性高分子物質の具体例として
は、例えば、化41,化42,化43などの単位を有す
る両親媒性高分子物質があげられる。なお、前記化学式
中、R10はCH3 (CH2 17−を示す。
【0068】
【化41】
【0069】
【化42】
【0070】
【化43】
【0071】前記両親媒性高分子物質の単分子膜(LB
膜)の作製方法にはとくに限定はないが、累積時流動配
向がおこる方法が望ましく、垂直浸漬法は望ましい実施
態様の1つである。
【0072】この際、長鎖脂肪酸や長鎖アルコールのよ
うな公知のLB膜材料や、本発明者らが先に特開昭63
−218727号公報に提案している高分子LB膜材料
を混合して使用してもよい。
【0073】また、LB膜を累積する前に、透明電極5
aや電極5bが形成されたガラス基板4,4に表面処理
を施すことも、本発明の望ましい実施態様である。
【0074】前記一般式(I)で表わされる繰返し単位
を有する両親媒性高分子物質を環化し、完全または部分
的に一般式(II)で表わされる繰返し単位を有するポ
リイミドにするための熱処理温度は、通常、配向膜6形
成後、液晶素子1の組立工程でかかる温度以上で、かつ
配向膜材料が分解する温度以下の温度である。その温度
範囲内の中でも、150〜450℃の範囲にあるが好ま
しく、150〜250℃の範囲にあるのがさらに好まし
い。
【0075】本発明で使用されうる液晶素子1の形式に
ついては特に限定はなく、本発明の液晶素子1は、ネマ
チック液晶を用いたTN型液晶素子、STN型液晶素
子、ゲストーホスト型液晶素子等として作製され、使用
される。
【0076】本発明で用いられる液晶3としては、種々
のネマチック液晶、およびそれらの混合物が挙げられ
る。また、その誘電率異方性Δεは0より大きく10以
下である。その中でも、スプレイ弾性定数K1とベンド
弾性定数K3の比、K3/K1が1.0以上であるのが
好ましい。
【0077】液晶3の代表的な例として、メルク社の製
品を基に具体例を挙げる。誘電率異方性Δεが0より大
きく10以下である液晶3としては、車載液晶用に開発
されたZLI−1565やアクティブマトリックス液晶
素子用に開発された、ZLI−3651,ZLI−37
71,ZLI−3788,ZLI−4287などが挙げ
られる。
【0078】スプレイ弾性定数K1とベンド弾性定数K
3の比、K3/K1が1.0以上である液晶3として
は、前述のアクティブマトリックス用液晶の他に、ST
N液晶用に開発された、ZLI−4431,ZLI−4
448が、好ましい例として挙げられる。
【0079】次に、具体的な実施例に基づき、本発明の
液晶素子をさらに詳細に説明する。
【0080】実施例1 ガラス基板の片側にパターンを形成したマスクを用い
て、ITOを200nmの厚さに真空蒸着した。一方、
ピロメリット酸ジステアリルエステルの酸クロライドと
パラフェニレンジアミンを反応させて得られる化44で
示される単位を有するポリイミド前駆体(数平均分子量
10000)を、前記のITOを蒸着したガラス基板上
にラングミュア・ブロジェット法(LB法)により、1
1層累積した。
【0081】
【化44】
【0082】さらに、該基板を180℃で1時間熱処理
した。この熱処理により、該ポリイミド前駆体は化45
で示される単位を有するポリイミドとなり、LB膜は、
非常に良好な耐薬品性と耐熱性を有するようになった。
なお、この場合のイミド化率は20%であった。
【0083】
【化45】
【0084】前記のように処理して配向膜を形成した同
一のガラス基板(電極体)を2枚用意し、2枚の基板の
LB膜形成時の基板の引上げ方向が互いに直角方向とな
るようにセルを構成し、一方の基板の透明電極層を形成
した面にシール樹脂として、直径8μmのプラスチック
ビーズを分散させた酸無水物硬化型エポキシ樹脂を1辺
のみ辺の中央部に5mm長を残して他の全周に1mm幅
で印刷したうえで、透明電極を対向させた状態で加圧
し、140℃で3時間加熱して硬化接着した。接着後、
前記開口部からネマチック液晶(メルク社製、商品名Z
LI−1565:カイラル剤C−15を0.5重量%混
入)を注入した。注入後、開口部を市販の酸無水物硬化
型エポキシ樹脂で固着し、液晶を封止してTN型液晶素
子を完成した。完成した液晶セルを一旦100℃まで加
熱してから徐々に冷却して初期配向させることにより、
リバースツイストやリバースチルトが発生しない良好な
配向状態のセルが得られた。
【0085】実施例2 2枚の基板のLB膜形成時の基板の引上げ方向が逆平行
方向となるようにセルを構成したほかは、実施例1と同
様にして液晶素子(アンチパラ型液晶素子)を作製し
た。得られた液晶のプレチルト角をクリスタルローテー
ション法を用いて測定したところ、約10度であった。
【0086】実施例3〜4 LB膜を形成したガラス基板を、200度で1時間熱処
理したほかは、実施例1と同様にしてTN型液晶素子
(実施例3)とアンチパラ型液晶素子(実施例4)を作
製した。
【0087】前記条件でのポリイミド前駆体LB膜のイ
ミド化率は50%であった。実施例3のTN型液晶素子
はリバースチルトやリバースツイストが皆無であり、ま
た実施例4のアンチパラ型液晶素子の液晶のプレチルト
角をクリスタルローテーション法を用いて測定したとこ
ろ、プレチルト角は約6度であった。
【0088】実施例5 ガラス基板の片側にパターンを形成したマスクを用い
て、ITOを200nmの厚さに真空蒸着した。一方、
ピロメリット酸ジステアリルエステルの酸クロライドと
ジアミノアントラキノンを反応させて得られる化46式
で示される単位を有するポリイミド前駆体(数平均分子
量10000)を、前記のITOを蒸着したガラス基板
上にLB法により、11層累積した。
【0089】
【化46】
【0090】その後、さらに、該基板を180℃で1時
間熱処理した。この熱処理により、該ポリイミド前駆体
は化47式で示される単位を有するホリイミドとなり、
LB膜は、非常に良好な耐薬品製と耐熱性を有するよう
になった。このときのイミド化率は40%であった。
【0091】
【化47】
【0092】前記のように処理して配向膜を形成した同
一のガラス基板(電極体)を2枚用意し、2枚の基板の
LB膜形成時の基板の引上げ方向が互いに直角方向とな
るようにセルを構成し、一方の基板の透明電極層を形成
した面にシール樹脂として、直径8μmのプラスチック
ビーズを分散させた酸無水物硬化型エポキシ樹脂を1辺
のみ辺の中央部に5mm長を残して他の全周に1mm幅
で印刷したうえで、透明電極を対向させた状態で加圧
し、140℃で3時間加熱して硬化接着した。接着後、
前記開口部からネマチック液晶(メルク社製、商品名Z
LI−4287:カイラル剤C−15を0.5重量%混
入)を注入した。注入後、開口部を市販の酸無水物硬化
型エポキシ樹脂で固着し、液晶を封止してTN型液晶素
子を完成した。完成した液晶セルを一旦100℃まで加
熱してから徐々に冷却して初期配向させることにより、
リバースツイストやリバースチルトが発生しない良好な
配向状態のセルが得られた。
【0093】実施例6 2枚の基板のLB膜形成時の基板の引上げ方向が逆平行
方向となるようにセルを構成したほかは、実施例5と同
様にして液晶素子(アンチパラ型液晶素子)を作製し
た。得られた液晶のプレチルト角をクリスタルローテー
ション法を用いて測定したところ、約8度であった。
【0094】比較例1〜2 ネマチック液晶としてメルク社製、商品名ZLI−34
05(K3/K1=0.79)を用いたほかは、実施例
1と同様にしてTN型液晶素子(比較例1)とアンチパ
ラ型液晶素子(比較例2)を作製した。
【0095】得られた比較例1のTN型液晶素子は、駆
動時にリバースチルトが発生していた。また、比較例2
のアンチパラ型液晶素子中の液晶のプレチルト角は0.
3度であった。
【0096】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ラビング処理を施すことなしに形成された配向膜を有し
ており、しかもリバースツイストやリバースチルトとい
う表示欠陥のない液晶素子を得ることできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の液晶素子の一実施例の概略断面図であ
る。
【図2】従来の液晶素子の概略断面図である。
【符号の説明】
1 液晶素子 2a、2b 電極体 3 液晶 4 ガラス基板 5a 透明電極 5b 電極 6 配向膜

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラス基板、該ガラス基板上に形成され
    た透明電極および該透明電極の表面上に形成された配向
    膜とからなる一方の電極体と、ガラス基板、該ガラス基
    板上に形成された電極および該電極の表面上に形成され
    た配向膜とからなる他方の電極体と、前記両電極体間に
    配設されている液晶とからなる液晶素子であって、前記
    配向膜が水面上に形成された単分子膜を前記透明電極お
    よび(または)電極が形成された前記ガラス基板の表面
    上に1層以上積層して得られたラングミュア・ブロジェ
    ット膜であり、かつ、前記液晶の誘電率異方性Δεが0
    より大きく10以下であることを特徴とする液晶素子。
  2. 【請求項2】 前記液晶のスプレイ弾性定数K1とベン
    ド弾性定数K3の比、K3/K1が1.0以上であるこ
    とを特徴とする請求項1記載の液晶素子。
  3. 【請求項3】 前記配向膜が、一般式(I)(化1): 【化1】 (式中、R1 は少なくとも2個の炭素原子数を有する4
    価の基、R2 は少なくとも2個の炭素原子数を有する2
    価の基、R3 ,R4 ,R5 およびR6 は、それぞれハロ
    ゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ
    基、アセトキシ基で置換されていてもよい脂肪族、環状
    脂肪族または芳香族(これらが相互に組合わさってもよ
    い)の炭素数1〜30の1価の基または水素原子であ
    り、R3 ,R4,R5 およびR6 の内少なくとも一つは
    ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキ
    シ基、アセトキシ基で置換されていてもよい脂肪族、環
    状脂肪族または芳香族(これらが相互に組合わさっても
    よい)の炭素数12〜30の1価の基)で表される繰り
    返し単位を有する両親媒性高分子物質を水面上に展開す
    ることにより得られる単分子膜を、前記透明電極および
    (または)電極が形成された前記ガラス基板の表面上に
    1層以上積層した後、前記両親媒性高分子物質が、完全
    にあるいは部分的に一般式(II)(化2): 【化2】 (式中、R1 及びR2 はそれぞれ前記と同じ)で表され
    る繰り返し単位を有するポリイミドとなるような熱処理
    を施すことにより得られた薄膜であることを特徴とする
    請求項1または2記載の液晶素子。
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