JPH06120747A - 差動増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 カスコードブートストラップ回路のバイアス
電流を差動増幅の定電流回路にエミッタフォロワ−回路
によって重畳せず、定電流変動を無くし、差動増幅器の
定電流特性を改善して正確な差動増幅を行うものであ
る。 【構成】 差動対の第１、第２のトランジスタQ₁,Q₂ の
共通エミッタに接続したエミッタフォロワ−回路６を介
してレベルシフトダイオードD₃で第１のカスコードブー
トストラップ回路３のバイアス回路５を構成し、定電流
回路４と負供給電源-V_CC間に第２のカスコードブートス
トラップ回路７を設け、この第２のカスコードブートス
トラップ回路７のバイアス電圧をエミッタフォロワ−回
路６のレベルシフト回路８によってバイアスするよう構
成したものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は差動増幅器に係り、特
に差動増幅器内部で発生する同相信号成分や電源変動に
対するノイズ成分などを低減するのに好適な差動増幅器
に関する。

【０００２】

【従来技術】従来より、カスコードブートストラップ回
路を有した差動増幅器は図６に示す回路図のものが多く
提供されていた。図において、１及び２は差動増幅器の
入力端子であり、この入力端子１に印加された入力信号
は第１のトランジスタQ₁のベースに供給され、また、入
力端子２に印加された入力信号は第２のトランジスタQ₂
のベースに供給される。抵抗R₃,R₄ はバイアス抵抗であ
る。

【０００３】差動対に構成した第１、第２のトランジス
タQ₁,Q₂ のコレクタは第３、第４のトランジスタQ₃,Q₄
で形成したブートストラップ回路３にカスコード接続さ
れていて負荷抵抗R₁,R₂ を介して供給電源V_CC に接続さ
れ、この負荷抵抗R₁,R₂ と第３、第４のトランジスタ
Q₃,Q₄ のコレクタとの接続点より出力を出力端子9,10に
取り出していた。

【０００４】上記、カスコードブートストラップ回路３
の第３、第４のトランジスタQ₃,Q₄のベースは直接接続
されて共通ベースを形成し、この共通ベースに正供給電
源V_CC より抵抗R₂₀ とレベルシフトダイオードD₃とを接
続し、上記カスコードブートストラップ回路３のバイア
ス回路５を形成している。

【０００５】一方、第１、第２のトランジスタQ₁,Q₂ の
共通エミッタは定電流回路４を形成した第５のトランジ
スタQ₅と抵抗R₂₁ を介して負供給電源-V_CCに接続され、
第５のトランジスタQ₅のベースは負供給電源-V_CCから接
続されたレベルシフトダイオードD₂₀ と定電流ダイオー
ドD₂及び抵抗R₂₂ によってバイアスされている。

【０００６】この様に構成した差動増幅器の入力端子1,
2 に入力信号が供給されて差動増幅動作を行う場合、第
１のトランジスタQ₁の動作電流をI₁とし、第２のトラン
ジスタQ₂の動作電流をI₂とし、更に、カスコードブート
ストラップ回路３の第３、第４のトランジスタQ₃,Q₄ を
ブートストラップ動作させるため、第３、第４のトラン
ジスタQ₃,Q₄ のベースバイアス電圧を形成するレベルシ
フトダイオードD₃のアノードを第１、第２のトランジス
タQ₁,Q₂ の共通エミッタに接続し、このバイアス電流を
I₃とすると、定電流回路５に流れる電流Ｉは、 Ｉ＝I₁＋I₂＋I₃ となって定電流動作する。

【０００７】即ち、第１、第２のトランジスタQ₁,Q₂ の
入力信号レベルによる動作はカスコードブートストラッ
プ回路３のバイアス電流I₃が定電流回路４の定電流Ｉに
よってバイアスされ、直線的にブートストラップされた
出力信号を出力端子9,10より得ることができる。

【０００８】また、差動増幅の第１、第２のトランジス
タQ₁,Q₂ の負荷抵抗R₁,R₂ 及びカスコードブートストラ
ップ回路３の第３、第４のトランジスタQ₃,Q₄ のブート
ストラップ動作が同じ条件である場合、入力端子1,2 に
印加された各々の入力電圧に対して差動増幅して差の出
力電圧を得ることができ、この各々の入力電圧の同相成
分を除去することができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の差動増幅器はカスコードブートストラップ回路３に必
要なバイアス電圧を抵抗R₂₀ とレベルシフトダイオード
D₃に流れるバイアス電流I₃で作っているが、このバイア
ス電流I₃は前述したように、第１、第２のトランジスタ
Q₁,Q₂ の共通エミッタ電流I₁,I₂ に重畳して定電流Ｉに
なっているため、第１、第２のトランジスタQ₁,Q₂ の共
通エミッタ電圧が入力信号の同相成分により変動する
と、バイアス回路電流I₃が変動して抵抗R₂₀ の両端に発
生する電圧も同様に変動し、また、レベルシフトダイオ
ードD₃の内部インピーダンスがゼロで無いため、バイア
ス電流I₃の変動により定電流Ｉが変動して差動増幅器の
本来の同相除去特性の悪化を招くという欠点があり、ま
た、供給電源電圧V_CC の変動などによって抵抗R₂₀ の発
生電圧が大きく変動すると、上記同様に定電流Ｉが変動
して差動増幅特性を損なうことがあった。

【００１０】更に、第１、第２のトランジスタQ₁,Q₂ の
コレクタ負荷抵抗R₁,R₂ の誤差や、差動増幅器の後段の
入力インピーダンスの差がある場合、同様に差動増幅作
用の同相成分の出力が除去されず出力に現われるという
問題もあり、上記負荷抵抗R₁,R₂ や後段の入力インピー
ダンスの誤差を小さくするために、高精度（最大1%以下
の誤差）の回路素子を使用しなくてはならなくなり、コ
ストアップになるという欠点があった。

【００１１】今、例えば、図４に示す測定用差動増幅器
の回路図の入力回路を用い、図６に示した差動増幅器回
路を構成し、入力端子１に入力信号を印加すると、この
入力信号は第１のトランジスタQ₁のベースに供給され、
一方、第２のトランジスタQ₂のベースには抵抗R₁₀=10Ω
と接地間に接続されたベース入力抵抗R₁₁=100kΩを介し
て入力信号が供給される。

【００１２】即ち、第１、第２のトランジスタQ₁,Q₂ の
ベースに供給される入力信号レベル差は同相入力レベル
の-80dB の信号差になり、出力端子9,10に現われる出力
信号は、逆相成分をａ，同相成分をｂとすると、 出力端子9 の出力電圧：V_O1 ＝ａ＋ｂ 出力端子10の出力電圧：V_O2 ＝−ａ＋ｂ となり、出力電圧V₀₁ と出力電圧V_O2 とを加算すること
により、逆相成分ａは除去されて同相成分＝2bのみを得
ることができ、この同相成分2bは図７に示すようにな
る。

【００１３】図７は図４で示したオシロスコープ11で測
定した出力信号波形であり、図７の波形図において、30
は出力端子9 の出力電圧V₀₁ の同相信号波形、31は出力
端子10の出力電圧V_O2 の同相信号波形を表わし、32は同
相信号波形30,31 を加算した波形である。この様に従来
の差動増幅器では、実際上はカスコードブートストラッ
プ回路３のバイアス電流I₃の変動や電源電圧変動などに
影響して同相信号成分が大きく出力され、本来の差動増
幅特性を確保することが困難であった。

【００１４】また、定電流回路４は第５のトランジスタ
Q₅のベースバイアスを負の供給電源-V_CCに接続したレベ
ルシフトダイオードD₂₀ と定電流ダイオードD₂及び抵抗
R₂₂で常に一定に形成して定電流化したものであるが、
コレクタ電位が入力信号の同相成分により変動し、第５
のトランジスタQ₅のミラー容量C₁により、特に高い周波
数に対して定電流特性が悪化する。更に、第５のトラン
ジスタQ₅のコレクタ出力インピーダンスは無限大でない
ため理想的な定電流特性にならず、第５のトランジスタ
Q₅のコレクタ−エミッタ間の電圧変動に対し電流値が変
化するという欠点もあった。

【００１５】即ち、差動増幅器の出力端子9,10の出力は
差動（逆相）成分の信号以外に同相成分や電源変動分が
出力されるという欠点があった。

【００１６】この発明は上記した点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは従来例の欠点を解消
し、第３、第４のトランジスタQ₃,Q₄ のカスコードブー
トストラップ回路のバイアス回路を第１、第２のトラン
ジスタQ₁,Q₂ の共通エミッタに設けたエミッタフォロワ
−回路を介して構成し、入力同相成分によるバイアス電
流の変動分がエミッタフォロワ−回路を介して流れ、上
記共通エミッタの定電流に上記バイアス電流が重畳せ
ず、定電流の変動を押えて定電流特性を改善することが
でき、正確な差動増幅を行うことが可能な差動増幅器を
提供するところにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】この発明の差動増幅器は
差動対を構成した第１、第２のトランジスタと、この第
１、第２のトランジスタの各コレクタに接続した第１の
カスコードブートストラップ回路と、この第１のカスコ
ードブートストラップ回路と供給電源間に設けた負荷抵
抗と、上記第１、第２のトランジスタの各エミッタを接
続した共通エミッタと負供給電源間に設けた定電流回路
と、上記第１のカスコードブートストラップ回路にバイ
アス電圧を供給するバイアス回路と、前記第１、第２の
トランジスタの各ベースに入力信号を印加する入力手段
と、前記第１のカスコードブートストラップ回路と負荷
抵抗との接続点より出力信号を取り出す出力手段とを備
えた差動増幅器であって、前記第１、第２のトランジス
タの共通エミッタに接続したエミッタフォロワ−回路を
設け、このエミッタフォロワ−回路を介して前記第１の
カスコードブートストラップ回路のバイアス回路を構成
し、前記定電流回路と負供給電源間に第２のカスコード
ブートストラップ回路を設け、この第２のカスコードブ
ートストラップ回路のバイアス電圧が前記エミッタフォ
ロワ−回路に接続したレベルシフト回路によって供給さ
れるよう構成したものである。

【００１８】また、前記第１のカスコードブートストラ
ップ回路を第３、第４のトランジスタで形成し、この第
３、第４のトランジスタの各ベースを接続した共通ベー
スと供給電源間に接続した定電流ダイオードと、前記エ
ミッタフォロワ−回路を第７、第８のトランジスタで形
成し、上記第８のトランジスタのエミッタと前記第３、
第４のトランジスタの共通ベース間に接続したレベルシ
フトダイオードとを設け、前記エミッタフォロワ−回路
を介して前記定電流ダイオードとレベルシフトダイオー
ドとでバイアス回路を構成し、前記定電流回路を第５の
トランジスタで形成し、この第５のトランジスタのコレ
クタと負供給電源間に設けた第２のカスコードブートス
トラップ回路を第６のトランジスタで形成し、この第６
のトランジスタのベースバイアス電圧が前記エミッタフ
ォロワ−回路の第７のトランジスタのエミッタと負供給
電源間に設けたレベルシフトダイオードによって供給さ
れるよう構成しても良い。

【００１９】

【作用】この発明によれば、差動対を構成した第１、第
２のトランジスタQ₁,Q₂ の共通エミッタにエミッタフォ
ロワ−回路６を接続し、このエミッタフォロワ−回路６
を第７、第８のトランジスタQ₇,Q₈ で形成し、この第８
のトランジスタQ₈のエミッタよりレベルシフトダイオー
ドD₃を介して第１のカスコードブートストラップ回路３
の第３、第４のトランジスタQ₃,Q₄ の共通ベースにバイ
アスする。

【００２０】正供給電源V_CC から定電流ダイオードD₁を
介して上記レベルシフトダイオードD₃によってバイアス
電圧を定め、このバイアス電流I₃は第８のトランジスタ
Q₈から定電流回路４に接続した第２のカスコードブート
ストラップ回路７を介して負供給電源-V_CCに流れる。

【００２１】上記、定電流回路４は第１、第２のトラン
ジスタQ₁,Q₂ の差動増幅の動作電流I₁,I₂ を定電流化
し、第２のカスコードブートストラップ回路７を形成し
た第６のトランジスタQ₆を介して負供給電源-V_CCに流れ
る。この第２のカスコードブートストラップ回路７の第
６のトランジスタQ₆のベースバイアス電圧は前記エミッ
タフォロワ−回路６の第７のトランジスタQ₇に接続した
レベルシフトダイオードD₄,D₅ と定電流ダイオードD₂と
によってバイアスされてブートストラップ動作を行って
いる。

【００２２】即ち、差動増幅の定電流Ｉ＝I₁＋I₂には第
１のカスコードブートストラップ回路３のバイアス電流
I₃が重畳されずに形成されているため、入力信号の同相
成分による共通エミッタ電圧の変動に対してバイアス電
流I₃が変動しても、上記定電流Ｉは上記エミッタフォロ
ワ−回路６のバッファ作用によって変動を押さえること
ができ、差動増幅に対する定電流特性を良好の状態にす
ることができる。

【００２３】また、定電流回路４に第６のトランジスタ
Q₆によるカスコードブートストラップ回路７を設けたの
で、定電流回路４のブートストラップ作用により、第５
のトランジスタQ₅のミラー効果を無くすことができ、高
周波数信号に対する定電流特性を良くすることが可能に
なり、高い周波数範囲の広帯域化ができる。また、定電
流回路４の出力インピーダンスを高くすることができ理
想的な定電流特性を得ることができる。

【００２４】即ち、この発明の差動増幅器は第１のカス
コードブートストラップ回路３のバイアス電圧源の内部
インピーダンスをゼロ、定電流源の内部インピーダンス
を無限大にした理想差動増幅器に近い回路構成で動作さ
せることができる。

【００２５】

【実施例】この発明に係る差動増幅器の実施例を図１乃
至図５に基づいて説明する。尚、従来例と同一部分には
同一符号を付してその説明を省略する。図１は第２のカ
スコードブートストラップ回路を設けた差動増幅器のブ
ロック図であり、図２は図１の実施例を示した回路図、
図３は他の実施例を示した簡略化した回路図、図４は差
動増幅器の同相除去特性を測定するための回路図、図５
は同相除去特性を表した波形図である。

【００２６】図１及び図２において、３は差動増幅の第
１、第２のトランジスタQ₁,Q₂ のコレクタに接続した第
１のカスコードブートストラップ回路であり、この第１
のカスコードブートストラップ回路３は第３、第４のト
ランジスタQ₃,Q₄ で構成し、この第３、第４のトランジ
スタQ₃,Q₄ のベースは各々直接接続され共通ベースを形
成している。４は第１、第２のトランジスタQ₁,Q₂ の共
通エミッタに接続した定電流回路であり、この定電流回
路４は共通エミッタから抵抗R₅を介して第５のトランジ
スタQ₅のエミッタに接続して形成する。

【００２７】５は第３、第４のトランジスタQ₃,Q₄ のバ
イアス回路であり、このバイアス回路５は正供給電源V
_CC に接続した定電流ダイオードD₁とレベルシフトダイ
オードD₃の接続点を第３、第４のトランジスタQ₃,Q₄ の
共通ベースに接続して形成し、上記バイアス回路５は第
７、第８のトランジスタQ₇,Q₈ で形成したエミッタフォ
ロワ−回路６を介して上記共通エミッタに接続されてい
る。

【００２８】７は第２のカスコードブートストラップ回
路であり、この第２のカスコードブートストラップ回路
７は第６のトランジスタQ₆で形成し、定電流回路４の第
５のトランジスタQ₅のコレクタと第６のトランジスタQ₆
のエミッタとが接続されたカスコード接続回路を形成
し、第６のトランジスタQ₆のベースは上記エミッタフォ
ロワ−回路６の第７のトランジスタQ₇のエミッタから負
供給電源-V_CCに接続したレベルシフト回路８のレベルシ
フトダイオードD₄,D₅ 及び定電流ダイオードD₂によって
バイアスされ、ブートストラップ動作を行っている。

【００２９】この様に構成した差動増幅器は、第１のカ
スコードブートストラップ回路３の第３、第４のトラン
ジスタQ₃,Q₄ の共通ベースに接続したレベルシフトダイ
オードD₃によって第３、第４のトランジスタQ₃,Q₄ のV
_CE を決定し、このレベルシフトダイオードD₃に流れる
バイアス電流I₃はエミッタフォロワ−回路６を介して負
供給電源-V_CCに流れるため、第１、第２のトランジスタ
Q₁,Q₂ の共通エミッタに接続した定電流回路４に重畳さ
れること無く第１のカスコードブートストラップ回路３
のブートストラップ動作を行うことができる。

【００３０】定電流回路５の第５のトランジスタQ₅のベ
ースバイアスは、図のように、エミッタフォロワ−回路
６の第７のトランジスタQ₇のエミッタに接続したレベル
シフトダイオードD₄,D₅ の接点より供給され、第２のカ
スコードブートストラップ回路７の第６のトランジスタ
Q₆のベースバイアスはレベルシフトダイオードD₅と定電
流ダイオードD₂との接続点より供給されて定電流動作と
ブートストラップ動作を行う。

【００３１】この様に、第１、第２のトランジスタQ₁,Q
₂ の差動増幅の動作電流I_1,I₂ が共通エミッタから定電
流回路４で制御されて定電流Ｉになり、この定電流Ｉ＝
I₁＋I₂に同相入力信号や電源電圧の変動によるノイズ源
となる第３、第４のトランジスタQ₃,Q₄ のバイアス電流
I₃や他の回路電流が、共通エミッタに接続したエミッタ
フォロワ−回路６のバッファによって流れ込むことがな
くなり、入力信号などに含まれる同相成分の影響を定電
流Ｉに及ぼすことを防ぐことができる。

【００３２】更に、定電流回路４の第５のトランジスタ
Q₅は第６のトランジスタQ₆によりカスコードされたブー
トストラップが掛かっているので、第５のトランジスタ
Q₅のV_CE は一定になって第５のトランジスタQ₅のミラー
容量C₁による影響が無くなり、高い周波数に対しても安
定した定電流特性を得ることができ、差動増幅器の広帯
域周波数特性を良くすることができる。

【００３３】図４は第３、第４のトランジスタQ₃,Q₄ の
共通ベースに内部抵抗ゼロの直流電圧源Ｅでバイアス
し、共通エミッタに内部抵抗を無限大の定電流源Ｉを接
続した理想差動増幅器の回路図であり、11は出力信号の
同相除去特性を測定するオシロスコープである。

【００３４】この理想差動増幅器に対して、実際には本
発明の図１の回路によって構成し、差動増幅の第１、第
２のトランジスタQ₁,Q₂ の入力信号は、従来例で説明し
たと同様に第１のトランジスタQ₁の入力レベルに対して
第２のトランジスタQ₂の入力レベルは、抵抗 R₁₀＝10Ω
とR₁₁=100kΩとにより-80dB の同相入力レベル差を有し
たものであり、この入力条件は、一般に音声信号増幅器
で使用される帰還増幅器の初段増幅の入力条件と同等で
ある。

【００３５】この様に構成した測定用差動増幅器の出力
端子9,10に現われる出力信号はオシロスコープ11によっ
て測定することができる。前述した従来例の図７の測定
波形図と同様に、出力端子9,10に現われる出力信号は、
逆相成分をａ，同相成分をｂとすると、 出力端子9 の出力電圧：V_O1 ＝ａ＋ｂ 出力端子10の出力電圧：V_O2 ＝−ａ＋ｂ となり、出力電圧V₀₁ と出力電圧V_O2 とを加算すること
により、逆相成分ａは除去されて同相成分2bのみを得る
ことができ、この同相成分2bは図５に示す波形図のよう
になる。

【００３６】図５において、20は出力端子9 の出力電圧
V₀₁ の出力信号波形であり、21は出力端子10の出力電圧
V_O2 の出力信号波形である。22は出力電圧V₀₁ 波形20と
出力電圧V₀₂ 波形21とを加算した合成波形であり、図の
ように、出力電圧V₀₁ 波形20と出力電圧V₀₂ 波形21は逆
相成分のみで加算信号波形22には同相成分の出力は認め
られない。即ち、差動増幅器の出力端子9,10間より出力
を加算して取り出せば出力に現われる同相成分は無視す
ることができ、図４に示した理想差動増幅器に近い差動
増幅動作の性能を出すことができる。

【００３７】また、図３は他の実施例を示した回路図で
あり、図１の差動増幅器を簡略化して構成したものであ
る。図において、エミッタフォロワ−回路６を第８のト
ランジスタQ₈のみで形成し、図のように、この第８のト
ランジスタQ₈のエミッタからレベルシフトダイオードD₃
を介して第３、第４のトランジスタQ₃,Q₄ の共通ベース
にバイアスを掛け、カスコードブートストラップ回路３
をブートストラップ動作させたものである。

【００３８】また、第１、第２のトランジスタQ₁,Q₂ の
共通エミッタからの定電流回路４を定電流ダイオードD₆
で構成して簡略化したものである。

【００３９】この様に、前記同様に、エミッタフォロワ
−回路６を用いてカスコードブートストラップ回路３の
バイアス回路を形成し、このバイアス回路の動作バイア
ス電流I₃をエミッタフォロワ−回路６に流してバイアス
動作させ、バイアス電流I₃が定電流回路６の定電流ダイ
オードD₆に重畳すること無くしたので、差動増幅時の定
電流Ｉをノイズ源であるバイアス電流I₃などから防ぐこ
とができる。

【００４０】上記、定電流Ｉ特性は定電流ダイオードD₆
の内部抵抗によって定電流化され、図１の回路図に比べ
て簡略化されているが、定電流回路の浮遊容量なども少
なくすることができ比較的高い周波数まで使用可能であ
る。この簡略化した図３の回路は、一般に、同相入力信
号レベルの小さい回路に適していて、例えば D/A変換回
路などのポストアンプなどに使用すると良い。

【００４１】以上、差動増幅器の増幅素子を第１、第２
のトランジスタQ₁,Q₂ で構成し、他の回路素子もトラン
ジスタを用いて説明したが、このトランジスタ増幅素子
の代わりに他のデバイス、例えば FETなどに置き換えて
構成しても良い。

【００４２】

【発明の効果】この発明に係る差動増幅器は前述のよう
に、差動増幅する第１、第２のトランジスタQ₁,Q₂ の動
作電流のみを定電流回路６で定電流化し、入力同相成分
や電源電圧変動によるノイズ電流が共通エミッタに接続
したエミッタフォロワ−回路によってバッファされ、ノ
イズ電流が定電流回路に重畳されること無く作用するた
め、差動増幅器の差動増幅動作を理想差動増幅器に近い
状態で動作させることができ、より精密な差動増幅器を
構築することができるという効果がある。

【００４３】図４に示した差動増幅器の同相除去特性を
測定する回路において、従来例に示した同相成分の出力
波形レベル（図７の加算波形32）と、本発明の図１の回
路の実施例の同相成分の出力波形22（図５の波形22）の
レベル比は40dB以上あり、従来回路（図６の回路図）で
同相成分を-40dB 改善するためには、差動増幅器の合成
負荷インピーダンスの誤差を最大1%以下にしなければ成
らず究めて困難であったものが、本発明の回路では簡単
に実現できる。

【００４４】また、定電流回路のカスコードブートスト
ラップ回路により周波数特性が改善されるので、差動増
幅の高周波数帯域までの動作が可能になり、差動増幅器
の広帯域化が可能になるという効果もある。

【００４５】しかも、構造が簡単であって、また、安価
に構成することができるため実施も容易であるなどの優
れた特長を有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る差動増幅器の実施例を示したブ
ロック図である。

【図２】図１のブロック図の実施例を示した回路図であ
る。

【図３】他の簡略化した実施例を示した回路図である。

【図４】差動増幅器の同相除去特性を測定するための回
路図である。

【図５】図４の回路で測定した同相除去特性を表した出
力波形図である。

【図６】従来例を示した回路図である。

【図７】図４の測定回路における図６の従来例の回路で
測定した出力波形図である。

【符号の説明】

1,2 差動増幅器の入力端子 ３ 第１のカスコードブートストラップ回路 ４ 定電流回路 ５ バイアス回路 ６ エミッタフォロワ−回路 ７ 第２のカスコードブートストラップ回路 ８ レベルシフト回路 9、10 出力端子 11 オシロスコープ 12 バイアス電圧源Ｅ 13 定電流源Ｉ 20 出力端子９の出力電圧波形 21 出力端子10の出力電圧波形 22 両出力電圧を加算した合成出力波形

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 差動対を構成した第１、第２のトランジ
   スタと、この第１、第２のトランジスタの各コレクタに
   接続した第１のカスコードブートストラップ回路と、こ
   の第１のカスコードブートストラップ回路と供給電源間
   に設けた負荷抵抗と、上記第１、第２のトランジスタの
   各エミッタを接続した共通エミッタと負供給電源間に設
   けた定電流回路と、上記第１のカスコードブートストラ
   ップ回路にバイアス電圧を供給するバイアス回路と、前
   記第１、第２のトランジスタの各ベースに入力信号を印
   加する入力手段と、前記第１のカスコードブートストラ
   ップ回路と負荷抵抗との接続点より出力信号を取り出す
   出力手段とを備えた差動増幅器であって、 前記第１、第２のトランジスタの共通エミッタに接続し
   たエミッタフォロワ−回路を設け、このエミッタフォロ
   ワ−回路を介して前記第１のカスコードブートストラッ
   プ回路のバイアス回路を構成し、前記定電流回路と負供
   給電源間に第２のカスコードブートストラップ回路を設
   け、この第２のカスコードブートストラップ回路のバイ
   アス電圧が前記エミッタフォロワ−回路に接続したレベ
   ルシフト回路によって供給されるよう構成したことを特
   徴とする差動増幅器。
2. 【請求項２】 前記第１のカスコードブートストラップ
   回路を第３、第４のトランジスタで形成し、この第３、
   第４のトランジスタの各ベースを接続した共通ベースと
   供給電源間に接続した定電流ダイオードと、前記エミッ
   タフォロワ−回路を第７、第８のトランジスタで形成
   し、この第８のトランジスタのエミッタと前記第３、第
   ４のトランジスタの共通ベース間に接続したレベルシフ
   トダイオードとを設け、前記エミッタフォロワ−回路を
   介して前記定電流ダイオードと上記レベルシフトダイオ
   ードとでバイアス回路を構成し、 前記定電流回路を第５のトランジスタで形成し、この第
   ５のトランジスタのコレクタと負供給電源間に設けた第
   ２のカスコードブートストラップ回路を第６のトランジ
   スタで形成し、この第６のトランジスタのベースバイア
   ス電圧が前記エミッタフォロワ−回路の第７のトランジ
   スタのエミッタと負供給電源間に設けたレベルシフトダ
   イオードによって供給されるよう構成したことを特徴と
   する請求項１記載の差動増幅器。