JPH06125021A - 面実装型ダイオード - Google Patents
面実装型ダイオードInfo
- Publication number
- JPH06125021A JPH06125021A JP27207992A JP27207992A JPH06125021A JP H06125021 A JPH06125021 A JP H06125021A JP 27207992 A JP27207992 A JP 27207992A JP 27207992 A JP27207992 A JP 27207992A JP H06125021 A JPH06125021 A JP H06125021A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin package
- diode
- leads
- lead
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/481—Leadframes for devices being provided for in groups H10D8/00 - H10D48/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/60—Strap connectors, e.g. thick copper clips for grounding of power devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/60—Strap connectors, e.g. thick copper clips for grounding of power devices
- H10W72/651—Materials of strap connectors
- H10W72/655—Materials of strap connectors of outermost layers of multilayered strap connectors, e.g. material of a coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板に対する載置安定性が優れ、不都合なく
高速度実装を行うことができる面実装型ダイオードを提
供することをその目的とする。 【構成】 一対のリード3,3の内方部3a,3aおよびこ
れら内方部間に導通するように配置されるダイオードチ
ップ4を、所定厚みをもつ平面視矩形状の樹脂パッケー
ジ2で包み込んでなる面実装型ダイオードにおいて、各
リード3,3は、それぞれ、内方部が上記樹脂パッケー
ジの底面によって内部に入り込んで位置しているととも
に、上記樹脂パッケージ2の下面両端部において下面が
樹脂パッケージの下面を面一状に露出させられた上、そ
のまま水平方向外方に延出させられていることを特徴と
する。
高速度実装を行うことができる面実装型ダイオードを提
供することをその目的とする。 【構成】 一対のリード3,3の内方部3a,3aおよびこ
れら内方部間に導通するように配置されるダイオードチ
ップ4を、所定厚みをもつ平面視矩形状の樹脂パッケー
ジ2で包み込んでなる面実装型ダイオードにおいて、各
リード3,3は、それぞれ、内方部が上記樹脂パッケー
ジの底面によって内部に入り込んで位置しているととも
に、上記樹脂パッケージ2の下面両端部において下面が
樹脂パッケージの下面を面一状に露出させられた上、そ
のまま水平方向外方に延出させられていることを特徴と
する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本願発明は、面実装型ダイオード
に関し、特に樹脂パッケージの寸法が1ミリメートル角
程度の小型のものに関する。
に関し、特に樹脂パッケージの寸法が1ミリメートル角
程度の小型のものに関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体装置の一種であるダイオードは、ICやトランジスタ
等の他の半導体装置と同様に、リードフレームと呼ばれ
る製造用フレームを用いることによって製造される。こ
の製造用フレームは、一対のサイドフレームと、各サイ
ドフレームから延出する端子リードとを備え、この端子
リードは、フレームの長手方向に等間隔に形成されてい
る。この製造用フレームを1ピッチずつステップ送りし
ながら、一方の端子リードの内端部にダイオードチップ
をボンディングするとともに、こうしてボンディングさ
れたダイオードチップと他方のリード足との間をワイヤ
リング等によって結線し、そうして、上記ボンディング
チップを中心とする一定の範囲を樹脂モールディングし
て樹脂パッケージによって包み込む。そして、上記リー
ド足を切断することによって樹脂パッケージ部分の両端
部から一対のリードが延出する単位ダイオードが分離さ
れる。
体装置の一種であるダイオードは、ICやトランジスタ
等の他の半導体装置と同様に、リードフレームと呼ばれ
る製造用フレームを用いることによって製造される。こ
の製造用フレームは、一対のサイドフレームと、各サイ
ドフレームから延出する端子リードとを備え、この端子
リードは、フレームの長手方向に等間隔に形成されてい
る。この製造用フレームを1ピッチずつステップ送りし
ながら、一方の端子リードの内端部にダイオードチップ
をボンディングするとともに、こうしてボンディングさ
れたダイオードチップと他方のリード足との間をワイヤ
リング等によって結線し、そうして、上記ボンディング
チップを中心とする一定の範囲を樹脂モールディングし
て樹脂パッケージによって包み込む。そして、上記リー
ド足を切断することによって樹脂パッケージ部分の両端
部から一対のリードが延出する単位ダイオードが分離さ
れる。
【0003】ところで、電子回路基板の小型化および高
密度実装の要求に応えるため、ダイオードに代表される
半導体装置の小型化がますます進んでおり、とりわけ、
チップをきわめて微小に構成することができるダイオー
ドについては、その樹脂パッケージ部分が1ミリメート
ル角程度と、著しい小型化が進んでいる。
密度実装の要求に応えるため、ダイオードに代表される
半導体装置の小型化がますます進んでおり、とりわけ、
チップをきわめて微小に構成することができるダイオー
ドについては、その樹脂パッケージ部分が1ミリメート
ル角程度と、著しい小型化が進んでいる。
【0004】そして、高密度実装の要求およびその簡便
な実装を達成するために、ダイオードについても面実装
タイプのものが増えている。
な実装を達成するために、ダイオードについても面実装
タイプのものが増えている。
【0005】図4に、従来の面実装型に形成された小型
ダイオードaの構造例を示す。矩形状をした樹脂パッケ
ージbの内部にダイオードチップcおよびこのダイオー
ドチップの両極に導通する一対のリードd,dの内端部
が包み込まれており、かつ上記一対のリードは、上記樹
脂パッケージの両端部から外部に延出させられている。
上述したように、この樹脂パッケージbの大きさは、
縦、横、高さのいずれもが1ミリメートル程度、あるい
はそれよりもより小さい小型のものとなっている。
ダイオードaの構造例を示す。矩形状をした樹脂パッケ
ージbの内部にダイオードチップcおよびこのダイオー
ドチップの両極に導通する一対のリードd,dの内端部
が包み込まれており、かつ上記一対のリードは、上記樹
脂パッケージの両端部から外部に延出させられている。
上述したように、この樹脂パッケージbの大きさは、
縦、横、高さのいずれもが1ミリメートル程度、あるい
はそれよりもより小さい小型のものとなっている。
【0006】こうした半導体装置を面実装タイプとする
には、一般に、上記のような樹脂パッケージbの両端部
から延出するリードd,dを図4に示すようにしてクラ
ンク状に折り曲げ、回路基板に対する接触部d1 ,d1
が樹脂パッケージbの下面と略同一面となるようにされ
ている。
には、一般に、上記のような樹脂パッケージbの両端部
から延出するリードd,dを図4に示すようにしてクラ
ンク状に折り曲げ、回路基板に対する接触部d1 ,d1
が樹脂パッケージbの下面と略同一面となるようにされ
ている。
【0007】前述したように製造用フレームを用いて図
4に示すようなダイオードaを形成してゆく場合、リー
ドd,dの上記のようなクランク状の折り曲げ加工は、
リードフレームに対するリードカット工程の後あるいは
それと同時に行われる。したがって、一定の厚みをもつ
リードd,dを上記のようなクランク形状に適正に折り
曲げ加工するために、上記図4におけるリードd,dの
垂直部分d2 ,d2 の長さを確保せねばならず、したが
って、図4に表れているように、上記リードd,dの樹
脂パッケージb内部に入り込んでいる部分d3 ,d3 の
位置が、樹脂パッケージbの高さ方向中央部よりも上
の、樹脂パッケージの上面に近い位置に位置せざるをえ
ない。
4に示すようなダイオードaを形成してゆく場合、リー
ドd,dの上記のようなクランク状の折り曲げ加工は、
リードフレームに対するリードカット工程の後あるいは
それと同時に行われる。したがって、一定の厚みをもつ
リードd,dを上記のようなクランク形状に適正に折り
曲げ加工するために、上記図4におけるリードd,dの
垂直部分d2 ,d2 の長さを確保せねばならず、したが
って、図4に表れているように、上記リードd,dの樹
脂パッケージb内部に入り込んでいる部分d3 ,d3 の
位置が、樹脂パッケージbの高さ方向中央部よりも上
の、樹脂パッケージの上面に近い位置に位置せざるをえ
ない。
【0008】図4において、ダイオードチップcがリー
ドd,dの下面にボンディングされているのは、上述し
たように、このようにチップcをボンディングするべき
リードdが、樹脂パッケージbの高さ方向上方側に位置
させざるをえない結果である。
ドd,dの下面にボンディングされているのは、上述し
たように、このようにチップcをボンディングするべき
リードdが、樹脂パッケージbの高さ方向上方側に位置
させざるをえない結果である。
【0009】上記のような従来の小型の面実装型ダイオ
ードにおいては、次のような問題がある。
ードにおいては、次のような問題がある。
【0010】第一に、樹脂パッケージbの内部に入り込
んでいるリードd,dが、樹脂パッケージbの高さ方向
上方側に偏位しているため、ダイオード全体としての重
心位置が比較的上方に位置せざるをえず、これによって
このダイオードaを基板上に載置した場合の安定性が悪
くなる。
んでいるリードd,dが、樹脂パッケージbの高さ方向
上方側に偏位しているため、ダイオード全体としての重
心位置が比較的上方に位置せざるをえず、これによって
このダイオードaを基板上に載置した場合の安定性が悪
くなる。
【0011】第二に、樹脂パッケージbの両端部から延
出するリードd,dは、製造用フレームから切断後曲げ
形成する必要のため、この曲げ加工に誤差が生じること
があり、そのために、こうしてクランク状に折り曲げら
れたリードd,dの基板接触部d1 ,d1 が、樹脂パッ
ケージbの下面と正確に同一面状に位置することがな
く、概して、樹脂パッケージbの下面よりわずかに下方
に突出することになる。そして、リードd,dの幅は、
当然のことながら樹脂パッケージの幅よりも小さいた
め、かかるダイオードを基板上に載置した場合、上記の
ように重心が比較的上方に位置していることとあいまっ
て、その載置状態での安定性が著しく悪くなる。
出するリードd,dは、製造用フレームから切断後曲げ
形成する必要のため、この曲げ加工に誤差が生じること
があり、そのために、こうしてクランク状に折り曲げら
れたリードd,dの基板接触部d1 ,d1 が、樹脂パッ
ケージbの下面と正確に同一面状に位置することがな
く、概して、樹脂パッケージbの下面よりわずかに下方
に突出することになる。そして、リードd,dの幅は、
当然のことながら樹脂パッケージの幅よりも小さいた
め、かかるダイオードを基板上に載置した場合、上記の
ように重心が比較的上方に位置していることとあいまっ
て、その載置状態での安定性が著しく悪くなる。
【0012】この種の面実装型の電子部品の基板に対す
る実装は、あらかじめ所定の部位にクリームハンダが印
刷塗布された基板上にマウンタによって載置し、そうし
てこの基板を加熱炉に通すことによってクリームハンダ
を溶かし、上記リードと回路基板上のパターンとの固定
を図ることにより行われる。
る実装は、あらかじめ所定の部位にクリームハンダが印
刷塗布された基板上にマウンタによって載置し、そうし
てこの基板を加熱炉に通すことによってクリームハンダ
を溶かし、上記リードと回路基板上のパターンとの固定
を図ることにより行われる。
【0013】回路基板の高密度実装化は、これが組み込
まれる電子装置の小型化を達成するとともに、材料コス
トの低減を図るものであり、かかる流れの中で、当然の
ことながら実装作業コストの低減も考慮されており、こ
のため、上記のマウンタの作動速度は、限界まで高めら
れている。
まれる電子装置の小型化を達成するとともに、材料コス
トの低減を図るものであり、かかる流れの中で、当然の
ことながら実装作業コストの低減も考慮されており、こ
のため、上記のマウンタの作動速度は、限界まで高めら
れている。
【0014】そうすると、かかる高速度マウンタによっ
て図4に示すような不安定なダイオードを基板上に載置
すると、マウンタの作動によって生じる振動等によっ
て、基板に対する適正なダイオードの載置を行うことが
できない不都合が頻発することになる。
て図4に示すような不安定なダイオードを基板上に載置
すると、マウンタの作動によって生じる振動等によっ
て、基板に対する適正なダイオードの載置を行うことが
できない不都合が頻発することになる。
【0015】本願発明は、上記のような事情のもとで考
え出されたものであって、基板上での安定性を高め、高
速度実装を不都合なく行うことができるようにした面実
装型の小型ダイオードを提供することをその課題とす
る。
え出されたものであって、基板上での安定性を高め、高
速度実装を不都合なく行うことができるようにした面実
装型の小型ダイオードを提供することをその課題とす
る。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本願発明では、次の技術的手段を講じている。すな
わち、本願の請求項1に記載した発明は、ダイオードチ
ップと、このダイオードチップの両極に導通する薄板短
冊状の第一および第二リードとを備え、上記各リードの
内方部および上記ダイオードチップを平面状底面をもつ
とともに高さ方向に所定の寸法をもち、かつ平面視矩形
状をした樹脂パッケージで包み込んでなる面実装型ダイ
オードであって、上記第一および第二リードは、それぞ
れ、内方端が上記樹脂パッケージの底面より内部に入り
込んで位置しているとともに、上記樹脂パッケージの下
面両端部において下面が樹脂パッケージの下面と面一状
に露出させられた上、そのまま水平方向外方に延出させ
られていることを特徴としている。
め、本願発明では、次の技術的手段を講じている。すな
わち、本願の請求項1に記載した発明は、ダイオードチ
ップと、このダイオードチップの両極に導通する薄板短
冊状の第一および第二リードとを備え、上記各リードの
内方部および上記ダイオードチップを平面状底面をもつ
とともに高さ方向に所定の寸法をもち、かつ平面視矩形
状をした樹脂パッケージで包み込んでなる面実装型ダイ
オードであって、上記第一および第二リードは、それぞ
れ、内方端が上記樹脂パッケージの底面より内部に入り
込んで位置しているとともに、上記樹脂パッケージの下
面両端部において下面が樹脂パッケージの下面と面一状
に露出させられた上、そのまま水平方向外方に延出させ
られていることを特徴としている。
【0017】そして、本願の請求項2に記載した発明
は、請求項1の面実装ダイオードにおいて、上記樹脂パ
ッケージは、縦、横、および高さ寸法がそれぞれ0.8 〜
1.2 ミリメートルの範囲の小型のものであることに特徴
づけられる。
は、請求項1の面実装ダイオードにおいて、上記樹脂パ
ッケージは、縦、横、および高さ寸法がそれぞれ0.8 〜
1.2 ミリメートルの範囲の小型のものであることに特徴
づけられる。
【0018】
【発明の作用および効果】本願発明の面実装型ダイオー
ドにおけるリードは、実装するべき回路基板に対する絶
縁をとりながらダイオードチップに対して導通させる必
要のため、樹脂パッケージの下面から内方に入り込んで
位置してはいるが、樹脂パッケージの端部下面において
その外方部は、樹脂パッケージの端部下面に露出させら
れていてそのまま水平方向外方に延びている。このため
には、製造用フレームのリードを、チップボンディング
をする以前において内方部を若干浮き上がらせるように
曲げておけばよい。
ドにおけるリードは、実装するべき回路基板に対する絶
縁をとりながらダイオードチップに対して導通させる必
要のため、樹脂パッケージの下面から内方に入り込んで
位置してはいるが、樹脂パッケージの端部下面において
その外方部は、樹脂パッケージの端部下面に露出させら
れていてそのまま水平方向外方に延びている。このため
には、製造用フレームのリードを、チップボンディング
をする以前において内方部を若干浮き上がらせるように
曲げておけばよい。
【0019】したがって、本願発明においては、樹脂パ
ッケージング工程の後、リードカットをすればよく、そ
の後にリードを曲げ加工をする工程が省略される。した
がって、図4に示す従来例のように、リードのクランク
状の曲げ加工を適正に行うためにクランク状に曲げられ
たリード足の垂直部分の長さを確保するといった必要が
なく、その結果、樹脂パッケージ内部に位置するリード
の内方部の高さ位置を、樹脂パッケージの底面からそれ
ほど高くない位置とすることができる。その結果、ダイ
オード全体としての重心が、従来に比較して低くなり、
基板に対する載置安定性が向上する。
ッケージング工程の後、リードカットをすればよく、そ
の後にリードを曲げ加工をする工程が省略される。した
がって、図4に示す従来例のように、リードのクランク
状の曲げ加工を適正に行うためにクランク状に曲げられ
たリード足の垂直部分の長さを確保するといった必要が
なく、その結果、樹脂パッケージ内部に位置するリード
の内方部の高さ位置を、樹脂パッケージの底面からそれ
ほど高くない位置とすることができる。その結果、ダイ
オード全体としての重心が、従来に比較して低くなり、
基板に対する載置安定性が向上する。
【0020】さらに、リードの位置は、樹脂パッケージ
ング工程における金型によって規制されつつ樹脂パッケ
ージとの関係が決定されるため、樹脂パッケージの下面
両端部に露出する部分を、正確に樹脂パッケージの下面
と面一状とすることができる。したがって、図4に示す
従来例のように、基板に対するリード足の接地部分が樹
脂パッケージの下面に対して突出し、あるいはこの突出
量にばらつきが生じるといったことが解消され、このこ
とからも、本願発明のダイオードの基板載置状態での安
定性が向上する。
ング工程における金型によって規制されつつ樹脂パッケ
ージとの関係が決定されるため、樹脂パッケージの下面
両端部に露出する部分を、正確に樹脂パッケージの下面
と面一状とすることができる。したがって、図4に示す
従来例のように、基板に対するリード足の接地部分が樹
脂パッケージの下面に対して突出し、あるいはこの突出
量にばらつきが生じるといったことが解消され、このこ
とからも、本願発明のダイオードの基板載置状態での安
定性が向上する。
【0021】これらのことにより、本願発明のダイオー
ドは、高速マウンタによる基板への実装を行っても、振
動等によって傾いたり、位置ずれをおこしたりするとい
うことがなくなり、その結果、不都合なく高速度実装を
することが可能となる。
ドは、高速マウンタによる基板への実装を行っても、振
動等によって傾いたり、位置ずれをおこしたりするとい
うことがなくなり、その結果、不都合なく高速度実装を
することが可能となる。
【0022】以上に加え、リードの基板に対する接地部
分は、樹脂パッケージの下面から外方に延びているた
め、接地長さを十分にとりながらも、リードの樹脂パッ
ケージからの突出長さを短縮することができ、全体とし
て、ダイオードの平面形状を従来例よりもさらに小型化
することができ、よりいっそうの高密度実装が可能とな
るという付随的効果もある。
分は、樹脂パッケージの下面から外方に延びているた
め、接地長さを十分にとりながらも、リードの樹脂パッ
ケージからの突出長さを短縮することができ、全体とし
て、ダイオードの平面形状を従来例よりもさらに小型化
することができ、よりいっそうの高密度実装が可能とな
るという付随的効果もある。
【0023】
【実施例の説明】以下、本願発明の実施例を図面を参照
しつつ具体的に説明する。
しつつ具体的に説明する。
【0024】図1は、本願発明の面実装型ダイオード1
の第一の実施例を示している。このダイオード1の基本
的構成部材は、図4の従来例と同様である。すなわち、
樹脂パッケージ2の内部に一対のリード3,3の内方部
が入り込んでおり、一方のリード3にボンディングされ
たダイオードチップ4と他方のリード3との間がワイヤ
リング5によって結線されている。上記パッケージ2
は、熱硬化性樹脂によって成形されたものであって、図
1に示すように、平面的な底面をもつとともに所定の高
さ寸法をもち、さらに図示は省略するが、矩形状の平面
視形状をもっている。この樹脂パッケージ2の大きさ
は、縦、横、および高さが、それぞれ、0.8 〜1.2 ミリ
メートル程度の極めて小型のものである。
の第一の実施例を示している。このダイオード1の基本
的構成部材は、図4の従来例と同様である。すなわち、
樹脂パッケージ2の内部に一対のリード3,3の内方部
が入り込んでおり、一方のリード3にボンディングされ
たダイオードチップ4と他方のリード3との間がワイヤ
リング5によって結線されている。上記パッケージ2
は、熱硬化性樹脂によって成形されたものであって、図
1に示すように、平面的な底面をもつとともに所定の高
さ寸法をもち、さらに図示は省略するが、矩形状の平面
視形状をもっている。この樹脂パッケージ2の大きさ
は、縦、横、および高さが、それぞれ、0.8 〜1.2 ミリ
メートル程度の極めて小型のものである。
【0025】図1からよくわかるように、一対のリード
3,3の内方部3a,3aは、樹脂パッケージ2の下面
から内部に入り込んでいるが、この入り込み高さは、外
部との絶縁を図る上で必要十分なものでよく、きわめて
小さな寸法とすることも可能である。
3,3の内方部3a,3aは、樹脂パッケージ2の下面
から内部に入り込んでいるが、この入り込み高さは、外
部との絶縁を図る上で必要十分なものでよく、きわめて
小さな寸法とすることも可能である。
【0026】そして、各リード3,3の外方部3b,3
bは、樹脂パッケージ2の下面と面一状となるように内
方部に対して下方に偏位させられているとともに、その
まま水平に外方へ延出されて基板に対する接地面3c,
3cを形成している。
bは、樹脂パッケージ2の下面と面一状となるように内
方部に対して下方に偏位させられているとともに、その
まま水平に外方へ延出されて基板に対する接地面3c,
3cを形成している。
【0027】図1に表れているように、各リード3,3
の接地面3c,3cを有する外方部に対して、チップを
ボンディングし、かつこのチップとのワイヤリングによ
る結線を図るための内方部3a,3aは、上方に偏位さ
せられているが、かかるリードの形態は、製造用フレー
ムの状態において達成される。
の接地面3c,3cを有する外方部に対して、チップを
ボンディングし、かつこのチップとのワイヤリングによ
る結線を図るための内方部3a,3aは、上方に偏位さ
せられているが、かかるリードの形態は、製造用フレー
ムの状態において達成される。
【0028】すなわち、図2に例示するように、上記の
例のダイオード1を製造するための製造用フレームF
は、一対のサイドフレーム部6,6から対向状に内方に
向けて延びるリード部3,3を備えるが、製造用フレー
ム状態において、各リード部の内方部を上方に偏位させ
るように曲げ加工しておくのである。
例のダイオード1を製造するための製造用フレームF
は、一対のサイドフレーム部6,6から対向状に内方に
向けて延びるリード部3,3を備えるが、製造用フレー
ム状態において、各リード部の内方部を上方に偏位させ
るように曲げ加工しておくのである。
【0029】なお、各リード部は、上述のように金属薄
板を打ち抜いて形成される製造用フレームの一部である
ことから薄板短冊状をしている。
板を打ち抜いて形成される製造用フレームの一部である
ことから薄板短冊状をしている。
【0030】また、このリード3,3の厚みは、上述の
ような1ミリメートル角程度の樹脂パッケージを備える
ダイオード上に形成する場合、0.1 〜0.15ミリメートル
であり、その幅は、0.3 〜 0.5ミリメートルである。
ような1ミリメートル角程度の樹脂パッケージを備える
ダイオード上に形成する場合、0.1 〜0.15ミリメートル
であり、その幅は、0.3 〜 0.5ミリメートルである。
【0031】そうして、一方のリード3の内端部にダイ
オードチップをボンディングするとともに、こうしてボ
ンディングされたダイオードチップと他方のリード部と
の間をワイヤリングし、そうしてこれらボンディングチ
ップおよびワイヤリング部を樹脂パッケージ2で包み込
む樹脂パッケージング工程処理が施される。
オードチップをボンディングするとともに、こうしてボ
ンディングされたダイオードチップと他方のリード部と
の間をワイヤリングし、そうしてこれらボンディングチ
ップおよびワイヤリング部を樹脂パッケージ2で包み込
む樹脂パッケージング工程処理が施される。
【0032】かかる樹脂パッケージング工程処理におい
て、リード3,3の外方部(すなわち、基板に対する接
地面を備える部分)の樹脂パッケージ2の底面との関係
は金型によって規定されるため、上記リード3,3の接
地面3c,3cを有する外方部は、樹脂パッケージ2の
下面に対して正確に面一状とされる。
て、リード3,3の外方部(すなわち、基板に対する接
地面を備える部分)の樹脂パッケージ2の底面との関係
は金型によって規定されるため、上記リード3,3の接
地面3c,3cを有する外方部は、樹脂パッケージ2の
下面に対して正確に面一状とされる。
【0033】上述したように、本実施例のダイオード1
は、ダイオードチップをボンディングするとともに、ワ
イヤリングが施される各リードの内方部が、樹脂パッケ
ージ2の下面に対して比較的低い位置に位置させられる
ため、ダイオード1全体としての重心位置が図4に示す
従来例よりも低くなり、基板に対する載置安定性が向上
する。
は、ダイオードチップをボンディングするとともに、ワ
イヤリングが施される各リードの内方部が、樹脂パッケ
ージ2の下面に対して比較的低い位置に位置させられる
ため、ダイオード1全体としての重心位置が図4に示す
従来例よりも低くなり、基板に対する載置安定性が向上
する。
【0034】そうして、各リード3,3の基板に対する
接地面3c,3cが正確に樹脂パッケージ2の下面と面
一状となっているため、仮にリード3,3の幅が樹脂パ
ッケージの幅より小さくとも、図4に示す従来例にみら
れたような基板に対する載置不安定状態はおこらない。
接地面3c,3cが正確に樹脂パッケージ2の下面と面
一状となっているため、仮にリード3,3の幅が樹脂パ
ッケージの幅より小さくとも、図4に示す従来例にみら
れたような基板に対する載置不安定状態はおこらない。
【0035】さらに、リード3,3の基板に対する接地
面3c,3cは、樹脂パッケージ2の下面から外方へ延
びているため、この接地面長さを一定長さとしたとして
も、ダイオード1全体としての長さを、図4に示す従来
例よりも短くすることができ、基板に対するより高密度
な実装が可能となる。
面3c,3cは、樹脂パッケージ2の下面から外方へ延
びているため、この接地面長さを一定長さとしたとして
も、ダイオード1全体としての長さを、図4に示す従来
例よりも短くすることができ、基板に対するより高密度
な実装が可能となる。
【0036】このように、本願発明の面実装型ダイオー
ドによれば、上記のように重心が低くなることと、基板
に対するリードの接地面の樹脂パッケージの下面に対す
る面一性が確保されることとの二つの理由により、基板
に対する載置安定性が従来例に比較して著しく向上させ
られるため、高速度マウンタによる実装を行っても、振
動等によってダイオードが傾いたり位置ずれを起こした
りといった不都合がおこらない。
ドによれば、上記のように重心が低くなることと、基板
に対するリードの接地面の樹脂パッケージの下面に対す
る面一性が確保されることとの二つの理由により、基板
に対する載置安定性が従来例に比較して著しく向上させ
られるため、高速度マウンタによる実装を行っても、振
動等によってダイオードが傾いたり位置ずれを起こした
りといった不都合がおこらない。
【0037】図3は、本願発明の面実装型ダイオード1
の第二の実施例を示している。第一の実施例に比較し、
この第二の実施例は、各リード3,3の内方部におけ
る、ダイオードチップ4に対する接続構成が異なってい
る。
の第二の実施例を示している。第一の実施例に比較し、
この第二の実施例は、各リード3,3の内方部におけ
る、ダイオードチップ4に対する接続構成が異なってい
る。
【0038】すなわち、この第二の実施例においては、
各リード3,3の内方部3a,3aを上下に重なるよう
に配置し、その間にダイオードチップ4を挟持するよう
にしている。
各リード3,3の内方部3a,3aを上下に重なるよう
に配置し、その間にダイオードチップ4を挟持するよう
にしている。
【0039】しかしながら、このリード内方部に対する
外方部の構成は、第一の実施例と全く同様であり、した
がって、この第二の実施例においても、第一の実施例と
同様に作用効果を期待することができる。
外方部の構成は、第一の実施例と全く同様であり、した
がって、この第二の実施例においても、第一の実施例と
同様に作用効果を期待することができる。
【0040】もちろん、本願発明の範囲は、上述の実施
例に限定されることはない。実施例では、樹脂パッケー
ジ2の大きさが、1ミリメートル角程度の小型のものと
して例示しているが、本願発明の思想は、樹脂パッケー
ジの大きさには限定されない。
例に限定されることはない。実施例では、樹脂パッケー
ジ2の大きさが、1ミリメートル角程度の小型のものと
して例示しているが、本願発明の思想は、樹脂パッケー
ジの大きさには限定されない。
【図1】本願発明の第一の実施例の拡大断面図である。
【図2】製造用フレームの一例を示す斜視図である。
【図3】本願発明の第二の実施例の拡大断面図である。
【図4】従来例の拡大断面図である。
1 ダイオード 2 樹脂パッケージ 3 リード 4 ダイオードチップ
Claims (2)
- 【請求項1】 ダイオードチップと、このダイオードチ
ップの両極に導通する薄板短冊状の第一および第二リー
ドとを備え、上記各リードの内方部および上記ダイオー
ドチップを平面状底面をもつとともに高さ方向に所定の
寸法をもち、かつ平面視矩形状をした樹脂パッケージで
包み込んでなる面実装型ダイオードであって、 上記第一および第二リードは、それぞれ、内方端が上記
樹脂パッケージの底面より内部に入り込んで位置してい
るとともに、上記樹脂パッケージの下面両端部において
下面が樹脂パッケージの下面と面一状に露出させられた
上、そのまま水平方向外方に延出させられていることを
特徴とする、面実装型ダイオード。 - 【請求項2】 上記樹脂パッケージは、縦、横、および
高さ寸法がそれぞれ0.8 〜1.2 ミリメートルの範囲の小
型のものである、請求項1の面実装型ダイオード。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4272079A JP2747634B2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 面実装型ダイオード |
| US08/296,585 US5508557A (en) | 1992-10-09 | 1994-08-29 | Surface mounting type diode |
| US08/577,511 US5625223A (en) | 1992-10-09 | 1995-12-22 | Surface mounting type diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4272079A JP2747634B2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 面実装型ダイオード |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9062887A Division JP2805471B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 面実装型ダイオードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06125021A true JPH06125021A (ja) | 1994-05-06 |
| JP2747634B2 JP2747634B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17508803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4272079A Expired - Lifetime JP2747634B2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 面実装型ダイオード |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5508557A (ja) |
| JP (1) | JP2747634B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07302870A (ja) * | 1994-05-09 | 1995-11-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| WO1999063594A1 (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-09 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6608372B2 (en) | 2001-02-27 | 2003-08-19 | Nec Electronics Corporation | Surface mountable chip type semiconductor device and manufacturing method |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2747634B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1998-05-06 | ローム株式会社 | 面実装型ダイオード |
| JP2828016B2 (ja) * | 1996-03-08 | 1998-11-25 | 日本電気株式会社 | 絶縁型半導体装置の製造方法 |
| US6249041B1 (en) * | 1998-06-02 | 2001-06-19 | Siliconix Incorporated | IC chip package with directly connected leads |
| EP0966038A3 (en) * | 1998-06-15 | 2001-02-28 | Ford Motor Company | Bonding of semiconductor power devices |
| JP3334864B2 (ja) | 1998-11-19 | 2002-10-15 | 松下電器産業株式会社 | 電子装置 |
| JP2001237358A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-31 | Rohm Co Ltd | パッケージ型二端子半導体装置の構造 |
| US7057273B2 (en) * | 2001-05-15 | 2006-06-06 | Gem Services, Inc. | Surface mount package |
| DE10258035A1 (de) * | 2002-12-12 | 2004-06-24 | Robert Bosch Gmbh | Einphasiges Stromrichtermodul |
| WO2004093135A2 (en) * | 2003-04-07 | 2004-10-28 | Protek Devices, Lp | Low profile small outline leadless semiconductor device package |
| WO2005067040A1 (en) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electrical component with bond wire |
| JP4922663B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2012-04-25 | スタンレー電気株式会社 | 半導体光学装置 |
| US20070290325A1 (en) * | 2006-06-16 | 2007-12-20 | Lite-On Semiconductor Corporation | Surface mounting structure and packaging method thereof |
| PT2067066E (pt) | 2006-09-29 | 2015-02-03 | Reald Inc | Sistemas de conversão de polarização para projeção estereoscópica |
| JP5621217B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2014-11-12 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | 電子モジュールの製造方法及び電子モジュール並びに車両 |
| TWM422161U (en) * | 2011-08-18 | 2012-02-01 | Ks Terminals Inc | Improved diode structure |
| JP6239840B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-11-29 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| EP3174088B1 (en) * | 2015-11-26 | 2020-12-30 | Siyang Grande Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a plastic packaged smd diode |
| JP2017135230A (ja) * | 2016-01-27 | 2017-08-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN108109983B (zh) * | 2017-12-14 | 2024-05-10 | 常州星海电子股份有限公司 | 一种汽车专用整流二极管结构 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217664A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Hitachi Ltd | レジンモールド型高周波用半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614261A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-10 | Nec Corp | 集積回路装置 |
| US4777520A (en) * | 1986-03-27 | 1988-10-11 | Oki Electric Industry Co. Ltd. | Heat-resistant plastic semiconductor device |
| JPS62298146A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-25 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 電子装置 |
| US5184211A (en) * | 1988-03-01 | 1993-02-02 | Digital Equipment Corporation | Apparatus for packaging and cooling integrated circuit chips |
| WO1989008325A1 (fr) * | 1988-03-05 | 1989-09-08 | Deutsche Itt Industries Gmbh | Composant semi-conducteur a deux connexions, et procede et dispositif pour sa fabrication |
| JPH02240952A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | Icパッケージ |
| JP2788011B2 (ja) * | 1989-08-03 | 1998-08-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路装置 |
| US5227662A (en) * | 1990-05-24 | 1993-07-13 | Nippon Steel Corporation | Composite lead frame and semiconductor device using the same |
| JPH0498861A (ja) * | 1990-08-16 | 1992-03-31 | Nec Kyushu Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH04215465A (ja) * | 1990-12-14 | 1992-08-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JP2747634B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1998-05-06 | ローム株式会社 | 面実装型ダイオード |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP4272079A patent/JP2747634B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-08-29 US US08/296,585 patent/US5508557A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-12-22 US US08/577,511 patent/US5625223A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217664A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Hitachi Ltd | レジンモールド型高周波用半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07302870A (ja) * | 1994-05-09 | 1995-11-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| WO1999063594A1 (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-09 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| EP1081761A4 (en) * | 1998-05-29 | 2006-08-09 | Rohm Co Ltd | SEMICONDUCTOR DEVICE |
| US6608372B2 (en) | 2001-02-27 | 2003-08-19 | Nec Electronics Corporation | Surface mountable chip type semiconductor device and manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2747634B2 (ja) | 1998-05-06 |
| US5508557A (en) | 1996-04-16 |
| US5625223A (en) | 1997-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06125021A (ja) | 面実装型ダイオード | |
| US7005325B2 (en) | Semiconductor package with passive device integration | |
| US9472492B2 (en) | Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely | |
| KR0127873B1 (ko) | 연부-장착된 반도체 집적 회로 디바이스용 표면-장착 팩키지 | |
| EP0090608B1 (en) | Semiconductor device with moulded package | |
| JP4002476B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US5631809A (en) | Semiconductor device for ultrahigh frequency band and semiconductor apparatus including the semiconductor device | |
| US5895234A (en) | Semiconductor device and method for producing the same | |
| US5728601A (en) | Process for manufacturing a single in-line package for surface mounting | |
| JP2805471B2 (ja) | 面実装型ダイオードの製造方法 | |
| JP2001035961A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US5383094A (en) | Connection lead stucture for surface mountable printed circuit board components | |
| JP2524482B2 (ja) | Qfp構造半導体装置 | |
| JPH06252326A (ja) | 多端子部品、配線基板、多端子部品の実装構造 | |
| JP2901955B1 (ja) | 回路基板、基板実装方法及び回路アセンブリ | |
| JP2925376B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPS635248Y2 (ja) | ||
| JP2001160659A (ja) | 電子回路を備えた実装部品 | |
| JP2979637B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08274254A (ja) | 回路モジュールパッケージ | |
| JP2550879B2 (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JPH10150141A (ja) | 半導体装置及びこの半導体装置の実装方法 | |
| JPH05326803A (ja) | 面実装型半導体装置 | |
| JPH0555561U (ja) | 表面実装部品搭載構造 | |
| JPH0945841A (ja) | リードフレーム,集積回路および電気装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 15 |