JPH0612816B2 - ホツトエレクトロントランジスタ - Google Patents
ホツトエレクトロントランジスタInfo
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- JPH0612816B2 JPH0612816B2 JP62005068A JP506887A JPH0612816B2 JP H0612816 B2 JPH0612816 B2 JP H0612816B2 JP 62005068 A JP62005068 A JP 62005068A JP 506887 A JP506887 A JP 506887A JP H0612816 B2 JPH0612816 B2 JP H0612816B2
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/36—Unipolar devices
- H10D48/362—Unipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions, e.g. hot electron transistors [HET], metal base transistors [MBT], resonant tunnelling transistors [RTT], bulk barrier transistors [BBT], planar doped barrier transistors [PDBT] or charge injection transistors [CHINT]
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高速動作が可能でかつ電流利得の大きな新型
ホットエレクトロントランジスタに関するものである。
ホットエレクトロントランジスタに関するものである。
超高速動作の可能な新しいトランジスタとしてホットエ
レクトロントランジスタ（以下ＨＥＴと略称する）が提
案されている。第２図にＨＥＴの原理を示すエネルギー
バンド構造の概念図を示す。電子２６は、エミッタ２１
側より第１のバリア層(エミッタバリア層)２２(ＡｌＧ
ａＡｓ)トンネル効果により通り抜けてベース層２３
（ＧａＡｓ）に入る。この電子は、ベース層の伝導体の
底よりも高いエネルギー状態にあるので、ホットエレク
トロンと呼ばれる。この高いエネルギーのままでベース
層を走行する電子は、第２のバリア層（コレクタバリア
層）２４を乗りこえて、コレクタ２５に流入することが
できる。この電子流を、各電極間にかけた電圧によって
制御するのがＨＥＴである。
レクトロントランジスタ（以下ＨＥＴと略称する）が提
案されている。第２図にＨＥＴの原理を示すエネルギー
バンド構造の概念図を示す。電子２６は、エミッタ２１
側より第１のバリア層(エミッタバリア層)２２(ＡｌＧ
ａＡｓ)トンネル効果により通り抜けてベース層２３
（ＧａＡｓ）に入る。この電子は、ベース層の伝導体の
底よりも高いエネルギー状態にあるので、ホットエレク
トロンと呼ばれる。この高いエネルギーのままでベース
層を走行する電子は、第２のバリア層（コレクタバリア
層）２４を乗りこえて、コレクタ２５に流入することが
できる。この電子流を、各電極間にかけた電圧によって
制御するのがＨＥＴである。
上記ＨＥＴは、ベース領域での電子がエネルギーをでき
るだけ失なわず、ホットな状態でコレクタ側へ到達でき
るようにすることが重要である。そのためにベース層の
厚みを薄くすることが試みられているが、これには技術
的な困難さを伴うばかりでなく、原理的にも限界があ
る。
るだけ失なわず、ホットな状態でコレクタ側へ到達でき
るようにすることが重要である。そのためにベース層の
厚みを薄くすることが試みられているが、これには技術
的な困難さを伴うばかりでなく、原理的にも限界があ
る。
本発明は、このＨＥＴの欠点を解決するためにベース層
を特別な構造にし、電子がエネルギーを失う確率を下
げ、ベース層での電子の透過率を大幅に増大させようと
するものである。
を特別な構造にし、電子がエネルギーを失う確率を下
げ、ベース層での電子の透過率を大幅に増大させようと
するものである。
上記目的は、ベース領域に量子井戸を設けることにより
達成される。
達成される。
上記目的はさらに、上記量子井戸中の量子準位の１つ
と、上記バリア層の伝導帯の底の準位とをｋＴ／２以内
の差で一致させることにより達成される。
と、上記バリア層の伝導帯の底の準位とをｋＴ／２以内
の差で一致させることにより達成される。
半導体のダブルヘテロ構造において、間にはさまれたエ
ネルギーギャップの狭い半導体の層厚を薄くするとサイ
ズ量子効果が生ずることはよく知られており、このよう
な構造は量子井戸と呼ばれている。すなわちこの量子井
戸内では、電子のエネルギーはもはや連続ではなくな
り、離散的なエネルギーをとるようになる。すなわち、
バンドの底から測った量子準位ΔＥｎは、井戸幅をＬｗ
とすると、 と近似できる。ここでｎは整数であり、井戸の深さは十
分深いと近似している。現実のヘテロ構造では井戸の深
さは有限ΔＥｃであるので、厳密にはこれを考慮しなけ
ればならず、上式は補正されなけばならい。
ネルギーギャップの狭い半導体の層厚を薄くするとサイ
ズ量子効果が生ずることはよく知られており、このよう
な構造は量子井戸と呼ばれている。すなわちこの量子井
戸内では、電子のエネルギーはもはや連続ではなくな
り、離散的なエネルギーをとるようになる。すなわち、
バンドの底から測った量子準位ΔＥｎは、井戸幅をＬｗ
とすると、 と近似できる。ここでｎは整数であり、井戸の深さは十
分深いと近似している。現実のヘテロ構造では井戸の深
さは有限ΔＥｃであるので、厳密にはこれを考慮しなけ
ればならず、上式は補正されなけばならい。
ところで、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系における量子井戸
からの発光効率を調べてみると、発光効率は、井戸幅を
変えることにより、第３図に示すように周期的に変化す
ることが見出されている（三島他、英国物理学会プロシ
ーディングシリーズ ７９ 第８章（T. Mishima et a
l.,Inst.Phys.Conf.Ser.No.７９：Chap.８（１９８６）
ｐ４４５））。
からの発光効率を調べてみると、発光効率は、井戸幅を
変えることにより、第３図に示すように周期的に変化す
ることが見出されている（三島他、英国物理学会プロシ
ーディングシリーズ ７９ 第８章（T. Mishima et a
l.,Inst.Phys.Conf.Ser.No.７９：Chap.８（１９８６）
ｐ４４５））。
これは、バリア層（ＡｌＧａＡｓ）に形成されたキャリ
アが量子井戸中にとり込まれるのに、井戸幅依存性があ
ることを示している。そして、このキャリアのとり込み
は、量子準位ΔＥｎがバリア層の伝導帯の底にほぼ一致
（±ｋＴ／２程度）した場合に極少値をとることがわか
った。この一致した状態を共鳴状態と呼びΔＥ０で表わ
す。
アが量子井戸中にとり込まれるのに、井戸幅依存性があ
ることを示している。そして、このキャリアのとり込み
は、量子準位ΔＥｎがバリア層の伝導帯の底にほぼ一致
（±ｋＴ／２程度）した場合に極少値をとることがわか
った。この一致した状態を共鳴状態と呼びΔＥ０で表わ
す。
本発明は、このキャリアの取り込み効率が量子井戸幅に
大きく依存することをＨＥＴに応用し、ＨＥＴの電流利
得を改善しようとするものである。すなわち、第２図に
おけるベース層２３の幅すなわち井戸幅を上記共鳴状態
ΔＥ０（±ｋＴ／２）にすると、ベース層へ注入された
電子は伝導帯の底へ落込みにくく、従って電子の透過効
率を上げることができる。また、第４図に示すようにベ
ース層４１を単一層ではなく、複数個の量子井戸４２を
有する構造とし、すべてを共鳴状態にしておくと、ベー
ス層の厚さを厚くしたままで電子の透過効率を高くする
ことが可能となる。ＨＥＴの欠点の一つは、先に述べた
ように、電子の透過効率を上げるためにはベース層を薄
くしなければならないことであり、ベース層を薄くした
場合にはベース電極を形成することが大変困難となる。
本発明のようなベース層を用いれば、ベース層厚も十分
厚いので電極形成が容易になる。
大きく依存することをＨＥＴに応用し、ＨＥＴの電流利
得を改善しようとするものである。すなわち、第２図に
おけるベース層２３の幅すなわち井戸幅を上記共鳴状態
ΔＥ０（±ｋＴ／２）にすると、ベース層へ注入された
電子は伝導帯の底へ落込みにくく、従って電子の透過効
率を上げることができる。また、第４図に示すようにベ
ース層４１を単一層ではなく、複数個の量子井戸４２を
有する構造とし、すべてを共鳴状態にしておくと、ベー
ス層の厚さを厚くしたままで電子の透過効率を高くする
ことが可能となる。ＨＥＴの欠点の一つは、先に述べた
ように、電子の透過効率を上げるためにはベース層を薄
くしなければならないことであり、ベース層を薄くした
場合にはベース電極を形成することが大変困難となる。
本発明のようなベース層を用いれば、ベース層厚も十分
厚いので電極形成が容易になる。
なお、量子井戸を複数個用いる場合には、井戸間の相互
作用が十分無視できる程度に離しておく必要がある。こ
れは、もし相互作用があると量子準位が大幅に変化し、
単一の井戸の場合に考察したキャリアのとり込み条件が
変るためである。相互作用が無視できる距離とは、具体
的には電子のド・ブロイ波長以上の距離である。
作用が十分無視できる程度に離しておく必要がある。こ
れは、もし相互作用があると量子準位が大幅に変化し、
単一の井戸の場合に考察したキャリアのとり込み条件が
変るためである。相互作用が無視できる距離とは、具体
的には電子のド・ブロイ波長以上の距離である。
次に、この量子井戸の井戸幅をどのように選定するかに
ついて述べる。
ついて述べる。
ＨＥＴのトランジスタ動作時には、エミッタ・ベース間
あるいはベース・エミッタ間に電圧をかける。この電圧
印加によって、量子井戸のポテンシャルが変化するため
に、共鳴条件もわずかながら変化する。また、ベース層
を形成する場合には、その厚さに多少のバラツキが生じ
ることは避けられない。従って、温度による準位変動±
ＫＴ／２を考慮して量子準位ΔＥｎがΔＥ０±ＫＴ／２
内に十分入って入ることが必要である。
あるいはベース・エミッタ間に電圧をかける。この電圧
印加によって、量子井戸のポテンシャルが変化するため
に、共鳴条件もわずかながら変化する。また、ベース層
を形成する場合には、その厚さに多少のバラツキが生じ
ることは避けられない。従って、温度による準位変動±
ＫＴ／２を考慮して量子準位ΔＥｎがΔＥ０±ＫＴ／２
内に十分入って入ることが必要である。
なお、本発明においては、量子井戸の幅を共鳴条件にす
ることが重要であるが、この共鳴条件が外部電界によっ
ても変化することに注意を要する。先に式で示した量子
準位は外部電界のない場合であり、従って外部電界をか
けた場合にはその共鳴条件も変化する。そこで、量子井
戸の幅を外部電界のない時の共鳴条件にしておいてトラ
ンジスタを構成し、ある特定の電圧を印加することによ
り共鳴条件を破るようにすれば、電流変調を大きくする
ことができる。また逆に、電界のない時には非共鳴状態
とし、外部電界をかけると共鳴条件になるようにするこ
ともまた可能である。
ることが重要であるが、この共鳴条件が外部電界によっ
ても変化することに注意を要する。先に式で示した量子
準位は外部電界のない場合であり、従って外部電界をか
けた場合にはその共鳴条件も変化する。そこで、量子井
戸の幅を外部電界のない時の共鳴条件にしておいてトラ
ンジスタを構成し、ある特定の電圧を印加することによ
り共鳴条件を破るようにすれば、電流変調を大きくする
ことができる。また逆に、電界のない時には非共鳴状態
とし、外部電界をかけると共鳴条件になるようにするこ
ともまた可能である。
〔実施例１〕 以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。ｎ型
ＧａＡｓ基板を十分清浄した後、分子線エピタキシー
（ＭＢＥ）装置に導入する。十分真空がよくなった後、
通常のＭＢＥ方と同様に、Ａｓビームを照射しながら基
板を加熱クリーニングする。その後、基板温度を約５８
０℃に設定し、ＧａおよびＳｉビームのシャッターを開
けて、ｎ−ＧａＡｓ層の成長を開始する。この時の不純
物濃度はほぼ１×１０18cm-3である。これによりｎ−Ｇ
ａＡｓ基板１１が形成される。次にＳｉシャッターを閉
じ、Ａｌシャッターをあけて、コレクタバリア層として
ノンドープのＡｌＧａＡｓ層（組成比０．３）１２を３
０００Å成長した。次にベース領域１３を以下のように
形成した。Ａｌシャッターを閉じ、Ｓｉシャッターを開
け、ｎ−ＧａＡｓ量子井戸層を、組成比０．３のＡｌＧ
ａＡｓに対して共鳴状態となる厚さである９５Å厚に成
長した。この際、膜厚精度が±３Å以下になるよう十分
注意した。
ＧａＡｓ基板を十分清浄した後、分子線エピタキシー
（ＭＢＥ）装置に導入する。十分真空がよくなった後、
通常のＭＢＥ方と同様に、Ａｓビームを照射しながら基
板を加熱クリーニングする。その後、基板温度を約５８
０℃に設定し、ＧａおよびＳｉビームのシャッターを開
けて、ｎ−ＧａＡｓ層の成長を開始する。この時の不純
物濃度はほぼ１×１０18cm-3である。これによりｎ−Ｇ
ａＡｓ基板１１が形成される。次にＳｉシャッターを閉
じ、Ａｌシャッターをあけて、コレクタバリア層として
ノンドープのＡｌＧａＡｓ層（組成比０．３）１２を３
０００Å成長した。次にベース領域１３を以下のように
形成した。Ａｌシャッターを閉じ、Ｓｉシャッターを開
け、ｎ−ＧａＡｓ量子井戸層を、組成比０．３のＡｌＧ
ａＡｓに対して共鳴状態となる厚さである９５Å厚に成
長した。この際、膜厚精度が±３Å以下になるよう十分
注意した。
次にエミッタ・バリア層としてノンドープのＡｌＧａＡ
ｓ層１４を２００Å形成し、最後にエミッタ１５として
５×１０17cm-3ＳｉをドープしたＧａＡｓ層を３０００
Å、さらに濃度２×１０18cm-3に上げて１０００Å成長
した。
ｓ層１４を２００Å形成し、最後にエミッタ１５として
５×１０17cm-3ＳｉをドープしたＧａＡｓ層を３０００
Å、さらに濃度２×１０18cm-3に上げて１０００Å成長
した。
次に基板をＭＢＥ装置よりとり出し、第５図に示すよう
に裏面にＡｕ／ＡｕＧｅ／Ｎｉのオーミック電極を形成
し、ＣＣｌ２Ｆ２によるリアクティブイオンエッチング
によりエミッタとなるべき領域のみを残してＧａＡｓを
エッチした。さらにＡｌＧａＡｓ層をウェットエッチし
てベース部１３を露出させ、ベース部１３およびエミッ
タ部１５にＡｕ／ＡｕＧｅ／Ｎｉにより電極５６，５７
を形成させて素子を作製した。
に裏面にＡｕ／ＡｕＧｅ／Ｎｉのオーミック電極を形成
し、ＣＣｌ２Ｆ２によるリアクティブイオンエッチング
によりエミッタとなるべき領域のみを残してＧａＡｓを
エッチした。さらにＡｌＧａＡｓ層をウェットエッチし
てベース部１３を露出させ、ベース部１３およびエミッ
タ部１５にＡｕ／ＡｕＧｅ／Ｎｉにより電極５６，５７
を形成させて素子を作製した。
このようにして作製したＨＥＴは、ベース層がほぼ同じ
厚さであるが共鳴条件からはずれた従来型のものに較べ
て、電子の透過率は３０％以上改善された。
厚さであるが共鳴条件からはずれた従来型のものに較べ
て、電子の透過率は３０％以上改善された。
〔実施例２〕 本実施例ではベース領域に複数個の量子井戸を形成し、
エース幅を厚くした場合について述べる。
エース幅を厚くした場合について述べる。
コレクタバリア層までは実施例１と同様に形成した後、
ベース層を以下のように形成した。
ベース層を以下のように形成した。
第６図に示すように膜厚４８Åの量子井戸となるＧａＡ
ｓ層６３を形成し、次にベーうバリアとなるＡｌＧａＡ
ｓ層６４を２００Å厚形成しさらにＧａＡｓ層４８Å形
成する。ＧａＡｓ層の厚さはほぼ共鳴条件を満す厚さで
あり、ＡｌＧａＡｓ層は、量子井戸間の相互作用がほと
んど無視できる程度になっている。また、ベース層とな
るように、Ｓｉを不純物として１×１０18cm-3程度ベー
ス層全域にドープしてある。このＧａＡｓ層とＡｌＧａ
Ａｓ層の形成をくり返してＧａＡｓの量子井戸を５層形
成した。４層のバリア層と合せたベース層全体の厚さは
１０４０Åとなる。
ｓ層６３を形成し、次にベーうバリアとなるＡｌＧａＡ
ｓ層６４を２００Å厚形成しさらにＧａＡｓ層４８Å形
成する。ＧａＡｓ層の厚さはほぼ共鳴条件を満す厚さで
あり、ＡｌＧａＡｓ層は、量子井戸間の相互作用がほと
んど無視できる程度になっている。また、ベース層とな
るように、Ｓｉを不純物として１×１０18cm-3程度ベー
ス層全域にドープしてある。このＧａＡｓ層とＡｌＧａ
Ａｓ層の形成をくり返してＧａＡｓの量子井戸を５層形
成した。４層のバリア層と合せたベース層全体の厚さは
１０４０Åとなる。
ベース層形成後は、実施例１の場合と同様の方法でエミ
ッタバリア層６５及びエミッタ６６を作り、さらに加工
を施して、ＨＥＴとした。
ッタバリア層６５及びエミッタ６６を作り、さらに加工
を施して、ＨＥＴとした。
このようにして作製したＨＥＴでは、実施例１のものよ
りもさらにベース幅が広くとれるため、電極形成がさら
に容易で、かつベース抵抗が実施例１の場合よりも１桁
近く下るという効果がある。
りもさらにベース幅が広くとれるため、電極形成がさら
に容易で、かつベース抵抗が実施例１の場合よりも１桁
近く下るという効果がある。
〔実施例３〕 実施例１においては、ベース層の厚さを、ベース層の量
子井戸が共鳴状態となる条件にして、その共鳴条件下で
ＨＥＴを動作させた。本実施例においては、このベース
層の厚さを９８〜１００Åに設定し、共鳴状態と、その
状態からはずれた状態の境界近くにした。この結果、第
７図（ａ）に示すようにベース・エミッタ電圧ＶBEがあ
る値を超えると、ベース層中のホット・エレクトロンの
透過率Ｔが下がる領域ができた。コレクタ電流は、エミ
ッタからのトンネル電流の注入量と、ベース層中の透過
率の積に依存する。そのため第７図（ｂ）に示すよう
に、ベース・エミッタ電圧ＶBEを上げて行くと、ある電
圧まではコレクタ電流が増加し通常のＨＥＴと同様の動
作モードとなり、その電圧をこえると、逆にコレクタ電
流が減少し、先とは逆の動作モードとなるＨＥＴを得
た。すなわち、このようにして得られたＨＥＴは、ベー
ス層中のホット・エレクトロンの透過率を、通常のＨＥ
Ｔのそれに比べて、０〜３０％の範囲で変調して動作す
ることができ、高速応答性、電流利得共に良好なＨＥＴ
が得られる。
子井戸が共鳴状態となる条件にして、その共鳴条件下で
ＨＥＴを動作させた。本実施例においては、このベース
層の厚さを９８〜１００Åに設定し、共鳴状態と、その
状態からはずれた状態の境界近くにした。この結果、第
７図（ａ）に示すようにベース・エミッタ電圧ＶBEがあ
る値を超えると、ベース層中のホット・エレクトロンの
透過率Ｔが下がる領域ができた。コレクタ電流は、エミ
ッタからのトンネル電流の注入量と、ベース層中の透過
率の積に依存する。そのため第７図（ｂ）に示すよう
に、ベース・エミッタ電圧ＶBEを上げて行くと、ある電
圧まではコレクタ電流が増加し通常のＨＥＴと同様の動
作モードとなり、その電圧をこえると、逆にコレクタ電
流が減少し、先とは逆の動作モードとなるＨＥＴを得
た。すなわち、このようにして得られたＨＥＴは、ベー
ス層中のホット・エレクトロンの透過率を、通常のＨＥ
Ｔのそれに比べて、０〜３０％の範囲で変調して動作す
ることができ、高速応答性、電流利得共に良好なＨＥＴ
が得られる。
本発明によれば、ＨＥＴにおける電子の透過率は３０％
以上の改善がみられ、電流利得もこれに対応して改善さ
れるという効果を奏する。また、ベース層を極端に薄く
する必要がなくなるために、電極形成が容易になるとい
う効果も奏する。
以上の改善がみられ、電流利得もこれに対応して改善さ
れるという効果を奏する。また、ベース層を極端に薄く
する必要がなくなるために、電極形成が容易になるとい
う効果も奏する。
第１図は本発明の一実施例におけるＨＥＴの構造を示す
図、第２図はＨＥＴの原理を示すエネルギーバンド構造
の概念図、第３図は量子井戸幅を変えた場合の発光効率
の変化を示す図である。第４図は本発明の他の実施例に
おける複数の井戸を有するＨＥＴの原理を示すエネルギ
ーバンド構造の概念図、第５図は本発明の一実施例にお
けるＨＥＴの完成図である。第６図は本発明の他の実施
例におけるＨＥＴの構造を示す図、第７図はＶBEを変化
させた場合の透過率及びコレクタ電流の変化を示す図で
ある。 １１……ｎ−ＧａＡｓ基板（コレクタ）、１２……コレ
クタバリア層、１３……ベース層、１４……エミッタバ
リア層、１５……エミッタ、２１……エミッタ、２２…
…エミッタバリア層、２３……ベース層、２４……コレ
クタバリア層、２５……コレクタ、４１……ベース層、
４２……電子井戸、５６……ベース電極、５７……エミ
ッタ電極、６１……ｎ−ＧａＡｓ基板（コレクタ）、６
２……コレクタバリア層、６３……量子井戸、６４……
ベース層バリア、６５……エミッタバリア層、６６……
エミッタ。
図、第２図はＨＥＴの原理を示すエネルギーバンド構造
の概念図、第３図は量子井戸幅を変えた場合の発光効率
の変化を示す図である。第４図は本発明の他の実施例に
おける複数の井戸を有するＨＥＴの原理を示すエネルギ
ーバンド構造の概念図、第５図は本発明の一実施例にお
けるＨＥＴの完成図である。第６図は本発明の他の実施
例におけるＨＥＴの構造を示す図、第７図はＶBEを変化
させた場合の透過率及びコレクタ電流の変化を示す図で
ある。 １１……ｎ−ＧａＡｓ基板（コレクタ）、１２……コレ
クタバリア層、１３……ベース層、１４……エミッタバ
リア層、１５……エミッタ、２１……エミッタ、２２…
…エミッタバリア層、２３……ベース層、２４……コレ
クタバリア層、２５……コレクタ、４１……ベース層、
４２……電子井戸、５６……ベース電極、５７……エミ
ッタ電極、６１……ｎ−ＧａＡｓ基板（コレクタ）、６
２……コレクタバリア層、６３……量子井戸、６４……
ベース層バリア、６５……エミッタバリア層、６６……
エミッタ。
Claims (2)
- 【請求項１】２種類以上の半導体結晶からなり、 エミッタ領域とベース領域と、該エミッタ領域と該ベー
ス領域の間に設けられたバリア層を有し、 上記エミッタ領域から注入された電子が、上記バリア層
をトンネル効果により通過し、上記ベース領域をホット
エレクトロン状態で通過することにより動作する如くに
形成されてなるホットエレクトロントランジスタにおい
て、 上記ベース領域には少なくとも１つの量子井戸を有し、 上記量子井戸における伝導帯の底のエネルギー準位が上
記バリア層における伝導帯の底のエネルギー準位より低
く形成されてなり、 上記量子井戸中に形成される量子準位の１つが上記バリ
ア層における伝導帯の底のエネルギー準位とほぼ一致す
るように、上記量子井戸の幅が定められてなることを特
徴とするホットエレクトロントランジスタ。 - 【請求項２】上記ベース領域には上記量子井戸が複数個
設けられてなり、各々の上記量子井戸間における電子の
相互作用が十分無視できる程度に、各々の上記量子井戸
が互いに離れて形成されてなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のホットエレクトロントランジス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62005068A JPH0612816B2 (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | ホツトエレクトロントランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62005068A JPH0612816B2 (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | ホツトエレクトロントランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63174363A JPS63174363A (ja) | 1988-07-18 |
| JPH0612816B2 true JPH0612816B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=11601070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62005068A Expired - Lifetime JPH0612816B2 (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | ホツトエレクトロントランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612816B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208873A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置 |
| JPS6154665A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH0758774B2 (ja) * | 1984-10-26 | 1995-06-21 | 工業技術院長 | 半導体装置 |
| JPH0783100B2 (ja) * | 1985-06-14 | 1995-09-06 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 共鳴トンネルトランジスタ |
-
1987
- 1987-01-14 JP JP62005068A patent/JPH0612816B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63174363A (ja) | 1988-07-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |