JPS63174363A - ホツトエレクトロントランジスタ - Google Patents
ホツトエレクトロントランジスタInfo
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- JPS63174363A JPS63174363A JP62005068A JP506887A JPS63174363A JP S63174363 A JPS63174363 A JP S63174363A JP 62005068 A JP62005068 A JP 62005068A JP 506887 A JP506887 A JP 506887A JP S63174363 A JPS63174363 A JP S63174363A
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- JP
- Japan
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- layer
- base layer
- het
- quantum
- emitter
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/36—Unipolar devices
- H10D48/362—Unipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions, e.g. hot electron transistors [HET], metal base transistors [MBT], resonant tunnelling transistors [RTT], bulk barrier transistors [BBT], planar doped barrier transistors [PDBT] or charge injection transistors [CHINT]
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高速動作が可能でかつ電流利得の大きな新型
ホットエレクトロントランジスタに関するものである。
ホットエレクトロントランジスタに関するものである。
超高速動作の可能な新しいトランジスタとしてホットエ
レクトロントランジスタ（以下ＨＥＴと略称する）が提
案されている。第２図にＨＥＴの原理を示すエネルギー
バンド構造の概念図を示す。
レクトロントランジスタ（以下ＨＥＴと略称する）が提
案されている。第２図にＨＥＴの原理を示すエネルギー
バンド構造の概念図を示す。
電子２６は、エミッタ２１側より第１のバリア層（エミ
ッタバリア層）２２（ＡＱＧａＡｓ）をトンネル効果に
より通り抜けてベース層２３（ＧａＡｓ）に入る。この
電子は、ベース層の伝導体の底よりも高いエネルギー状
態にあるので、ホットエレクトロンと呼ばれる。この高
いエネルギーのままでベース層を走行する電子は、第２
のバリア層（コレクタバリア層）２４を乗りこえて、コ
レクタ２５に流入することができる。この電子流を、各
電極間にかけた電圧によって制御するのがＨＥＴである
。
ッタバリア層）２２（ＡＱＧａＡｓ）をトンネル効果に
より通り抜けてベース層２３（ＧａＡｓ）に入る。この
電子は、ベース層の伝導体の底よりも高いエネルギー状
態にあるので、ホットエレクトロンと呼ばれる。この高
いエネルギーのままでベース層を走行する電子は、第２
のバリア層（コレクタバリア層）２４を乗りこえて、コ
レクタ２５に流入することができる。この電子流を、各
電極間にかけた電圧によって制御するのがＨＥＴである
。
上記ＨＥＴは、ベース領域での電子がエネルギーをでき
るだけ失なわず、ホットな状態でコレクタ側へ到達でき
るようにすることが重要である。
るだけ失なわず、ホットな状態でコレクタ側へ到達でき
るようにすることが重要である。
そのためにベース層の厚みを薄くすることが試みられて
いるが、これには技術的な困難さを伴うばかりでなく、
原理的にも限界がある。
いるが、これには技術的な困難さを伴うばかりでなく、
原理的にも限界がある。
本発明は、このＨＥＴの欠点を解決するためにベース層
を特別な構造にし、電子がエネルギーを失う確率を下げ
、ベース層での電子の透過率を大幅に増大させようとす
るものである。
を特別な構造にし、電子がエネルギーを失う確率を下げ
、ベース層での電子の透過率を大幅に増大させようとす
るものである。
上記目的は、ベース領域に量子井戸を設けることにより
達成される。
達成される。
〔作用〕
半導体のダブルへテロ構造において、間にはさまれたエ
ネルギーギャップの狭い半導体の層厚を薄くするとサイ
ズ量子効果が生ずることはよく知られており、このよう
な構造は量子井戸と呼ばれている。すなわちこの量子井
戸内では、電子のエネルギーはもはや連続ではなくなり
、離散的なエネルギーをとるようになる。すなわち、バ
ンドの底から測った量子準位ΔＥｎは、井戸幅をＬｗと
すると、 ΔＥｎ ” （ｂ２／ ２ ｍ”） （ｎ ｔｃ ／
Ｌ ｗ）２と近似できる。ここでｎは整数であり、井戸
の深さは十分深いと近似している。現実のへテロ構造で
は井戸の深さは有限ΔＥｏであるので、厳密にはこれを
考慮しなければならず、上式は補正されなげはならい。
ネルギーギャップの狭い半導体の層厚を薄くするとサイ
ズ量子効果が生ずることはよく知られており、このよう
な構造は量子井戸と呼ばれている。すなわちこの量子井
戸内では、電子のエネルギーはもはや連続ではなくなり
、離散的なエネルギーをとるようになる。すなわち、バ
ンドの底から測った量子準位ΔＥｎは、井戸幅をＬｗと
すると、 ΔＥｎ ” （ｂ２／ ２ ｍ”） （ｎ ｔｃ ／
Ｌ ｗ）２と近似できる。ここでｎは整数であり、井戸
の深さは十分深いと近似している。現実のへテロ構造で
は井戸の深さは有限ΔＥｏであるので、厳密にはこれを
考慮しなければならず、上式は補正されなげはならい。
ところで、Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ａ Ｑ Ｇ ａ Ａ
ｓ系における量子井戸からの発光効率を調べてみると、
発光効率は、井戸幅を変えることにより、第３図に示す
ように周期的に変化することが見出されている（三島他
、英国物理学会プロシーディングシリーズ ７９ 第８
章（Ｔ、 Ｍｉｓｈｉｍａ ｅｔ ａｌ、、 Ｉｎ５ｔ
。
ｓ系における量子井戸からの発光効率を調べてみると、
発光効率は、井戸幅を変えることにより、第３図に示す
ように周期的に変化することが見出されている（三島他
、英国物理学会プロシーディングシリーズ ７９ 第８
章（Ｔ、 Ｍｉｓｈｉｍａ ｅｔ ａｌ、、 Ｉｎ５ｔ
。
Ｐｈｙｓ、 Ｃｏｎｆ、 Ｓｅｒ、 Ｎａ７９ ：Ｃｈ
ａｐ、８ （１９８６）ｐ４４５））。
ａｐ、８ （１９８６）ｐ４４５））。
これは、バリア層（ＡＱＧａＡｓ）に形成されたキャリ
アが量子井戸中にとり込まれるのに、井戸幅依存性があ
ることを示している。そして、このキャリアのとり込み
は、量子準位ΔＥｎがバリア層の伝導帯の底にほぼ一致
（±ｋＴ／２程度）した場合に極少値をとることがわか
った。この一致した状態を共鳴状態と呼びΔＥｏで表わ
す。
アが量子井戸中にとり込まれるのに、井戸幅依存性があ
ることを示している。そして、このキャリアのとり込み
は、量子準位ΔＥｎがバリア層の伝導帯の底にほぼ一致
（±ｋＴ／２程度）した場合に極少値をとることがわか
った。この一致した状態を共鳴状態と呼びΔＥｏで表わ
す。
本発明は、このキャリアの取り込み効率が量子井戸幅に
大きく依存することをＨＥＴに応用し、ＨＥＴの電流利
得を改善しようとするものである。
大きく依存することをＨＥＴに応用し、ＨＥＴの電流利
得を改善しようとするものである。
すなわち、第２図におけるベース層２３の幅すなわち井
戸幅を上記共鳴状態ΔＥＯ（±ｋＴ／２）にすると、ベ
ース層へ注入された電子は伝導帯の底へ落込みにくく、
従って電子の透過効率を上げることができる。また、第
４図に示すようにベース層４１を単一層ではなく、複数
個の量子井戸４２を有する構造とし、すべてを共鳴状態
にしておくと、ベース層の厚さを厚くしたままで電子の
透過効率を高くすることが可能となる。ＨＥＴの欠点の
一つは、先に述べたように、電子の透過効率を上げるた
めにはベース層を薄くしなければならないことであり、
ベース層を薄くした場合にはベース電極を形成すること
が大変困難となる。本発明のようなベース層を用いれば
、ベース層厚も十分厚いので電極形成が容易になる。
戸幅を上記共鳴状態ΔＥＯ（±ｋＴ／２）にすると、ベ
ース層へ注入された電子は伝導帯の底へ落込みにくく、
従って電子の透過効率を上げることができる。また、第
４図に示すようにベース層４１を単一層ではなく、複数
個の量子井戸４２を有する構造とし、すべてを共鳴状態
にしておくと、ベース層の厚さを厚くしたままで電子の
透過効率を高くすることが可能となる。ＨＥＴの欠点の
一つは、先に述べたように、電子の透過効率を上げるた
めにはベース層を薄くしなければならないことであり、
ベース層を薄くした場合にはベース電極を形成すること
が大変困難となる。本発明のようなベース層を用いれば
、ベース層厚も十分厚いので電極形成が容易になる。
なお、量子井戸を複数個用いる場合には、井戸間の相互
作用が十分無視できる程度に離しておく必要がある。こ
れは、もし相互作用があると量子準位が大幅に変化し、
単一の井戸の場合に考察したキャリアのとり込み条件が
変るためである。相互作用が無視できる距離とは、具体
的には電子のド・ブロイ波長以上の距離である。
作用が十分無視できる程度に離しておく必要がある。こ
れは、もし相互作用があると量子準位が大幅に変化し、
単一の井戸の場合に考察したキャリアのとり込み条件が
変るためである。相互作用が無視できる距離とは、具体
的には電子のド・ブロイ波長以上の距離である。
次に、この量子井戸の井戸幅をどのように選定するかに
ついて述べる。
ついて述べる。
ＨＥ Ｔのトランジスタ動作時には、エミッタ・ベース
間あるいはベース・エミッタ間に電圧をかける。この電
圧印加によって、量子井戸のポテンシャルが変化するた
めに、共鳴条件もわずかながら変化する。また、ベース
層を形成する場合には、その厚さに多少のバラツキが生
じることは避けられない。しかしながら、エミッタから
注入される電子にも当然エネルギー分布があるわけで、
その分布はほぼｋＴ／２程度であると見積られる。従っ
て、注入された電子の大部分がほぼ共鳴状態であるため
には、そのエネルギーがへＥＯ±ｋＴ／２内に十分入っ
ていることが必要である。
間あるいはベース・エミッタ間に電圧をかける。この電
圧印加によって、量子井戸のポテンシャルが変化するた
めに、共鳴条件もわずかながら変化する。また、ベース
層を形成する場合には、その厚さに多少のバラツキが生
じることは避けられない。しかしながら、エミッタから
注入される電子にも当然エネルギー分布があるわけで、
その分布はほぼｋＴ／２程度であると見積られる。従っ
て、注入された電子の大部分がほぼ共鳴状態であるため
には、そのエネルギーがへＥＯ±ｋＴ／２内に十分入っ
ていることが必要である。
なお、本発明においては、量子井戸の幅を共鳴条件にす
ることが重要であるが、この共鳴条件が外部電界によっ
ても変化することに注意を要する。
ることが重要であるが、この共鳴条件が外部電界によっ
ても変化することに注意を要する。
先に式で示した量子準位は外部電界のない場合であり、
従って外部電界をかけた場合にはその共鳴条件も変化す
る。そこで、量子井戸の幅を外部電界のない時の共鳴条
件にしておいてトランジスタを構成し、ある特定の電圧
を印加することにより共鳴条件を破るようにすれば、電
流変調を大きくすることができる。また逆に、電界のな
い時には非共鳴状態とし、外部電界をかけると共鳴条件
になるようにすることもまた可能である。
従って外部電界をかけた場合にはその共鳴条件も変化す
る。そこで、量子井戸の幅を外部電界のない時の共鳴条
件にしておいてトランジスタを構成し、ある特定の電圧
を印加することにより共鳴条件を破るようにすれば、電
流変調を大きくすることができる。また逆に、電界のな
い時には非共鳴状態とし、外部電界をかけると共鳴条件
になるようにすることもまた可能である。
〔実施例１〕
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。ｎ型
Ｇ ａ Ａ ｓ基板を十分清浄した後、分子線エピタキ
ー（ＭＢＥ）装置に導入する。十分真空がよくなった後
、通常のＭＢＥ法と同様に、Ａｓビームを照射しながら
基板を加熱クリーニングする。その後、基板温度を約５
８０℃に設定し、ＧａおよびＳｉビームのシャッターを
開けて、ｎＧ ａ Ａ ｓ層の成長を開始する。この時
の不純物濃度はほぼＩ Ｘ １０１８ａｍ−３である。
Ｇ ａ Ａ ｓ基板を十分清浄した後、分子線エピタキ
ー（ＭＢＥ）装置に導入する。十分真空がよくなった後
、通常のＭＢＥ法と同様に、Ａｓビームを照射しながら
基板を加熱クリーニングする。その後、基板温度を約５
８０℃に設定し、ＧａおよびＳｉビームのシャッターを
開けて、ｎＧ ａ Ａ ｓ層の成長を開始する。この時
の不純物濃度はほぼＩ Ｘ １０１８ａｍ−３である。
これによりｎ−ＧａＡｓ基板１１が形成される。次にＳ
ｉシャッターを閉じ、ＡＱラシャターをあけて、コレク
タバリア層としてノンドープのＡ Ｑ Ｇ ａ Ａ ｓ
層（組成比０．３）１２を３０００人成長した。次にベ
ース領域１３を以下のように形成した。Ａαシャッター
を閉じ、Ｓｉシャッターを開け、ｎ −ＧａＡｓ量子井
戸層を、組成比０．３のＡＱＧａＡｓに対して共鳴状態
となる厚さである９５人厚に成長した。この際、膜厚精
度が±３Å以下になるよう十分注意した。
ｉシャッターを閉じ、ＡＱラシャターをあけて、コレク
タバリア層としてノンドープのＡ Ｑ Ｇ ａ Ａ ｓ
層（組成比０．３）１２を３０００人成長した。次にベ
ース領域１３を以下のように形成した。Ａαシャッター
を閉じ、Ｓｉシャッターを開け、ｎ −ＧａＡｓ量子井
戸層を、組成比０．３のＡＱＧａＡｓに対して共鳴状態
となる厚さである９５人厚に成長した。この際、膜厚精
度が±３Å以下になるよう十分注意した。
次にエミッタ・バリア層としてノンドープのＡ Ｑ Ｇ
ａ Ａ ｓ Ｎ１４を２００人形成し、最後にエミッ
タ１５として５Ｘ１０”ａｍ−３Ｓ ｉをドープしたＧ
ａ Ａ ｓ層を３０００人、さらに濃度を２×１０１
１０ｌ８’に上げて１０００人成長した。
ａ Ａ ｓ Ｎ１４を２００人形成し、最後にエミッ
タ１５として５Ｘ１０”ａｍ−３Ｓ ｉをドープしたＧ
ａ Ａ ｓ層を３０００人、さらに濃度を２×１０１
１０ｌ８’に上げて１０００人成長した。
次に基板をＭＢＥ装置よりとり出し、第５図に示すよう
に裏面にＡ ｎ ／ Ａ ｎ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉのオ
ーミック電極を形成し、ＣＣＱ２Ｆ２によるリアクティ
ブイオンエツチングによりエミッタとなるべき領域のみ
を残してＧ ａ Ａ ｓをエッチした。さらにＡ Ｑ
Ｇ ａ Ａ ｓ ｉをウェットエッチしてベース部を露
出させ、ベース部およびエミッタ部にＡｎ／Ａ ｎ Ｇ
ｅ ／ Ｎ ｉにより電極を形成させて素子を作製し
た。
に裏面にＡ ｎ ／ Ａ ｎ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉのオ
ーミック電極を形成し、ＣＣＱ２Ｆ２によるリアクティ
ブイオンエツチングによりエミッタとなるべき領域のみ
を残してＧ ａ Ａ ｓをエッチした。さらにＡ Ｑ
Ｇ ａ Ａ ｓ ｉをウェットエッチしてベース部を露
出させ、ベース部およびエミッタ部にＡｎ／Ａ ｎ Ｇ
ｅ ／ Ｎ ｉにより電極を形成させて素子を作製し
た。
このようにして作製したＨＥＴは、ベース層がほぼ同じ
厚さであるが共鳴条件からはずれた従来型のものに較べ
て、電子の透過率は３０％以上改善された。
厚さであるが共鳴条件からはずれた従来型のものに較べ
て、電子の透過率は３０％以上改善された。
〔実施例２〕
本実施例ではベース領域に複数個の量子井戸を形成し、
ベース幅を厚くした場合について述べる。
ベース幅を厚くした場合について述べる。
コレクタバリア層までは実施例１と同様に形成した後、
ベース層を以下のように形成した。
ベース層を以下のように形成した。
第６図に示すように膜厚４８人の量子井戸となるＧ ａ
Ａ ｓ層６３を形成し、次にベース層バリアとなるＡ
Ｑ Ｇ ａ Ａ ｓ層６４を２００人厚形成しさらに
Ｇ ａ Ａ ｓ層４８人形成する。Ｇ ａ Ａ ｓ層の
厚さはほぼ共鳴条件を満す厚さであり、ＡＱＧａＡｓ層
は、量子井戸間の相互作用がほとんど無視できる程度に
なっている。また、ベース層となるように、Ｓｉを不純
物としてＩ Ｘ １０１８ｃｍ−３程度ベース層全域に
ドープしである。このＧ ａ Ａ ｓ層とＡ Ｑ Ｇ
ａ Ａ ｓ層の形成をくり返してＧ ａ Ａ ｓの量子
井戸を５層形成した。４層のバリア層と合せたベース層
全体の厚さは１０４０人となる。
Ａ ｓ層６３を形成し、次にベース層バリアとなるＡ
Ｑ Ｇ ａ Ａ ｓ層６４を２００人厚形成しさらに
Ｇ ａ Ａ ｓ層４８人形成する。Ｇ ａ Ａ ｓ層の
厚さはほぼ共鳴条件を満す厚さであり、ＡＱＧａＡｓ層
は、量子井戸間の相互作用がほとんど無視できる程度に
なっている。また、ベース層となるように、Ｓｉを不純
物としてＩ Ｘ １０１８ｃｍ−３程度ベース層全域に
ドープしである。このＧ ａ Ａ ｓ層とＡ Ｑ Ｇ
ａ Ａ ｓ層の形成をくり返してＧ ａ Ａ ｓの量子
井戸を５層形成した。４層のバリア層と合せたベース層
全体の厚さは１０４０人となる。
ベース層形成後は、実施例１の場合と同様の方法でエミ
ッタバリア層６５及びエミツタ層６６を作り、さらに加
工を施して、ＨＥＴとした。
ッタバリア層６５及びエミツタ層６６を作り、さらに加
工を施して、ＨＥＴとした。
このようにして作製したＨＥＴでは、実施例１のものよ
りもさらにベース幅が広くとれるため、電極形成がさら
に容易で、かつベース抵抗が実施例１の場合よりも１桁
近く下るという効果がある。
りもさらにベース幅が広くとれるため、電極形成がさら
に容易で、かつベース抵抗が実施例１の場合よりも１桁
近く下るという効果がある。
〔実施例３〕
実施例１においては、ベース層の厚さを、ベース層の量
子井戸が共鳴状態となる条件にして、その共鳴条件下Ｈ
ＥＴを動作させた。本実施例においては、このベース層
の厚さを９８〜１００人に設定し、共鳴状態と、その状
態からはずれた状態の境界近くにした。この結果、第７
図（ａ）に示すようにベース・エミッタ電圧ｖａｇがあ
る値を超えると、ベース層中のホット・エレクトロンの
透過率Ｔが下がる領域ができた。コレクタ電流は、エミ
ッタからのトンネル電流の注入量と、ベース層中の透過
率の積に依存する。そのため第７図（ｂ）に示すように
、ベース・エミッタ電圧ＶＢＥを上げて行くと、ある電
圧まではコレクタ電流が増加し通常のＨＥＴと同様の動
作モードとなり、その電圧をこえると、逆にコレクタ電
流が減少し、先とは逆の動作モードとなるＨＥＴを得た
。すなわち、このようにして得られたＨＥＴは、ベース
層中のホット・エレクトロンの透過率を、通常のＨＥＴ
のそれに比べて、０〜３０％の範囲で変調して動作する
ことができ、高速応答性、電流利得共に良好なＨＥＴが
得られる。
子井戸が共鳴状態となる条件にして、その共鳴条件下Ｈ
ＥＴを動作させた。本実施例においては、このベース層
の厚さを９８〜１００人に設定し、共鳴状態と、その状
態からはずれた状態の境界近くにした。この結果、第７
図（ａ）に示すようにベース・エミッタ電圧ｖａｇがあ
る値を超えると、ベース層中のホット・エレクトロンの
透過率Ｔが下がる領域ができた。コレクタ電流は、エミ
ッタからのトンネル電流の注入量と、ベース層中の透過
率の積に依存する。そのため第７図（ｂ）に示すように
、ベース・エミッタ電圧ＶＢＥを上げて行くと、ある電
圧まではコレクタ電流が増加し通常のＨＥＴと同様の動
作モードとなり、その電圧をこえると、逆にコレクタ電
流が減少し、先とは逆の動作モードとなるＨＥＴを得た
。すなわち、このようにして得られたＨＥＴは、ベース
層中のホット・エレクトロンの透過率を、通常のＨＥＴ
のそれに比べて、０〜３０％の範囲で変調して動作する
ことができ、高速応答性、電流利得共に良好なＨＥＴが
得られる。
本発明によれば、ＨＥＴにおける電子の透過率は３０％
以上の改善がみられ、電流利得もこれに対応して改善さ
れるという効果を奏する。また、ベース層を極端に薄く
する必要がなくなるために、電極形成が容易になるとい
う効果も奏する。
以上の改善がみられ、電流利得もこれに対応して改善さ
れるという効果を奏する。また、ベース層を極端に薄く
する必要がなくなるために、電極形成が容易になるとい
う効果も奏する。
第１図は本発明の一実施例におけるＨＥＴの構造を示す
図、第２図はＨＥＴの原理を示すエネルギーバンド構造
の概念図、第３図は量子井戸幅を変えた場合の発光効率
の変化を示す図である。第４図は本発明の他の実施例に
おける複数の井戸を有するＨＥＴの原理を示すエネルギ
ーバンド構造の概念図、第５図は本発明の一実施例にお
けるＨＥＴの完成図である。第６図は本発明の他の実施
例におけるＨＥＴの構造を示す図、第７図はｖＢｏを変
化させた場合の透過率及びコレクタ電流の変化を示す図
である。 １ｌ−ｎ−ＧａＡｓ基板（コレクタ）、１２−パコレク
タバリア層、１３・・・ベース層、１４・・・エミッタ
バリア層、１５・・・エミッタ、２１・・・エミッタ、
２２・・・エミッタバリア層、２３・・・ベース層、２
４・・コレクタバリア層、２５・・・コレクタ、４１・
・・ベース層、４２・・電子井戸、５６・・・ベース電
極、５７・・・エミッタ電極、６１・・・ｎ −Ｇ ａ
Ａ ｓ基板（コレクタ）、６２・・・コレクタバリア
Ｊ１．６３・＝量子井戸、６４・・・ベース層バリア、
６５・・・エミッタバリア層、６６・・・エミッタ。
図、第２図はＨＥＴの原理を示すエネルギーバンド構造
の概念図、第３図は量子井戸幅を変えた場合の発光効率
の変化を示す図である。第４図は本発明の他の実施例に
おける複数の井戸を有するＨＥＴの原理を示すエネルギ
ーバンド構造の概念図、第５図は本発明の一実施例にお
けるＨＥＴの完成図である。第６図は本発明の他の実施
例におけるＨＥＴの構造を示す図、第７図はｖＢｏを変
化させた場合の透過率及びコレクタ電流の変化を示す図
である。 １ｌ−ｎ−ＧａＡｓ基板（コレクタ）、１２−パコレク
タバリア層、１３・・・ベース層、１４・・・エミッタ
バリア層、１５・・・エミッタ、２１・・・エミッタ、
２２・・・エミッタバリア層、２３・・・ベース層、２
４・・コレクタバリア層、２５・・・コレクタ、４１・
・・ベース層、４２・・電子井戸、５６・・・ベース電
極、５７・・・エミッタ電極、６１・・・ｎ −Ｇ ａ
Ａ ｓ基板（コレクタ）、６２・・・コレクタバリア
Ｊ１．６３・＝量子井戸、６４・・・ベース層バリア、
６５・・・エミッタバリア層、６６・・・エミッタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２種以上の半導体結晶からなるホットエレクトロン
トランジスタにおいて、ベース領域に量子井戸を少なく
とも１個有することを特徴とするホットエレクトロント
ランジスタ。 ２、上記量子井戸の幅が、その井戸中に束縛される量子
準位の一つとバリア層の伝導帯又は価電子帯の底との差
がｋＴ／２以内となるように定められていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のホットエレクトロン
トランジスタ。 （ただしｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度を示す。） ３、上記量子井戸が複数個設けられている場合において
、各井戸間の距離は、電子の井戸間における相互作用が
十分無視できる程度に離れていることを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載のホットエレクトロントランジス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62005068A JPH0612816B2 (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | ホツトエレクトロントランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62005068A JPH0612816B2 (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | ホツトエレクトロントランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63174363A true JPS63174363A (ja) | 1988-07-18 |
| JPH0612816B2 JPH0612816B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=11601070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62005068A Expired - Lifetime JPH0612816B2 (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | ホツトエレクトロントランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612816B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208873A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置 |
| JPS6154665A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPS61102774A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置 |
| JPS61290759A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-20 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 共鳴トンネルトランジスタ |
-
1987
- 1987-01-14 JP JP62005068A patent/JPH0612816B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208873A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置 |
| JPS6154665A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置及びその製造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0612816B2 (ja) | 1994-02-16 |
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