JPH0612843B2 - マイクロ波集積回路の回路基板 - Google Patents
マイクロ波集積回路の回路基板Info
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- JPH0612843B2 JPH0612843B2 JP62032798A JP3279887A JPH0612843B2 JP H0612843 B2 JPH0612843 B2 JP H0612843B2 JP 62032798 A JP62032798 A JP 62032798A JP 3279887 A JP3279887 A JP 3279887A JP H0612843 B2 JPH0612843 B2 JP H0612843B2
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- Japan
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- microwave integrated
- integrated circuit
- metal block
- circuit board
- chip
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、マイクロ波集積回路を構成する回路基板に
関するものである。
関するものである。
第４図は、例えば特開昭６０−１７８７０４号に示され
た従来のマイクロ波集積回路を示す断面図であり、図に
おいて、１Ａ，１Ｂは絶縁基板としてのセラミツク基
板、４Ａ，４Ｂはセラミツク基板１Ａ，１Ｂに設けられ
た配線パターンからなるストリツプ線路、５はセラミツ
ク基板１Ａ，１Ｂが取り付けられるキヤリア、７はキヤ
リア５に取り付けられるチツプ、９はストリツプ線路４
Ａ，４Ｂとチツプ７とを接続するワイヤを示す。
た従来のマイクロ波集積回路を示す断面図であり、図に
おいて、１Ａ，１Ｂは絶縁基板としてのセラミツク基
板、４Ａ，４Ｂはセラミツク基板１Ａ，１Ｂに設けられ
た配線パターンからなるストリツプ線路、５はセラミツ
ク基板１Ａ，１Ｂが取り付けられるキヤリア、７はキヤ
リア５に取り付けられるチツプ、９はストリツプ線路４
Ａ，４Ｂとチツプ７とを接続するワイヤを示す。
次に、セラミツク基板１Ａ，１Ｂおよびチツプ７の取り
付け、動作について説明する。
付け、動作について説明する。
まず、一主表面を凸形に削つたキヤリア５の凹部にセラ
ミツク基板１Ａ，１Ｂを取り付け、セラミツク基板１
Ａ，１Ｂの間に位置するキヤリア５の凸部にチツプ７を
位置させ、ストリツプ線路４Ａ，４Ｂとチツプ７とをワ
イヤ９で接続する。
ミツク基板１Ａ，１Ｂを取り付け、セラミツク基板１
Ａ，１Ｂの間に位置するキヤリア５の凸部にチツプ７を
位置させ、ストリツプ線路４Ａ，４Ｂとチツプ７とをワ
イヤ９で接続する。
このようにして取り付けたチツプ７のアースは、キヤリ
ア５を介して行われる。
ア５を介して行われる。
従来のマイクロ波集積回路の回路基板は以上のように構
成されているので、チツプ７のアースを取るためにセラ
ミツク基板１Ａ，１Ｂを２つに分けて構成するととも
に、キヤリア５を凸形に加工する必要があるので、加工
による歪がキヤリア５に残り、温度変化によるストレス
でセラミツク基板１Ａ，１Ｂが割れ易くなる。
成されているので、チツプ７のアースを取るためにセラ
ミツク基板１Ａ，１Ｂを２つに分けて構成するととも
に、キヤリア５を凸形に加工する必要があるので、加工
による歪がキヤリア５に残り、温度変化によるストレス
でセラミツク基板１Ａ，１Ｂが割れ易くなる。
また、マイクロ波集積回路の製造工程において、チツプ
７をセラミツク基板１Ａ，１Ｂの間に位置するキヤリア
５の凸部に位置させる必要があるので、チツプ７の取り
付けは手間がかかる難しい作業となり、作業性が悪い等
の問題点があつた。
７をセラミツク基板１Ａ，１Ｂの間に位置するキヤリア
５の凸部に位置させる必要があるので、チツプ７の取り
付けは手間がかかる難しい作業となり、作業性が悪い等
の問題点があつた。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、マイクロ波集積回路を作業効率良く製造で
きるとともに、スルーホールタイプのアースに比べて熱
伝達の温度係数，高周波特性のよいマイクロ波集積回路
の回路基板を得ることを目的とする。
れたもので、マイクロ波集積回路を作業効率良く製造で
きるとともに、スルーホールタイプのアースに比べて熱
伝達の温度係数，高周波特性のよいマイクロ波集積回路
の回路基板を得ることを目的とする。
この発明に係るマイクロ波集積回路の回路基板は、絶縁
基板に一方の主表面から他方の主表面へ至る導電性の金
属ブロツクを埋め込むとともに、両主表面を研摩して絶
縁基板と金属ブロツクとを同一平面としたものである。
基板に一方の主表面から他方の主表面へ至る導電性の金
属ブロツクを埋め込むとともに、両主表面を研摩して絶
縁基板と金属ブロツクとを同一平面としたものである。
この発明におけるマイクロ波集積回路の回路基板は、絶
縁基板に埋め込んだ金属ブロツクによつて熱伝達の温度
係数が良好となるとともに、高周波特性が向上する。
縁基板に埋め込んだ金属ブロツクによつて熱伝達の温度
係数が良好となるとともに、高周波特性が向上する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図，第２図はこの発明の一実施例を示す断面図と平
面図であり、第４図と同一部分には同一符号が付してあ
る。これらの図において、１は絶縁基板としてのセラミ
ツク基板を示し、貫通穴１ａが設けられている。２は導
電性の金属ブロツクを示し、セラミツク基板１の貫通孔
１ａに接着剤３で埋め込まれ、セラミツク基板１，金属
ブロツク２は研摩によつて表裏とも同一平面とされてい
る。４Ｃ，４Ｄは配線パターンで形成されたアースパタ
ーン、５Ａは後述する回路基板が取り付けられるキヤリ
ア、６はアースパターン４Ｄとキヤリア５Ａとを接続す
るはんだを示す。
面図であり、第４図と同一部分には同一符号が付してあ
る。これらの図において、１は絶縁基板としてのセラミ
ツク基板を示し、貫通穴１ａが設けられている。２は導
電性の金属ブロツクを示し、セラミツク基板１の貫通孔
１ａに接着剤３で埋め込まれ、セラミツク基板１，金属
ブロツク２は研摩によつて表裏とも同一平面とされてい
る。４Ｃ，４Ｄは配線パターンで形成されたアースパタ
ーン、５Ａは後述する回路基板が取り付けられるキヤリ
ア、６はアースパターン４Ｄとキヤリア５Ａとを接続す
るはんだを示す。
次に、前述したセラミツク基板１，金属ブロツク２等で
構成される回路基板と、マイクロ波集積回路との製造お
よび動作について説明する。
構成される回路基板と、マイクロ波集積回路との製造お
よび動作について説明する。
まず、セラミツク基板１に丸または角形の貫通孔１ａを
形成し、この貫通孔１ａに、例えば銅等の金属ブロツク
２を接着剤３を用いて埋め込み、セラミツク基板１，金
属ブロツク２の両主表面を研摩してセラミツク基板１，
金属ブロツク２を同一平面とし、表裏をメタライズす
る。そして、セラミツク基板１の表面にパターニングに
よつてストリツプ線路４Ａ，４Ｂおよびアースパターン
４Ｃを形成するとともに、セラミツク基板１の裏面にア
ースパターン４Ｄを形成する。
形成し、この貫通孔１ａに、例えば銅等の金属ブロツク
２を接着剤３を用いて埋め込み、セラミツク基板１，金
属ブロツク２の両主表面を研摩してセラミツク基板１，
金属ブロツク２を同一平面とし、表裏をメタライズす
る。そして、セラミツク基板１の表面にパターニングに
よつてストリツプ線路４Ａ，４Ｂおよびアースパターン
４Ｃを形成するとともに、セラミツク基板１の裏面にア
ースパターン４Ｄを形成する。
このように構成した回路基板をキヤリア５Ａにはんだ６
を用いて取り付ける。そしてチツプ７をアースパターン
４Ｃに取り付け、ストリツプ線路４Ａ，４Ｂとチツプ７
とをワイヤ９で接続する。
を用いて取り付ける。そしてチツプ７をアースパターン
４Ｃに取り付け、ストリツプ線路４Ａ，４Ｂとチツプ７
とをワイヤ９で接続する。
前述のようにマイクロ波集積回路を構成すると、セラミ
ツク基板１の表裏が金属ブロツク２によつて導通するの
で、熱伝達の温度係数がスルーホールタイプに比べてよ
くなるために熱放散が良好となるとともに、広い面積を
電流が流れるために高周波特性も向上する。
ツク基板１の表裏が金属ブロツク２によつて導通するの
で、熱伝達の温度係数がスルーホールタイプに比べてよ
くなるために熱放散が良好となるとともに、広い面積を
電流が流れるために高周波特性も向上する。
また、セラミツク基板１は１枚でよくなるため、部品点
数が減少するととに、チツプ７を回路基板に実装できる
ので、作業性よくマイクロ波集積回路が製造できる。
数が減少するととに、チツプ７を回路基板に実装できる
ので、作業性よくマイクロ波集積回路が製造できる。
さらに、回路基板を取り付けるキヤリア５Ａの取付面は
平坦でよいので、製造による歪がキヤリア５Ａに残りに
くく、温度変化によるストレスでの損傷がなくなるとと
もに、キヤリア５Ａの加工性もよくなる。
平坦でよいので、製造による歪がキヤリア５Ａに残りに
くく、温度変化によるストレスでの損傷がなくなるとと
もに、キヤリア５Ａの加工性もよくなる。
第３図はこの発明のマイクロ波集積回路の回路基板の他
の使用例を示す断面図であり、第１図と同一部分には同
一符号が付してある。この図において、７Ａはフリツプ
チツプを示し、電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃが設けられてい
る。電極８Ａはストリツプ線路４Ａに、電極８Ｂはスト
リツプ線路４Ｂに、電極８Ｃはアースパターン４Ｃにそ
れぞれ接続される。
の使用例を示す断面図であり、第１図と同一部分には同
一符号が付してある。この図において、７Ａはフリツプ
チツプを示し、電極８Ａ，８Ｂ，８Ｃが設けられてい
る。電極８Ａはストリツプ線路４Ａに、電極８Ｂはスト
リツプ線路４Ｂに、電極８Ｃはアースパターン４Ｃにそ
れぞれ接続される。
第３図に示すように、電極８Ａ〜８Ｃをストリツプ線路
４Ａ，４Ｂおよびアースパターン４Ｃに接続してフリツ
プチツプ７Ａを取り付けると、ストリツプ線路４Ａ，４
Ｂおよびアースパターン４Ｃは同じ高さにパターニング
で形成できるので、フリツプチツプ７Ａを容易に同一平
面で取り付けることができる。
４Ａ，４Ｂおよびアースパターン４Ｃに接続してフリツ
プチツプ７Ａを取り付けると、ストリツプ線路４Ａ，４
Ｂおよびアースパターン４Ｃは同じ高さにパターニング
で形成できるので、フリツプチツプ７Ａを容易に同一平
面で取り付けることができる。
なお、上記実施例では、回路基板にチツプ７，フリツプ
チツプ７Ａを実装する例で説明したが、回路基板にチツ
プ７，フリツプチツプ７Ａ以外の回路素子を実装した場
合、および回路素子を実装しない場合にも適用できるこ
とはいうまでもない。
チツプ７Ａを実装する例で説明したが、回路基板にチツ
プ７，フリツプチツプ７Ａ以外の回路素子を実装した場
合、および回路素子を実装しない場合にも適用できるこ
とはいうまでもない。
以上のように、この発明によれば、絶縁基板に一方の主
表面から他方の主表面へ至る導電性の金属ブロツクを埋
め込むとともに、両主表面を研摩して絶縁基板と金属ブ
ロツクとを同一平面としたので、絶縁基板の表裏が金属
ブロツクによつて導通するので、熱伝達の温度係数がス
ルーホールタイプに比べてよくなるために熱放散がよく
なるとともに、広い面積を電流が流れるために高周波特
性もよくなる。さらに、特に絶縁基板と金属ブロツクと
の両主表面を研摩して同一平面にした後に、マイクロ波
集積回路を実装するアースパターンをその金属ブロツク
上に形成したので、絶縁基板と金属ブロツクとの両主表
面が凸凹になることはなく、アースパターンの形成を容
易にすることができると共に、実装されたマイクロ波集
積回路が傾くことがなく、マイクロ波集積回路から金属
ブロツクへの熱伝達の悪化を防ぐことができる。
表面から他方の主表面へ至る導電性の金属ブロツクを埋
め込むとともに、両主表面を研摩して絶縁基板と金属ブ
ロツクとを同一平面としたので、絶縁基板の表裏が金属
ブロツクによつて導通するので、熱伝達の温度係数がス
ルーホールタイプに比べてよくなるために熱放散がよく
なるとともに、広い面積を電流が流れるために高周波特
性もよくなる。さらに、特に絶縁基板と金属ブロツクと
の両主表面を研摩して同一平面にした後に、マイクロ波
集積回路を実装するアースパターンをその金属ブロツク
上に形成したので、絶縁基板と金属ブロツクとの両主表
面が凸凹になることはなく、アースパターンの形成を容
易にすることができると共に、実装されたマイクロ波集
積回路が傾くことがなく、マイクロ波集積回路から金属
ブロツクへの熱伝達の悪化を防ぐことができる。
また、絶縁基板は１枚でよくなるので、部品点数が減少
するとともに、チツプを回路基板に実装できるため、作
業性よくマイクロ波集積回路が製造できる等の効果があ
る。
するとともに、チツプを回路基板に実装できるため、作
業性よくマイクロ波集積回路が製造できる等の効果があ
る。
第１図はこの発明の一実施例によるマイクロ波集積回路
の回路基板を示す断面図、第２図は第１図に示す回路基
板の平面図、第３図は回路基板の他の使用例を示す断面
図、第４図は従来のマイクロ波集積回路の回路基板を示
す断面図である。 図において、１はセラミツク基板、１ａは貫通孔、２は
金属ブロツク、３は接着剤、４Ａ，４Ｂはストリツプ線
路、４Ｃ，４Ｄはアースパターンを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
の回路基板を示す断面図、第２図は第１図に示す回路基
板の平面図、第３図は回路基板の他の使用例を示す断面
図、第４図は従来のマイクロ波集積回路の回路基板を示
す断面図である。 図において、１はセラミツク基板、１ａは貫通孔、２は
金属ブロツク、３は接着剤、４Ａ，４Ｂはストリツプ線
路、４Ｃ，４Ｄはアースパターンを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】貫通孔を有する絶縁基板と、その貫通孔に
埋め込まれた導電性の金属ブロックと、上記絶縁基板と
上記金属ブロックとの両主表面を研磨して同一平面にし
た後に、その金属ブロツク上に形成されマイクロ波集積
回路を実装するアースパターンと、上記絶縁基板上に形
成されたストリツプ線路とを備えたマイクロ波集積回路
の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032798A JPH0612843B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | マイクロ波集積回路の回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032798A JPH0612843B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | マイクロ波集積回路の回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200602A JPS63200602A (ja) | 1988-08-18 |
| JPH0612843B2 true JPH0612843B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=12368863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62032798A Expired - Lifetime JPH0612843B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | マイクロ波集積回路の回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612843B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0372075B1 (en) * | 1987-07-13 | 1994-06-01 | Ebara Corporation | Combustion control apparatus for fluidized bed boilers |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2768873B2 (ja) * | 1992-08-10 | 1998-06-25 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波集積回路及びその製造方法 |
| CN108184312A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-19 | 赛创电气（铜陵）有限公司 | 一种双面导通陶瓷线路板及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62191202U (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-05 |
-
1987
- 1987-02-16 JP JP62032798A patent/JPH0612843B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0372075B1 (en) * | 1987-07-13 | 1994-06-01 | Ebara Corporation | Combustion control apparatus for fluidized bed boilers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63200602A (ja) | 1988-08-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |